【課題】疎水性機能を損なうことなく、かつ比誘電率への影響が小さく、機械的特性の向上を可能とする疎水性多孔質ＳＯＧ膜の作製方法の提供。
【解決手段】ＳＯＧ膜の熱処理を酸素含有ガスの存在下で行って疎水性多孔質ＳＯＧ膜を作製する。この熱処理を、そのプロセスの所定の時期に導入した酸素分圧５Ｅ＋３Ｐａ以上の酸素含有ガス中で、３００℃〜１０００℃の温度で行う。 （もっと読む）

【課題】直交する電極どうしの交差部に絶縁膜形成インクを噴射して絶縁膜を形成する際に、表面に凹凸の少ない絶縁膜を形成することが可能なタッチパネルの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成工程では、Ｘ電極１０のブリッジ配線１１上の領域に対して、絶縁膜形成インクを選択的に噴射（配置）する。その後、基板１上の絶縁膜形成インクを加熱し、乾燥固化することで、ブリッジ配線１１上に絶縁膜３０が形成される。絶縁膜形成インクは、例えば、ポリシロキサン、アクリル系樹脂、及びアクリルモノマーなどの絶縁材料を液性媒体に溶解（分散）させ、更にアクリル系界面活性剤を含有させたものである。 （もっと読む）

【課題】埋め込まれた金属の酸化、及びパターン欠損の発生を抑制しつつ、低誘電率絶縁膜自体の電気的特性を十分に回復できる低誘電率絶縁膜のダメージ回復方法を提供すること。
【解決手段】低誘電率絶縁膜を加工処理した後、低誘電率絶縁膜の表面に加工処理によって生じたダメージ性官能基を、疎水性官能基に置換し（ＳＴ．２）、低誘電率絶縁膜の表面に置換処理によって生じたデンス層の下に存在するダメージ成分を、紫外線加熱処理を用いて回復させる（ＳＴ．３）。 （もっと読む）

【課題】表面自由エネルギーを変化させる際に照射する紫外線による濡れ性変化層の絶縁性の低下を抑制することが可能な積層構造体並びに該積層構造体を有する電子素子、電子素子アレイ、画像表示媒体及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】積層構造体１０は、基板１１上に、紫外線を照射することにより表面自由エネルギーが変化する材料を含む濡れ性変化層１２の紫外線照射領域１２ａに導電体層１３が形成されている積層構造を有し、紫外線を照射することにより表面自由エネルギーが変化する材料は、ポリアミド酸を脱水閉環反応させることにより得られる有機溶媒に可溶な特定ポリイミドである。 （もっと読む）

【課題】多孔質絶縁膜を疎水化する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板３に多孔質絶縁膜２を形成する工程（Ｓ１０１）と、多孔質絶縁膜２が形成された基板３をチャンバー１内に配置する工程（Ｓ１０２）と、基板３が配置されたチャンバー１内にシロキサンを投入するとともに基板３を第一の温度に昇温する工程（Ｓ１０３）と、投入されたシロキサンが付着した基板３を第一の温度よりも高い第二の温度に昇温する工程（Ｓ１０４）と、を含む。Ｓ１０３では、チャンバー１内の圧力を１ｋＰａ以下とする。また、第一の温度は、チャンバー１内の圧力がシロキサンの飽和蒸気圧となる温度以上であり、かつ、多孔質絶縁膜２とシロキサンとが重合反応を開始する温度以下である。 （もっと読む）

【課題】高い誘電率及び高い破壊強度、さらには良好な機械的強度及び加工性を有するポリマー複合材料を提供する。
【解決手段】本明細書に開示されているのは、ポリマー材料前駆体とナノ粒子とを混合し、それぞれのナノ粒子が基材及び基材上に配置されるコーティング組成物を含むようにすることと、ポリマー材料前駆体を重合してポリマー材料を形成し、ナノ粒子をポリマー材料内に分散させてポリマー組成物を形成することとを含む、ポリマー組成物を形成する方法である。 （もっと読む）

【課題】効率的な製造工程を提供し、製造コストを低減することができる半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造装置１００は、ウェハカセット２，３，４と、ウェハの洗浄および表面改質を行う装置５と、ウェハの位置合わせを行う装置６と、ウェハ表面にパッシベーション膜となる材料を射出する装置７と、パッシベーション膜の外観検査を行う装置８と、パッシベーション膜に熱処理を行う装置９と、処理順にウェハを各装置に搬送する装置１０を備えている。製造装置１００では、インクジェット技術を用いて、洗浄後のウェハ表面に、選択的にパッシベーション膜のパターンを形成する。次いで、パッシベーション膜のパターンが、所望のパターン条件を有しているか否かを検査する。パッシベーション膜が所望のパターンで形成されている場合に、パッシベーション膜を硬化および焼成する熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体素子デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適し、硬膜時における膜減りが小さく、かつ誘電率などの特性に優れた膜を製造することができる組成物、およびその組成物より得られる膜を提供することを目的とする。
【解決手段】芳香族炭化水素を主成分とし、分子内の全ての水素原子が前記芳香族炭化水素を構成する炭素原子と結合しており、熱重量分析（１ｍｍＨｇ真空下，昇温速度２０℃/ｍｉｎ）において５％重量減少温度が２５０℃〜４５０℃を示し、空孔形成剤として作用する化合物（Ｐ）と、樹脂または樹脂前駆体とを含有する組成物。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバ内の処理空間に対して給排気を行うための給排気構造を有する基板処理装置において、処理チャンバから漏洩するＸ線を効果的に減衰させる。
【解決手段】壁面側での孔形成禁止範囲以外にアルゴンガス供給孔２７を形成して漏洩Ｘ線Ｘ２の経路上にチャンバ壁２６が位置し、また壁面対向面側での孔形成禁止範囲以外に供給孔８３２を形成して漏洩Ｘ線Ｘ１の経路上に供給カバー８３１の壁面が位置するように、アルゴンガス供給孔２７および供給孔８３２が配置されている。したがって、処理空間２１内で発生したＸ線は必ず供給カバー壁および／またはチャンバ壁２６を透過し、処理チャンバ２から漏洩するＸ線を効果的に減衰させることができる。 （もっと読む）

【課題】インクジェット法により基板上に形成する絶縁膜を、熱処理または紫外光照射による固化後も表面平坦性を保持可能で所望の形状に形成できる絶縁膜形成用インクを提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用のインクは、液性媒体と、絶縁膜３０形成材料と、液性媒体に分散された合成樹脂製のビーズ２００と、を含む。基板Ｐ上に供給された前記インクは、熱処理または紫外光照射により固化する際に表面平坦性が損なわれず膜厚が均一な絶縁膜となる。 （もっと読む）

【課題】製造過程の絶縁膜の剥離や飛散を抑制して半導体装置を歩留まり良く製造する。
【解決手段】ウェーハの上方に下地となる第１絶縁膜を介して第２絶縁膜を形成し（ステップＳ１，Ｓ２）、熱処理を行った後（ステップＳ３，Ｓ４）、その熱処理後の第２絶縁膜の一部を選択的に除去する（ステップＳ５）。熱処理の間、第１絶縁膜を第２絶縁膜で覆い、熱処理時の第１絶縁膜の剥離及び飛散を抑制する。 （もっと読む）

共有結合性有機骨格として配列した、複数のセグメントと複数の連結基とを含む、追加機能性を備えた構造化有機薄膜を含む電子デバイスであって、構造化有機薄膜は、複数セグメントの厚さの構造化有機薄膜とすることができる。
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【課題】半導体素デバイスなどにおける層間絶縁膜用の材料として使用するのに適し、硬膜時における膜減りが小さく、かつ誘電率に優れた膜を製造することができる化合物、およびその化合物を含む組成物、さらにはその組成物より得られる膜を提供。
【解決手段】化合物は、ジエノフィル構造を有する化合物（Ａ）と、環状もしくは直鎖状のいずれかで表される共役ジエン構造を有する化合物（Ｂ）とのディールス・アルダー反応により形成され、加熱、光照射、放射線照射またはそれらの組み合わせにより逆ディールス・アルダー反応を介して前記共役ジエン構造を有する化合物（Ｂ）を放出する化合物である。 （もっと読む）

【課題】インクジェットヘッドの耐久性を低下させない溶媒を使用できるイミド系の化合物を含み、且つ、インク中にイミド系の化合物を高濃度で含有し、常温保存における保存安定性が良好で、１回のジェッティングで比較的厚い（１μｍ以上の）膜を形成でき、さらに、製膜時に耐熱性、電気絶縁性が高く、十分な機械的強度を有する、反り量の少ない絶縁膜を得ることができるインクジェット用インクを提供する。
【解決手段】モノアミン（ａ１）と酸無水物基を１つ有する化合物（ａ２）とを用いて得られるイミド化合物（Ａ）と、溶媒（Ｂ）とを含む、インクジェット用インク。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性に優れ、誘電率、硬度等の諸特性に優れ、誘電率の経時変化が小さく、半導体素子デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した多孔質膜、およびその多孔質膜を製造する組成物を提供する。
【解決手段】多孔質膜は、加熱、光照射、放射線照射またはそれらの組み合わせにより、その一部が脱離して揮発性成分を生じる官能基を有する化合物（Ｘ）を用いて形成され、空孔分布曲線における最大ピークを示す空孔直径が５ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【解決手段】
複雑なメタライゼーションシステムの形成の間、全体的な伝導性に否定的な影響を与えることなしにエレクトロマイグレーション性能を高めるために、伝導性キャップ層（１２２Ｃ）が銅含有金属領域（１２２Ａ）上に形成されてよい。その一方で熱化学的処理が実行されてよく、その結果、敏感な誘電体材質（１２１）の優れた表面状態をもたらすことができる他、敏感なＵＬＫ材質の材質特性の大きなばらつきを従来的にはもたらすことがある炭素減損を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】基体に形成されたトレンチ内にシリコン酸化物を埋め込むために使用するのに好適な溶液の保存安定性が良く、埋め込み性が高く、厚膜化ができ、かつ良好なクラック耐性を有するトレンチ埋め込み用縮合反応物、及びトレンチ埋め込み膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】ポリシロキサン化合物とシリカ粒子との縮合反応物、並びに２０℃における蒸気圧が５３０Pａ以上であり、かつ、沸点が８０℃以上１３０℃未満である有機溶媒（Ａ）、及び２０℃における蒸気圧が５３０Pａ未満であり、かつ、沸点が１３０℃以上２００℃以下である有機溶媒（Ｂ）から成る混合溶媒、又は２０℃における蒸気圧が５３０Ｐａ以上であり、かつ、沸点が１３０℃以上２００℃以下である有機溶媒（Ｃ）を含むことを特徴とするトレンチ埋め込み用縮合反応物。 （もっと読む）

【課題】低誘電率材料と半導体材料との密着性を向上させることの可能な半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１０上に、下部ＤＢＲ層１１、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４、上部ＤＢＲ層１５およびコンタクト層１６を基板１０側からこの順に含む柱状のメサ部１７が設けられている。メサ部１７の上面には、環状の上部電極２１が設けられており、メサ部１７の周囲には、上部電極２１に電気的に接続された電極パッド２３が設けられている。電極パッド２３の直下に台座部２６が設けられている。台座部２６は、酸化半導体からなる凹凸部２６Ａと、低誘電率材料からなる埋め込み部２６Ｂとを有している。凹凸部２６Ａは凹凸構造を有しており、埋め込み部２６Ｂはその凹凸構造の凹凸を埋め込むように形成されている。 （もっと読む）

【課題】 塗布法又は印刷法により有機電子素子を形成するために用いる低誘電率絶縁材料層を低温で形成する方法、該方法で形成された層又はパターン及び有機電子素子を提供する。
【解決手段】 （ａ）基材上又は該電子素子を構成する導電層乃至は半導体層上に、フルオロポリマー分散体からなる第一の絶縁層形成材料を塗布又は印刷する工程、（ｂ）フルオロポリマー分散体の乾燥皮膜を形成する工程、（ｃ）フルオロカーボン共重合体溶液からなる第二の絶縁層形成材料を前記乾燥皮膜上に塗布又は印刷する工程、（ｄ）フルオロカーボン共重合体溶液の乾燥皮膜を形成する工程を有する低誘電率絶縁体材料層の形成方法。 （もっと読む）

【課題】基体に形成されたトレンチ内にシリコン酸化物を埋め込むために使用するのに好適な、トレンチへの埋め込み性が高く、硬化収縮率が小さく、かつ良好なクラック耐性を有するシリコン酸化物塗膜を与えるトレンチ埋め込み用組成物を提供すること。
【解決手段】水素化ポリシラン化合物と、シリカ粒子に由来する構造を有する反応物とを含むことを特徴とするトレンチ埋め込み用組成物を提供する。 （もっと読む）