【課題】リッド（ＬＩＤ：蓋材）と配線基板との接着強度を高める。
【解決手段】半導体装置は、配線基板と、この配線基板に貼り付けられたリッドを備える。このリッドには、注入口部が設けられている。このリッドの内側には、この注入口部から樹脂が注入されている。このリッドと配線基板とは、注入された樹脂により固定されている。 （もっと読む）

【課題】サイズの異なる複数のチップを積層した積層チップにおいて、欠けやクラック等の発生を防止する。
【解決手段】半導体装置１０は、チップ１２と、チップ１２と隣接し且つチップ１２よりも大きいチップ１１とを含む。チップ１２の外側に位置する部分のチップ１１におけるチップ１２側の表面上に樹脂１３が設けられている。 （もっと読む）

本発明は、低圧プラズマ工程によって被覆された適応性ナノコーティングに関する。本発明はまた、そのような適応性ナノコーティングを、三次元ナノ構造体、特に導電性および非導電性要素を含む三次元構造体の上に形成する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 第１に薄型化に優れ、第２に高接続信頼性に優れる半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体素子が電気的に接続されている導電性金属層パターン及び半導体素子の下方にダイボンド材を介して配線用の導電性金属層パターンを含み、これらが封止材により封止されている半導体装置において、導電性金属層パターンが厚さ方向で一部、突出して露出されている半導体装置。導電性金属層の突出量が厚さ方向で１μｍ以上で金属層厚さの１／２以下の厚さであり、その断面形状で最大幅となる部分が封止材又はダイボンド材に埋没していることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】残留する気泡を放出するための開口を回路基板に形成するので、生産性が悪く、また、回路基板によっては適用が困難であった。
【解決手段】回路基板３１上に、半導体装置１０、および半導体装置１０の三辺に隣接して配置された案内部材４１を取り付ける。案内部材４１に囲まれていない半導体装置１０の側面１０ｂ側から液状の封止用樹脂２８を供給する。これにより、毛細管現象により封止用樹脂２８が、半導体装置１０と回路基板３１の間の隙間Ｓ１および半導体装置１０と案内部材４１の間の隙間Ｓ２に流入し、充填される。 （もっと読む）

【課題】確実に電子部品をシールドすることができるとともに、低背化を伴う小型化を実現することができる電子部品モジュールの製造方法及び該製造方法を用いて製造した電子部品モジュールを提供する。
【解決手段】第１工程は、集合基板１０を封止樹脂にて封止する。第２工程は、電子部品モジュール１の境界部分にて、封止樹脂の天面から、集合基板１０に向かって切り込み部１７を形成する。第３工程は、切り込み部１７の開口部及び天面を覆うようにシート状の導電性樹脂１８を載置する。第４工程は、所定の温度範囲で軟化し、加圧に対して導電性樹脂１８よりも変形量の大きいシート状の絶縁性樹脂１９を、導電性樹脂１８上に載置する。第５工程は、圧力及び熱を加えることにより、集合基板１０の少なくとも側面の一部及び天面を導電性樹脂１８及び絶縁性樹脂１９で被覆する。第６工程は、それぞれの電子部品モジュール１に個片化する。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージの製造プロセスにおける静電破壊を防止することが必要とされている。
【解決手段】半導体パッケージ製造装置は、半導体チップを搭載した基板５０を吸引固定する金型２０と、金型１０とを具備する。基板５０は、半導体チップの内部回路と導通する導通部分を備える。金型２０は、電気的に接地された導電性端子３１を備える。金型１０及び金型２０に基板５０が挟まれた状態で、半導体チップを封入するモールド樹脂７０が金型１０により成型される。金型１０及び金型２０を相対的に遠ざけてモールド樹脂７０を金型１０から離型する間、導電性端子３１は基板５０の導通部分に接触し続ける。 （もっと読む）

【課題】平置きタイプの半導体装置において、ワイヤボンディング不良の発生を抑制する。
【解決手段】複数の半導体チップ１２を、配線基板４０が有する複数のチップ搭載領域２０ａ上にそれぞれ液状の接着材ペースト１１ａを介して搭載する半導体装置の製造方法であって、配線基板４０を以下のようにする。すなわち、各デバイス領域４０ａ内で、並べて配置される複数のチップ搭載領域２０ａの間には、端子（ボンディングリード）２２を配置せず、配線基板４０を覆う絶縁膜２６に形成された溝部（ダム部）２６ｂを配置する。 （もっと読む）

【課題】フレキシブルな配線回路基板上にチップを実装しかつ樹脂封止し半導体装置とするまでの製造工程全体をより簡略化すること。
【解決手段】半導体チップ３が配線回路基板２上に実装されかつ樹脂封止された構造を有する半導体装置の製造方法である。チップの電極に接続し得る接続用導体部を持った配線回路基板２を、金属製支持体層１上に、該金属製支持体層から剥離可能となるように形成し、該配線回路基板２にチップ３を実装し、チップ上にシート状樹脂組成物Ｔを配置し加熱することによってチップを封止し、金属製支持体層を剥離し分断して、半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、確実に電子部品をシールドすることができるとともに、低背化を伴う小型化を実現することができる電子部品モジュールの製造方法及び該製造方法を用いて製造した電子部品モジュールを提供する。
【解決手段】
本発明は、複数の電子部品により複数の電子部品モジュール１が形成された集合基板１０を樹脂にて封止し、電子部品モジュール１の間にて、封止した樹脂の天面から切り込み、電子部品モジュール１のそれぞれに側面部１７を形成し、電子部品モジュールの天面を覆うようにシート状の導電性樹脂１８を載置し、導電性樹脂１８上に弾性体（変形可能な材料）２０を載置し、載置した変形可能な材料を介して、導電性樹脂１８に圧力を、又は圧力及び熱を加えて、電子部品モジュール１の少なくとも側面の一部及び天面を導電性樹脂１８で被覆する。導電性樹脂１８を電子部品モジュール１の間にて切断して電子部品モジュール１に個片化する。 （もっと読む）

【課題】 剛性の高いチャンバーを用いることなく、安価なチャンバーで構成できると共にタクトタイムの短縮を図ることのできるディスペンス装置およびディスペンス方法を提供すること。
【解決手段】 チャンバー内の可動ステージに載置された基板上のチップを撮像可能な撮像カメラと、予め、撮像カメラが撮像した、チャンバーの圧力が設定減圧になるまでのチップの位置の変化の履歴を記憶する記憶手段と、チャンバーが設定減圧に減圧される途中において、撮像カメラで複数のチップを順次撮像し、撮像時のチャンバー内圧力と記憶手段に記憶された位置の変化の履歴から設定減圧に到達した際のチップの移動位置を計算する演算手段と、を備えているディスペンス装置およびディスペンス方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】可撓性基板が外部に導出された半導体装置の樹脂封止において、ＦＰＣ基板上のバリを抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】可撓性基板の引き出し部に流動を抑制された第１の封止樹脂を接触させながら、易流動性を示す第２の封止樹脂により可撓性基板搭載面以外を樹脂封止する。 （もっと読む）

【課題】上面に混成集積回路が組み込まれる回路基板の下面を薄く封止樹脂により被覆する回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明では、半導体素子等の回路素子が組み込まれた回路基板１２を金型３０の内部に収納させ、２つの樹脂シート４２Ａ、４２Ｂを、回路基板１２と金型３０の内壁下面との間に介在させている。この状態で、金型３０を高温に加熱し、ゲート４４から液状の封止樹脂を注入することで、溶融した樹脂シート４２により回路基板１２の下面を薄く封止樹脂により被覆することができる。更に、２つの樹脂シート４２Ａ、４２Ｂを用いることで、個々の樹脂シートが平面視で小さいものとなり、樹脂シートを輸送する段階等に於ける破損が抑制される。 （もっと読む）

【課題】圧縮成形を用いた、半導体発光デバイスをパッケージ化する方法を提供すること。
【解決手段】半導体発光デバイスをパッケージ化する方法は、前面上に半導体発光デバイスを有する基板を設けるステップを含む。第１の光学要素が、前面上の半導体発光デバイスの近傍に、第１の材料から形成される。第２の光学要素が、半導体発光デバイス及び第１の光学要素を覆って、第１の材料とことなる第２の材料から形成される。第１の光学要素および／または第２の光学要素は、各光学要素を圧縮成形することにより形成される。 （もっと読む）

【課題】金型ランナゲートの形態を工夫することで、成形品質の向上が期待できるモールド金型を提供する。
【解決手段】基板実装された複数の半導体素子１０を一括してモールドする金型キャビティ８が形成された当該金型キャビティエリア内にキャビティ内ランナゲート１２が刻設されており、当該キャビティ内ランナゲート１２は金型カル１１側から金型キャビティ８の反対側の対向辺８ａに向かうにしたがって段階的に溝深さが金型キャビティ８の深さに近づくように刻設されている。 （もっと読む）

【課題】製造工程数を減らすことができ、さまざまな金型を組合せて使用できる、電子デバイスの中空樹脂パッケージの形成方法および形成装置を提供する。
【解決手段】チップ６が搭載された基板７を、第３の金型３の、第１の金型１の凹部１３が形成された面と対向可能な面に配置し、第１の金型１と第２の金型２を接合させて形成するキャップのカバー部５ａ形成用のキャビティ内に樹脂材料を充填して固化させ、カバー部５ａを成形する。その成形されたカバー部５ａを第１の金型１の内側に保持した状態で、第１の金型１と第４の金型４と第３の金型３とを順番に積層して、カバー部５ａを、第３の金型３に配置された基板７上に配置する。そして、カバー部５ａが基板７上に配置された状態で、カバー部５ａと第４の金型４との間に樹脂材料を充填して固化させ、カバー部５ａの外周に位置する接合部を成形する。 （もっと読む）

【課題】基板部材と電子部品とのギャップにおける樹脂の充填漏れを、極力抑えることが可能となる基板部材を提供する。
【解決手段】基板上に電子部品が実装されて樹脂封止されたモジュールの製造部品であって、略板状であり、将来的に前記基板となる基板部材において、前記モジュールの製造工程は、前記基板部材の実装面に前記電子部品を実装する実装工程と、前記実装面に樹脂を流して、該実装された電子部品を樹脂封止する封止工程と、を含むものであり、前記実装工程は、略平面状の取付面を有する第１電子部品を、前記実装面上に特定された第１実装領域に、該取付面と該実装面との間にギャップを有するように実装する工程を有するものであり、前記実装面には、前記封止工程において前記ギャップへの樹脂の充填を促す、第１溝が設けられている構成とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性が向上される半導体パッケージの製造装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ４１０が実装された配線基板４２０のモールディング空間１０２を有する金型１１０、１２０。そして、モールディング空間を可変するようにモールディング空間内で移動可能であるモールディングプレート１３０と、モールディングプレートに結合され、モールディング空間内でモールディングプレートの位置を変化させる移動ユニット１４０を具備する。 （もっと読む）

【課題】モールド金型を用いた半導体装置のレジン封止工程においては、上下モールド金型の内面のキャビティ部やポット部に樹脂カスが発生する。これらのレジンバリを除去するために、通常、専用のバキューム・クリーナにより、クリーニングしている。しかし、フィラの微細化等に起因して、封止レジンの流動性が増加する傾向にあるため、プランジャ部周辺間隙へのレジン流入が増加して、通常のクリーニングでは、完全除去が不可能となる場合があることが本願発明者等によって明らかにされた。
【解決手段】本願発明は、トランスファ・モールドによるレジン封止工程を有する半導体装置の製造方法において、先行する基体にレジン封止体を形成した後、後続の基体をセットする前に、モールド金型内面をクリーニングする際に、キャビティ部とポット部が別個の吸引排気ファンまたは集塵ファンに連結して排気されるクリーニング・ヘッドを用いて実行される。 （もっと読む）

【課題】基板表面におけるアンダーフィル樹脂の濡れ広がりを効果的に抑えることができ、半導体装置のサイズを小さくする。
【解決手段】半導体装置１００は、基板１０２の一面に形成され、電極を露出させる開口部を有する絶縁層（１０４）と、基板１０２の一面上に搭載され、電極とフリップチップ接続された半導体チップ１５０と、を有する。ここで、絶縁層の上面には、少なくとも半導体チップ１５０外周領域に、レーザ顕微鏡を用いて分解能０．１μｍで５０μｍの測定範囲で測定したときの線粗さが０．１５μｍ以上１μｍ以下の第１の凹凸と、第１の凹凸上に、原子間力顕微鏡を用いて水平（Ｘ，Ｙ）方向の分解能０．１ｎｍで２μｍ角の測定範囲で測定したときの平均表面粗さが１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下となる第２の凹凸とが形成されている。 （もっと読む）