【課題】水分による電気特性劣化が抑制された半導体装置および半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】トランジスタを覆う層間絶縁層に接して金属酸化物層が位置する構造とし、金属酸化物層を、アモルファス構造を有する第１の金属酸化物層と、多結晶構造を有する第２の金属酸化物層を含む積層構造とする。アモルファス構造を有する第１の金属酸化物層は結晶粒界が存在せず、また、結晶状態の金属酸化物層と比較して格子間隔が広いため格子間に水分をトラップしやすい。多結晶構造を有する第２の金属酸化物層は、結晶粒界部分を除く結晶部分については緻密な構造を有しており、水分の透過性が非常に低い。このため、第１の金属酸化物層および第２の金属酸化物層を含む金属酸化物層が層間絶縁層に接する構造とすることにより、トランジスタ中への水分の侵入を効果的に防止できる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた低温プロセスで形成する信頼性の高い薄膜トランジスタ、その製造方法、および表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１は、基板１００と、前記基板上の一部に設けられたゲート電極１１０と、前記ゲート電極を覆う第１の絶縁膜１２０と、前記第１の絶縁膜を介して前記ゲート電極上に設けられた酸化物半導体膜１３０と、前記酸化物半導体膜上の一部に設けられた第２の絶縁膜１５０と、前記酸化物半導体膜から露出する酸化物半導体膜の一部と接続されたソース電極１４０Ｓおよびドレイン電極１４０Ｄと、を備え、前記酸化物半導体膜はＩｎと、Ｇａと、Ｚｎのうち少なくとも一つの元素を含む酸化物半導体を有し、前記第１の絶縁膜中に含有される水素濃度が５×１０^２０atm/ｃｍ^−３以上であり、かつ、前記第２の絶縁膜中に含有される水素濃度が１０^１９atm/ｃｍ^−３以下である。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ2膜形成の間にＯＨ結合の形成を妨げるか制限する４００℃またはそれ以下の温度で基板上にシリコン酸化物含有膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】ａ）ＰＥＣＶＤ反応チャンバ１１内に基板を収納すること、ｂ）少なくとも１つのシリコン含有化合物、ここで前記シリコン含有化合物はビス（ジエチルアミノ）シランである、を前記反応チャンバに注入すること、ｃ）オゾン、酸素および／または湿気（水分）からなる群から選ばれる少なくとも１つの酸素含有ガスを前記反応チャンバに注入すること、ｄ）前記基板上に堆積されるシリコン酸化物含有膜を得るために前記反応チャンバ内で少なくとも１つのシリコン含有化合物と少なくとも１つの酸素含有ガスを４００℃未満の温度で反応させること、ｅ）所期の膜厚が得られるまで工程ｂ）〜ｄ）を繰返すこと。 （もっと読む）

【課題】特定の構造を有する有機ケイ素化合物を、化学気相成長法（ＣＶＤ）により成膜し、炭素含有酸化ケイ素膜を得て、それを封止膜として使用する。
【解決手段】少なくとも一つのケイ素原子に直結した二級炭素水素基を有し、ケイ素原子１に対し、酸素原子が０．５以下の原子比を有する有機ケイ素化合物、例えば下記一般式（１）を原料として用い、ＣＶＤにより形成した炭素含有酸化ケイ素からなる膜を封止膜としてガスバリア部材、ＦＰＤデバイス、半導体デバイス等に用いる。


（式中、Ｒ^１，Ｒ^２は炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。Ｒ^１，Ｒ^２は互いに結合し環状構造を形成してもよい。Ｒ^３，Ｒ^４は炭素数１〜２０の炭化水素基または水素原子を表す。） （もっと読む）

【課題】放置時間が長くても、化合物半導体積層構造の表面のダングリングボンドがフッ素で終端された状態が維持されるようにし、閾値電圧の変動を抑制して、信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体装置は、化合物半導体積層構造６と、化合物半導体積層構造６の表面を覆うフッ素含有バリア膜９と、化合物半導体積層構造６の上方にフッ素含有バリア膜９を挟んで設けられたゲート電極８とを備える。 （もっと読む）

【課題】電気特性の制御された酸化物半導体層を用いて作製された抵抗素子及び薄膜トランジスタを利用した論理回路、並びに該論理回路を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】抵抗素子３５４に適用される酸化物半導体層９０５上にシラン（ＳｉＨ_４）及びアンモニア（ＮＨ_３）などの水素化合物を含むガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された窒化シリコン層９１０が直接接するように設けられ、且つ薄膜トランジスタ３５５に適用される酸化物半導体層９０６には、バリア層として機能する酸化シリコン層９０９を介して、窒化シリコン層９１０が設けられる。そのため、酸化物半導体層９０５には、酸化物半導体層９０６よりも高濃度に水素が導入される。結果として、抵抗素子３５４に適用される酸化物半導体層９０５の抵抗値が、薄膜トランジスタ３５５に適用される酸化物半導体層９０６の抵抗値よりも低くなる。 （もっと読む）

【課題】ハードマスクとして好適に用いられるアモルファスカーボン膜の製造法を提供する。また、半導体装置における保護膜や封止膜に適したアモルファスカーボン膜の製造法を提供する。
【解決手段】プラズマ雰囲気形成領域を内部に有するチャンバーを備えるCVD装置を用意し、チャンバー内圧を6.66Pa以下、バイアス印加手段を介して成膜用の基体を設置するステージに印加するバイアスを100〜1500W、基体の成膜時の基体温度を200℃以下、成膜用の原料ガスの流量を100〜300cc/min.（0℃、大気圧）、プラズマ雰囲気を形成するための希ガスの流量を50〜400cc/min.（0℃、大気圧）とし、基体をプラズマ雰囲気に対面させ、基体上にアモルファスカーボン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｇｅ基板と絶縁膜との界面に、良好なＧｅ酸化膜を形成する。
【解決手段】上面に絶縁膜（Ｈｉｇｈ−ｋ膜）３２が積層されたＧｅ基板３１の絶縁膜３２の表面から、酸素原子含有ガスを含む処理ガスのプラズマを照射する。絶縁膜３２越しにＧｅ基板３１を酸化させて、絶縁膜３２とＧｅ基板３１との界面にＧｅ酸化膜３３を形成する。絶縁膜３２がＧｅ酸化膜３３に対して保護膜として機能し、形成されたＧｅ酸化膜３３の劣化を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】有機アルミニウムと有機シラン化合物との混合物または反応物をＣＶＤにより成膜し、封止膜等に用いる。
【解決手段】一般式（１）の有機アルミニウム化合物
Ｒ^１_ｍＡｌＸ_ｎ（ＯＲ^２）_{３−（ｍ＋ｎ）} （１）
（式中、Ｒ^１、Ｒ^２は、炭素数１〜２０の炭化水素基、Ｘは水素又は弗素等、ｍは１乃至３の数、ｎは０乃至２の数を表す。）
と、一般式（２）の有機シラン化合物
Ｒ^３_ｐＳｉ（ＯＲ^４）_４−ｐ （２）
（式中、Ｒ^３、Ｒ^４は、水素原子または炭素数１〜２０の炭化水素基、ｐは０乃至３の整数を表す。）
との混合物または反応物を用い、化学気相成長法により、炭素含有酸化アルミニウム酸化ケイ素膜を得て、それを封止膜、ガスバリア部材、ＦＰＤデバイス、半導体デバイス等に用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板フィルムとバリアコーテイングを含むバリア構造物の提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、少なくとも一つの可撓性プラスチック基板フィルムと、
前記可撓性プラスチック基板フィルムの一つの表面上に配置されたバリアコーティングと、
を含むバリア構造物であって、
前記バリアコーティングは、周期表のＩＶＢ、ＶＢ、ＶＩＢ、ＩＩＩＡ、およびＩＶＡ族から選択された元素の酸化物若しくは窒化物、またはそれらの元素の組合せの酸化物若しくは窒化物である少なくとも一つの厚さ２ｎｍ〜１００ｎｍを有する厚膜層であり、前記バリアコーティングは、非晶質であり、且つ特徴のないミクロ構造を有していること特徴とするバリア構造物である。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ装置を用いてシリコン窒化膜を形成する際に、低温環境下で膜特性に優れたシリコン窒化膜を形成することが可能なシリコン窒化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置を用いて、シリコン源となる原料ガスと窒素源となる原料ガスとの混合ガスを真空環境下でプラズマ化することにより、シリコン窒化膜を形成する方法であって、シリコン源として、テトラメチルジシラザンを用いることを特徴とするシリコン窒化膜の形成方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】デバイス特性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の一形態の半導体装置は、第１および第２の領域を有する機能膜と、前記基板の前記第１の領域に設けられ、第１の幅を有する第１の溝と、前記基板の前記第２の領域に設けられ、第１の幅よりも広い第２の幅を有する第２の溝と、前記第１の溝を埋めるように高分子材料を前駆体として形成された第１の絶縁膜と、前記第１の幅を上回る直径を有し、前記第２の溝を埋める微粒子と、前記第２の溝内で前記微粒子間および前記微粒子と前記第２の溝との間隙を埋める前記高分子材料とを前駆体として形成された第２の絶縁膜とを持つ。 （もっと読む）

【課題】
高い水蒸気バリア性、耐湿熱性を示すシリコン含有膜の製造方法を提供すること
【解決手段】
乾式法により少なくともケイ素原子、窒素原子を含む乾式堆積膜を基材上に堆積させた後に、膜表面に波長が１５０ｎｍ以下の光照射を行い、膜の少なくとも一部を変性するシリコン含有膜の製造方法。本発明の方法は、蒸着法、反応性蒸着法、スパッタ法、反応性スパッタ法、化学気相堆積法から選ばれた手法により形成され、少なくともＳｉ−Ｈ結合、もしくはＮ−Ｈ結合に由来する水素を含む乾式堆積膜に好適に使用できる。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置
を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタの酸化物半導体層を覆う絶縁層にボロン元素またはアルミ
ニウム元素を含ませる。ボロン元素またはアルミニウム元素を含む絶縁層は、ボロン元素
またはアルミニウム元素を含むシリコンターゲットまたは酸化シリコンターゲットを用い
るスパッタ法により形成する。また、ボロン元素に代えてアンチモン元素（Ｓｂ）やリン
元素（Ｐ）を含む絶縁層で薄膜トランジスタの酸化物半導体層を覆う構成とする。 （もっと読む）

【課題】バックチャネル部の表面のアルミニウム汚染に起因する漏れ電流を抑制を防止でき、高い信頼性と、高い歩留を実現できる構造の薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】この発明に係る薄膜トランジスタは、シリコンを半導体層とするバックチャネル部を有するボトムゲート構造の薄膜トランジスタであって、アルミニウムを含むソース電極またはドレイン電極と、バックチャネル部の一部であって半導体層の表層を覆うサイアロン化合物の層とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜上に保護膜を形成した構造において、絶縁耐圧の低下を防ぐ。
【解決手段】基板上に形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成された第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記第２の半導体層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記絶縁膜を覆うように形成された保護膜と、を有し、前記保護膜は、熱ＣＶＤ、熱ＡＬＤ、真空蒸着のいずれかにより形成されたものであることを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ＣＦ_ｘ膜を層間絶縁膜として有する多層配線構造の半導体装置において、低誘電率であるＣＦ_ｘ膜の利点を生かすことができ、かつＣＭＰ処理による特性の劣化を防止することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、ＣＦ_ｘ膜を成膜する工程（ａ）と、ＣＦ_ｘ膜に所定パターンの凹部を形成する工程（ｂ）と、凹部を埋めかつＣＦ_ｘ膜上にわたって配線層を設ける工程（ｃ）と、凹部内以外の前記ＣＦ_ｘ膜上の余剰の配線層をＣＭＰ（化学機械研磨）によって除去してＣＦ_ｘ膜の表面を露出させる工程（ｄ）と、を有し、工程（ｂ）の前または後において、ＣＦ_ｘ膜の表面を窒化する工程（ｅ）を備える。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率絶縁膜の吸湿を抑制し、信頼性を向上させる。
【解決手段】 処理容器内に基板を搬入する工程と、処理容器内で基板上に高誘電率絶縁膜を形成する工程と、処理容器内で高誘電率絶縁膜上に高誘電率絶縁膜よりも吸湿性の低い低吸湿性絶縁膜を形成する工程と、処理容器内より低吸湿性絶縁膜形成後の基板を搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＯＨ基を含有するシリコン酸化膜から、ＴＦＴの性能である界面特性や絶縁性のため、及び基板を安価なものにするため低温で作製するため、低温で簡便な方法でＯＨ基を減少させる方法を提供する。
【解決手段】基板上に低温形成された、ＯＨ基を含有するシリコン酸化膜を有機溶媒に接触・浸漬させる工程と、その後、前記シリコン酸化膜を低温加熱する熱アニール処理を加える工程と、を有することを特徴とするシリコン酸化膜からのＯＨ基除去法。 （もっと読む）