【課題】低コストで製造でき、ＰＧＭＥＡ等のエステル溶媒への高溶解性を示す水酸化フラーレン誘導体並びにその溶液及びその膜を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表わされることを特徴とする、フラーレン誘導体並びにその溶液及び膜。


（上記式（１）中、Ciはフラーレン骨格を表し、mは０以上６以下の整数を表し、nは０又は１を表し、ｐは１以上４６以下の数字を表し、ｑは０以上４５以下の数字を表し、ｐ＋ｑが２以上４６以下の整数を表す。また、Ｒは炭素数1以上30以下の有機基を表す。（−ＣＨ_２−）_ｍを構成するメチレン鎖は、有機基で置換されていてもよい。） （もっと読む）

【課題】有機物質、該有機物質を含むフィルム、および該フィルムを具備した電気素子を提供する。
【解決手段】親水性高分子と、前記親水性高分子の末端または側鎖に付加され、１つ以上のヒドロキシル基を有する炭素数６〜１４の芳香族官能基を含む１つ以上の有機部分と、
を含む有機物質、該有機物質を含むフィルム、および該フィルムを具備した電気素子である。 （もっと読む）

【課題】
硬化性が高い一方、室温での保存安定性の悪いシロキサンポリマーを含む被膜形成用塗布液について、保存安定性を向上させる。
【解決手段】
Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を有すると共にシラノール基を有する重合体と、式Ｒ^１（ＯＣＨ_２ＣＨＣＨ_３）_ｎＯＣＯＣＨ_３（Ｒ^１は炭素数１乃至４のアルキル基を示し、ｎは１又は２を示す）で表される有機溶媒と、シス型の二価カルボン酸を溶解可能な有機溶媒と、シス型の二価カルボン酸とを含む被膜形成用塗布液を用いる。 （もっと読む）

【課題】多孔質の有機ケイ酸塩ガラス膜を提供する。
【解決手段】当該膜、Ｓｉ_vＯ_wＣ_xＨ_yＦ_z（式中、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖは１０〜３５原子％、ｗは１０〜６５原子％、ｘは５〜３０原子％、ｙは１０〜５０原子％、ｚは０〜１５原子％である）は、Ｓｉ−ＣＨ₃を有するケイ酸塩の網目構造を有し、細孔及び２．７よりも低い誘電率を有する。予備的な膜が、オルガノシラン及び／又はオルガノシロキサン前駆体と細孔形成前駆体とからＣＶＤ法によって堆積される。ポロゲン前駆体が予備的な膜中に細孔を形成し、続いて除去されて多孔質膜を与える。組成物は、少なくとも１つのＳｉ−Ｈ結合を含有するオルガノシラン及び／又はオルガノシロキサン化合物と、アルコール、エーテル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトロ、第一、第二及び／又は第三アミン官能性又はそれらの組み合わせを含有する炭化水素のポロゲン前駆体とを含む。 （もっと読む）

【課題】高分子量を有しながらも溝の充填力が優れたポリシラザンおよびその合成方法、ポリシラザンを含む半導体素子製造用組成物およびその半導体素子製造用組成物を用いた半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ポリシラザンは、反応溶媒内に反応物として添加されたジクロロシラン、トリクロロシラン、およびアンモニアを触媒存在下で反応させることによって合成することができ、ポリスチレン換算重量平均分子量が２０００〜３００００であり、下記化学式（１）で示される。
【化１】


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【課題】高集積化および多層化が望まれている半導体素子などにおいて好適に用いることができ、機械的強度および加工耐性に優れた低比誘電率の絶縁膜の形成に用いることができる絶縁膜形成用組成物、ならびに絶縁膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、下記一般式（１）で表される化合物１を含むシラン化合物を加水分解縮合して得られた加水分解縮合物と、有機溶媒とを含む。
Ｒ^１_ｂ（Ｒ^２Ｏ）_３−ｂＳｉ−ＣＨ_２−Ｓｉ（ＯＲ^３）_３−ｃＲ^４_ｃ・・・・・（１）
（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は同一または異なり、それぞれ１価の有機基を示し、ｂおよびｃは同一または異なり、０〜１の数を示す。） （もっと読む）

【課題】微細構造領域とフラット領域とに「表面が単平面となるコート層」を形成できるコーティング方法を提供する。
【解決手段】平面状領域に微細な周期的構造が形成された微細構造領域１０Ａと、この微細構造領域に隣接する平坦な表面を有するフラット領域１０Ｂとを形成された被コーティング体１０の、微細構造領域１０Ａとフラット領域１０Ｂとにわたりコーティング材料を液状態でコーティングして、コート層を形成するコーティング方法において、微細構造領域１０Ａとフラット領域１０Ｂとに所定の段差量：ΔＨを、微細構造領域１０Ａにおける微細な周期的構造の形態に応じて予め設定することにより、コーティングされたコート層の表面を、微細構造領域とフラット領域とにわたって実質的に平坦な単一面とする。 （もっと読む）

【課題】高集積化および多層化が望まれている半導体素子などにおいて好適に用いることができ、機械的強度および薬液耐性に優れた低比誘電率の絶縁膜の形成に用いることができる絶縁膜形成用組成物、ならびに絶縁膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、下記一般式（１）で表される化合物１、下記一般式（２）で表される化合物２、および加水分解性ポリカルボシランを加水分解縮合して得られた加水分解縮合物と、有機溶媒とを含む。
Ｒ_ａＳｉ（ＯＲ^１）_４−ａ・・・・・（１）
（式中、Ｒは炭素数１〜２のアルキル基、ビニル基、アリル基、アセチル基またはフェニル基を示し、ａは１〜２の整数を示し、Ｒ^１は炭素数１〜３のアルキル基、ビニル基、アリル基、アセチル基またはフェニル基を示す。）
Ｒ^２_ｂ（Ｒ^３Ｏ）_３−ｂＳｉ−（Ｒ^６）_ｄ−Ｓｉ（ＯＲ^４）_３−ｃＲ^５_ｃ・・・・・（２）
（式中、Ｒ^２〜Ｒ^５は同一または異なり、それぞれ１価の有機基を示し、ｂおよびｃは同一または異なり、０〜１の数を示し、Ｒ^６はフェニレン基または−（ＣＨ_２）_ｍ−で表される基（ここで、ｍは１〜６の整数である。）を示し、ｄは０または１を示す。） （もっと読む）

【課題】半導体のプロセス耐性が向上し、且つ、生産効率が向上した薄膜トランジスタの製造方法を提供し、且つ、該製造方法により製造された半導体特性の安定した薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基体上に少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、該酸化物半導体層に接する保護層を有する薄膜トランジスタの製造方法において、該保護層が塗布法により形成される工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高温の酸化性雰囲気中でのＳＯＤ膜の改質を促進する。ライナー膜下部の素子や半導体基板が酸化されてダメージを受けることを防止する。
【解決手段】凹部と、凹部の内壁側面上に順に形成した、第１のライナー膜と、酸素原子を含有する第２のライナー膜と、凹部内に充填された絶縁領域と、を有し、第１のライナー膜は第２のライナー膜よりも耐酸化性が優れるものとした半導体装置。 （もっと読む）

【課題】低い比誘電率と高い機械的強度とを併せ持つ多孔質材料を製造でき、かつ保存安定性にすぐれる組成物及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アルコキシシラン化合物の加水分解物と、一般式（１）で表されるシロキサン化合物の加水分解物と、界面活性剤と、電気陰性度が２．５以下の元素と、を含む組成物。
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【課題】低誘電性で、かつ高耐熱性を示す膜を形成することができる膜形成用組成物、膜形成用組成物から得られる絶縁膜、および、絶縁膜を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】炭素-炭素不飽和結合を含む基を有するケイ素化合物（Ａ）と、カゴ型シルセスキオキサン構造を有する化合物とを含む膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】低温で良好な絶縁膜であるシリコン酸化膜を形成する。
【解決手段】シリコン基板１上にトレンチ１ａ、１ｂを形成し、シラザン結合を有するポリマーを有機溶媒に溶かした塗布剤を塗布して塗布膜を形成する。塗布膜に含まれる有機溶媒を気化させてポリマー膜を形成する。ポリマー膜に９０℃以下の温度で紫外線を照射し、そのポリマー膜を５０℃以上８０℃未満の温度の純水または水溶液中に浸漬することによってシリコン酸化膜３に転換する。 （もっと読む）

【課題】誘電特性および機械的強度に優れた有機シリコン酸化膜を形成することができる膜形成用組成物、およびこの膜形成用組成物を用いて形成された有機シリコン酸化膜を備えた絶縁膜、およびこの有機シリコン酸化膜を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一の態様によれば、下記一般式（Ｉ）で表される化合物またはその加水分解脱水縮合物を含むことを特徴とする、膜形成用組成物が提供される。
Ｘ^１_３−ｍＲ^１_ｍＳｉＲ^２ＳｉＲ^３_ｎＸ^２_３−ｎ （Ｉ）
（式中、Ｒ^１およびＲ^３は水素原子または１価の置換基であり、Ｒ^２は炭素数４の脂環構造を含む２価の基あるいはその誘導体であり、Ｘ^１およびＸ^２は加水分解性基であり、ｍおよびｎは０〜２の整数である。） （もっと読む）

【課題】本発明は、低誘電率、高機械強度および高耐熱性を示す膜を形成することができる絶縁膜形成用組成物、この絶縁膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜、この絶縁膜形成用組成物を用いて絶縁膜を製造する方法、及び、この絶縁膜を構成層として有する電子デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】一般式（１）で表される繰り返し単位を有する重合体を含む絶縁膜形成用組成物。


（一般式（１）中、Ｘは、カゴ型構造を表す。Ｙは、芳香族炭化水素基を表す。Ｒ^１は、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、またはハロゲン原子を、Ｒ^２は置換基を表す。ａは１〜１８の整数を、ｂは０〜６の整数を表す。＊は、結合位置を表す。） （もっと読む）

【課題】吸湿性が低く、特性が経時的に劣化し難い有機半導体装置、かかる有機半導体装置を備え信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供する。
【解決手段】ソース電極２０ａと、ドレイン電極２０ｂと、ゲート電極５０と、ゲート電極５０に対してソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂを絶縁するゲート絶縁層４０と、ゲート絶縁層４０に接触して設けられた有機半導体層３０と、有機半導体層３０のゲート絶縁層４０と反対側に接触して設けられたバッファ層６０とを有し、ゲート絶縁層４０およびバッファ層６０の少なくとも一方を、下記一般式（１）、または（２）で表される絶縁性高分子を主材料として構成される。
（もっと読む）

【課題】本発明は、低誘電率、高機械強度および高耐熱性を示す膜を形成することができる絶縁膜形成用組成物、この絶縁膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜、この絶縁膜形成用組成物を用いて絶縁膜を製造する方法、及び、この絶縁膜を構成層として有する電子デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】一般式（１）で表される、分岐構造を有する繰り返し単位を含む重合体、を含有する絶縁膜形成用組成物。
【化１】


（一般式（１）中、Ｘは、カゴ型構造を表す。Ｙは、芳香族炭化水素基を表す。Ｒ^１は、芳香族炭化水素基を、Ｒ^２は置換基を表す。「＊」は結合位置を表す。ａは０〜１８の整数を、ｂは０〜６の整数を、ｃは２〜７の整数を、ｄは１〜３の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】吸湿性が低く、特性が経時的に劣化し難い有機半導体装置、かかる有機半導体装置を備え信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】ゲート絶縁層４０と、バッファ層（第２の絶縁層）６０とを有し、ゲート絶縁層４０およびバッファ層６０の少なくとも一方は、下記一般式（Ｉ）で表される高分子の端部の少なくとも一方がフッ素原子またはフッ素原子を含有する置換基で置換したものであって、理論フェノール価が２．０ＫＯＨｍｇ／ポリマーｇ以下である絶縁性高分子を主材料として構成されている。


［ただし、式中、Ｒ^１は、芳香環を含む二価の連結基を示し、式中、Ｙは、酸素原子または硫黄原子を示し、式中、Ｚは、カルボニル基または硫黄原子を含む二価の連結基を示す。また、ｎは、２以上の整数である。］ （もっと読む）

【課題】
組成物中の固形成分の濃度を低下させることなく、ディスペンサー塗布法等の各種塗布方法に使用可能であって、耐熱性、電気絶縁性、低反り性を有し、且つ比較的厚いポリイミド膜（１００μｍ以上）を形成できる、熱硬化性組成物を提供する。
【解決手段】本発明の熱硬化性組成物は、アルケニル置換ナジイミド（Ｃ）、
および下記式（２）で表される構成単位を有する重量平均分子量２５，０００〜５０，０００のポリアミド酸（Ｂ）を含む。なお、式（２）中、Ｒ³およびＲ⁴はそれぞれ独立に炭素数２〜１００の有機基である。
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【課題】
高分子ブロック共重合体のミクロ相分離により、基板表面に周期が異なる規則的パターンからなる領域が共存したパターンや、規則的パターンの周期に分布を有するパターンを有する高分子薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】
高分子ブロック共重合体組成物を含む高分子層を基板表面に配置し、前記高分子層をミクロ相分離させる工程を含む高分子薄膜の製造方法であって、前記基板表面は、化学的性質の異なる表面１と表面２にパターン化されており、かつ、高分子ブロック共重合体組成物が第１の高分子ブロック鎖と第２の高分子ブロック鎖からなる高分子ブロック共重合体に、第１の高分子鎖あるいは第２の高分子鎖に相溶する高分子、あるいは、第２の高分子ブロック共重合体が所定の組成で配合されていることを特徴とする。 （もっと読む）