【課題】複数のキャビティ部を使用するＭＡＰ方式の封止プロセスにおいて、すべてのキャビティ部に均一にレジンを充填する。
【解決手段】複数のキャビティ部３４ａ，３４ｂを使用するＭＡＰ方式の封止プロセスにおいて、キャビティ部間を連結する連結部５ａ，５ｂを有する金型を使用することにより、レジン充填の均一化を図ったものである。 （もっと読む）

【課題】ゲルがフタの上に這い上がるのを防ぐことができる半導体装置を得る。
【解決手段】ベース板１０上にマザーケース１２が設けられている。マザーケース１２の内壁に突起１４が設けられている。マザーケース１２内においてベース板１０上に半導体素子１８が設けられている。突起１４によりピン端子２０及びネジブロック端子２２が保持されている。ピン端子２０及びネジブロック端子２２は半導体素子１８に接続されている。マザーケース１２内にシリコーンゲル２６が充填されている。マザーケース１２にフタ２８が取り付けられている。フタ２８は半導体素子１８及びシリコーンゲル２６を封止する。柱３０の下端はベース板１０に接し、柱３０の上端はフタ２８の下面に接している。柱３０はマザーケース１２に対してフタ２８を固定する。突起１４の上面とフタ２８の下面は離れている。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装された半導体装置において、半導体素子を適切に保護しつつ、半導体装置の反り量を低減する。
【解決手段】半導体素子２と樹脂回路基板４とを、半導体素子２に形成された突起電極３を介してフリップチップ接続し、半導体素子２と樹脂回路基板４間の隙間を第１の樹脂５により封止する。樹脂回路基板４における半導体素子２が実装されている面を、半導体素子２と共に第１の樹脂５とは異なる第２の樹脂６で覆う。さらに、半導体素子２上の第２の樹脂６で覆われている部分に凹部７を設け、凹部７に第１の樹脂５と第２の樹脂６とは異なる第３の樹脂または金属８を設ける。 （もっと読む）

【課題】モールド樹脂の成形時にモールド樹脂の成形圧によって熱交換器が撓んでしまわないようにすることができるパワー半導体モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】下側金型３０の凹部３１内において熱交換器２０の他面２０ｂ側を溶融したモールド樹脂１４の成形圧と等しい油圧により支持した状態で成形部４１に溶融したモールド樹脂１４を流し込んでモールド樹脂１４を成形する。これにより、熱交換器２０の一面２０ａ側に掛かる溶融したモールド樹脂１４の成形圧と熱交換器２０の他面２０ｂ側に掛かる油圧とが釣り合うので、熱交換器２０が撓んでしまうことを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを樹脂で封止する際の半導体チップの位置ずれを防止可能な半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本半導体パッケージの製造方法は、支持体の一方の面に設けられた凹部に、一部が前記凹部から突出するように半導体チップを配置する第１工程と、前記支持体の一方の面に、前記半導体チップの突出部を封止する樹脂部を形成する第２工程と、前記支持体を除去する第３工程と、前記樹脂部を基体の一部とし、前記半導体チップと電気的に接続される配線構造体を形成する第４工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】樹脂の量の少ない樹脂封止厚みの薄い場合でも樹脂封止不良を回避し、更に樹脂封止のための時間を短縮可能とする。
【解決手段】基板１０２上に搭載された半導体チップ１０４を樹脂１０６と共に金型１１４のキャビティに配置させて、金型１１４の減圧・加熱を行い半導体チップ１０４に圧縮圧力を加え樹脂封止する樹脂封止装置１００において、最低速切換位置Ｙ５から加速位置Ｙ６への駆動速度Ｖ５を、金型１１４の型締めにおいて最も遅くし、ファーストタッチ位置Ｙ３から低速切換位置Ｙ４への駆動速度Ｖ３、低速切換位置Ｙ４から最低速切換位置Ｙ５への駆動速度Ｖ４、及び加速位置Ｙ６から保圧位置Ｙ７への駆動速度Ｖ６を、最低速切換位置Ｙ５から加速位置Ｙ６への駆動速度Ｖ５よりも速くしている。 （もっと読む）

【課題】タクトタイムを短くして生産効率を向上させることのできる真空充填装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】投入側サブチャンバー１０とメインチャンバー２０とを連通する第１連通口１１ａと、第１連通口１１ａを開閉可能な第１ゲート１５と、第１ゲート１５を制御可能なエアシリンダ１６、１７と、第１搬送用テーブル１４にセットされたワークピースＷを投入側サブチャンバー１０からメインチャンバー２０に搬入する３段スライダー１３とを有している。また、排出側サブチャンバー３０とメインチャンバー２０とを連通する第２連通口３１ａと、第２連通口３１ａを開閉可能な第２ゲート３５と、第２ゲート３５を制御可能なエアシリンダ３６、３７と、第２搬送用テーブル３４上のワークピースＷをメインチャンバー２０から排出側サブチャンバー３０に搬出する３段スライダー３３とを有している。 （もっと読む）

【課題】鉛フリーハンダとトランスファーモールド樹脂を用いた場合であっても、それらを用いないものとの間で互換性を確保したパワーブロック及びそれを用いたパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】パワーブロックは、絶縁基板２２と、該絶縁基板の上に形成された導体パターン２４、２６、２８と、鉛フリーはんだ３２により該導体パターンの上に固着されたパワー半導体チップ３６と、該パワー半導体チップと電気的に接続され、該絶縁基板の上方向に伸びる複数の電極１６、１８と、該導体パターン、該鉛フリーはんだ、該パワー半導体チップ、及び該複数の電極を覆うように形成されたトランスファーモールド樹脂１２と、を備える。そして、該複数の電極は、該トランスファーモールド樹脂の外面のうち導体パターンの直上方向の外面と同一平面上に露出したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温動作しても信頼性の高い半導体装置を得ることを目的とする。
【解決手段】半導体素子１が実装された回路面４ｆを有する回路基板４と、半導体素子１に接合された配線部材６または９と、線膨張係数が半導体素子１よりも配線部材の線膨張係数に近い材料（エポキシ樹脂やフィラ等）により構成され、半導体素子１と少なくとも配線部材の一部とを含んで回路面４ｆを封止する封止体１２と、封止体１２を構成する材料の弾性率よりも低い弾性率を有する材料（ポリイミド樹脂等）で構成され、半導体素子１と封止体１２との間で、かつ、半導体素子１の少なくとも配線部材が接合された面１ｆを被覆する被覆膜１３と、被覆膜１３と封止体１２との界面Ｉｆ_Ｒをまたいで被覆膜１３と封止体１２との間に介在するフィラ１４と、を備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】 注入された樹脂によるワイヤ流れやワイヤショートを防止可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法では、半導体チップ１０９を配線基板１００上に搭載し、配線基板１００と半導体チップ１０９とを、第１のワイヤ群１２０と、前記第１のワイヤ群よりもワイヤ長が短い第２のワイヤ群１１８とを張設して接続し、第１のワイヤ群１２０から第２のワイヤ群１１８に向けて封止樹脂３０７を注入して半導体チップ１０９、第１のワイヤ群１２０、第２のワイヤ群１１８を覆う封止体４０１を形成する。 （もっと読む）

【課題】コンパウンドウエハーの薬液の加熱乾燥工程において、反りを抑制しつつ薬液層に厚薄が発生しないように加熱乾燥できるコンパウンドウエハーの薬液加熱乾燥装置並びにその方法を提供する。
【解決手段】縦横に整列配置された半導体チップ３が一面に露出された状態で樹脂モールドされたコンパウンドウエハーＡの半導体チップ３の露出側の面４ａに塗布された薬液７を加熱乾燥するコンパウンドウエハーＡの加熱乾燥装置Ｃであって、内部の加熱乾燥領域Ｈに挿入されたウエハーＡの上下両面４ａ、４ｂを加熱する加熱源１５、１６と、上昇停止位置にてウエハーＡの下面４ｂが下側の加熱源１６に接触しない状態で下から支え、所定時間加熱されて降下停止位置において加熱時に発生した反りが下側の加熱源１６に接触しないようになった段階でウエハーＡを降下停止位置まで降下させて下側の加熱源１６に近接させ、薬液乾燥を継続させる支持部材１７とで構成される。 （もっと読む）

【課題】被着体上にフリップチップ接続された半導体素子に反りが発生するのを抑制又は防止することが可能なフリップチップ型半導体裏面用フィルム、及びダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを提供する。
【解決手段】本発明のフリップチップ型半導体裏面用フィルムは、被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルムであって、少なくとも熱硬化性樹脂成分と、ガラス転移温度が２５℃以上２００℃以下の熱可塑性樹脂成分とにより形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】圧縮成形装置の占有面積の増大を最小限にすると共に複雑にすることなく、生産性の向上が可能となる。
【解決手段】相対的に接近・離反可能な第１上型１３０Ａ、第２上型１３０Ｂと第１下型１４４Ａ、第２下型１４４Ｂとを有し、対をなした第１上型１３０Ａと第１下型１４４Ａ、第２上型１３０Ｂと第２下型１４４Ｂ、それぞれの間に形成される２つのキャビティに配置される第１被成形品１０２Ａ、第２被成形品１０２Ｂを第１樹脂１０４Ａ、第２樹脂１０４Ｂ、それぞれにて圧縮封止する圧縮成形装置１００において、第１上型１３０Ａと第１下型１４４Ａ、第２上型１３０Ｂと第２下型１４４Ｂが、接近・離反可能な方向に配置されることで、キャビティが接近・離反可能な方向において直列に２つ設けられ、第１上方１３０Ａ、第２下型１４４Ｂに、サーボモータ１１２Ａ、１１２Ｂがそれぞれ連結されている。 （もっと読む）

【課題】ナノ粒子の含まれたモールディング部を含む発光ダイオードパッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明はパッケージ基板上に実装された発光ダイオードチップ１３０と、発光ダイオードチップ１３０を覆ってパッケージ基板１１０上に配置され、蛍光体１５１、モールディング樹脂１５３及びナノ粒子１５２を含有するモールディング部１５０とを含み、該モールディング部１５０内に蛍光体１５１を均一に分布させることができる。 （もっと読む）

【課題】薄型化、小型化、高集積度化に対応できるＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏ ｌｅａｄ Ｐａｃｋａｇｅ）用金属積層板を用いたＱＦＮの製造方法を提供する。
【解決手段】ＱＦＮ用金属積層板４は、銅箔１／ニッケル層２／支持体３の３層からなり、ニッケル層２は銅箔１または支持体３上にめっき法または積層法により設け、銅箔上に
配線を形成し、ＩＣ基板を積層して配線用銅箔とを結線し、ＩＣ基板、結線、及び配線用銅箔を有機樹脂で埋め、支持体上にレジスト配線パターンを形成し、エッチングした後レジストを除去してバンプを形成する。 （もっと読む）

【課題】ファインピッチの端子部や狭隣接の実装部において気泡の発生を抑制しながらも、樹脂を厚く塗布でき、安価な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表面に第１の実装部品２０、第２の実装部品３０が固定された基板１０と、基板１０の第１の実装部品２０、第２の実装部品３０が固定された面に設けられ第１の実装部品２０、第２の実装部品３０を封止する複数の樹脂層（第１の樹脂層４０、第２の樹脂層５０）とを備え、基板１０の実装密度がより密な部分ほどより低粘度の樹脂材料からなる第１の樹脂層４０により封止され、基板１０の実装密度がより疎な部分ほどより高粘度の樹脂材料からなる第２の樹脂層５０により封止されている半導体装置１Ａである。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーの断線を防止することができる高信頼性の電子機器の製造方法を提供する。
【解決手段】実装基板２に封止樹脂４を注入するための封止樹脂注入口９を設ける。この封止樹脂注入口９からワイヤー３方向へ向けて封止樹脂４を注入する。徐々に封止樹脂４の注入作業を続けると、封止樹脂４内に気泡８が発生する。しかしながら、封止樹脂４の注入作業を継続すると、前記気泡８は封止樹脂４の注入方向への流動に伴い前記ワイヤー３上部に押し出され、封止樹脂４がワイヤー３を覆う状態なった時にはワイヤーの上方に移動する。このような状態になれば、熱膨張による部材の伸縮によってワイヤーにダメージを与えることがなくなる。また、上記の状態であれば、ワイヤー３上部に押し出された気泡８をワイヤー３に触れることなく除去することもできる。 （もっと読む）

【課題】配線基板の反りが緩和される半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、準備ステップ、モールドステップおよびダイシングステップを有する。準備ステップでは、ダイシングライン１７によって区画された複数の製品形成部１３と、複数の製品形成部１３を囲む非製品形成部１４と、を有し、各製品形成部１３の第１の面１５に半導体チップ２０が搭載された配線基板１２を準備する。モールドステップでは、複数の製品形成部１３および該複数の製品形成部を囲む非製品形成部１４の第１の面１５と複数の半導体チップ２０とを第１の樹脂２２で一括して覆うとともに、非製品形成部１４の、第１の面とは反対側の第２の面１６上であって複数の製品形成部１３からなる領域の周りを、第２の樹脂２４で覆う。ダイシングステップでは、配線基板１２をダイシングライン１７に沿って切断し、個々の半導体装置に分割する。 （もっと読む）

【課題】圧縮成形プロセスにおける封止不良を防ぐ。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、封止樹脂を、当該封止樹脂が製造されたロット毎に、封止樹脂の溶融温度よりも低い第１の温度における粘度が、当該第１の温度において封止不良を生じさせない第１の基準値以下であるか否かを判断して（ステップＳ１０４）、第１の温度における粘度が第１の基準値以下である場合に（ステップＳ１０４のＹＥＳ）、当該ロットの封止樹脂を選択する（ステップＳ１０６）工程と、金型を含む圧縮成形装置の金型に、封止樹脂を選択する工程で選択されたロットの封止樹脂を導入して、当該金型を第１の温度よりも温度の高い第２の温度に加熱して、基板上に搭載された半導体チップを圧縮成形により封止樹脂で封止する（ステップＳ１０８）工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】フィレット検査において、隣接する部品の影響を受けずに、半導体素子側面に形成されたフィレットの高さを高精度に検査することを可能にする。
【解決手段】半導体素子２の上面を光らせる面光源７と、半導体素子２の側面のフィレット８部分を光らせるライン状光源６とにより、検査対象の半導体装置１を照射する。半導体装置１に対して斜めに設置されたカメラ５により、半導体素子２の側面に這い上がったフィレット８の高さを計測するための検査画像を撮像する。撮像された検査画像を用いて、半導体素子２の上面と側面との境界を基準にして、フィレット８の高さを計測する。 （もっと読む）