【課題】 低誘電率膜の誘電率を回復させる方法を記載する。
【解決手段】 複数の孔を持つ多孔質誘電体層を基板上に形成する。その後、複数の孔を添加剤で充填して、塞がれた多孔質誘電体層を得る。最後に、複数の孔から添加剤を除去する。 （もっと読む）

【課題】誘電率を維持しつつ、密着性を向上することができる層間絶縁膜の表面改質方法及び表面改質装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１の反応管２内を昇温用ヒータ１２により所定の温度に加熱する。次に、層間絶縁膜が形成された半導体ウエハ１０を収容したウエハボート９を蓋体７上に載置し、ボートエレベータ８により蓋体７を上昇させ、半導体ウエハ１０を反応室内に収容する。続いて、反応管２を所定の圧力に維持し、半導体ウエハ１０に紫外線を照射する。 （もっと読む）

【課題】比較的低温の焼成温度でＴＦＴ素子上に低誘電率の平坦化膜を形成することが可能なＴＦＴ平坦化膜形成用組成物、及びそのような平坦化膜を有する表示装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るＴＦＴ平坦化膜形成用組成物は、（Ａ）シロキサン樹脂、（Ｂ）重合促進剤、及び（Ｃ）有機溶剤を含有する。（Ｂ）重合促進剤としてはオニウム塩が好ましく、その含有量は、（Ａ）シロキサン樹脂のＳｉＯ_２換算質量に対して１２０〜１０００質量ｐｐｍであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率、高耐熱性及び高機械強度を兼ね備えた樹脂膜を得ることができる有用な有機絶縁材料を提供し、また、低誘電率、低密度、高耐熱性及び高機械強度を兼ね備えた樹脂膜を提供し、さらにそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の有機絶縁材料は、重合性不飽和結合を含む基と、アダマンタン構造を最小単位とするかご型構造を有するかご型構造化合物のプレポリマーを含む有機絶縁材料であって、前記プレポリマーは、ＧＰＣ−ＲＡＬＬＳ法により測定される重量平均分子量及び慣性半径の両対数グラフにおける重量平均分子量が５０万以上２００万以下の範囲の直線の傾きが、０．３３以上０．４７以下である。本発明の樹脂膜は、前記有機絶縁材料を、加熱、活性エネルギー線照射、又は加熱と活性エネルギー線照射により、架橋反応させて得られる。本発明の半導体装置は、前記樹脂膜を具備する。 （もっと読む）

【課題】液体プロセスに採用し易い配向性の制御が可能な半導体装置や強誘電体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板と、前記基板の上方に配置されたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極およびドレイン電極間に配置されチャネル部を構成する有機半導体膜と、前記チャネル部との間にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極とを有する半導体装置の製造方法であって、前記基板(2)の上方に絶縁性ポリマーを材料に含む液体材料(6a)を塗布する第１工程と、塗布された前記液体材料に対して送風を行いつつ加熱することにより前記ゲート絶縁膜を形成する第２工程と、を有する。かかる方法によれば、溶液プロセスにおいて簡易な方法で、ゲート絶縁膜の配向性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 金属配線の抵抗値の経時変化が小さく、金属配線の断線の原因となる膜収縮が小さい低誘電率シリカ系被膜を基材上に形成する。
【解決手段】 （ａ）基材上に特定のポリシラザンと、アルコールおよびアルコール以外の有機溶媒とを含んでなり、アルコールの重量（Ｗ_AL）とポリシラザンの固形分としての重量（Ｗ_PS）との重量比（Ｗ_AL）／（Ｗ_PS）が０．０００１〜０．００５の範囲にあるシリカ系被膜形成用塗布液を塗布する工程、および、（ｃ）次いで飽和水蒸気を供給しながら、過熱水蒸気の存在下、塗布膜を１８０〜４５０℃の温度条件下で加熱処理する工程、からなる。 （もっと読む）

【課題】高性能多孔性絶縁膜を得るために、期待される誘電率、機械強度を満たし、化学的安定性に優れる多孔質膜を形成できる有機酸化ケイ素微粒子等を提供する。
【解決手段】無機酸化ケイ素、又はケイ素原子に直接結合した炭素原子を有する有機基を含有する第１有機酸化ケイ素からなる内核と、内核の外周に、ケイ素原子に直接結合した炭素原子を有する有機基を含有する有機基含有加水分解性シラン、又は有機基含有加水分解性シランと前記有機基を含有しない有機基非含有加水分解性シランの混合物からなる外殻形成用成分を塩基触媒の存在下で加水分解性縮合して得られる、第１有機酸化ケイ素とは異なる第２有機酸化ケイ素からなる外殻とを備えてなる有機酸化ケイ素微粒子であって、全炭素原子数［Ｃ］と全ケイ素原子数［Ｓｉ］との比［Ｃ］／［Ｓｉ］が、内核では０以上１未満であり、外殻では１以上である有機酸化ケイ素微粒子を提供する。 （もっと読む）

【課題】高性能多孔性絶縁膜として期待される誘電率、機械強度を満たし、化学的安定性に優れる多孔質膜を形成し得る有機酸化ケイ素系微粒子を提供する。
【解決手段】無機酸化ケイ素または有機酸化ケイ素を含んでなる内核と、前記内核の周囲に加水分解性シラン化合物を用いて塩基性触媒存在下で形成した有機酸化ケイ素を含んでなる外殻とを備える有機酸化ケイ素系微粒子であって、前記内核または外殻を構成するケイ素原子のうち、炭素原子と直接結ばれた結合を少なくとも１つ持つケイ素原子の数Ｔと、４つの結合が全て酸素原子と結ばれた結合であるケイ素原子の数Ｑの比Ｔ／Ｑの値が、内核よりも外殻の方が大きく、前記外殻形成用加水分解性シラン化合物が、炭素鎖を介して、または一部の炭素間に１つのケイ素を含有する炭素鎖を介して結合した、２つ以上の加水分解性基を有するケイ素を持つ加水分解性シラン化合物を含む有機酸化ケイ素系微粒子。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド膜をより厚く形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウエハの表面上に１度目のポリイミド塗布液を塗布し、半導体ウエハを回転させ、半導体ウエハの全表面上に前記ポリイミド塗布液を行き渡らせることにより、半導体ウエハの表面上に第１のポリイミド膜を形成し、第１のポリイミド膜の表面上に２度目のポリイミド塗布液を塗布し、半導体ウエハを回転させ、第１のポリイミド膜の全表面上に２度目のポリイミド塗布液を行き渡らせることにより、第１のポリイミド膜の表面上に第２のポリイミド膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、２度目のポリイミド塗布液を塗布した後に半導体ウエハを回転させる際の回転速度は、１度目のポリイミド塗布液を塗布した後に半導体ウエハを回転させる際の回転速度より遅いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、固体構造、特に半導体構造内部に一つ乃至複数のエアギャップを形成して金属線の如き電気部品間の誘電的カップリングを減じる方法に関する。そのような方法によって、集積回路やパッケージの如き半導体構造内の誘電的カップリングを減じようとした前述の従来の試みに関連する一つ乃至複数の欠点を克服することができる。
【解決手段】本発明の一つの局面によれば、半導体構造内にエアギャップを形成する方法は、（ｉ）半導体構造内の閉鎖された内部空間を占めるための犠牲材料としてノルボルネン型ポリマーを利用し、（ｉｉ）該犠牲材料を一つ以上のガス状分解物へと分解（好ましくは熱処理によって自己分解）し、（ｉｉｉ）該内部空間に隣接する固体層の少なくとも一つを通じて上記ガス状分解物の少なくとも一つを排除する、工程からなる。 （もっと読む）

【課題】 十分な大きさの孔を均一に形成することができ、かつ孔を形成するための材料が残存しない多孔質膜の製造方法及び該製造方法により得られた多孔質膜を提供する。
【解決手段】 骨格形成用の架橋性材料（ａ）と、ポリオキシアルキレン樹脂を主成分とし、加熱により分解揮発する加熱消滅性材料（ｂ）とを含む前駆体を調整する工程と、前記前駆体を、前記加熱消滅性材料（ｂ）の加熱により消滅する温度以上に加熱する工程と、前記加熱前あるいは加熱中に前記架橋性材料を架橋させ骨格相を形成する工程とを備え、前記架橋性材料中において前記加熱消滅性材料（ｂ）が消滅することにより前記骨格相で囲まれた多数の孔を有する多孔質材料を形成することを特徴とする、多孔質材料の製造方法、および、この製造方法により得られた多孔質材料。 （もっと読む）

【目的】ポリイミド膜の寸法精度のバラツキを小さく抑え、内部応力を抑制して亀裂の発生を抑え、素子の外観不良を低減できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】感光性ポリイミド膜２上に非感光性ポリイミド膜３を積層する２層構造とすることで、それぞれの膜厚を１層で形成するより薄くできて、亀裂の発生を抑制でき、亀裂に係わる素子の外観不良を低減できる。 （もっと読む）

【課題】 第一に、低温での焼成が可能であり、耐溶剤性、絶縁性を十分に兼ね備えた絶縁膜を形成するための絶縁性インキ組成物を提供する。第二に、該インキ組成物から形成される絶縁性膜を提供する。更に第三に、該インキ組成物を用いた柔軟性基材上に絶縁膜を設けた電子素子を提供する。
【解決手段】 第一に、有機溶剤、固形多官能型変性エポキシ樹脂、及び架橋剤を必須成分として含有することを特徴とする絶縁膜形成用インキ組成物を提供する。特に、前記固形多官能型変性エポキシ樹脂をインキ組成物中の全固形成分に対し７０％以上含有する絶縁膜形成用インキ組成物を提供する。第二に、前記絶縁膜形成用インキ組成物より形成される絶縁膜、第三に、前記した絶縁膜をゲート絶縁膜としての構成部材とする有機トランジスタ素子を提供する。 （もっと読む）

本発明は、ａ）金属又は半金属を有する第一のモノマー単位、及びｂ）化学結合によって第一のモノマー単位に結合されている第二のモノマー単位を有する少なくとも１つのツインモノマーを重合することによって得られる誘電体を有する、３．５以下の誘電率を有する誘電体層に関し、その際、前記重合は、前記化学結合の切断及び第一のモノマー単位を有する第一のポリマーの形成及び第二のモノマー単位を有する第二のポリマーの形成を伴った前記ツインモノマーの重合を含み、且つ、その際、第一及び第二のモノマー単位は共通の機構によって重合する。 （もっと読む）

自己組織化ブロック共重合体を使用して、ラインアレイにおいて、サブリソグラフィーでナノスケールの微細構造を作製するための方法、ならびに、これらの方法から形成される膜およびデバイスが提供される。
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【課題】耐熱性に優れ、且つ有機溶媒に可溶で、加工性、機械強度、基板密着性に優れ、絶縁材料、半導体用低誘電率材料、気体分離膜、電子デバイス封止剤、建設用シーリング材料などに用いることが可能な含珪素化合物を提供する。
【解決手段】式（１）で示される可溶性低誘電率含珪素化合物。またはその可溶性低誘電率含珪素共重合体。さらに、これらを含んでなる低誘電率層間絶縁膜。
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【課題】空孔形成剤を利用した誘電率が低下された絶縁膜であって、空孔同士が連結した隙間(ボイド）の発生が抑制された絶縁膜を形成することができる絶縁膜形成用組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】(A)ポリフェニレン、
(B)スチレンポリマー、並びに
(C)ポリフェニレン(A)に対して親和性を有するユニットとスチレンポリマー(B)に対して親和性を有するユニットとのブロック共重合体もしくはグラフト共重合体、を含有することを特徴とする絶縁膜形成用組成物を用いて絶縁膜を形成することにより、上記課題が解決される。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、優れた耐クラック性を有し、低比誘電性であり、かつ塗膜形成後も誘電率が経時で安定な絶縁膜を製造できる形成用組成物を提供することである。
【解決手段】カゴ型構造を有する化合物と下記一般式（I）で表される芳香族エステル化合物とを含有することを特徴とする膜形成用組成物。


（一般式（I）中、Ｒ_１はアルキル基を表す。ｍは、１〜６の整数を表す。ｍが２以上の整数の場合、Ｒ_１は同一でも異なっていてもよい。） （もっと読む）

【課題】絶縁膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、ポリマーＡと、ポリマーＢと、溶媒Ａおよび大気圧における沸点が溶媒Ａよりも低い溶媒Ｂと、を含み、かつ、以下の式（ｉ）および（ｉｉ）を満たす。
前記ポリマーＡの溶媒Ａへの溶解度＞前記ポリマーＡの前記溶媒Ｂへの溶解度
・・・（ｉ）
前記ポリマーＢの溶媒Ａへの溶解度＜前記ポリマーＢの前記溶媒Ｂへの溶解度
・・・（ｉｉ） （もっと読む）

【課題】電気・電子材料の製造に有用な塗膜として、銅又は銅合金上で高い解像度の硬化レリーフパターンを与えうる感光性樹脂組成物、並びにこれを用いたパターン形成方法並びに半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）特定の構造を有するポリイミド前駆体又は特定の構造を有するポリベンゾオキサゾール前駆体１００質量部と、（Ｂ）感光剤１〜４０質量部と、（Ｃ）特定の構造のフェノール化合物０．１〜２０質量部とを含む感光性樹脂組成物。 （もっと読む）