【課題】基体に形成されたトレンチ内にシリコン酸化物を埋め込むために使用するのに好適な、トレンチへの埋め込み性が高く、硬化収縮率が小さく、かつ良好なクラック耐性を有するシリコン酸化物塗膜を与えるトレンチ埋め込み用組成物を提供すること。
【解決手段】水素化ポリシラン化合物と、シリカ粒子に由来する構造を有する反応物とを含むことを特徴とするトレンチ埋め込み用組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】ポリベンゾオキサゾール樹脂とした場合に耐熱性に優れるベンゾオキサゾール樹脂前駆体、耐熱性および低誘電率であるポリベンゾオキサゾール樹脂、樹脂膜およびそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】少なくともダイヤモンドイド構造をいずれか一方に有する、ビスアミノフェノール化合物とジカルボン酸化合物とを反応して得られる第１の繰り返し単位を含むことを特徴とするベンゾオキサゾール樹脂前駆体。さらに、ダイヤモンドイド構造を有しないビスアミノフェノール化合物と、ダイヤモンドイド構造を有しないジカルボン酸化合物とを反応して得られる第２の繰り返し単位を含むベンゾオキサゾール樹脂前駆体。前記ベンゾオキサゾール樹脂前駆体を脱水閉環反応して得られるポリベンゾオキサゾール樹脂。前記ベンゾオキサゾール樹脂前駆体またはポリベンゾオキサゾール樹脂で構成される樹脂膜。 （もっと読む）

【課題】本発明は、上記問題点を解決するため、半導体素デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適し、適当な均一な厚さを有する膜の形成可能で、かつ誘電率、ヤング率等の特性に優れた膜を製造することができる膜形成用組成物、およびその膜形成組成物より得られる絶縁膜を提供することを目的とする。
【解決手段】加熱、光照射、放射線照射またはそれらの組み合わせにより、その一部が脱離して揮発性成分を生じ、残部に不飽和基を生成する官能基を有する化合物（Ｘ）を含有する組成物。 （もっと読む）

【課題】加熱によっても微細構造の乱れがない表面にパターンが形成された積層体を提供すること。
【解決手段】一般式（１）：Ｒ^１Ｓｉ（ＯＲ^２）_３（式中、Ｒ¹は少なくとも１つのチオール基を有する炭素数１〜８の炭化水素基、または少なくとも１つのチオール基を有する芳香族炭化水素基を表し、Ｒ^２は水素原子、炭素数１〜８の炭化水素基、または芳香族炭化水素基を表す。）で示されるチオール基含有アルコキシシラン類（ａ１）を加水分解および縮合して得られる縮合物（Ａ）ならびに炭素−炭素２重結合を有する化合物（Ｂ）および／またはイソシアネート基を有する化合物（Ｃ）を特定割合で含有する硬化性樹脂組成物（Ｄ）を基材に塗布して得られたパターン形成層を有する積層体を、賦型後、硬化させて得られる表面にパターンが形成された積層体を用いる。 （もっと読む）

【課題】レジストの解像度を損うことなく、レジストの感度を向上させることができるレジスト組成物及び該レジスト組成物を用いた半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】本発明のレジスト組成物は、金属塩、樹脂、及び溶剤を含むことを特徴とする。金属塩がアルカリ金属塩及びアルカリ土類金属塩のいずれかである態様、金属塩がセシウム塩である態様、金属塩の含有量が、樹脂に対し、５質量％〜５０質量％である態様、などが好ましい。 （もっと読む）

【課題】プラスチックなどの有機材料で構成された基板を用いた場合であっても、高い比誘電率を有し、閾値電圧または動作電圧を低減することができるゲート絶縁膜を備えた薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態による薄膜トランジスタ１０は、半導体材料で形成される活性層６；活性層に結合するソース電極４；活性層に結合し、活性層を通してソース電極と導通可能なドレイン電極５；活性層に結合し、複数の有機高分子材料層と複数の無機化合物層とが交互に積層されて構成されるゲート絶縁膜３；および、ゲート絶縁膜に接し、ゲート絶縁膜を介して活性層にチャネル領域を形成できるよう構成されるゲート電極２；を備える。 （もっと読む）

【課題】エアギャップ部を有し、かつ、高い機械的強度を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸素を含有する層間絶縁膜ＩＬ１の複数の溝部の側壁を被覆するバリア金属層ＡＬが形成される。複数の溝部を充填するように配線金属層ＰＣが形成される。層間絶縁膜ＩＬ１の酸素を熱拡散させることによってバリア金属層ＡＬの少なくとも一部を酸化することで、酸化物バリア層ＢＬ１が形成される。配線金属層のうち複数の溝部の外側の部分を除去することによって、第１および第２の配線間領域ＩＷ１，ＩＷ２と第１〜第３の配線ＷＲ１〜ＷＲ３とが形成される。第１の配線間領域ＩＷ１を覆い、かつ第２の配線間領域ＩＷ２上に開口部ＯＰを有するライナー膜ＬＮ１が形成される。開口部ＯＰを介したエッチングが行なわれる。 （もっと読む）

【課題】 ゲル化せずに安定した品質が得られる絶縁膜形成用重合体の重合方法、また、低誘電率、高耐熱性、高機械強度を兼ね備えた有用な有機絶縁膜用材料、また、低誘電率、かつ高耐熱性、高機械強度に優れた有機絶縁膜及びその有機絶縁膜を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】 重合性不飽和結合を含む基と、アダマンタン構造を最小単位とするカゴ型構造を有するカゴ型構造化合物を、少なくとも２段階以上の多段階反応により重合する方法であって、各段階の反応において、該１段階前の反応より、反応温度を１℃以上低温で重合することを特徴とする、絶縁膜形成用重合体の重合方法。前記重合方法で重合して得られた絶縁膜形成用重合体を含む有機絶縁膜用材料。前記有機絶縁膜用材料を、加熱、活性エネルギー線照射、又は加熱と活性エネルギー線照射により、架橋反応させて得られる有機絶縁膜。前記有機絶縁膜を具備する、電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】プラスチックなどの有機材料で構成された基板を用いた場合であっても、高い比誘電率を有し、閾値電圧または動作電圧を低減することができるゲート絶縁膜を備えた薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態による薄膜トランジスタ１０は、半導体材料で形成される活性層６；活性層６に結合するソース電極４；活性層６に結合し、活性層６を通してソース電極４と導通可能なドレイン電極５；活性層に結合し、有機高分子材料と無機化合物とが混合された層が複数層積層されて構成されるゲート絶縁膜３；並びに、ゲート絶縁膜３に接し、このゲート絶縁膜３を介して活性層６にチャネル領域を形成できるよう構成されるゲート電極２；を備える。 （もっと読む）

【課題】低抵抗の配線を形成するための積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、高表面エネルギー領域と低表面エネルギー領域が形成されている濡れ性変化層を形成する工程と、高表面エネルギー領域を覆うように、濡れ性変化層から所定の間隔を隔て対向基板を設置する工程と、高表面エネルギー領域上に導電性材料を含む溶液を供給する工程と、導電性材料を含む溶液を乾燥または硬化させることにより、高表面エネルギー領域上に導電層を形成する工程を有することを特徴とする積層構造体の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 樹脂膜とした場合に微細孔が小さいベンゾオキサゾール樹脂前駆体を提供する
。
また、本発明の目的は、微細孔が小さくかつ低誘電率である樹脂膜およびそれを用いた半
導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明のベンゾオキサゾール樹脂前駆体は、活性エステル基又はカルボキ
シル基を有する。また、本発明のポリベンゾオキサゾール樹脂は、上記に記載のベンゾオ
キサゾール樹脂前駆体を反応して得られることを特徴とするものである。また、本発明の
樹脂膜は、上記に記載のポリベンゾオキサゾール樹脂を含む樹脂組成物で構成される。ま
た、本発明の半導体装置は、上記に記載の樹脂膜を有するものである。 （もっと読む）

【課題】有機シリケート（ＯＳＧ）膜内の炭素含有種の少なくとも一部分を除去すること。
【解決手段】本明細書中に記載されているのは、酸化剤等の、しかし酸化剤に限られない薬品を用いてＯＳＧ膜を処理する工程、ＯＳＧ膜紫外線を含むエネルギー源に曝す工程、またはＯＳＧ膜を薬品で処理する工程およびＯＳＧ膜をエネルギー源に曝す工程により、有機シリケート（ＯＳＧ）膜内の炭素含有種の少なくとも一部分を除去するための方法である。 （もっと読む）

【課題】 成膜温度が１２０℃〜２００℃でリーク電流値が１０^−８Ａ／ｃｍ^２以下の塗布膜が形成できるとともに、高誘電体膜との積層により低リーク電流及び高比誘電率がシリコン窒化膜と同等以上の特性が得られる誘電体層形成用塗布液及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の誘電体層形成用塗布液は、一般式Ｓｉ（ＯＲ^１）_ａ、及びＲ^２_ｂＳｉ（ＯＲ^３）_ｃで表されるＳｉアルコキシド、これらの部分加水分解物及び縮合物から選ばれる一種以上のＳｉアルコキシド誘導体を主成分として有機溶剤に溶解してなる。ここで、Ｒ^１及びＲ^３はそれぞれ独立に炭素数１〜８のアルキル基であり、Ｒ^２は炭素数２以上の置換基である。ａはＳｉの価数であり、ｂ、ｃはそれぞれ１以上の整数でｂ＋ｃがＳｉの価数である。 （もっと読む）

【課題】良好な電気絶縁性、及び半導体材料との良好な適合性を有する電子デバイス用の誘電体材料を提供することである。
【解決手段】電子デバイスは、（ａ）半導体層と、（ｂ）低ｋ誘電体ポリマー及び高ｋ誘電体ポリマーを含む誘電体構造物と、を含み、半導体層に最も近い誘電体構造物の領域において、低ｋ誘電体ポリマーは、高ｋ誘電体ポリマーよりも低濃度であることを特徴とする。また、半導体層に最も近い誘電体構造物の領域において、低ｋ誘電体ポリマーは、約４０〜約１０重量％の範囲の濃度であり、高ｋ誘電体ポリマーは、約６０〜約９０％重量の範囲の濃度であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板表面に向けて電子ビームを照射して所定の基板処理を行う際に発生する物質による基板の汚染を防止して清浄な基板処理を低コストで実行可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム照射領域に対して基板ＷがＸ方向に移動する。これにより電子ビーム照射領域が基板表面全体に走査される。電子ビーム照射領域では、電子ビーム照射が基板表面に向けて照射されて未硬化状態の層間絶縁膜に対して硬化処理が施される。ここでは、基板移動範囲ＭＲに渡って基板表面Ｗを覆うようにパージボックス４７が配置されて基板表面側雰囲気ＡＰが形成される。そして、その基板表面側雰囲気ＡＰのうち電子ビーム照射領域の周囲から雰囲気管理されている。このため、電子ビーム照射によって発生する汚染物質は直ちに電子ビーム照射領域から排出される。 （もっと読む）

【課題】基板表面に向けて電子ビームを照射して所定の基板処理を行う際に発生する物質による基板の汚染を防止して清浄な基板処理を低コストで実行可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム照射を行っている間、電子ビーム照射領域ＩＲにはアルゴンガスが供給される一方、電子ビーム照射領域ＩＲの周囲は排気している。このため、基板Ｗへの電子ビーム照射によって発生する汚染物質がアルゴンガスと一緒に排気ガスとして処理空間４１ａの外側空間に排気され、基板表面への汚染物質の再付着や処理空間４１ａ全体への汚染物質の拡散が防止される。また、排気ガスから汚染物質を除去することで処理ガス（一度使用されたアルゴンガス）が生成され、処理空間４１ａに供給される。このように処理空間４１ａが処理ガスによりパージされる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、接着力、厚さ精度、高さ均一性に優れ、かつ、段差埋め込み性に優れた樹脂組成物および該樹脂組成物を用いて作製した平坦性、機械強度に優れる半導体装置を提供することにある。
【解決手段】 （Ａ）環状オレフィンの重合体またはその水素添加物および（Ｂ）下記一般式（１）で示される構造を有する化合物を含むことを特徴とする樹脂組成物、および該該樹脂組成物を用いて作製したことを特徴とする半導体装置である。
【化１】
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【課題】ポリイミド膜を熱処理するときに、開口の断面形状が変形することを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】膜形成工程（ステップＳ１０）では、溶媒にポリイミド前駆体を溶解させたポリイミド溶液を基板上に塗布することにより、基板上にポリイミド膜を形成する。開口形成工程（ステップＳ２０）では、ポリイミド膜に開口を形成する。第１熱処理工程（ステップＳ５０）では、ポリイミド膜を、溶媒の（沸点−５０℃）以上沸点未満の温度に加熱して保持するか、又は溶媒の（沸点−５０℃）以上沸点未満の範囲において１．５℃／秒以下（好ましくは１．０℃／秒以下）で昇温させる。第２熱処理工程（ステップＳ６０）では、ポリイミド膜を、ポリイミド膜の硬化温度以上の温度まで加熱する。 （もっと読む）

【課題】低温の酸化処理により酸化膜を形成する。
【解決手段】酸化膜の作成方法は、主鎖にＳｉ−Ｎ結合を有する高分子化合物を含む第１の膜１６と主鎖にＳｉ−Ｏ結合を有する高分子化合物を含む第２の膜１５とを積層する工程と、前記第１の膜１６及び前記第２の膜１５を水蒸気又は水性の雰囲気中で加熱処理し、前記第１の膜１６及び前記第２の膜１５を酸化膜１８に変化させる工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ウエハー面内の寸法均一性に優れた耐熱性樹脂パターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも（１）耐熱性樹脂組成物または耐熱性樹脂前駆体組成物を基板に塗布して樹脂膜を形成する工程、（２）樹脂膜を乾燥する工程、（３）樹脂膜をフォトリソグラフィーによりパターン形成する工程、（４）パターン形成した樹脂膜をホットプレートを用いて８０℃以上１６０℃以下で熱処理する工程および（５）パターン形成した樹脂膜をオーブンまたは炉を用いて熱硬化させる工程をこの順に含むことを特徴とする耐熱性樹脂パターンの形成方法。 （もっと読む）