【課題】良好な放熱効果を有するとともに、薄型化、製造工程数の削減、及び材料コストの節減が可能な半導体モジュール、該半導体モジュールの不良解析方法、及び該半導体モジュールの製造方法を提供すること。
【解決手段】メインボード２０上に搭載された電子部品１１と、メインボード２０上に搭載され、凹状の空間を形成するキャビティ部１２ａを有するとともに、電子部品１１をキャビティ部１２ａ内に収納したキャビティ基板１２と、を備えている。電子部品１１の上表面と、キャビティ部１２ａの底面１２ｂとが、半田や導電性接着剤などの接合用材を介することなく、熱伝達が可能な状態で直接的に接触している。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ方式の半導体装置のアンダーフィル材においてセルフフィレット性に優れ、且つ耐ブリード性に優れる液状封止樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】フリップチップ方式の半導体装置に用いる液状封止樹脂組成物において、（Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）芳香族アミン、（Ｃ）無機充填剤、（Ｄ）ポリエーテル基を有する液状シリコーン化合物、及び（Ｅ）アミノ基を有する液状シリコーン化合物を含有することを特徴とする液状封止樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】支持体上に半導体チップを配置する際に精度良く位置合わせできるとともに、微細な配線を形成可能な半導体パッケージの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本半導体パッケージの製造方法は、支持体の一の面に、位置合わせマークを形成する第１工程と、前記位置合わせマークにより位置合わせした半導体チップを、回路形成面が前記一の面と対向し、かつ、前記位置合わせマークを覆うように、前記支持体上に配置する第２工程と、前記支持体上に配置された前記半導体チップを封止する樹脂部を形成する第３工程と、前記支持体を除去する第４工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】封止装置において基板の受け渡しにかかる時間を短縮することが可能となる。
【解決手段】基板１０２を金型１１４に移動させ基板１０２を樹脂封止する封止装置１００で、基板１０２を移動させる搬送機構１１６と、搬送機構１１６から基板１０２の受け渡しがなされる基板受けテーブル１６０と、を備える封止装置１００の基板受け渡し機構であって、搬送機構１１６は基板１０２を支持する基板支持体１３２を備え、基板受けテーブル１６０は自身の内周側端部の対向する２辺と当該２辺と直交する１辺とで基板１０２を支持する枠体１６６を備え、基板１０２が基板支持体１３２及び枠体１６６で支持されるのは、基板１０２の樹脂封止される領域である被封止領域の外側のみとされ、基板支持体１３２が枠体１６６の内側を非接触で通り抜け可能とされている。 （もっと読む）

【課題】コネクタ部10と基板40及び外部接続端子50等の各部品を型20のキャビティ30・60に効率良く嵌装し、成形品の端子50ａの表面に樹脂バリが付着するのを防止する。
【解決手段】コネクタ部10を型20に設けたガイド部材70を介して嵌装キャビティ30に案内し、基板40及び外部接続端子50を型20に設けたガイド部材80を介して成形キャビティ60に案内する。また、外部接続端子50に形成されたくびれ部51を型20に設けた固定部材91に押圧状に支持させることにより、端子50ａのくびれ部51に樹脂バリが付着するのを確実に防止する。
更に、押圧部材(93a) における押圧面(93c) を弾性力を加えながら端子50ａの表面に圧接させることにより、端子50ａの表面に樹脂バリが付着するのを確実に防止する。 （もっと読む）

【課題】 半導体支持部材上にダイボンディング材を印刷法により塗布して半導体チップを接合するときのタクトタイムを削減することができ、なおかつＢステージ化での硬化不足や過度の硬化による組立不具合を十分防止できて、信頼性に優れる半導体装置を生産性よく製造することを可能とする半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、半導体チップを搭載するための半導体支持部材１０上に、光硬化性成分及び熱硬化性成分を含み溶剤の含有量が５質量％以下であるダイボンディング用樹脂ペーストを印刷法により塗布して樹脂ペーストの塗膜３０を設ける第１工程と、塗膜３０への光照射により光硬化性成分を光硬化する第２工程と、半導体支持部材１０と半導体チップ５０とを、光照射された塗膜３２を挟んで圧着して接合する第３工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップどうしの接続部の破断や半導体チップにクラックが発生するのを抑制できるＣｏＣ型の半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、第１の面９１にバンプ電極１２が設けられた第１の半導体チップ１０ａと、両面にバンプ電極１２が設けられた第２の半導体チップ１０ｂと、を準備する工程と、第１の半導体チップの第１の面９１の上に第２の半導体チップを積層すると共に、第１の半導体チップのバンプ電極と第２の半導体チップのバンプ電極とを電気的に接続してチップ積層体１１を形成する工程と、第１の半導体チップの第２の面９２の少なくとも外周を載置面９３に密着させた状態で、第１の半導体チップと第２の半導体チップとの間の隙間に封止樹脂１４を充填する工程と、封止樹脂を充填する工程の後に、チップ積層体の第２の半導体チップと配線基板とを接続固定する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パワー半導体素子上方において、所望の位置に外部端子を引き回すことができ小型化が可能なパワー半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかるパワー半導体装置は、絶縁層２上の配線パターン３に裏面が接合され、裏面に対向する表面に表面電極を有する、パワー半導体素子５と、パワー半導体素子５の表面電極上、および／または配線パターン３上に底面が接合された、筒状の連通部６と、連通部６の上面を露出させる凹部２０、１２を有し、連通部６の上面以外と、絶縁層２と、配線パターン３と、パワー半導体素子５とを覆うトランスファーモールド樹脂７と、一端が連通部６の上面に挿入され、他端が上方へ導かれた外部端子１１、１０とを備え、少なくとも１つの外部端子１０は、両端部間においてＬ字曲折する曲折領域２１を有し、曲折領域２１は、トランスファーモールド樹脂７の凹部１２に埋没する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハにＢＧ工程を施すと、研削された半導体ウエハの面に破砕層が形成される。この破砕層は、半導体ウエハの内部への不純物の侵入を抑制する効果を有している。一方、半導体装置の薄型化に伴い、半導体ウエハの厚さを更に薄くしなければならない。そのため、半導体ウエハの抗折強度は従来に比べて低下してきており、薄くなった半導体ウエハに破砕層が形成されていると、半導体ウエハにクラックが発生する恐れがある。そこで、半導体ウエハの抗折強度を向上するために、ＢＧ工程の後に、ストレスリリーフを行うことが有効とされている。しかし、破砕層を除去してしまうと、ゲッタリング効果は低下してしまう。
【解決手段】本願発明は、半導体装置の製造方法において、そのデバイス面に集積回路が形成されたウエハの裏面に対して、バックグラインディング処理を実行した後、裏面の破砕層が残存するように、同裏面に保護膜を形成するものである。 （もっと読む）

【課題】比較的安価に製造することができて反りが発生しにくい半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】開口部を備えた板状部材２１の下にフィルムを貼り付ける。次に、開口部の内側のフィルム上に半導体素子２４等を配置し、開口部の内側に封止材２７を注入して半導体素子２４等を封止する。次いで、フィルムを除去した後、板状部材２１及び封止材２７の下に絶縁膜２８を形成する。そして、絶縁膜２８を加工して、半導体素子２４に電気的に接続した端子２８ａを形成する。その後、端子２４ａの下にはんだボール２９を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法により、はんだボールを有するパッケージ部品と実装基板との接合強度を確保することが可能なパッケージ部品の接合方法を提供する。
【解決手段】パッケージ部品の接合方法は、はんだボールを有するパッケージ部品を実装基板に接合させるパッケージ部品の接合方法であって、熱硬化性樹脂組成物からなり、厚みが前記はんだボールの高さ寸法に対して２０％以上９０％以下である樹脂組成物膜を形成する膜形成工程と、前記パッケージ部品１のはんだボール１１を前記樹脂組成物膜中に浸漬させて、前記熱硬化性樹脂組成物３１を前記はんだボールに付着させる樹脂組成物付着工程と、前記熱硬化性樹脂組成物が付着したパッケージ部品を前記実装基板２の接合用ランド２１上に搭載する搭載工程と、リフロー工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、配線基板上に樹脂部の不形成部を形成することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、この課題を解決するために、配線基板１２の上面において電子部品１３の非装着領域へ剥離可能な粘着体２３を貼り付け、その後で電子部品１３と粘着体２３とが埋設された樹脂部１４を形成し、その後で樹脂部１４に対し粘着体２３が配置された位置に溝３１を加工し、樹脂部１４を電子部品１３を埋設する分割樹脂部１４ａと、粘着体２３を埋設する分割樹脂部１４ｂとへ分離する。このとき配線基板１２は切断することなく、樹脂部１４を切断する。そしてその後で粘着体２３と分割樹脂部１４ｂとを除去することにより、配線基板１２上に容易に樹脂部１４の不形成部１２ａを形成できる。 （もっと読む）

【課題】基板１に装着した半導体チップ２を圧縮成形して形成される成形済基板４（分割樹脂成形体３、樹脂成形体３３）に反りが発生することを効率良く防止する。
【解決手段】キャビティ底面部材１８の先端面（キャビティ底面１０ｂ）における所要個所に仕切部材２１を設けて下型キャビティ１０内に所要複数個の分割キャビティ２２を形成すると共に、仕切部材２１の高さ２３を分割樹脂成形体３の厚さに設定する。基板１に装着した半導体チップ２を分割キャビティ２２の形状に対応した分割樹脂成形体３内に圧縮成形するときに、キャビティ底面部材１８を必要最小限の移動距離２４にて上動させて分割キャビティ２２内の樹脂１２（１３）を加圧して分割樹脂成形体３を形成し、分割樹脂成形体３間に（樹脂成形体３３に）仕切部材２１の形状に対応した基板反り防止用の溝部２８を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板に実装した半導体素子を樹脂封止した成形品を、金型から離型する際に生じ得る基板の破損を防止する樹脂封止方法を提供する。
【解決手段】下面に基板１を保持可能な保持機構を備えた上金型セットと、上面にキャビティ部を有するキャビティブロック６３を搭載し、かつ、ベースプレートに沿って成形位置および待機位置の間を水平移動機構を介して往復移動可能な下金型セットとからなる樹脂封止装置において、前記キャビティブロック６３の外周のうち、少なくとも対向する２辺にフレームガイド６５を配置し、前記基板１の外周縁部を前記フレームガイド６５で押し上げて離型する構成としてある。 （もっと読む）

【課題】限られた量のアンダーフィル材によって半導体素子側面全周でフィレットの高さを確保可能である半導体装置、半導体装置の製造方法、及びパッケージを提供すること。
【解決手段】パッケージ１０は、ＷＬ−ＣＳＰであって、半導体素子１３の回路面１３Ａの下側に樹脂層２１が形成される。パッケージ１０における半導体素子１３の側面全周に渡り樹脂層２１よりも上部に段部１６が形成される。その段部１６にアンダーフィル材１５を追加注出することによって、段部１６上に供給されたアンダーフィル材１５が段部１６の上面１６Ａに滞留して段部１６全体を覆う。従って半導体素子１３の側面全体を覆うフィレット１５Ａを形成できる。樹脂層２１とシリコンチップである半導体素子１３との界面接着の信頼性が確実に確保される。 （もっと読む）

【課題】樹脂組成物層内にボイドが生じることを防止することができる接合方法、このような接合方法を用いて製造される半導体装置、多層回路基板および電子部品を提供する。
【解決手段】本発明の接合方法は、端子５２を有する半導体チップ５と、端子４４を有する回路基板４とを、半導体チップ５の端子５２が設置された面と、回路基板４の端子４４が設置された面とが対向するように配置し、端子５２とそれに対応する端子４４とを電気的に接続するとともに、半導体チップ５の端子５２が形成された第１の領域に設けられた樹脂組成物層１で、その第１の領域および回路基板４の端子４４が形成された第２の領域を覆うように、半導体チップ５と回路基板４とを接着する接合方法であって、端子５２と端子４４とを電気的に接続するに際し、減圧雰囲気下で、半導体チップ５と回路基板４とを樹脂組成物層１を介して圧着する。 （もっと読む）

【課題】アタッチメントへの半導体用封止材の付着を抑制しながら、良好なフィレットを形成することのできる半導体チップの実装方法を提供する。
【解決手段】厚みが１００μｍ以下の半導体チップを基板に実装する半導体チップの実装方法であって、基板に半導体用封止材を供給する工程と、前記半導体用封止材を介して、半導体チップを前記基板に搭載する工程と、前記半導体用封止材を硬化する工程とを有し、前記基板は、水との接触角が３０°以下である半導体チップの実装方法。 （もっと読む）

【課題】半導体チップがモールド樹脂で覆われた封止体の反りが抑制される半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】支持体２３の表面に、第１の剥離層２４、第２の剥離層２５をこの順で形成する工程と、第２の剥離層２５の表面上に、配線パターン１７を含む配線層１２を形成する工程と、配線層１２の表面上に、複数の半導体チップ１１Ａ乃至１１Ｄを積層載置する工程と、複数の半導体チップ１１Ａ乃至１１Ｄを含む配線層１２の表面上にモールド樹脂体２２を塗布する工程と、モールド樹脂体２２を半硬化させる工程と、この状態で、配線層１２、複数の半導体チップ１１Ａ乃至１１Ｄ、モールド樹脂体２２を具備する封止体２９と、支持体２３と、を分離する工程と、封止体２９と支持体２３との分離工程の後に、モールド樹脂体２２を完全硬化させる工程と、を具備する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】簡略基板を用いることにより安価な半導体部品を供給することが可能になり、かつ、封止体内に外部接続用のマイクロボールを埋め込むことにより薄型かつ外部端子接続性に優れたＢＧＡ半導体パッケージおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＢＧＡ半導体パッケージは、半導体素子を搭載する基板と半導体素子と基板を接着する接着剤と基板に設けられたスルーホールにはめ込まれた導電性のマイクロボールと、半導体素子とマイクロボールとを電気的に接続するボンディングワイヤと、半導体素子、接着剤、マイクロボールの一部、およびボンディングワイヤを基板の半導体素子面側を封止樹脂で封止する封止体とを備えたＢＧＡ半導体パッケージにおいて、マイクロボールの底面の少なくとも一部が、封止体の底面から基板に設けられたスルーホールを通して外部接続用端子として露出する露出部を有する。 （もっと読む）

【課題】離型フィルムを用いずに圧縮成形を行うことができ、且つ、圧縮成形型の構造をシンプルにすることができる圧縮成形型及び圧縮成形方法を提供する。
【解決手段】シール用樹脂材料２０でダミー成形品２１と溝部充填部材２４を圧縮成形する。溝部はアンダーカット部１４２を有し、溝部充填部材２４はそのまま型抜きできないようになっているため、キャビティからダミー成形品を取り外すとき、ダミー成形品と溝部充填部材が分離する。この結果、底面部材１４上面の外周縁部に形成された溝部に溝部充填部材２４が残留し、底面部材１４と枠部材１５の間の隙間が完全に塞がれる。そのため、次にキャビティ１３内に封止用樹脂材料２２を供給して基板６０上の電子部品６１を樹脂封止する際に、その隙間に封止用樹脂材料２２が入り込むことがない。 （もっと読む）