半導体チップの圧縮成形方法及び圧縮成形型
【課題】基板１に装着した半導体チップ２を圧縮成形して形成される成形済基板４（分割樹脂成形体３、樹脂成形体３３）に反りが発生することを効率良く防止する。
【解決手段】キャビティ底面部材１８の先端面（キャビティ底面１０ｂ）における所要個所に仕切部材２１を設けて下型キャビティ１０内に所要複数個の分割キャビティ２２を形成すると共に、仕切部材２１の高さ２３を分割樹脂成形体３の厚さに設定する。基板１に装着した半導体チップ２を分割キャビティ２２の形状に対応した分割樹脂成形体３内に圧縮成形するときに、キャビティ底面部材１８を必要最小限の移動距離２４にて上動させて分割キャビティ２２内の樹脂１２（１３）を加圧して分割樹脂成形体３を形成し、分割樹脂成形体３間に（樹脂成形体３３に）仕切部材２１の形状に対応した基板反り防止用の溝部２８を形成する。
【解決手段】キャビティ底面部材１８の先端面（キャビティ底面１０ｂ）における所要個所に仕切部材２１を設けて下型キャビティ１０内に所要複数個の分割キャビティ２２を形成すると共に、仕切部材２１の高さ２３を分割樹脂成形体３の厚さに設定する。基板１に装着した半導体チップ２を分割キャビティ２２の形状に対応した分割樹脂成形体３内に圧縮成形するときに、キャビティ底面部材１８を必要最小限の移動距離２４にて上動させて分割キャビティ２２内の樹脂１２（１３）を加圧して分割樹脂成形体３を形成し、分割樹脂成形体３間に（樹脂成形体３３に）仕切部材２１の形状に対応した基板反り防止用の溝部２８を形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に装着された半導体チップを樹脂材料にて樹脂成形体内に圧縮成形（樹脂封止成形）して成形済基板を形成する半導体チップの圧縮成形方法及び圧縮成形型に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体チップの圧縮成形用金型（半導体チップの圧縮成形型）を用いて、基板に装着したマトリックス型配置の所要複数個の半導体チップを一括して樹脂成形体内に圧縮成形することが行われている。この方法は次のようにして行われている。
【０００３】
まず、シャッタ式供給部を備えた樹脂材料供給機構を用いて、シャッタ式供給部に所要量の顆粒状の樹脂材料（顆粒樹脂）を供給して所要の均等な厚さに平坦化する。
次に、シャッタ式供給部のシャッタを開けることにより、長尺状の離型フィルムを被覆した圧縮成形用の下型キャビティ（大キャビティ）内に平坦化した顆粒樹脂をそのままの状態で落下させて供給する。
次に、下型キャビティ内で平坦化した顆粒樹脂を加熱して溶融化することになる。
次に、金型を型締めすることにより、基板に装着した半導体チップを下型キャビティ内の溶融樹脂中に浸漬して下型キャビティ内の溶融樹脂をキャビティ底面部材で加圧することが行われている。
従って、１枚の基板に装着したマトリックス型配置の所要複数個の半導体チップを一つの樹脂成形体内に一括して圧縮成形することができる。
このとき、下型キャビティ内で基板に装着した半導体チップを下型キャビティの形状に対応した樹脂成形体内を樹脂封止成形して成形済基板を形成することができる。
硬化に必要な所要時間の経過後、金型を型開きすることにより、下型キャビティ内から成形済基板（樹脂成形体）離型するようにしている。
【０００４】
なお、従来から、金型の外部でプリカットした短尺状離型フィルム上に顆粒樹脂を平坦化して形成し、この状態で金型内部に搬送すると共に、下型キャビティの開口部上に離型フィルムを介して顆粒樹脂を載置し、下型キャビティ内から空気を強制的に吸引して排出することにより下型キャビティ内に離型フィルムを被覆させ、下型キャビティ内に顆粒樹脂を離型フィルムごと供給することが行われている。
この場合にも、前述したように、下型キャビティ内で１枚の基板に装着したマトリックス型配置の所要複数個の半導体チップを一つの樹脂成形体内に圧縮成形して成形済基板を形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３６２７０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前述したように、顆粒樹脂にて下型キャビティ（大キャビティ）内で基板に装着した半導体チップを圧縮成形した場合、熱膨張係数について基板と樹脂とに大きな差があるために（冷却による収縮率に差があるため）歪みが生じ易く、成形済基板に反りが発生し易いという弊害がある。
特に、大型基板になるほどその反りの傾向は顕著である。
従って、基板にマトリクス型に配置された半導体チップを圧縮成形する場合に、成形済基板に発生する反りを効率良く防止することが求められている。
【０００７】
前述したような基板の反りを緩和させるために、例えば、１枚の基板に形成される１つの樹脂成形体に３本の基板反り防止用の溝部（凹部）を設けることにより、この１つの樹脂成形体を４個に分割して分割樹脂成形体（島と呼ばれる）を形成することが検討されている。
即ち、成形済基板において、当該溝部にて、基板と樹脂との熱膨張係数の差による歪みを減少させることが検討されている。
【０００８】
この方法は、まず、離型フィルムを被覆した４個の分割キャビティ内の夫々に顆粒樹脂を各別に計量し且つ平坦化して供給すると共に、各分割キャビティ内の樹脂を各別に加熱して溶融化する。
次に、分割キャビティ内の溶融樹脂中に基板に装着した半導体チップを浸漬して分割キャビティ内の樹脂を分割キャビティ底面部材にて各別に加圧することになる。
従って、基板に装着した半導体チップを分割樹脂成形体内で各別に圧縮成形して成形済基板を形成している。
【０００９】
また、従来から、下型キャビティ（大キャビティ）内に顆粒樹脂を供給する場合に、所要量の顆粒樹脂のかさ密度が低く且つ容積が大きくなるため、且つ、下型の型面に顆粒樹脂が付着しないように顆粒樹脂を供給するために、下型キャビティの深さがかなり深くなり、例えば、下型キャビティ内で圧縮成形される樹脂成形体の厚さの３倍（以上）の深さが必要とされている。
同様に、基板の反りを防止するために、分割キャビティの構成（溝部を設ける構成）を用いる場合、分割樹脂成形体の厚さの３倍（以上）の深さが必要とされている。
即ち、従来においては、各分割キャビティ内に各別に顆粒樹脂を供給する必要があるため、下型の型面に、或いは、分割キャビティを形成する仕切部の仕切面（下型面）に顆粒樹脂が付着しないように供給するのが通例であった。
このため、キャビティ底面部材の上動する距離（移動距離）が長くなり、分割キャビティ内に被覆した離型フィルムがキャビティ底面部材の摺動部で弛み易く、したがって、この離型フィルムに「しわ（皺）」が発生し易いと云う弊害がある。
また、このため、例えば、キャビティ底面部材の移動距離を必要最小限にすることにより、分割キャビティに被覆した離型フィルムにしわが発生することを効率良く防止することが求められている。
【００１０】
また、前述した分割キャビティの構成を用いる場合、金型に設けられるキャビティブロック、即ち、分割キャビティと仕切部（仕切部材）とを備えたキャビティブロックは、一体として製作されるため、製作コストが高くなるのが通例である。
また、分割樹脂成形体の厚さに変更があった場合、最初から金型（キャビティブロック）を製作しなければならず、製作コストがさらに高くなることになる。
即ち、キャビティブロックを製作する製作コストが高くなって圧縮成形装置の製作費が高くなり、製品（成形済基板）の生産性を効率良く向上することができないと云う弊害がある。
従って、例えば、キャビティ底面部材に対して仕切部材（仕切部）を着脱自在に装設することにより、圧縮成形装置の製作費を効率良く低減し、製品（成形済基板）の生産性を効率良く向上させることが求められている。
【００１１】
また、前述した分割キャビティの構成を用いる場合、分割キャビティ内に顆粒樹脂を各別に計量し且つ平坦化して供給するために、樹脂材料の供給機構が複雑な構造になってその製作コストが高くなり、さらに、樹脂材料（顆粒樹脂）の供給時間が長くなる。
このため、製品（成形済基板）の生産性を効率良く向上することができないと云う弊害がある。
従って、例えば、下型キャビティ内に（大キャビティ底面の全面に）平坦化した顆粒樹脂を被覆した状態で一括して供給することにより、圧縮成形装置の製作費を効率良く低減し、樹脂材料（顆粒樹脂）の供給時間を効率良く短縮化することにより、製品（成形済基板）の生産性を向上させることが求められている。
【００１２】
前述したように、本発明においては、成形済基板（製品）に発生する反りを効率良く防止すると共に、前述した分割キャビティ（溝部）の構成を用いる場合に、離型フィルムにしわが発生することを効率良く防止し、製品（成形済基板）の生産性を効率良く向上させることが求められている。
【００１３】
即ち、本発明は、製品（成形済基板）に反りが発生することを効率良く防止することを目的とするものである。
また、本発明は、分割キャビティ内に被覆される離型フィルムにしわが発生することを効率良く防止することを目的とするものである。
また、本発明は、製品（成形済基板）の生産性を効率良く向上させることを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記の技術的課題を解決するための本発明に係る半導体チップの圧縮成形方法は、半導体チップの圧縮成形型を用いて、前記圧縮成形型に設けたキャビティに離型フィルムを被覆すると共に、前記離型フィルムを被覆したキャビティ内に樹脂材料を供給して加熱し、前記成形型を型締めすることにより前記キャビティ内の樹脂に基板に装着した半導体チップを浸漬すると共に、前記キャビティ内の樹脂をキャビティ底面部材で加圧することにより、前記半導体チップを前記キャビティの形状に対応し且つ所要の厚さを有する樹脂成形体内に圧縮成形する半導体チップの圧縮成形方法であって、前記キャビティ内を仕切って分割キャビティを形成する仕切部材を用意する工程と、前記仕切部材における前記キャビティ底面からの高さを前記樹脂成形体の所要の厚さと同じ長さに設定する工程と、前記仕切部材を前記キャビティ底面部材に対して着脱自在に装設する工程と、前記キャビティに前記分割キャビティ内に供給された樹脂量を調整する樹脂連通路を設ける工程と、前記キャビティ内に平坦化した樹脂材料をキャビティ底面の全面に一括して供給する工程と、前記キャビティ底面部材にて前記キャビティ内の樹脂を加圧する工程と、前記キャビティ内の樹脂を前記キャビティ底面部材で加圧したときに、前記した基板面に前記仕切部材の先端面を押圧する工程と、前記した基板面に前記仕切部材の先端面を押圧したときに、前記樹脂連通路で前記分割キャビティ内の樹脂量を調整する工程と、前記した基板面に前記仕切部材の先端面を押圧したときに、前記キャビティ内で圧縮成形される樹脂成形体に前記仕切部材の形状に対応した溝部を形成する工程と、前記半導体チップを前記分割キャビティの形状に対応した分割樹脂成形体内に圧縮成形する工程とを備えたことを特徴とする。
【００１５】
また、前記技術的課題を解決するための本発明に係る半導体チップの圧縮成形方法は、半導体チップの圧縮成形型を用いて、前記圧縮成形型に設けたキャビティに離型フィルムを被覆すると共に、前記離型フィルムを被覆したキャビティ内に樹脂材料を供給して加熱し、前記成形型を型締めすることにより前記キャビティ内の樹脂に基板に装着した半導体チップを浸漬すると共に、前記キャビティ内の樹脂をキャビティ底面部材で加圧することにより、前記半導体チップを前記キャビティの形状に対応し且つ所要の厚さを有する樹脂成形体内に圧縮成形する半導体チップの圧縮成形方法であって、前記キャビティ内を仕切って分割キャビティを形成する仕切部材を用意する工程と、前記仕切部材を前記キャビティ内方向に弾性付勢した状態で、前記仕切部材を前記キャビティ底面部材に装設する工程と、前記仕切部材におけるキャビティ底面からの高さを、前記キャビティ底面部材にて加圧するときに前記仕切部材の先端面が前記基板面を弾性押圧するように当該高さを設定する工程と、前記キャビティに前記分割キャビティ内に供給された樹脂量を調整する樹脂連通路を設ける工程と、前記キャビティ内に平坦化した樹脂材料をキャビティ底面の全面に一括して供給する工程と、前記キャビティ内の樹脂を前記キャビティ底面部材で加圧したときに、前記した基板面に前記仕切部材の先端面を弾性押圧する工程と、前記した基板面に前記仕切部材の先端面を弾性押圧したときに、前記樹脂連通路で前記分割キャビティ内の樹脂量を調整する工程と、前記した基板面に前記仕切部材の先端面を弾性押圧したときに、前記キャビティ内で圧縮成形される樹脂成形体に前記仕切部材の形状に対応した溝部を形成する工程と、前記半導体チップを前記分割キャビティの形状に対応した分割樹脂成形体内に圧縮成形する工程とを備えたことを特徴とする。
【００１６】
また、前記技術的課題を解決するための半導体チップの圧縮成形方法は、前記仕切部材で仕切って形成された分割キャビティ内に樹脂材料を各別に供給する工程を含むことを特徴とする。
【００１７】
また、前記技術的課題を解決するための本発明に係る半導体チップの圧縮成形型は、半導体チップの圧縮成形型に設けられ且つ上方側に開口したにキャビティ開口部を有する圧縮成形用のキャビティと、前記キャビティ開口部の上方位置に設けられ且つ半導体チップを装着した基板における半導体チップ側を下方に向けた状態で供給セットする基板セット部と、前記キャビティ内に被覆される離型フィルムと、前記離型フィルムを被覆したキャビティ内に供給される樹脂材料と、前記キャビティ内の樹脂材料を加熱する加熱手段と、前記基板とキャビティとを閉じ合わせることにより前記キャビティ内の樹脂に前記基板に装着した半導体チップを浸漬する型締機構と、前記キャビティ内の樹脂をキャビティ底面側から加圧するキャビティ底面部材とを備えた半導体チップの圧縮成形型であって、前記キャビティ底面における所要個所に設けられ且つ前記キャビティを仕切って分割キャビティを形成する仕切部材と、前記分割キャビティ内に供給された樹脂量を調整する樹脂連通路と、前記仕切部材のキャビティ底面からの高さを前記樹脂成形体の所要の厚さと同じ長さに設定すると共に、前記樹脂成形体の所要の厚さに対応して前記仕切部材を前記したキャビティ底面部材に対して着脱自在に構成したことを特徴とする。
【００１８】
また、前記技術的課題を解決するための本発明に係る半導体チップの圧縮成形型は、半導体チップの圧縮成形型に設けられ且つ上方側に開口したにキャビティ開口部を有する圧縮成形用のキャビティと、前記キャビティ開口部の上方位置に設けられ且つ半導体チップを装着した基板における半導体チップ側を下方に向けた状態で供給セットする基板セット部と、前記キャビティ内に被覆される離型フィルムと、前記離型フィルムを被覆したキャビティ内に供給される樹脂材料と、前記キャビティ内の樹脂材料を加熱する加熱手段と、前記基板とキャビティとを閉じ合わせることにより前記キャビティ内の樹脂に前記基板に装着した半導体チップを浸漬する型締機構と、前記キャビティ内の樹脂をキャビティ底面側から加圧するキャビティ底面部材とを備えた半導体チップの圧縮成形型であって、前記キャビティ底面における所要個所に前記キャビティを仕切って分割キャビティを形成する仕切部材と、前記分割キャビティ内に供給された樹脂量を調整する樹脂連通路と、前記キャビティ底面部材に前記仕切部材を型面方向に弾性付勢する弾性機構を設けると共に、前記仕切部材のキャビティ底面からの高さを、前記キャビティ底面部材にて加圧するときに前記仕切部材の先端面が前記基板面を押圧するように当該高さを設定することを特徴とする。
【００１９】
前記技術的課題を解決するための本発明に係る半導体チップの圧縮成形型は、前記した仕切部材の先端面に設けられる樹脂連通路が、薄層状の樹脂連通路であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明は、基板に装着した半導体チップを圧縮成形して成形済基板（製品）を形成するときに、下型キャビティ内に仕切部材にて形成された分割キャビティに対応した分割樹脂成形体を形成する構成であり、且つ、下型キャビティの形状に対応した樹脂成形体に仕切部材の形状に対応した溝部（凹部）を形成する構成である。
また、本発明は、下型キャビティ内を上下摺動するキャビティ底面部材（単数個）に対して、所要数個の仕切部材を着脱自在に設けた構成である。
また、仕切部材の高さ（キャビティ底面から仕切部材の先端面までの距離）は分割樹脂成形体の厚さに対応して構成され、分割樹脂成形体の厚さと同じ距離（高さ）に設定されている。
即ち、本発明によれば、成形済基板（製品）の樹脂成形体に形成される溝部（凹部）にて、基板と樹脂成形体（硬化樹脂）とによる熱膨張係数の差にて発生する歪みを効率良く解消することができる。
従って、本発明によれば、製品(成形済基板)に反りが発生することを効率良く防止することができるという優れた効果を奏するものである。
【００２１】
また、本発明は、上下摺動するキャビティ底面部材に、分割キャビティを形成する仕切部材を容易に且つ効率良く着脱自在に装設する構成であり、且つ、下型キャビティ底面の全面に平坦化した顆粒樹脂を被覆した状態で一括して供給する構成である。
このため、下型キャビティ内における仕切部材の先端面の位置より上方の空間部を、顆粒樹脂の供給部として利用することができる。
即ち、従来は、分割キャビティ内に各別に顆粒樹脂を供給する構成であるため、仕切部材（下型面）の先端面の位置より上方の空間部を利用できず、少なくとも下型キャビティ深さとして、例えば、分割樹脂成形体の厚さの３倍は必要であった。
しかしながら、本発明によれば、仕切部材の先端面の位置より上方の空間部を利用できるため、本発明に係る下型キャビティの深さを従来の下型キャビティ深さより浅くすることができる。
このため、本発明によれば、キャビティ底面部材の移動距離を効率良く減少させることができると共に、当該移動距離を必要最小限にすることができる。
また、下型キャビティ内におけるキャビティ底面の全面に平坦化した顆粒樹脂を被覆した状態で一括して供給することにより、圧縮成形装置の樹脂材料供給手段の構造を簡素化し得て圧縮成形装置の製作費を効率良く低減することができると共に、顆粒樹脂の供給時間を効率良く短縮化するができる。
従って、前述した装置製作費の低減と、樹脂供給時間の短縮化とにて、製品（成形済基板）の生産性を向上させることができるという優れた効果を奏するものである。
【００２２】
また、本発明は、前述したように、キャビティ底面部材を必要最小限の移動距離で移動（上動）させることにより、基板面（半導体チップ装着面）に仕切部材の先端面を押圧する構成である。
また、本発明は、前述したように、キャビティ底面部材に仕切部材を（着脱自在に）装設する構成であるため、キャビティ底面部材が仕切部材に対して摺動しない構成であって、キャビティ底面部材とが仕切部材とが相対的に不動である。
このため、キャビティ底面部材が上動するときに、キャビティ底面部材と仕切部材とで形成される分割キャビティに被覆した離型フィルムが緩むことを効率良く防止できるものである。
従って、分割キャビティ内（下型キャビティ内）に被覆される離型フィルムに「しわ（皺）」が発生することを効率良く防止することができる。
【００２３】
また、本発明は、異なる（多種の）分割樹脂成形体の厚さに対応して、当該厚さに対応する仕切部材をキャビティ底面部材に対して着脱自在に装設する構成である。
従って、本発明によれば、従来例のように、分割樹脂成形体の厚さに変更があったときに、これに対応して製作費用の高い金型（キャビティブロック）を製作する必要がないものである。
このため、分割樹脂成形体の厚さに変更があったときに、異なる分割樹脂成形体の厚さに対応して、当該厚さに対応する仕切部材をキャビティ底面部材に着脱自在に装設することができる。
従って、本発明によれば、異なる分割樹脂成形体の厚さに効率良く対応することができるので、製品（成形済基板）の生産性を向上させることができるという優れた効果を奏するものである。
【００２４】
また、本発明は、分割キャビティを形成する仕切部材（弾性仕切部材）をキャビティ底面部材に対して弾性上下動自在（弾性移動自在）に装設した構成である。
また、分割キャビティ内の樹脂をキャビティ底面部材で加圧したときに、基板面に弾性仕切部材の先端面を弾性押圧することができるように構成されている。
また、或る特定範囲ではあるが、異なる分割樹脂成形体の厚さに対応して、基板に装着した半導体チップを圧縮成形して成形済基板（製品）を形成する場合、弾性上下動する仕切部材を交換することなく、異なる分割樹脂成形体の厚さに対応することができる。
例えば、弾性仕切部材の高さを、分割樹脂成形体の厚さの或る特定範囲における最大値に最小限度の移動距離を加えた距離（長さ）に構成することができる。
即ち、或る特定範囲における最大値（最小値）となる厚さを有する分割樹脂成形体を圧縮成形する場合において、キャビティ底面部材で樹脂を加圧するときに、キャビティ底面部材をその移動距離（必要最小限の移動距離と必要最小限の弾性移動距離とを含む）にて移動させることにより、基板面に弾性仕切部材の先端面を弾性押圧することができる。
【００２５】
即ち、従来は、分割キャビティ（仕切部）を有するキャビティブロックを異なる厚さの分割樹脂成形体に対応して各別に製作していた。
しかしながら、本発明によれば、仕切部材（弾性仕切部材）を交換する必要はなく、本発明に係る弾性仕切部材にて異なる分割樹脂成形体の厚さに効率良く対応することができる。
また、従来、金型を冷却して分解すると共に、金型にキャビティブロックを装着して金型を加熱していた。
しかしながら、本発明によれば、弾性移動する弾性仕切部材を採用したことにより厚さの異なる分割樹脂成形体（成形済基板）に効率良く対応して基板に装着した半導体チップを圧縮成形することができる。
このため、厚さの異なる分割樹脂成形体の厚さに対応してその都度（弾性）仕切部材を交換する必要がない。
また、厚さの異なる分割樹脂成形体の厚さに対応してその都度キャビティブロック（仕切部）を製作する必要がない。
このため、本発明によれば、弾性仕切部材の構成にて、製作コストを効率良く低減することができる。
従って、製品（成形済基板）の生産性を向上させることができるという優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】図１は、本発明に係る半導体チップの圧縮成形用金型（圧縮成形型）を概略的に示す概略縦断面図であって、基板の長辺方向の断面を示すと共に、前記した金型による成形前の型開状態を示している（実施例１）。
【図２】図２は、図１に示す金型に対応する半導体チップの圧縮成形用金型を概略的に示す概略縦断面図であって、前記金型に設けられ且つ離型フィルムを被覆した下型キャビティ内に樹脂材料を供給した状態を示している（実施例１）。
【図３】図３は、図１に示す金型に対応する半導体チップの圧縮成形用金型を概略的に示す概略縦断面図であって、前記金型の型締状態を示している（実施例１）。
【図４】図４（１）は図１に示す金型に対応する半導体チップの圧縮成形用金型を概略的に示す概略縦断面図であって前記金型による成形後の型開状態を示し、図４（２）は図４（１）に示す金型で成形された成形済基板を拡大して概略的に示す概略拡大正面図である（実施例１）。
【図５】図５は、図２に示す金型の下型面を概略的に示す概略平面図であって、前記金型に設けられ且つ離型フィルムを被覆した下型キャビティ内に樹脂材料（顆粒樹脂）を供給した状態を示している（実施例１）。
【図６】図６は、図１に示す金型のキャビティ底面を形成するキャビティ底面部材を概略的に示す概略斜視図であって、前記キャビティ底面部材に対して仕切部材を着脱自在に設けた状態を示している（実施例１）。
【図７】図７は、図２に示す金型に対応する半導体チップの圧縮成形用金型を概略的に示す概略縦断面図であって、基板の短辺方向の断面を示すと共に、前記金型に設けられ且つ離型フィルムを被覆した下型キャビティ内に樹脂材料（顆粒樹脂）を供給した状態を示している（実施例１）。
【図８】図８は、図３に示す金型に対応する半導体チップの圧縮成形用金型を概略的に示す概略縦断面図であって、基板の短辺方向の断面を示すと共に、前記金型の型締状態を示している（実施例１）。
【図９】図９は、図１に示す金型の要部を拡大して概略的に示す拡大概略縦断面図であって、前記金型のキャビティ底面部材に装設された仕切部材を示している（実施例１）。
【図１０】図１０は、本発明に係る他の半導体チップの圧縮成形用金型（圧縮成形型）を概略的に示す概略縦断面図であって、基板の短辺方向の断面を示すと共に、前記金型の型開き状態を示している（実施例２）。
【図１１】図１１（１）は図１０に示す金型における下型の型面を概略的に示す概略平面図であり、図１１（２）、図１１（３）は図１０に示す金型におけるキャビティ底面部材の上部キャビティ底面部材と仕切部材とを概略的に示す概略底面図であり、図１１（２）は、上部キャビティ底面部材に仕切部材を装着する前の状態を示し、図１１（３）は上部キャビティ底面部材に仕切部材を装着した状態を示している（実施例２）。
【図１２】図１２（１）、図１２（２）は本発明に係る他の実施例に用いられる仕切部材を概略的に示す概略縦断面図であって、図１２（１）は上部キャビティ底面部材に仕切部材を装着する前の状態を示し、図１２（２）は上部キャビティ底面部材に仕切部材を装着した状態を示している（実施例３）。
【図１３】図１３（１）は図１で示す金型で圧縮成形された成形済基板を概略的に示す概略斜視図であり（実施例１）、図１３（２）は図１０で示す金型で圧縮成形された成形済基板を概略的に示す概略斜視図（実施例２）である。
【図１４】図１４は、本発明に係る他の半導体チップの圧縮成形用金型（圧縮成形型）の要部を拡大して概略的に示す概略拡大縦断面図であって、基板の短辺方向の断面を示すと共に、前記金型の型開状態を示している（実施例４）。
【図１５】図１５は、図１４に対応する金型の要部を拡大して概略的に示す概略拡大縦断面図であって、前記金型の型締状態を示している（実施例４）。
【図１６】図１６は、図１４に対応する金型を概略的に示す概略縦断面図であって、基板の短辺方向の断面を示すと共に、前記金型の型開状態を示している（実施例４）。
【図１７】図１７（１）〜（４）は、図１０に示す金型で成形された成形済基板の例を拡大して概略的に示す拡大概略斜視図である（実施例５）。
【図１８】図１８（１）〜（４）は、図１０に示す金型で成形された成形済基板の例を拡大して概略的に示す拡大概略斜視図である（実施例５）。
【図１９】図１９（１）〜（２）は、本発明に係る半導体チップの圧縮成形用金型（圧縮成形型）に用いられる仕切部材を拡大して概略的に示す拡大概略斜視図である（実施例６）。
【図２０】図２０（１）〜（２）は本発明に係る他の半導体チップの圧縮成形用金型（圧縮成形型）で圧縮成形された成形済基板の例を概略的に示す概略斜視図であり（実施例７）、図２０（３）は本発明に係る他の金型で圧縮成形された成形済基板の例を概略的に示す概略斜視図である（実施例８）。
【図２１】図２１（１）〜（３）は、本発明に係る他の半導体チップの圧縮成形用金型（圧縮成形型）で圧縮成形された成形済基板の例を概略的に示す概略斜視図である（実施例８）。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
本発明によれば、半導体チップの圧縮成形用金型（半導体チップの圧縮成形型）において、下型キャビティ内に所要数の仕切部材を配置させることにより所要数の分割キャビティを形成することができると共に、キャビティ底面部材に対して仕切部材を容易に且つ効率良く着脱自在に装設することができるように構成されている。
また、仕切部材の高さを分割樹脂成形体の厚さに対応させて同じ距離（長さ）に設定することができる。
また、本発明によれば、仕切部材の先端面の上方の空間部を樹脂材料の供給部として利用することができるため、下型キャビティ内に平坦化した顆粒樹脂を被覆した状態で一括して供給することができる。
また、このため、本発明によれば、従来例に比べて、下型キャビティの深さを浅くすることができると共に、キャビティ底面部材の上動する移動距離を必要最小限にすることができる。
なお、従来は、分割樹脂成形体の厚さの３倍の深さを有する分割キャビティ内に各別に顆粒樹脂を供給していたため、キャビティ底面部材の上動する移動距離が長かった。
【００２８】
即ち、本発明によれば、キャビティ底面部材を必要最小限の移動距離にて上動させて分割キャビティ内の樹脂を加圧し、基板に装着した半導体チップを分割キャビティの形状に対応した分割樹脂成形体内に圧縮成形して成形済基板を形成することができる。
このとき、下型キャビティ内で下型キャビティの形状に対応した樹脂成形体内に基板に装着した半導体チップを圧縮成形することができると共に、この樹脂成形体に仕切部材（先端部）の形状に対応した基板反り防止用の溝部（凹部）を形成することができる。
即ち、本発明によれば、成形済基板において、下型キャビティに対応した樹脂成形体に仕切部材にて溝部（凹部）を形成して分割樹脂成形体を形成することができる。
従って、本発明によれば、仕切部材にて樹脂成形体に形成される溝部（凹部）にて、或いは、分割樹脂成形体を形成することにより、成形済基板を反り返らせる力を緩和することができるので、基板に発生する反りを効率良く防止することができる。
【００２９】
また、本発明によれば、キャビティ底面部材に対して仕切部材を容易に且つ効率良く着脱自在に装設することができるように構成されている。
このため、例えば、下型キャビティ内で圧縮成形される樹脂成形体の厚さが変更になった場合に、キャビティ底面部材に対して仕切部材を容易に且つ効率良く交換することができる。
従って、仕切部材を容易に且つ効率良く交換することができるので、成形済基板（分割樹脂成形体）の生産性を効率良く向上させることができる。
【００３０】
また、従来、分割キャビティ内に顆粒樹脂を各別に計量して供給していたため、樹脂材料（顆粒樹脂）の供給時間が長く、樹脂材料供給手段の構造が複雑で装置の製作コストが高かった。
また、従来、分割キャビティの深さも分割樹脂成形体の厚さの３倍と深く、キャビティ底面部材の上動する移動距離が長かった。
しかしながら、本発明よれば、キャビティ底面部材に着脱自在に装設した仕切部材の先端面の上方の空間部を樹脂材料の供給部として利用できるので、下型キャビティ内に平坦化した顆粒樹脂を被覆した状態で一括して供給することができる。
このため、下型キャビティ内に顆粒樹脂を供給する樹脂材料の供給時間を短縮化することができ、且つ、樹脂材料供給手段の構造を簡素化し得て装置の製作コストを効率良く低減することができる。
従って、本発明よれば、樹脂材料の供給時間を短時間化し得て、装置の製作コストを低減し得て、成形済基板の生産性を効率良く向上させることができる。
【００３１】
また、本発明は、キャビティ底面部材に装設した仕切部材を弾性機構（圧縮スプリング、皿ばね）にて上方向に弾性付勢する構成である。
従って、キャビティ底面部材に対して弾性仕切部材を弾性上下摺動することができるように構成されている。
例えば、上方向に弾性付勢された仕切部材の先端面を下方に加圧した場合、仕切部材の弾性付勢力に逆らって仕切部材（先端面）を下方向に弾性移動させることができるように構成されている。
また、或る特定範囲ではあるが、異なる（多種の）分割樹脂成形体の厚さに対応して、基板に装着した半導体チップを圧縮成形して成形済基板（製品）を形成する場合、弾性上下動する仕切部材を交換することなく、異なる分割樹脂成形体の厚さに効率良く対応することができる。
例えば、弾性仕切部材の高さを、分割樹脂成形体の厚さの或る特定範囲における最大値に最小限度の弾性移動距離を加えた距離（長さ）に構成することができる。
即ち、或る特定範囲における最大値（最小値）となる厚さを有する分割樹脂成形体を圧縮成形する場合において、キャビティ底面部材で樹脂を加圧するときに、キャビティ底面部材をその移動距離（必要最小限の移動距離と必要最小限の弾性移動距離とを含む）にて移動させることにより、基板面に弾性仕切部材の先端面を弾性押圧することができる。
従って、本発明によれば、（弾性）仕切部材を交換することなく、異なる（多種の）分割樹脂成形体の厚さに効率良く対応することができる。
【００３２】
また、従来、仕切部材(キャビティ底面部材)を交換するために金型を分解した場合、金型の交換のために金型温度を下げてまた上げる必要があり、更に、金型温度を安定化させる必要があるため、これらの時間が長時間になっていた。
しかしながら、本発明によれば、弾性移動する仕切部材を装設したキャビティ底面部材を用いる構成であるため、分割樹脂成形体の厚さにおいて、或る特定範囲ではあるが、金型を分解する必要がなくなるものである。
このため、金型温度を安定化させる時間なども不要となり、金型で圧縮成形される成形済基板の生産性を効率良く向上させることができる。
また、例えば、前述した厚さの異なる成形済基板（分割樹脂成形体）を圧縮成形する場合に、仕切部材を装設したキャビティ底面部材を、前述した厚さの異なる分割樹脂成形体に対応して、多数個、製作する必要がないので、成形済基板（分割樹脂成形体）の生産性を効率良く向上させることができる。
【００３３】
また、本発明は、基板に装着した半導体チップを樹脂材料で圧縮成形した成形済基板の樹脂成形体に、基板反り防止用の凹部を設ける構成である。
即ち、本発明によれば、樹脂成形体に設けた基板反り防止用の凹部にて基板を反り返らせる力を緩和することができる。
例えば、成形済基板が樹脂成形体側に凸状態で反った場合（スマイル反り）に、樹脂成形体に設けた基板反り防止用の凹部（溝部を含む）は有効であり、基板を反り返らす力を効率良く緩和することができる。
また、本発明は、成形済基板における樹脂成形体に、基板反り防止用の凸部を設ける構成である。
即ち、本発明によれば、樹脂成形体に設けた基板反り防止用の凸部にて成形済基板を補強することができる。
例えば、成形済基板が基板側に凸状態で反った場合（クライ反り）に、樹脂成形体に設けた基板反り防止用の凸部は有効であり、基板を反り返らす力を効率良く補強することができる。
従って、本発明によれば、樹脂成形体に設けた基板反り防止用の凹部或いは凸部にて、基板に発生する反りを効率良く防止することができる。
【実施例１】
【００３４】
まず、図１〜図９及び図１３（１）を用いて実施例１を詳細に説明する。
図１、図２、図３、図４、図５、図７、図８は、実施例１に係る半導体チップの圧縮成形用金型である。
図６は、実施例１に係る金型に設けられたキャビティ底面部材及びキャビティ底面部材に着脱自在に設けられた仕切部材である。
図９は、実施例１に係る金型に設けられたキャビティ底面部材に設けられた仕切部材である。
図１３（１）は実施例１に係る成形済基板である。
【００３５】
（本発明に用いられる基板について）
本発明に用いられる基板１には、ＩＣ等の半導体チップ２が所要複数個、マトリックス型に配置した状態で装着されている。
また、本発明においては、基板１にマトリックス型に配置して装着された半導体チップ２を分割樹脂成形体３（樹脂成形体３３）内に圧縮成形（樹脂封止成形）することにより成形済基板４を形成することができる。
【００３６】
（実施例１に係る半導体チップの圧縮成形用金型の構成について）
図１〜図９に示す導体チップの圧縮成形用金型５には、上型６と、上型６に対向配置した下型７と、上型６と下型７と間に張架した（長尺状の）離型フィルム８と、上型６の型面に設けられた基板セット部９と、下型７の型面に設けられた所要の深さを有する圧縮成形用の下型キャビティ（大キャビティ）１０と、大キャビティ１０内に樹脂材料を供給する樹脂材料供給手段１１とが設けられて構成されている。
また、金型５（上型６、下型７）には、図示はしていないが、下型キャビティ１０内の樹脂材料を加熱する加熱手段と、金型５（上型６、下型７）を型締めする型締機構とが設けられて構成されている。
また、上型６の基板セット部９に、半導体チップ２を装着した基板１を、半導体チップ装着面１ａ側を下方に向けた状態で供給セットすることができるように構成されている。
また、下型キャビティ１０内と下型７の型面とにそれらの形状に沿って離型フィルム８を吸着して被覆することができるように構成されている。
また、樹脂材料供給手段１１にて離型フィルム８を被覆した下型キャビティ１０内に樹脂材料、例えば、顆粒状の樹脂材料（顆粒樹脂）１２を供給することができるように構成されている。
また、下型キャビティ１０内で樹脂材料（顆粒樹脂１２）を加熱手段で加熱して溶融化することができるように構成されている。
また、型締機構にて金型５（上型６、下型７）を型締めすることにより、下型７の型面で、上型６の基板セット部９に供給セットした基板１の半導体チップ装着面１ａを押圧して先押さえすることができるように構成されている。
また、このとき、下型キャビティ１０内の樹脂１３を所要の加圧力で加圧することにより、下型キャビティ内の加熱した溶融樹脂（流動性樹脂）１３中に基板１に装着した半導体チップ２を浸漬すると共に、下型キャビティ１０内で基板１に装着した半導体チップ２を後述する所要数個の分割樹脂成形体(分割パッケージ)３内に圧縮成形して成形済基板４を形成することができるように構成されている。
【００３７】
（実施例１に係る樹脂材料供給手段の構成について）
例えば、図１に示すように、樹脂材料供給手段１１には、貫通孔１４を備えたフレーム１５と、フレーム１５における貫通孔１４の下部開口部１４ａ側に設けられた開閉式のシャッタ板１６と、シャッタ板１６を水平方向に開閉するシャッタ板の開閉機構（図示なし）とが設けられて構成されている。
また、貫通孔１４の下部開口部１４ａをシャッタ板１６で閉鎖することにより、貫通孔１４を樹脂供給部１７に形成することができる。
即ち、まず、フレーム貫通孔１４の上部開口部側１４ｂから樹脂供給部１７に所要量の顆粒樹脂１２を計量して供給すると共に、顆粒樹脂１２を平坦化して所要の均等な厚さを有するように形成する。
次に、樹脂材料供給手段１１を上下両型５（６、７）間に進入させると共に、シャッタ板１６を開けることにより、離型フィルム８を被覆した下型キャビティ１０内に平坦化した顆粒樹脂１２を、下型キャビティ底面１０ｂの全面に被覆した状態で一括して供給することができる。
また、このとき、図５に示すように、平面的な外観上、離型フィルム８を被覆した下型キャビティ１０内に供給された顆粒樹脂１２は、下型キャビティ１０内で平面的に一様に撒かれた状態となる。
【００３８】
なお、前述したように、本発明（実施例１）においては、樹脂材料供給手段１１にて、下型キャビティ１０内に平坦化した顆粒樹脂１２を、キャビティ底面１０ｂの全面に被覆した状態で一括して供給する構成であるため、従来例に示すような分割キャビティ内に所要量の顆粒樹脂を計量且つ平坦化して各別に供給する必要はなく、樹脂材料の供給時間を効率良く短縮化することができる。
従って、樹脂材料供給手段１１にて樹脂材料の供給時間を効率良く短縮化することができるので、成形済基板４の生産性を効率良く向上させることができる。
【００３９】
（実施例１に係る下型キャビティの構成について）
また、下型キャビティ（大キャビティ）１０には、下型７の型面に設けたキャビティ開口部１０ａと、キャビティ底面１０ｂと、キャビティ側面１０ｃとが設けられて構成されている。
また、下型キャビティ１０には、キャビティ底面１０ｂを先端面とするキャビティ底面部材１８と、キャビティ側面１０ｃを含むキャビティ側面部材（下型本体７）と、キャビティ底面部材１８をキャビティ１０内で相対的に上動させてキャビティ１０内の溶融樹脂１３を加圧する加圧手段１９と、下型本体（キャビティ側面部材）７と加圧手段１９と間に設けられた圧縮スプリング３４とが設けられて構成されている。
なお、キャビティ底面部材１８は単数個であって、加圧手段１９にて下型キャビティ１０のキャビティ側面１０ｃに連通して設けられた摺動孔２０内（摺動部）を上下摺動することができるように構成されている。
また、後述するように、加圧手段１９（仕切部材２１を含むキャビティ底面部材１８）を必要最小限の移動距離２４にて上動させることにより、仕切部材２１の先端面２１ａにて基板面（半導体チップ装着面）１ａを押圧することができるように構成されている。
【００４０】
即ち、上下両型５（６、７）を型締めすると共に、離型フィルム８を介して、下型キャビティ１０内の樹脂１２をキャビティ底面部材１８（加圧手段１９）にて所要の加圧力にて加圧することができるように構成されている。
従って、後述するように、下型キャビティ１０内で加熱して溶融化した樹脂（流動性樹脂）１３中に基板１に装着した所要複数個の半導体チップ２を浸漬することができるように構成されると共に、下型キャビティ１０の形状に対応した樹脂成形体３３（分割樹脂成形体３）内に基板１に装着した所要複数個の半導体チップ２を圧縮成形（樹脂封止成形）することができるように構成されている。
【００４１】
（実施例１に係る仕切部材の構成について）
また、図１に示すように、下型７の大キャビティ１０において、所要数の仕切部材（凸部）２１がキャビティ底面１０ｂに（突出した状態で）立設して構成されている。
また、仕切部材２１の高さ２３（キャビティ底面１０ａから仕切部材２１の先端面２１ａまでの距離）は、下型キャビティ１０内で成形される樹脂成形体３３の厚さに対応して構成されている。
即ち、仕切部材２１の高さ２３は樹脂成形体３３の厚さと同じ距離（長さ）にて構成されている。
なお、この高さ２３は、下型キャビティ１０内の樹脂を上動するキャビティ底面部材１８で加圧した場合において、仕切部材２１の先端面２１ａで基板面１ａを押圧したとき、キャビティ１０の深さ（２３）となるものである。
【００４２】
また、仕切部材（凸部）２１にて、下型大キャビティ１０の形状に対応して成形される樹脂成形体３３に、仕切部材２１の形状に対応した溝部（凹部）２８を形成することにより、溝部（凹部）２８の両側に（後述する分割キャビティ２２に対応した）分割樹脂成形体３を形成し、成形済基板４を形成することができるように構成されている。
即ち、従来の樹脂成形体（硬化樹脂３３）に溝部（凹部）２８を形成することにより、この溝部（凹部）２８にて、従来例に示す樹脂成形体（３３）に発生する反る力を緩和することができる。
従って、基板１と樹脂成形体（３３）との熱膨張係数の差を緩和することにより、成形済基板４の反りを効率良く防止することができるように構成されている。
【００４３】
また、後述するように、所要数の仕切部材２１はキャビティ底面部材１８に対して着脱自在に構成されている。
即ち、キャビティ底面部材１８に対して、樹脂成形体（３３）の厚さに対応した高さ２３を有する仕切部材２１を着脱自在に装設して効率良く交換することができる。
このため、従来は、多種の成形済基板（異なる厚さを有する分割樹脂成形体）に対応して、分割キャビティを有するキャビティブロックを一体として製作していたため、製作コストが高くなるのが通例であったが、実施例１に示すように、キャビティ底面部材１８に仕切部材２１を着脱自在に装設する構成を採用したので、圧縮成形装置の製作費を効率良く低減し、製品（成形済基板）の生産性を効率良く向上させることできる。
【００４４】
また、仕切部材２１にて大キャビティ１０に分割キャビティ２２を形成することができるように構成されている。
また、仕切部材２１はキャビティ１０（基板１）の短辺方向に差渡した状態でキャビティ底面１０ｂ（キャビティ底面部材１８の先端面）に設けられて構成されている。
このため、仕切部材２１の先端面２１ａは隣接する分割キャビティ２２の一辺の全辺に相当するものである。
また、図例においては、キャビティ底面１０ｂに３個の仕切部材２１がキャビティ１０（基板１）の長辺に沿って配置され、４個の分割キャビティ２２が形成されている。
従って、図１３(１)に示すように、成形済基板４において、大キャビティ１０に対応した樹脂成形体３３に、仕切部材２１に対応した３本の直線状の溝部(凹部)２８にて、分割キャビティ２２に対応した４個の分割樹脂成形体３を形成することができる。
なお、実施例１に係る仕切部材２１は、大キャビティ１０に対応する樹脂成形体３３に基板反り防止用の凹部を形成する凹部形成手段である。
【００４５】
また、前述したように、樹脂材料供給手段１１にて離型フィルム８を被覆したキャビティ１０内（分割キャビティ２２の底面２２ａ、仕切部材２１の先端面２１ａ）に所要量の顆粒樹脂１２を一括して供給することができる。
このとき、前述したように、キャビティ底面１０ｂの全面に顆粒樹脂１２を被覆した状態で一括して供給することができる。
【００４６】
即ち、基板１に装着した所要複数個の半導体チップ２を分割キャビティ２２の形状に対応した分割樹脂成形体３内に圧縮成形することができるので、図１３（１）に示す成形済基板４を得ることができる。
また、このとき、仕切部材２１を設けたキャビティ１０内において、キャビティ１０の形状に対応した樹脂成形体３３内に基板１に装着した所要複数個の半導体チップ２を圧縮成形することができると共に、樹脂成形体３３に仕切部材２１にて溝部（凹部）２８を形成することができるように構成されている。
また、隣接する分割樹脂成形体３の間には仕切部材２１の形状に対応した基板反り防止用の所要形状を有する溝部（凹部）２８が形成されることになる。
従って、溝部２８にて成形済基板４に発生する歪みを効率良く防止することができるので、成形済基板４に発生する反りを効率良く防止することができる。
【００４７】
なお、溝部２８の底面２８ａの形状は、仕切部材２１の先端側（例えば、先端面２１ａ）の形状に対応して転写されることになる。
また、キャビティ１０内の仕切部材２１の間におけるキャビティ底面１０ｂは分割キャビティ底面２２ａとなる。
また、仕切部材２１の先端面２１ａは浅いキャビティ底面となるものであり、キャビティ底面部材１８の先端面は深いキャビティ底面（大キャビティ底面１０ｂ、分割キャビティ底面２２ａ）となるものである。
【００４８】
（実施例１に係る仕切部材の樹脂連通路について）
実施例１に係る仕切部材２１の先端面２１ａには半円底状の樹脂連通路（スルーゲート）３５が設けられて構成されている。
従って、分割キャビティ２２内の樹脂をキャビティ底面部材１８で加圧したとき、仕切部材２１の先端面２１ａを基板面１ａに押圧することができると共に、仕切部材２１の先端面２１ａに設けた樹脂連通路３５を通して、分割キャビティ２２内の樹脂（溶融樹脂１３）を分割キャビティ２２間で相互に移動させて分割キャビティ２２内の樹脂量を調整することができる。
なお、樹脂連通路３５内で硬化した樹脂は連通樹脂部３６となり、分割樹脂成形体３間の溝部２８の底面２８ａに形成されることになる。
【００４９】
（実施例１に係る仕切部材を含むキャビティ底面部材における必要最小限の移動距離について）
また、図１に示すように、仕切部材２１の先端面（仕切面）２１ａはキャビティ底面１０ｂから所要の距離（所要の高さ）２３、即ち、分割樹脂成形体３（樹脂成形体３３）の厚さとなるように構成されている。
また、下型７の型面と仕切部材の先端面２１ａとの間に形成される所要の距離２４は、加圧手段１９にてキャビティ底面部材１８を型面方向に加圧してキャビティ１０、２２内の樹脂を加圧するとき、下型本体７の型面（圧縮スプリング３４）にて、基板面１ａを上方向に（型面方向に）押圧することができる必要最小限の移動距離（２４）となるように構成されている。
また、下型キャビティ１０内でキャビティ底面部材１８を上動させることにより、仕切部材２１の先端面２１ａにて基板面１ａを上方向に押圧することができる。
なお、所要数の仕切部材２１はキャビティ底面部材１８と一体となってキャビティ１０（摺動孔２０）内を相対的に上下摺動することができるように構成されている。
また、基板１は、キャビティ底面部材１８の必要最小限の移動距離２４による圧縮スプリング３４の弾性圧力にて、上型６の型面と下型７の型面（仕切部材２１の先端面２１ａを含む）との間に挟持されることになる。
なお、キャビティ底面部材１８の樹脂加圧前において、下型面（Ｐ．Ｌ面）と仕切部材２１の先端面２１ａとの間を所要の距離２４となるように構成しても良い。
【００５０】
（実施例１に係る離型フィルムとキャビティ底面部材における必要最小限の移動距離とについて）
また、実施例１において、キャビティ底面部材１８を必要最小限の移動距離２４で上動させることにより、離型フィルム８を被覆した分割キャビティ２２内の溶融樹脂１３を加圧することができる。
このとき、まず、下型本体７の型面にて、上型６の基板セット部９に供給セットした基板１の半導体チップ装着面１ａを、圧縮スプリング３４の弾性加圧力にて押圧して先押さえすることができる。
また、次に、仕切部材２１の先端面２１ａを基板面１ａに押圧することができる。
このため、分割キャビティ２２内の溶融樹脂１３を加圧することができる。
また、このとき、キャビティ底面部材１８は必要最小限の移動距離２４しか移動しないことになる。
また、キャビティ底面部材１８と仕切部材２１とは相対的に互いに不動であって、分割キャビティ２２内に被覆した離型フィルム８が、キャビティ底面２２ａ（１０ｂ）と仕切部材２１との間で緩むことを効率良く防止することができる。
このため、分割キャビティ２２内に被覆した離型フィルム８に発生するしわを効率良く防止することができる。
なお、従来は、下型キャビティの深さは、少なくとも樹脂成形体の厚さの３倍が必要であり、キャビティ底面部材の移動距離は、少なくとも樹脂成形体の厚さの２倍以上となっていた。
【００５１】
（実施例１における下型キャビティ内における樹脂材料の供給部について）
また、実施例１（本発明）によれば、前述したように、樹脂材料供給手段１１にて、離型フィルム８を被覆した下型キャビティ１０内に平坦化した顆粒樹脂１２を、キャビティ底面の全面に被覆した状態で一括して供給することができる。
従来は、分割キャビティ内に各別に顆粒樹脂を供給する構成であるため、分割キャビティを形成する仕切部の型面（実施例１の仕切部材の先端面に相当）に、顆粒樹脂を供給することができなかった。
しかしながら、実施例１（本発明）によれば、分割キャビティを形成する仕切部材を上下摺動するキャビティ底面部材に着脱自在に装設する構成であり、且つ、下型キャビティ底面の全面に平坦化した顆粒樹脂を被覆した状態で一括して供給する構成であるため、下型キャビティ内における仕切部材の先端面の位置より上方の空間部を顆粒樹脂の供給部として利用することができ、且つ、仕切部材の先端面を含む下型キャビティ底面の全面より上方の空間部を顆粒樹脂の供給部として利用することができる。
このため、実施例１（本発明）によれば、従来例のように、下型キャビティの深さを分割樹脂成形体の厚さの３倍とする必要がなく、従来例に比べて、下型キャビティ１０の深さをきわめて浅くすることができる。
なお、仕切部材２１の先端面２１ａ上に供給された顆粒樹脂は加熱されて溶融化することにより、この溶融樹脂（流動性樹脂）は分割キャビティ２２内に流入することになり、下型キャビティ１０内の各分割キャビティ２２内に溶融樹脂が各別に収容されることになる。
【００５２】
（実施例１に係る仕切部材の着脱自在の構成について）
前述したように、実施例１によれば、キャビティ底面部材１８に対して仕切部材２１を着脱自在に装設して交換することができる。
即ち、図例に示すように、キャビティ底面部材１８には、上部キャビティ底面部材（キャビティブロック）２９と、下部キャビティ底面部材（ベース部材）３０とが設けられて構成されている。
また、キャビティ底面部材１８には仕切部材２１を着脱自在に嵌装する溝状の仕切部材用の嵌合部（図例では溝部）３１が所要数、キャビティ１０の短辺方向に設けられて構成されている。
従って、キャビティ底面部材１８（上部キャビティ底面部材２９、下部キャビティ底面部材３０）の嵌合部３１に仕切部材２１の基端部２１ｂ側を水平方向に（横方向に）押して嵌合させることができるように構成されている。
このとき、仕切部材２１の先端部２１ｃ側はキャビティ底面部材１８から突出した状態となる。
また、下部キャビティ底面部材３０には嵌合部３１に嵌合した仕切部材２１を係止するボルト等の係止部材３２が設けられて構成され、嵌合部３１に嵌合した仕切部材２１を下部キャビティ底面部材３０側から係止することができるように構成されている。
【００５３】
即ち、まず、キャビティ底面部材１８（２９、３０）の嵌合部３１に対して仕切部材２１の基端部２１ｂ側を着脱自在に水平方向に嵌合させ、次に、下部キャビティ底面部材３０側から所要数の係止部材３２にて仕切部材２１を係止してキャビティ底面部材１８に所要数の仕切部材２１を係止することができる。
従って、実施例１によれば、分割樹脂成形体３の厚さの変更に対応するために、キャビティ底面部材１８に対して仕切部材２１を容易に且つ着脱自在に装着することができるように構成されている。
例えば、新たに所要の厚さを有する分割樹脂成形体（異なる厚さの分割樹脂成形体）を圧縮成形する場合において、まず、キャビティ底面部材１８から仕切部材１８を取り出し、次に、当該分割樹脂成形体の厚さに対応する高さを有する仕切部材２１を装設して効率良く交換することができる。
このため、実施例１によれば、キャビティ底面部材３０に対して仕切部材２１を着脱自在に効率良く交換することができるので、実施例１に係る金型５で成形済基板４を効率良く圧縮成形することができ、製品（成形済基板）の生産性を効率良く向上させることができる。
【００５４】
（実施例１に係る半導体チップの圧縮成形方法について）
まず、図１に示すように、半導体チップの圧縮成形用金型（半導体チップの圧縮成形型）５を用いて、上型６の基板セット部９に、マトリックス型に配置した所要複数個の半導体チップ２を装着した基板１（成形前基板）を、半導体チップ装着面１ａ側を下方向に向けた状態で供給セットし、且つ、下型７の型面と下型キャビティ１０（分割キャビティ２２と仕切部材２１）内とに離型フィルム８を吸着して被覆させると共に、樹脂材料供給手段１１にて離型フィルム８を被覆したキャビティ１０（分割キャビティ２２）内に平坦化した顆粒樹脂１２を供給する。
このとき、離型フィルム８を介してキャビティ１０の底面１０ｂの全面、即ち、分割キャビティ底面２２ａと仕切部材２１の先端面２１ａとに平坦化した顆粒樹脂１２をそのままの状態で落下させることにより、平坦化した顆粒樹脂１２を一括して供給することができる。
このため、離型フィルム８を介してキャビティ底面１１ｂの全面（分割キャビティ２２の底面２２ａと仕切部材２１の先端面２１ａ）に顆粒樹脂１２を被覆させた状態で供給することができる。
【００５５】
次に、下型キャビティ１０内（分割キャビティ面２２ａと仕切部材先端面２１ａ）の樹脂１２を加熱して溶融化し、上下両型６、７を型締めする。
このとき、下型本体７の型面を上型６側の基板１の半導体チップ装着面１ａに押圧して先押さえすることになる。
次に、樹脂成形体３、３３の厚さと同じ高さを有する仕切部材２１を着脱自在に装設したキャビティ底面部材１８を、必要最小限の移動距離２４で上動させることにより、大キャビティ１０(分割キャビティ２２)内の樹脂（１３）を所要の加圧力にて加圧することができる。
このとき、キャビティ底面部材１８を必要最小限の移動距離２４で上動させることにより、圧縮スプリング３４の弾性押圧力にて下型７の型面で基板面１ａを押圧することができる。
また、このとき、キャビティ底面部材１８に着脱自在に装設した仕切部材２１の先端面２１ａで基板面１ａを押圧することができる。
従って、分割キャビティ２２内で分割キャビティ２２の形状に対応した分割樹脂成形体（分割パッケージ）３内に所要複数個の半導体チップ２を一括して圧縮成形（樹脂封止成形）することができる。
このとき、隣接する分割樹脂成形体３間には仕切部材２１の先端部側（先端面２１ａを含む）の形状に対応した溝部（凹部）２８が形成される。
このとき、樹脂連通路３５内で連通樹脂部（硬化樹脂）３６が形成される。
従って、次に、上下両型を型開きすることにより、下型キャビティ１０（２２）から成形済基板４（分割樹脂成形体３）を離型することができる。
【００５６】
（実施例１における作用効果について）
実施例１によれば、基板１に装着した半導体チップ２を圧縮成形して成形済基板（製品）４を形成するときに、仕切部材２１にて形成された分割キャビティ２２に対応した分割樹脂成形体３を形成すると共に、下型キャビティ１０の形状に対応した樹脂成形体３３に仕切部材２１の形状に対応した溝部（凹部）２８を形成することができる。
即ち、本発明によれば、成形済基板（製品）４の樹脂成形体３３に形成される溝部（凹部）２８にて、基板１と樹脂成形体３、３３とによる熱膨張係数の差による歪みを効率良く解消することができる。
従って、実施例１によれば、製品(成形済基板)４に反りが発生することを効率良く防止することができる。
【００５７】
また、実施例１は、分割キャビティ２２を形成する仕切部材２１を上下摺動するキャビティ底面部材１８に着脱自在に装設する構成であり、且つ、下型キャビティ１０底面１０ｂの全面に平坦化した顆粒樹脂１２を被覆した状態で一括して供給する構成であるため、下型キャビティ１０内における仕切部材２１の先端面２１ａの位置より上方の空間部を顆粒樹脂１２の供給部として利用することができる。
即ち、実施例１によれば、下型キャビティ１０内（分割キャビティ２２内）の底面１０ｂの全面に平坦化した顆粒樹脂１２を一括して供給することができる。
また、実施例１によれば、下型キャビティ１０の深さを従来の下型キャビティ深さ（例えば、分割樹脂成形体の厚さの３倍）より浅くすることができる。
また、実施例１によれば、キャビティ底面部材１８の移動距離を必要最小限の距離２４にすることができる。
従って、下型キャビティ１０内に平坦化した顆粒樹脂１２を一括して被覆した状態で供給することにより、圧縮成形装置の製作費を効率良く低減し、顆粒樹脂の供給時間を効率良く短縮化することにより、製品（成形済基板）４の生産性を向上させることができる。
なお、従来は、各分割キャビティ２２内に各別に所要量の顆粒樹脂１２を供給する構成であるため、分割キャビティ２２を形成する仕切部材の型面（実施例１の仕切部材２１の先端面２１ａに相当）に、顆粒樹脂１２を供給することができなかった。
また、各分割キャビティ２２内に各別に所要量の顆粒樹脂１２を供給する構成であるため、下型キャビティ１０の深さが分割樹脂成形体３（３３）の厚さ２３の３倍（以上）必要であった。
【００５８】
また、実施例１は、分割キャビティ２２を形成する仕切部材２１を着脱自在に装設したキャビティ底面部材１８で樹脂を加圧するとき、前述したように、下型キャビティ１０の深さを従来の下型キャビティ深さより浅くすることができ、キャビティ底面部材２１の移動距離を必要最小限の距離２４にすることができる。
即ち、実施例１は、キャビティ底面部材１８を必要最小限の移動距離２４で移動させて基板面１ａに仕切部材２１の先端面２１ａを押圧する構成である。
また、キャビティ底面部材１８と仕切部材２１とは相対的に互いに不動であるため、分割キャビティ２２内に被覆した離型フィルム８が緩むことを効率良く防止することができる。
従って、分割キャビティ２２内（下型キャビティ１０内）に被覆される離型フィルム８にしわが発生することを効率良く防止することができる。
【００５９】
また、実施例１は、分割キャビティ２２を形成する仕切部材２１をキャビティ底面部材１８に対して着脱自在に装設した構成であるので、分割樹脂成形体３の厚さ（２３）に変更があるとき、新たな異なる分割樹脂成形体３の厚さ（２３）に対応して仕切部材２１をキャビティ底面部材１８に対して着脱自在に装設することができる。
従って、本発明によれば、異なる分割樹脂成形体３（３３）の厚さに効率良く対応することができるので、製品（成形済基板）４の生産性を効率良く向上させることができる。
【実施例２】
【００６０】
次に、図１０、図１１（１）〜図１１（３）、図１３（２）を用いて、実施例２（本発明）を詳細に説明する。
図１０、図１１（１）〜図１１（３）は、実施例２に係る半導体チップの圧縮成形用金型である。
図１３（２）は実施例２に示す金型で成形した成形済基板である。
なお、実施例２に示す金型の基本的な構成は実施例１に示す金型と同じであるため、その説明を省略する。
また、実施例２に用いられる基板は実施例１に用いられる基板と同じである。
また、実施例２は、下型キャビティ内において、仕切部材の両側にスルーゲートを設ける構成である。
【００６１】
（実施例２に係る半導体チップの圧縮成形用金型の構成について）
図１０、図１１（１）〜（３）に示す金型４１には、実施例１と同様に、上型４２と、下型４３と、下型の大キャビティ４４（キャビティ開口部４４ａ、キャビティ底面４４ｂ、キャビティ側面４４ｃ）と、キャビティ底面部材４５と、加圧手段１９と、上型の基板セット部９と、下型キャビティ４４内を被覆する離型フィルム８と、下型４３と加圧手段１９との間に設けられた圧縮スプリング（図示なし）とが設けられて構成されている。
また、金型４１には、実施例１と同様に、加熱手段と型締機構とが設けられて構成されている。
【００６２】
また、実施例１と同様に、キャビティ底面４４ｂには所要数の仕切部材４６が立設して構成されると共に、仕切部材４６がキャビティ底面部材４５に着脱自在に装設されて構成されている。
また、大キャビティ４４内で所要数の仕切部材４６にて所要数の分割キャビティ４７が形成されている。
また、図１１（１）に示す図例では、大キャビティ４４の長辺方向に４個の分割キャビティ４７が配置されている。
従って、実施例１と同様に、基板１に装着したマトリックス配置の半導体チップ２を大キャビティ４４の形状に対応した樹脂成形体５６に圧縮成形することができる。
また、実施例１と同様に、基板１に装着したマトリックス配置の半導体チップ２を各分割キャビティ４７の形状に対応した分割樹脂成形体４８内に各別に圧縮成形することができる。
また、実施例１と同様に、大キャビティ４４の形状に対応した樹脂成形体５６に、仕切部材４６の形状に対応した直線状の溝部（凹部）５７にて分割樹脂成形体４８を圧縮成形し得て成形済基板４９を形成することができるように構成されている〔図１３（２）を参照〕。
なお、実施例２に係る仕切部材４６は、成形済基板４９の樹脂成形体５６に溝部（凹部）５７を形成する凹部形成手段であり、溝部（凹部）５７にて成形済基板４９の反りを効率良く防止することができるものである。
【００６３】
（実施例２に係る仕切部材について）
即ち、仕切部材４６には、実施例１と同様に、先端面４６ａ、基端部４６ｂ、先端部４６ｃがある。
また、キャビティ底面４４ｂ（分割キャビティ底面４７ａ）と仕切部材４６の先端面４６ａの距離、即ち、仕切部材４６の高さ５０は分割樹脂成形体４８（樹脂成形体５６）の厚さに対応して形成されている。
また、実施例１と同様に、キャビティ底面部材４５は、必要最小限の移動距離５１にて上動することになる。
また、隣接する分割キャビティ４７の一辺（仕切部材の先端面４６ａにて）は、実施例１と同様に、大キャビティ４４の短辺方向に設けられて構成されている。
また、実施例２においては、実施例１とは異なり、仕切部材４６の両側に、キャビティ底面４４ｂの樹脂連通路（底面スルーゲート）５２が設けられて構成され、隣接する分割キャビティ４７間を連通することになる。
即ち、樹脂連通路５２は、キャビティ短辺方向に配設された仕切部材４６の両側におけるキャビティ底面４４ｂ上に設けられて構成されている。
従って、実施例２における分割キャビティ４７内に供給された樹脂（顆粒樹脂１２）の量の過不足を樹脂連通路５２にて調整することができるように構成され、樹脂連通路５２で硬化した樹脂は連通樹脂部（硬化樹脂）５４となる。
【００６４】
また、実施例１と同様に、樹脂材料供給手段（１１）にて大キャビティ４４内に所要量の平坦化した顆粒樹脂１２を供給した場合、大キャビティ４４の底面４４ｂの全面に被覆した状態で一括して供給することができる。
また、所要数の仕切部材４６を含むキャビティ底面部材４５は一体となってキャビティ側面４４ｃを含む摺動孔５３内を上下摺動するように構成されている。
また、図１３（２）に示すように、実施例２に係る仕切部材４６にて、基板１上に形成され且つ大キャビティ４４内で成形される樹脂成形体５６に長孔状の溝部５７が形成されることになる。
また、樹脂成形体５６の長孔状の溝部５７の底面５７ａ側には仕切部材の先端面４６ａ（先端部４６ｃ）の形状が転写されると共に、樹脂成形体５６の長孔状の溝部５７の両側は樹脂連通路５２内で樹脂が硬化して連通樹脂部５４となるものである。
【００６５】
（実施例２における仕切部材の着脱自在の構成について）
即ち、図１０、図１１（２）、図１１（３）に示すように、キャビティ底面部材４５には、上部キャビティ底面部材５８と下部キャビティ底面部材５９とが設けられて構成されている。
また、上部キャビティ底面部材５８には、仕切部材４６を着脱自在に装設する長孔状の嵌合部６０が設けられて構成されている。
また、仕切部材４６をボルト等の係止部材６１にて上部キャビティ底面部材５８に係止することができるように構成されている。
従って、図１１（２）に示すように、まず、上部キャビティ底面部材５８の嵌合部６０に対して仕切部材の先端部４６ｂ側から垂直方向（上方向）に移動させて基端部４６ｃを嵌合部６０に装着する。
次に、図１１（３）に示すように、仕切部材４６を基端部４６ｃ側から係止部材６１にて係止し、下部キャビティ底面部材５９と合わせてキャビティ底面部材４５とすることができる。
【００６６】
実施例２によれば、実施例１と同様に、分割樹脂成形体４８（３）を厚さの変更に対応するために、キャビティ底面部材４５に対して仕切部材４６を容易に且つ着脱自在に装着することができるように構成されている。
実施例２によれば、実施例１と同様に、キャビティ底面部材４５に対して仕切部材４６を着脱自在に効率良く交換することができるので、実施例２に係る金型で成形済基板４９を効率良く圧縮成形することができる。
なお、実施例２に係る仕切部材４６の先端面４６ａは、例えば、水平面形状に形成することができる。
また、実施例２は、成形済基板４９に形成される大キャビティ４４に対応した樹脂成形体５６に、仕切部材４６に対応した溝部（凹部）５７を形成する構成であって、成形済基板４９に発生する反りを効率良く防止するものである。
従って、実施例２に係る仕切部材４６は成形済基板４９における樹脂成形体５６に凹部を形成する基板反り防止用の凹部形成手段となるものである。
【００６７】
（実施例２に係る半導体チップの圧縮成形方法について）
実施例２に係る金型４１（上型４２、下型４３）を用いて、実施例１と同様に、離型フィルム８を被覆したキャビティ４４内に平坦化した顆粒樹脂１２を供給する。
このとき、キャビティ４４の底面４４ｂ全面、即ち、分割キャビティ４７の底面４７ａと仕切部材４６の先端面４６ａとに平坦化した顆粒樹脂１２をそのままの状態で落下させて一括して供給することができる。
このため、離型フィルム８を介してキャビティ底面４４ｂの全面（分割キャビティ４７の底面４７ａと仕切部材４６の先端面４６ａ）に顆粒樹脂１２を被覆させた状態で供給することができる。
次に、下型キャビティ４４内（分割キャビティ底面４７ａと仕切部材先端面４６ａ）の樹脂１２を加熱して溶融化し、金型４１（上型４２、下型４３）を型締めする。
次に、キャビティ底面部材４５を必要最小限の移動距離５１にて上動させることにより、大キャビティ４４(分割キャビティ４７)内の樹脂を所要の加圧力にて加圧する。
このとき、仕切部材４６の先端面４６ａで基板面１ａを押圧することができる。
従って、分割キャビティ４７内で分割キャビティ４７の形状に対応した分割樹脂成形体（分割パッケージ）４８内に所要複数個の半導体チップ（２）を一括して圧縮成形（樹脂封止成形）することができる。
【００６８】
このとき、隣接する分割樹脂成形体４８間には仕切部材の先端部側（先端面を含む）の形状に対応した溝部（凹部）５７が形成される。
このとき、キャビティ底面４４ｂの樹脂連通路５２にて分割キャビティ４７内の樹脂量を調整することができると共に、仕切部材４６（溝部５７）の両側の樹脂連通路５２内で樹脂を硬化させて連通樹脂部（硬化樹脂）５４を形成することができる。
従って、次に、金型４１（上型４２、下型４３）を型開きすることにより、下型キャビティ４４から成形済基板４９（分割樹脂成形体４８、樹脂成形体５６）を離型することができる。なお、５７ａは溝部５７の底部である。
【００６９】
（実施例２における作用効果について）
実施例２によれば、実施例１と同様の作用効果を得ることができる。
実施例２によれば、実施例１と同様に、基板１に装着した半導体チップ（２）を分割樹脂成形体４８内に圧縮成形すると共に、隣接する分割樹脂成形体４８の間に仕切部材４６に対応した溝部５７（５７ａ）を形成することができるので、成形済基板４９に発生する反りを効率良く防止することができる。
【００７０】
また、実施例２によれば、実施例１と同様に、分割キャビティ４７を形成する仕切部材４６を上下摺動するキャビティ底面部材４５に着脱自在に装設する構成であり、且つ、下型キャビティ４４底面４４ｂの全面に平坦化した顆粒樹脂１２を被覆した状態で一括して供給する構成であるため、下型キャビティ４４内における仕切部材４６の先端面４６ａの位置より上方の空間部を顆粒樹脂１２の供給部として利用することができる。
即ち、実施例２によれば、実施例１と同様に、下型キャビティ４４内（分割キャビティ４７内）の底面４７ａの全面に平坦化した顆粒樹脂１２を被覆した状態で一括して供給することができる。
また、実施例２によれば、実施例１と同様に、下型キャビティ４４の深さを従来の下型キャビティ深さ（例えば、分割樹脂成形体の厚さの３倍）より浅くすることができる。
実施例２によれば、実施例１と同様に、キャビティ底面部材４５の移動距離５１を必要最小限の距離にすることができる。
従って、下型キャビティ４４内に平坦化した顆粒樹脂１２を被覆した状態で一括して供給することにより、樹脂材料供給手段（１１）を含む圧縮成形装置の製作費を効率良く低減し、且つ、顆粒樹脂の供給時間を効率良く短縮化することにより、製品（成形済基板）４９の生産性を向上させることができる。
【００７１】
また、実施例２によれば、実施例１と同様に、キャビティ底面部材４５の移動距離を必要最小限の移動距離５１にすることができる。
従って、分割キャビティ４７内（下型キャビティ４４内）に被覆される離型フィルム８にしわが発生することを効率良く防止することができる。
【００７２】
また、実施例２によれば、実施例１と同様に、分割キャビティ４７を形成する仕切部材４６をキャビティ底面部材４５に対して着脱自在に装設した構成であるので、分割樹脂成形体４８の厚さに変更があるとき、新たな異なる分割樹脂成形体４８の厚さに対応した仕切部材４６を、キャビティ底面部材４５に対して着脱自在に装設することができる。
従って、実施例２によれば、実施例１と同様に、異なる分割樹脂成形体４８の厚さに効率良く対応することができるので、製品（成形済基板）４９の生産性を効率良く向上させることができる。
【実施例３】
【００７３】
次に、図１２（１）〜図１２（２）を用いて、実施例３を詳細に説明する。
図１２（１）〜図１２（２）は他の半導体チップの圧縮成形用金型の要部であって、キャビティ底面部材に仕切部材を着脱自在に装設する構成である。
なお、実施例３に示す金型の基本的な構成は実施例１に示す金型と同じであるため、その説明を省略する。
また、実施例３に用いられる基板は実施例１に用いられる基板と同じである。
【００７４】
（実施例３に示す半導体チップの圧縮成形用金型の構成について）
即ち、実施例３に示す金型の基本的な構成は実施例１に示す金型と同じである。
また、図１２（１）〜図１２（２）示す金型には、実施例１と同様に、キャビティ底面部材１４１と仕切部材１４２とが設けられて構成され、キャビティ底面部材１４１に対して仕切部材１４２を着脱自在に装設することができるように構成されている。
従って、実施例３に係る金型にて、基板（１）に装着した半導体チップ（２）を分割キャビティ（下型キャビティ)の形状に対応した分割樹脂成形体(樹脂成形体)内に圧縮成形して成形済基板を形成することができるように構成されている。
このとき、下型キャビティで圧縮成形された樹脂成形体には、或いは、分割樹脂成形体間には、仕切部材１４２の形状に対応した基板反り防止用の溝部が形成されるように構成されている。
また、実施例３によれば、例えば、下型キャビティ内で圧縮成形される樹脂成形体の厚さが変更になった場合に、下型の型面（キャビティ底面）の上方から仕切部材を容易に効率良く交換することができる。
従って、成形済基板（樹脂成形体）の生産性を効率良く向上させることができる。
なお、実施例３に示す金型において、実施例１、２と同様の作用効果を得ることができる。
【００７５】
（実施例３における仕切部材の着脱自在の構成について）
即ち、仕切部材１４２には、先端面１４２ａ、基端部１４２ｂ、先端部１４２ｃ、キャビティ底面相当部１４２ｄとが設けられて構成されている。
また、キャビティ底面部材１４１は、上部キャビティ底面部材１４３と下部キャビティ底面部材１４４とが設けられて構成されている。
従って、キャビティ底面部材１４１（上部キャビティ底面部材１４３）に仕切部材１４２を装設した場合、キャビティ底面１４５と仕切部材１４２のキャビティ底面相当部１４２ｄとは面一となる。
また、上部キャビティ底面部材１４３の上面となるキャビティ底面１４５には、仕切部材１４２の基端部１４２ｂ側をキャビティ底面１４５側から着脱自在に装着する嵌合孔（嵌合部）１４６と、仕切部材１４２（基端部１４２ｂ）を係止する嵌合孔１４６の係止部１４６ａとが設けられて構成されている。
また、上部キャビティ底面部材１４３の下面には、仕切部材１４２を上部キャビティ底面部材１４３（キャビティ底面部材１４１）に係止するボルト部材１４７を挿通する挿通孔１４８が設けられ、挿通孔１４８にはボルト部材１４７を係止する挿通孔１４８の係止部１４８ａが設けられて構成されている。
なお、上部キャビティ底面部材１４３において、嵌合孔１４６と挿通孔１４８とが連通した状態で設けられて構成されている。
また、下部キャビティ底面部材１４４には貫通した状態の挿通孔１４９が設けられて構成され、上部キャビティ底面部材１４３と下部底面部材１４４とを合体したときに、上部キャビティ底面部材１４３の嵌合孔１４６と挿通孔１４８及び下部キャビティ底面部材１４４の挿通孔１４９とが連通した状態となるように構成されている。
【００７６】
即ち、図１２（１）に示すように、まず、上部キャビティ底面部材１４３の上面（キャビティ底面１４５）の嵌合孔１４６の開口部１４６ｂに、仕切部材１４２を基端部１４２ｂ側から下方向に着脱自在に装着することができる。
このとき、仕切部材１４２(基端部１４２ｂ)を嵌合孔１４６の係止部１４６ａで係止することができる。
また、上部キャビティ底面部材１４３の下面の挿通孔１４８の開口部１４８ａからボルト部材１４７を挿入することによって、上部キャビティ底面部材１４３に仕切部材１４２を嵌合孔１４６にボルト部材１４７で固定することができる。
このとき、ボルト部材１４７の先端部１４７ａは仕切部材１４２（基端部１４２ｂ）に螺設され、ボルト部材１４７のボルト頭１４７ｂは挿通孔１４８の係止部１４８ａに係止されることになる。
従って、次に、図１２（２）に示すように、上部キャビティ底面部材１４３に下部キャビティ底面部材１４４を合体することにより、仕切部材１４２を装設したキャビティ底面部材１４１を形成することになる。
このとき、上部キャビティ底面部材１４３の嵌合孔１４６と挿通孔１４８と、下部キャビティ底面部材１４４の挿通孔１４９とが連通した状態になる。
なお、上部キャビティ底面部材１４３の嵌合孔１４６から仕切部材１４２を取り外すときは、前述した手順と逆の手順となるものである。
【００７７】
また、キャビティ底面部材１４１の嵌合孔１４６に仕切部材１４２を装着する場合、下部キャビティ底面部材１４４の挿通孔１４９からボルト部材１４７を通すことにより、嵌合孔１４６に仕切部材１４２を装着することができる。
【００７８】
従って、実施例３によれば、仕切部材１４２を、下型キャビティ内のキャビティ底面部材１４１に対して、キャビティ底面１４５の上から着脱自在に装着することができるので、仕切部材１４２を効率良く短時間で装着することができる。
このため、樹脂成形体を厚さが変更になった場合に、仕切部材を容易に且つ短時間で交換することができるので、成形済基板（製品）の生産性を効率良く向上させることができる。
【実施例４】
【００７９】
次に、図１４、図１５、図１６を用いて、実施例４を詳細に説明する。
図１４、図１５、図１６は、実施例４に係る半導体チップの圧縮成形用金型（半導体チップの圧縮成形型）である。
なお、実施例４に示す金型の基本的な構成は、実施例１〜３に示す金型と同じであるため、その説明を省略する。
また、実施例４に用いられる基板１は実施例１〜３に用いられる基板と同じであり、実施例４にて図１３（１）に示す成形済基板４が形成されるものである。
また、実施例４は、キャビティ底面部材に仕切部材をキャビティ方向に(型面方向に)弾性付勢した状態で嵌装した構成である。
このため、仕切部材の先端部はキャビティ底面から突出した状態で設けられている。
従って、実施例４は、仕切部材（先端部）を分割キャビティ内で圧縮成形される分割樹脂成形体の厚さに対応して弾性移動させることができる。
【００８０】
（実施例４に係る半導体チップの圧縮成形用金型の構成について）
図１４、図１５、図１６に示す半導体チップの圧縮成形用金型７１には、実施例１〜３と同様に、上型７２と、下型７３と、下型７３の型面に設けられた所要の深さを有する大キャビティ７４（キャビティ開口部７４ａ、キャビティ底面７４ｂ、キャビティ側面７４ｃ）と、キャビティ底面部材７５と、加圧手段１９と、上型の基板セット部９と、下型キャビティ７４内を被覆する離型フィルム８と、下型本体７３と加圧部材１９との間に設けられた圧縮スプリング（図示なし）とが設けられて構成されている。
従って、下型７３の大キャビティ７４（側面７４ｃ）に連通接続する摺動孔２０内でキャビティ底面部材７５を加圧手段１９にて上動させて加圧することができるように構成されている。
なお、図示はしていないが、実施例４には、実施例１〜３と同様に、加熱手段と型締機構とが設けられて構成されている。
【００８１】
また、実施例４において、実施例１〜３と同様に、下型キャビティ７４（キャビティ底面部材７５）には所要数の仕切部材（弾性仕切部材）７６が設けられて構成され、所要数の仕切部材７６にて下型キャビティ７４に所要数の分割キャビティ７７を形成して構成されている。
また、実施例４において、図示はしていないが、実施例１〜３と同様に、樹脂材料供給手段（１１）にて、下型キャビティ７４(分割キャビティ７７を含む)内に平坦化した顆粒樹脂（１２）を被覆した状態で一括して供給することができるように構成されている。
このとき、実施例４において、実施例１〜３と同様に、仕切部材７６の先端面７６ａの上方の空間部を樹脂材料の供給部に利用することができる。
また、実施例４において、実施例１〜３と同様に、仕切部材７６を装設したキャビティ底面部材７５を必要最小限の移動距離８９にて上動させることができる。
なお、前述したように、従来、下型キャビティの深さが分割樹脂成形体の厚さの３倍（以上）は必要であった。
【００８２】
（実施例４に係る仕切部材について）
即ち、実施例４において、実施例１〜３と同様に、仕切部材７６には、先端面７６ａと基端部７６ｂと先端部７６ｃとが設けられて構成されている。
また、実施例４に示す仕切部材７６は、実施例１〜３と同様に、キャビティ底面７４ｂから立設して構成されると共に、キャビティ底面７４ｂから仕切部材７６の先端部７６ｂ（先端面７６ａを含む）が突出した状態で設けられている。
従って、仕切部材７６にて下型キャビティ７４内を仕切ることにより所要複数個の分割キャビティ７７を形成することができる。
また、仕切部材７６の先端面７６ａには樹脂連通路９１が設けられて構成されている。
なお、実施例４において、仕切部材７６の先端面７６ａと先端部７６ｃの形状は、例えば、実施例１〜３に示す形状と同じ形状に形成することができる。
また、実施例４に示す仕切部材７６は、成形済基板４における樹脂成形体３３に基板反り防止用の溝部（２８）を形成する凹部形成手段となるものである。
【００８３】
また、実施例４に示す仕切部材７６は、キャビティ底面７４ｂを先端面とするキャビティ底面部材７５に対して着脱自在に装設されて構成されている。
また、仕切部材７６（全体）はキャビティ底面部材７５（キャビティ底面７４ｂ）に対して弾性上下摺動することができるように構成されている。
即ち、下型キャビティ７４内において、仕切部材７６の先端部７６ｃ側及び先端面７６ａが弾性上下摺動することができるように構成されている。
また、実施例４において、実施例１〜３と同様に、離型フィルム８を被覆した下型キャビティ７４（分割キャビティ７７）内の樹脂中に基板１に装着したマトリックス配置の半導体チップ（２）を浸漬することができるように構成されている。
このとき、下型キャビティ４４内の樹脂を、キャビティ底面部材７５（加圧手段１９）を上動することにより所要の加圧力にて加圧することができるように構成されている。
従って、基板１に装着したマトリックス配置の半導体チップ２を各分割キャビティ７７の形状に対応した分割樹脂成形体３内に圧縮成形して成形済基板４を形成することができるように構成されている。
このとき、基板１に装着した半導体チップ２を下型キャビティ７４の形状に対応した樹脂成形体３３内に圧縮成形すると共に、樹脂成形体３３に弾性仕切部材７６の形状に対応した溝部（凹部）２８を形成することができる。
即ち、実施例４によれば、成形済基板４の樹脂成形体３３に形成される溝部（凹部）２８にて、基板１と樹脂成形体（硬化樹脂）３３とによる熱膨張係数の差にて発生する歪みを効率良く解消することができる。
従って、実施例４によれば、製品(成形済基板)に反りが発生することを効率良く防止することができるという優れた効果を奏するものである。
【００８４】
（実施例４におけるキャビティ底面部材の構成について）
即ち、キャビティ底面７４ｂを先端面とするキャビティ底面部材７５には、上部キャビティ底面部材（キャビティブロック）８０と、下部キャビティ底面部材（ベース部材）８１とが設けられている。
また、上部キャビティ底面部材８０には仕切部材７６を弾性移動自在（弾性上下摺動自在）に嵌装する弾性摺動孔（図例では溝部）８２が設けられて構成されている。
また、図例に示すように、上部キャビティ底面部材８０の弾性摺動孔８２には上部開口部８２ａと下部開口部８２ｂとが設けられて構成され、弾性摺動孔８２の中間位置に、仕切部材の弾性上摺動を係止する係止部８２ｃが設けられて構成されている。
また、下部キャビティ底面部材８１には弾性摺動孔８２の仕切部材７６を型面方向に（上方向に）弾性付勢する適宜な弾性機構（弾性付勢機構）８３が、所要数、設けられて構成されている。
また、上部開口部８２ａ側に仕切部材７６の先端部７６ａが嵌装され、下部開口部８２ｂ側には下部キャビティ底面部材８１の弾性機構８１を嵌装することができるように構成されている。
また、仕切部材７６の基端部７６ｂ側には係合凹部（図例では溝部）７６ｄが下方側に開口した状態で設けられている。
また、後述するように、弾性機構８１の上部側には係合凸部（図例ではボルト頭部）が突出した状態で設けられて構成されている。
従って、上部キャビティ底面部材の弾性摺動孔８２内において、仕切部材７６の係合凹部７６ｄに弾性機構８３の係合凸部（８７ｂ）を係合することができるように構成されている。
【００８５】
（実施例４における仕切部材の着脱自在について）
即ち、実施例４において、実施例１〜３と同様に、キャビティ底面部材７５の弾性摺動孔８２に、仕切部材（弾性仕切部材）７６を着脱自在に装設することができるように構成されている。
例えば、弾性摺動孔（溝部）８２に対して仕切部材７６を水平方向に移動させて（スライドさせて）嵌装することにより、弾性摺動孔８２内の下部キャビティ底面部材８１に固設された弾性機構８３の係合凸部（８７ｂ）に仕切部材７６の係合凹部７６ｄを係合することができる。
また、弾性摺動孔８２から仕切部材７６を水平方向に移動（退出）させることより、
弾性摺動孔８２から仕切部材７６を取り出すことができる。
即ち、実施例４において、実施例１〜３と同様に、キャビティ底面部材７５（弾性摺動孔８２）に対して仕切部材７６を着脱自在に効率良く交換することができる。
このため、実施例４に係る金型７１で成形済基板（樹脂成形体）を効率良く圧縮成形することができる。
【００８６】
（実施例４における弾性機構について）
次に、実施例４に示す弾性機構（弾性付勢機構）８３の構成について説明する。
例えば、弾性機構８３には、図例に示すように、上部板８４と、上部板８４の下方位置に配置した下部板８５と、上部板８４と下部板８５との間に介装した圧縮スプリング、皿ばね等の弾性部材８６と、上部板８４と下部板８５と弾性部材８６とを貫通した状態で設けられたボルト部材８７とが設けられて構成されている。
また、ボルト部材８７の下部先端８７ａ側を下部キャビティ底面部材８１に螺設することにより、弾性機構８３を下部キャビティ底面部材８１に固設することができるように構成されている。
また、上部板８４（及び弾性部材８６）はボルト部材８７に対して上下動自在に設けられて構成されている。
また、ボルト部材８７の上部基端側となる係合凸部（ボルト頭）８７ｂを、上部キャビティ底面部材８０の弾性摺動孔８２に対して着脱自在に装設される仕切部材７６の係合凹部７６ｄに係合することができる。
即ち、上部板８４に仕切部材７６を載置した状態で、弾性部材８６にて仕切部材７６を上方向に弾性付勢することができるように構成され、且つ、仕切部材７６は弾性摺動孔８２の係止部８２ｃで係止するように構成されている。
従って、実施例４において、仕切部材７６をキャビティ底面部材７５に弾性機構８３にて弾性移動自在に（弾性上下摺動自在）に嵌装して構成することができる。
なお、この場合において、仕切部材（弾性仕切部材）７６に対する下方向への加圧力を解除したとき、弾性機構８３による上方向の弾性付勢力に仕切部材７６が上動し、仕切部材７６が係止部８２ｃにて係止され、元の位置で仕切部材７６の先端面７６ａは停止することになる。
【００８７】
（実施例４に係る仕切部材の高さについて）
また、実施例４において、実施例１〜３と同様に、仕切部材（弾性仕切部材）７６の高さ７８を、分割樹脂成形体３における或る特定範囲の厚さに（或いは、或る特定の数値以下の厚さに）対応することができるように構成されている。
即ち、キャビティ底面部材７５にて分割キャビティ７７（７４）内の樹脂を加圧するとき、弾性仕切部材７６の先端面７６ａを基板面１ａに弾性押圧することにより、弾性仕切部材７６の高さを分割樹脂成形体の厚さ９０に設定することができるように構成されている。
例えば、実施例４において、仕切部材７６の高さ７８を、即ち、キャビティ底面７４ｂと仕切部材７６の先端面７６ａとの間を、分割樹脂成形体３（樹脂成形体３３）の或る特定範囲の厚さの最大値９０に、キャビティ底面部材７５における必要最小限の弾性移動距離８８を加えた距離（長さ）７８とすることができる。
即ち、実施例４においては、設計或いは成形上の変更が生じた場合において、例えば、分割樹脂成形体における厚さが或る特定範囲で変更になったときに、仕切部材７６を交換する必要がなくなるものである。
従って、実施例４において、或る特定範囲内ではあるが、分割樹脂成形体３における厚さに変更があったとしても、実施例４に係る弾性仕切部材７６にて対応することができるように構成されている。
【００８８】
例えば、分割樹脂成形体３における厚さが或る特定範囲の最大値９０である場合、上型７２と下型７３とを型締めすると共に、キャビティ底面部材７５を所要の移動距離（必要最小限の移動距離８９と必要最小限の弾性移動距離８８とを含む）で上動させることにより、下型７３の型面を基板面１ａに押圧し、弾性仕切部材７６の先端面７６ａを基板面１ａに押圧することができる。
このとき、弾性仕切部材７６の先端面７６ａは基板面１ａに押圧されて下型キャビティ７４内を相対的に下動することになる。
また、例えば、分割樹脂成形体３における厚さが或る特定範囲の最小値である場合においても、基板面１ａにて弾性仕切部材７６の先端面７６ａは押圧されることになる。
【００８９】
（実施例４に係る半導体チップの圧縮成形方法について）
即ち、実施例４に係る金型７１（上型７２、下型７３）を用いて、実施例１〜３と同様に、離型フィルム８を被覆した下型大キャビティ７４（分割キャビティ７７）内に平坦化した顆粒樹脂１２を供給する。
このとき、下型キャビティ７４の底面７４ｂの全面、即ち、分割キャビティ７７の底面７７ａと仕切部材７６の先端面７６ａとに平坦化した顆粒樹脂１２をそのままの状態で落下させ一括して供給することができる。
このため、離型フィルム８を介してキャビティ底面７４ｂの全面（分割キャビティの底面７７ａと仕切部材７６の先端面７６ａ）に顆粒樹脂１２を被覆させた状態で供給することができる。
【００９０】
次に、下型キャビティ７４内（分割キャビティ底面７７ａを含む）の樹脂を加熱して溶融化し、金型７１（上型７２、下型７３）を型締めする。
このとき、基板面１ａに下型７３の型面を押圧して先押さえすることができる。
次に、キャビティ底面部材７５を必要最小限の移動距離８９で上動させ、更に、キャビティ底面部材７５を必要最小限の弾性移動距離８８で移動させることにより、大キャビティ７４(分割キャビティ７７)内の樹脂を所要の加圧力にて加圧する。
従って、分割キャビティ７７内で分割キャビティ７７の形状に対応した分割樹脂成形体３内に所要複数個の半導体チップ２を一括して圧縮成形（樹脂封止成形）して成形済基板４を形成することができる。
このとき、下型キャビティ７４内で圧縮成形された樹脂成形体３３に仕切部材７６の先端部７６ｃ側（先端面７６ａを含む）の形状に対応した溝部（凹部）２８が形成され、隣接する分割樹脂成形体３間に溝部２８が位置することになる。
従って、このとき、金型７１（上型７２、下型７３）を型開きすることにより、下型キャビティ７４から成形済基板４における所要数の分割樹脂成形体３を離型することができる。
【００９１】
（実施例４における作用効果について）
実施例４によれば、実施例１〜３と同様の作用効果を得ることができる。
実施例４によれば、実施例１〜３と同様に、基板１に装着した半導体チップ２を分割樹脂成形体３内に圧縮成形すると共に、隣接する分割樹脂成形体３の間に仕切部材７６に対応した溝部２８を形成することができるので、成形済基板４に発生する反りを効率良く防止することができる。
【００９２】
また、実施例４によれば、実施例１〜３と同様に、樹脂連通路９１にて隣接する分割キャビティ７７内における樹脂量の過不足を調整することができる。
また、実施例４によれば、実施例１〜３と同様に、樹脂材料供給機構（１１）にて、平坦化した顆粒樹脂１２を下型キャビティ７４の底面７４ｂ全面に被覆した状態で供給することができる。
従って、実施例４においては、実施例１〜３と同様に、従来例に示すような分割キャビティ内に各別に顆粒樹脂を供給する必要はなくなるため、樹脂材料供給手段を含む装置の製作コストを効率良く低減することができ、樹脂材料の供給時間を効率良く短縮化することができる。
また、前述した装置の製作コストの低減と、樹脂材料の供給時間の短縮化とにて、成形済基板４の生産性を効率良く向上させることができる。
また、実施例４においては、キャビティ底面部材７５を所要の移動距離（必要最小限の移動距離８９と必要最小限の弾性移動距離８８と）にて上動させる構成である。
また、実施例４によれば、キャビティ底面部材７５に対して弾性仕切部材７６が必要最小限の移動距離８８しか摺動しないため、分割キャビティ７７内に吸着して被覆した離型フィルム８が緩むことを効率良く防止することができる
従って、実施例４において、実施例１〜３と同様に、離型フィルム８のしわを効率良く防止することができる。
【００９３】
また、実施例４は、キャビティ底面部材７５に装設した仕切部材７６を弾性機構（圧縮スプリング、皿ばね）にて上方向に弾性付勢する構成である。
従って、キャビティ底面部材７５に対して弾性仕切部材７６を弾性上下摺動することができるように構成されている。
例えば、上方向に弾性付勢された仕切部材７６の先端面７６ａを下方に加圧した場合、仕切部材７６の弾性付勢力に逆らって仕切部材（先端面）を下方向に弾性移動させることができるように構成されている。
また、或る特定範囲ではあるが、多種の分割樹脂成形体３の厚さに対応して、基板１に装着した半導体チップ２を圧縮成形して成形済基板４（製品）を形成する場合、弾性上下動する仕切部材７６を交換することなく、異なる分割樹脂成形体３の厚さに対応することができる。
例えば、弾性仕切部材７６の高さ７８を、分割樹脂成形体３の厚さの或る特定範囲における最大値９０に必要最小限度の弾性移動距離８８を加えた距離（長さ７８）に構成することができる。
即ち、或る特定範囲における最大値９０（最小値）となる厚さを有する分割樹脂成形体３を圧縮成形する場合において、キャビティ底面部材７５で樹脂（１２）を加圧するときに、キャビティ底面部材７５をその移動距離８９、８８にて移動させることにより、基板面１ａに弾性仕切部材７６の先端面７６ａを弾性押圧することができる。
即ち、実施例４によれば、（弾性）仕切部材７６を交換することなく、異なる分割樹脂成形体３の厚さに効率良く対応することができる。
【００９４】
また、従来、仕切部材７６(キャビティ底面部材７５或いは従来例に示すキャビティブロックを含む)を交換するために金型を分解した場合、金型の交換のために金型温度を下げてまた上げる必要があり、更に、金型温度を安定化させることが必要になるなど、それらの時間が長時間になっていた。
しかしながら、本発明によれば、弾性移動する仕切部材を装設したキャビティ底面部材を用いる構成であるため、金型を分解する必要はなくなるので、金型温度を安定化させる時間なども不要となり、金型で圧縮成形される成形済基板の生産性を効率良く向上させることができる。
また、例えば、前述した厚さの異なる成形済基板４（分割樹脂成形体３）を圧縮成形する場合に、仕切部材７６を装設したキャビティ底面部材７５を、前述した厚さの異なる分割樹脂成形体３に対応して、多数個、製作する必要がないので、成形済基板４（分割樹脂成形体）の生産性を効率良く向上させることができる。
【００９５】
また、実施例４において、キャビティ底面部材７５における必要最小限の移動距離８９を採用しなくても良い。
この場合、金型７１（上型７２、下型７３）を型締めしたとき、即ち、下型７３の型面で上型７２の基板１を押圧したとき、弾性仕切部材７６の先端面７６ａは基板面１ａに当接（或いは押圧）することになる。
また、更に、弾性仕切部材７６の先端面７６ａを基板面１ａに押圧した状態で、キャビティ底面部材７５を上動させて分割キャビティ７７内の樹脂を加圧することにより、弾性仕切部材７６の高さを分割樹脂成形体の厚さに設定することができる。
なお、この場合、下型キャビティ７４内に顆粒樹脂１２を下型キャビティ底面７４ｂの全面に被覆した状態で供給しても良いし、また、分割キャビティ７７内に各別に所要量の顆粒樹脂１２を供給してもよい。
【実施例５】
【００９６】
次に、図１７（１）〜（４）、図１８（１）〜（４）を用いて、実施例５を詳細に説明する。
また、図１７（１）〜（４）、図１８（１）〜（４）に示す図例は、実施例２に示される金型４１（仕切部材４６）にて圧縮成形される樹脂成形体５６（分割樹脂成形体４８）に形成される平面形状が長孔状となる溝部の形状の例を示している。
なお、実施例２に示される金型４１にて、図１３（２）に示す成形済基板４９が形成され、溝部５７（底面５７ａを含む）の形状は仕切部材４６の先端部４６ｃ（先端面４６ａ）の形状が転写されるものであり、実施例５においても実施例２と同様である。
また、実施例５において、前記した各実施例と同様の作用効果を得ることができる。
【００９７】
即ち、図１７（１）において、基板１に形成された樹脂成形体５６（分割樹脂成形体４８）の溝部１０１の形状は台形状にて形成されている。
また、図１７（２）において、溝部１０２の形状は端面半楕円形状を有する台形状にて形成されている。
また、図１７（３）において、溝部１０３の形状は端面テーパ形状を有する台形状にて形成されている。
また、図１７（４）において、溝部１０４の形状は端面楔形状を有する台形状にて形成されている。
【００９８】
また、図１８（１）において、溝部１０５の形状はＶ字状にて形成されている。
また、図１８（２）において、溝部１０６の形状は丸底状（かまぼこ状）にて形成されている。
また、図１８（３）においては、樹脂成形体５６（分割樹脂成形体４８）に幅が細い溝部１０７が設けられて形成されている。
また、図１８（４）においては、図１７（１）と同じ溝部形状の台形状の溝部１０８を２個、1列にて形成されている。
【００９９】
また、前述した溝部１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０５、１０７、１０８の外両側には樹脂連通路５２内で硬化した連通樹脂部５４が形成されている。
また、実施例２と同様に、実施例５において、成形済基板４９における樹脂成形体５６（４８）に形成される溝部（凹部）１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０５、１０７、１０８にて、成形済基板４９に発生する反りを効率良く防止することができるものである。
【実施例６】
【０１００】
次に、図１９（１）〜（２）を用いて、実施例６を詳細に説明する。
実施例６は、実施例１〜３、３に示す仕切部材（２１、４６，７６）の先端部（先端面）の形状の例であって、仕切部材の先端面に樹脂連通路を設けた構成である。
なお、実施例６において、前記した各実施例と同様の作用効果を得ることができる。
【０１０１】
即ち、図１９（１）には、仕切部材１１１が示されると共に、仕切部材１１１の先端面１１１ａに薄層状の樹脂連通路（フィンゲート）１１２を設けた構成である。
また、図１９（２）には、仕切部材１１３が示されると共に、仕切部材１１３の先端面１１３ａに矩形状の樹脂連通路（スルーゲート）１１４（図例では２個）を設けた構成である。
また、実施例６において、前記した各実施例と同様に、樹脂連通路１１２、１１４内で硬化した樹脂は連通樹脂部となる。
また、実施例６において、前記した各実施例と同様に、仕切部材１１１、１１３にて形成される溝部（凹部）にて、成形済基板４、４９に発生する反りを効率良く防止することができるものである。
なお、図１９（１）に示す薄層状の樹脂連通路（フィンゲート）１１２の通路の厚さを１００μｍ以下とすることができる。
【実施例７】
【０１０２】
次に、図２０（１）〜（２）を用いて、実施例７を詳細に説明する。
実施例７は、成形済基板に発生する反りを効率良く防止するために、樹脂成形体に反り防止用の凹部を設ける例である。
即ち、実施例７において、樹脂成形体に凹部を形成することにより、この凹部にて成形済基板に発生する反る力を緩和させることができるので、成形済基板に発生する反りを効率良く防止することができる。
【０１０３】
図２０（１）は、基板１に装着した半導体チップ（２）を圧縮成形した樹脂成形体１１５を有する成形済基板１１６の樹脂成形体１１５に、反り防止用の凹部として、Ｖ字溝部１１７を形成する構成である。
図２０（１）に示す図例では、樹脂成形体１１５に、基板１の長辺方向と短辺方向とに各別に沿って反り防止用のＶ字溝部（凹部）１１７が形成されることにより、基板１上にＶ字溝部１１７にて所要数の個別樹脂成形体１１８がマトリックス型に配置されて構成されている。
従って、図２０（１）に示す実施例（反り防止用のＶ字溝部１１７にて）にて、成形済基板１１６に発生する反りを効率良く防止することができる。
【０１０４】
図２０（２）は、基板１に装着した半導体チップ（２）を圧縮成形した樹脂成形体１１９を有する成形済基板１２０の樹脂成形体１１９に、反り防止用の凹部として、所要数の（ディンプル状の）小凹部１２１を形成する構成である。
図２０（２）に示す図例では、樹脂成形体に、反り防止用の（ディンプル状の）小凹部１２１を適宜な位置に配置して構成されている。
従って、図２０（２）に示す実施例（反り防止用の小凹部１２１にて）にて、成形済基板１２０に発生する反りを効率良く防止することができる。
【実施例８】
【０１０５】
次に、図２０（３）、図２１（１）〜（３）を用いて、実施例８を詳細に説明する。
実施例８は、成形済基板に発生する反りを効率良く防止するために、樹脂成形体に反り防止用の凸部を設ける例である。
即ち、実施例８において、樹脂成形体に反り防止用の凸部を形成することにより、成形済基板に発生する基板を反り返させる力に対抗する力を、反り防止用の凸部にて補強することができる。
従って、この補強用の凹部にて、成形済基板に発生する反りを効率良く防止することができる。
【０１０６】
図２０（３）は、基板１に装着した半導体チップ（２）を圧縮成形した樹脂成形体１２２を有する成形済基板１２３の樹脂成形体１２２に、反り防止用の凸部として、所要数の（ディンプル状の）小凸部１２４を形成する構成である。
図２０（３）に示す図例では、樹脂成形体１２２に、反り防止用の（ディンプル状の）小凸部１２４を適宜な位置に配置して構成されている。
従って、図２０（３）に示す実施例（反り防止用の小凸部１２４にて）にて、成形済基板１２３に発生する反りを効率良く防止することができる。
【０１０７】
図２１（１）は、基板１に装着した半導体チップ（２）を圧縮成形した樹脂成形体１２５を有する成形済基板１２６の樹脂成形体１２５に、反り防止用の凸部として、リブを形成する構成である。
図２１（１）に示す図例では、樹脂成形体１２５の天面における基板１の長辺方向の縁に沿って長辺縁リブが１２７設けられて構成されている。
従って、図２１（１）に示す実施例（反り防止用の長辺縁リブ１２７にて）にて、成形済基板１２６に発生する反りを効率良く防止することができる。
【０１０８】
図２１（２）は、基板１に装着した半導体チップ（２）を圧縮成形した樹脂成形体１２８を有する成形済基板１２９の樹脂成形体１２８に、反り防止用の凸部として、リブを形成する構成である。
図２１（２）に示す図例では、樹脂成形体１２８の天面における基板１の長辺方向及び短辺方向を含む外周縁に沿って、外周縁リブ１３０が設けられて構成されている。
従って、図２１（１）に示す実施例（反り防止用の外周縁リブ１３０にて）にて、成形済基板１２９に発生する反りを効率良く防止することができる。
【０１０９】
図２１（３）は、基板１に装着した半導体チップ（２）を圧縮成形した樹脂成形体１３１を有する成形済基板１３２の樹脂成形体１３１に、反り防止用の凸部として、リブを形成する構成である。
図２１（３）に示す図例では、樹脂成形体１３１の側面に所要数の小片リブ１３３が設けられて構成されている。
従って、図２１（３）に示す実施例（反り防止用の小片リブ１３３にて）にて、成形済基板１３２に発生する反りを効率良く防止することができる。
【０１１０】
また、本発明は、前述した実施例に限定されるものでなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必要に応じて、任意に且つ適宜に変更し選択して採用することができる。
【０１１１】
また、本発明においては、樹脂材料が供給される下型キャビティ（分割キャビティ）の深さについて、本発明（各実施例）の趣旨にしたがい、分割樹脂成形体（製品）の厚さ、キャビティ内に供給される樹脂材料のかさ（体積）、キャビティ底面部材（仕切部材）の必要最小限の移動距離、キャビティ底面部材（弾性仕切部材）の必要最小限の弾性移動距離などを勘案して任意に設定することができる。
【０１１２】
また、前記した各実施例において、大型基板を用いることができる。
例えば、大きさが短辺７０mm以上で長辺２５０ｍｍ以上である基板を用いることができる。
【０１１３】
また、前記した各実施例において、熱硬化性の樹脂材料を用いて説明したが、熱可塑性の樹脂材料を用いても良い。
【０１１４】
また、前記した各実施例において、例えば、顆粒状の樹脂材料（顆粒樹脂）、液状の樹脂材料（液状樹脂）、所要の粒径分布を有するパウダー状の樹脂材料（パウダー樹脂）、粉末状の樹脂材料（粉末樹脂）、ペースト状の樹脂材料（ペースト樹脂）、タブレット状の樹脂材料（タブレット樹脂）などの種々の形状の樹脂材料を採用することができる。
【０１１５】
また、前記した各実施例において、例えば、シリコン系の樹脂材料（シリコーン樹脂）、エポキシ系の樹脂材料（エポキシ樹脂）を用いることができる。
【０１１６】
また、前記した各実施例において、透明性を有する樹脂材料、半透明性を有する樹脂材料、燐光物資、蛍光物質を含む樹脂材料など種々の樹脂材料を用いることができる。
【０１１７】
また、前記した各実施例において、顆粒樹脂を例に挙げて説明したが、シリコーン樹脂などの液状樹脂（流動性を有する樹脂）を用いることができる。
即ち、まず、下型キャビティ内でシリコーン樹脂などの液状樹脂（流動性を有する樹脂）を加熱すると共に、下型キャビティ内で加熱した流動性を有する樹脂（溶融樹脂）中に基板に装着した半導体チップを浸漬して下型キャビティ内の樹脂をキャビティ底面部材で加圧することになる。
従って、次に、下型キャビティ内の樹脂を硬化させて基板上の半導体チップを下型キャビティの形状に対応した樹脂成形体（固化樹脂）内に圧縮成形し、成形済基板を得ることができる。
【０１１８】
また、前記した各実施例において、まず、外気遮断状態にある下型キャビティ（分割キャビティ）内の空気を真空ポンプ等の強制排気手段にて強制的に排出することにより、下型キャビティ（分割キャビティ）内を所要の真空度に設定する（所謂、真空成形）。
次に、下型キャビティ（分割キャビティ）内で加熱した溶融樹脂（流動性樹脂）を加圧することにより、基板に装着した半導体チップを樹脂成形体（硬化樹脂）に圧縮成形して成形済基板（樹脂成形体）を得ることができる。
【０１１９】
また、前記した各実施例において、離型フィルム（８）として、予め切断した離型フィルム（１枚のプリカットした離型フィルム）を用いることができる。
即ち、まず、予め切断した離型フィルム（１枚のプリカットした離型フィルム）に、貫通孔を有するフレームを載置すると共に、フレームの樹脂供給凹部（貫通孔）に樹脂材料、例えば、顆粒樹脂を供給して平坦化させる。
次に、この状態で、上型と下型との間に、平坦化した顆粒樹脂（プリカット離型フィルムとフレームを含む）を進入させて、下型キャビティ（キャビティ開口部）上に離型フィルムを介してフレーム樹脂供給凹部を載置させ、平坦化した顆粒樹脂を離型フィルムごと落下させることにより、下型キャビティ（分割キャビティ）内に離型フィルムを被覆させる。
従って、離型フィルムを被覆した下型キャビティ（分割キャビティ）内に、平坦化した顆粒樹脂を被覆した状態で一括して供給することができる。
このため、前記した各実施例と同様に、プリカットした離型フィルムを被覆した下型キャビティ（分割キャビティ）内で基板に装着した半導体チップを圧縮成形することができる。
【０１２０】
また、前記した各実施例において、キャビティ底面部材に装設した仕切部材にて形成される分割キャビティ内に、樹脂材料（顆粒樹脂など）を各別に供給することができる。
この場合、分割キャビティ内で加熱された溶融樹脂（流動性を有する樹脂）は概ね分割キャビティ内でわずかに流動するため、溶融樹脂中に浸漬されるワイヤ（基板と半導体チップとを電気的に接続するもの）に損傷や断線、また、ワイヤ流れを引く起こすことを効率良く防止することができる。
従って、封止済基板の所要個所を切断して形成される個片の電気的特性を効率良く向上させることができる。
【０１２１】
なお、前記した各実施例において、分割樹脂成形体３（樹脂成形体３３）の厚さ（仕切部材の高さ）は、例えば、１．０ｍｍ以下とすることができる。
また、必要最小限の移動距離２４，８８は、或いは、必要最小限の弾性移動距離８８は、任意であるが、例えば、０．２ｍｍ以下とすることができる。
例えば、前記した各実施例において、分割樹脂成形体の厚さを０．７ｍｍ、必要最小限の移動距離２４、８９を０．１ｍｍとしても良い。
また、弾性移動する仕切部材の高さを、例えば、前記した分割樹脂成形体（樹脂成形体）の厚さの最大値、１．０ｍｍに必要最小限の弾性移動距離０．１ｍｍを加えた高さに設定することができる。
また、例えば、分割樹脂成形体３、３３の厚さ（２４）０．７ｍｍの３倍は、２．１ｍｍである。
【符号の説明】
【０１２２】
１ 基板
１ａ 半導体チップ装着面
２ 半導体チップ
３ 分割樹脂成形体
４ 成形済基板
５ 半導体チップの圧縮成形用金型（半導体チップの圧縮成形型）
６ 上型
７ 下型
８ 離型フィルム
９ 基板セット部
１０ 大キャビティ
１０ａ キャビティ開口部
１０ｂ キャビティ底面
１０ｃ キャビティ側面
１１ 樹脂材料供給手段
１２ 顆粒樹脂（顆粒状の樹脂材料）
１３ 溶融樹脂
１４ 貫通孔
１４ａ 下部開口部
１４ｂ 上部開口部
１５ フレーム
１６ シャッタ板
１７ 樹脂供給部
１８ キャビティ底面部材
１９ 加圧手段
２０ 摺動孔（摺動部）
２１ 仕切部材
２１ａ 先端面（仕切面）
２１ｂ 基端部
２１ｃ 先端部
２２ 分割キャビティ
２２ａ 分割キャビティ底面
２３ 距離（仕切部材の高さ、分割樹脂成形体の厚さ）
２４ 距離（キャビティ底面部材の移動距離）
２８ 溝部
２８ａ 溝部の底面
２９ 上部キャビティ底面部材（キャビティブロック）
３０ 下部キャビティ底面部材（ベース部材）
３１ 嵌合部
３２ 係止部材
３３ 樹脂成形体
３４ 圧縮スプリング
３５ 樹脂連通路（スルーゲート）
３６ 連通樹脂部（硬化樹脂）
４１ 半導体チップの圧縮成形用金型（半導体チップの圧縮成形型）
４２ 上型
４３ 下型
４４ 大キャビティ
４４ａ キャビティ開口部
４４ｂ キャビティ底面
４４ｃ キャビティ側面
４５ キャビティ底面部材
４６ 仕切部材
４６ａ 先端面（仕切面）
４６ｂ 基端部
４６ｃ 先端部
４７ 分割キャビティ
４７ａ 分割キャビティ底面
４８ 分割樹脂成形体
４９ 成形済基板
５０ 距離
５１ 距離
５２ 樹脂連通路（スルーゲート）
５３ 摺動孔
５４ 連通樹脂部（硬化樹脂）
５６ 樹脂成形体（大キャビティ）
５７ 溝部
５７ａ 溝部の底面
５８ 上部キャビティ底面部材
５９ 下部キャビティ底面部材
６０ 嵌合部
６１ 係止部材
７１ 半導体チップの圧縮成形用金型（半導体チップの圧縮成形型）
７２ 上型
７３ 下型
７４ 大キャビティ
７４ａ キャビティ開口部
７４ｂ キャビティ底面
７４ｃ キャビティ側面
７５ キャビティ底面部材
７６ 仕切部材（弾性仕切部材）
７６ａ 先端面
７６ｂ 基端部
７６ｃ 先端部
７６ｄ 係合凹部
７７ 分割キャビティ
７７ａ 分割キャビティ底面
７８ 距離
８０ 上部キャビティ底面部材
８１ 下部キャビティ底面部材
８２ 弾性摺動孔
８２ａ 上部開口部
８２ｂ 下部開口部
８２ｃ 係止部
８３ 弾性機構
８４ 上部板
８５ 下部板
８６ 弾性部材
８７ ボルト部材
８７ａ 下部先端
８７ｂ 係合凸部（ボルト頭）
８８ 距離
９０ 距離
９１ 樹脂連通路
１０１ 溝部
１０２ 溝部
１０３ 溝部
１０４ 溝部
１０５ 溝部
１０６ 溝部
１０７ 溝部
１０８ 溝部
１１１ 仕切部材
１１１ａ 先端面
１１２ 樹脂連通路
１１３ 仕切部材
１１３ａ 先端面
１１４ 樹脂連通路
１１５ 樹脂成形体
１１６ 成形済基板
１１７ Ｖ字溝
１１８ 個別樹脂成形体
１１９ 樹脂成形体
１２０ 成形済基板
１２１ 小凹部
１２２ 樹脂成形体
１２３ 成形済基板
１２４ 小凸部
１２５ 樹脂成形体
１２６ 成形済基板
１２７ 長辺縁リブ
１２８ 樹脂成形体
１２９ 成形済基板
１３０ 外周縁リブ
１３１ 樹脂成形体
１３２ 成形済基板
１３３ 小片リブ
１４１ キャビティ底面部材
１４２ 仕切部材
１４２ａ 先端面
１４２ｂ 基端部
１４２ｃ 先端部
１４２ｄ キャビティ底面相当部
１４３ 上部キャビティ底面部材
１４４ 下部キャビティ底面部材
１４５ キャビティ底面
１４６ 嵌合孔（嵌合部）
１４６ａ 係止部
１４６ｂ 開口部
１４７ ボルト部材
１４７ａ 先端部
１４７ｂ 基端部（ボルト頭）
１４８ 挿通孔
１４８ａ 係止部
１４８ｂ 開口部
１４９ 挿通孔
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に装着された半導体チップを樹脂材料にて樹脂成形体内に圧縮成形（樹脂封止成形）して成形済基板を形成する半導体チップの圧縮成形方法及び圧縮成形型に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体チップの圧縮成形用金型（半導体チップの圧縮成形型）を用いて、基板に装着したマトリックス型配置の所要複数個の半導体チップを一括して樹脂成形体内に圧縮成形することが行われている。この方法は次のようにして行われている。
【０００３】
まず、シャッタ式供給部を備えた樹脂材料供給機構を用いて、シャッタ式供給部に所要量の顆粒状の樹脂材料（顆粒樹脂）を供給して所要の均等な厚さに平坦化する。
次に、シャッタ式供給部のシャッタを開けることにより、長尺状の離型フィルムを被覆した圧縮成形用の下型キャビティ（大キャビティ）内に平坦化した顆粒樹脂をそのままの状態で落下させて供給する。
次に、下型キャビティ内で平坦化した顆粒樹脂を加熱して溶融化することになる。
次に、金型を型締めすることにより、基板に装着した半導体チップを下型キャビティ内の溶融樹脂中に浸漬して下型キャビティ内の溶融樹脂をキャビティ底面部材で加圧することが行われている。
従って、１枚の基板に装着したマトリックス型配置の所要複数個の半導体チップを一つの樹脂成形体内に一括して圧縮成形することができる。
このとき、下型キャビティ内で基板に装着した半導体チップを下型キャビティの形状に対応した樹脂成形体内を樹脂封止成形して成形済基板を形成することができる。
硬化に必要な所要時間の経過後、金型を型開きすることにより、下型キャビティ内から成形済基板（樹脂成形体）離型するようにしている。
【０００４】
なお、従来から、金型の外部でプリカットした短尺状離型フィルム上に顆粒樹脂を平坦化して形成し、この状態で金型内部に搬送すると共に、下型キャビティの開口部上に離型フィルムを介して顆粒樹脂を載置し、下型キャビティ内から空気を強制的に吸引して排出することにより下型キャビティ内に離型フィルムを被覆させ、下型キャビティ内に顆粒樹脂を離型フィルムごと供給することが行われている。
この場合にも、前述したように、下型キャビティ内で１枚の基板に装着したマトリックス型配置の所要複数個の半導体チップを一つの樹脂成形体内に圧縮成形して成形済基板を形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３６２７０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前述したように、顆粒樹脂にて下型キャビティ（大キャビティ）内で基板に装着した半導体チップを圧縮成形した場合、熱膨張係数について基板と樹脂とに大きな差があるために（冷却による収縮率に差があるため）歪みが生じ易く、成形済基板に反りが発生し易いという弊害がある。
特に、大型基板になるほどその反りの傾向は顕著である。
従って、基板にマトリクス型に配置された半導体チップを圧縮成形する場合に、成形済基板に発生する反りを効率良く防止することが求められている。
【０００７】
前述したような基板の反りを緩和させるために、例えば、１枚の基板に形成される１つの樹脂成形体に３本の基板反り防止用の溝部（凹部）を設けることにより、この１つの樹脂成形体を４個に分割して分割樹脂成形体（島と呼ばれる）を形成することが検討されている。
即ち、成形済基板において、当該溝部にて、基板と樹脂との熱膨張係数の差による歪みを減少させることが検討されている。
【０００８】
この方法は、まず、離型フィルムを被覆した４個の分割キャビティ内の夫々に顆粒樹脂を各別に計量し且つ平坦化して供給すると共に、各分割キャビティ内の樹脂を各別に加熱して溶融化する。
次に、分割キャビティ内の溶融樹脂中に基板に装着した半導体チップを浸漬して分割キャビティ内の樹脂を分割キャビティ底面部材にて各別に加圧することになる。
従って、基板に装着した半導体チップを分割樹脂成形体内で各別に圧縮成形して成形済基板を形成している。
【０００９】
また、従来から、下型キャビティ（大キャビティ）内に顆粒樹脂を供給する場合に、所要量の顆粒樹脂のかさ密度が低く且つ容積が大きくなるため、且つ、下型の型面に顆粒樹脂が付着しないように顆粒樹脂を供給するために、下型キャビティの深さがかなり深くなり、例えば、下型キャビティ内で圧縮成形される樹脂成形体の厚さの３倍（以上）の深さが必要とされている。
同様に、基板の反りを防止するために、分割キャビティの構成（溝部を設ける構成）を用いる場合、分割樹脂成形体の厚さの３倍（以上）の深さが必要とされている。
即ち、従来においては、各分割キャビティ内に各別に顆粒樹脂を供給する必要があるため、下型の型面に、或いは、分割キャビティを形成する仕切部の仕切面（下型面）に顆粒樹脂が付着しないように供給するのが通例であった。
このため、キャビティ底面部材の上動する距離（移動距離）が長くなり、分割キャビティ内に被覆した離型フィルムがキャビティ底面部材の摺動部で弛み易く、したがって、この離型フィルムに「しわ（皺）」が発生し易いと云う弊害がある。
また、このため、例えば、キャビティ底面部材の移動距離を必要最小限にすることにより、分割キャビティに被覆した離型フィルムにしわが発生することを効率良く防止することが求められている。
【００１０】
また、前述した分割キャビティの構成を用いる場合、金型に設けられるキャビティブロック、即ち、分割キャビティと仕切部（仕切部材）とを備えたキャビティブロックは、一体として製作されるため、製作コストが高くなるのが通例である。
また、分割樹脂成形体の厚さに変更があった場合、最初から金型（キャビティブロック）を製作しなければならず、製作コストがさらに高くなることになる。
即ち、キャビティブロックを製作する製作コストが高くなって圧縮成形装置の製作費が高くなり、製品（成形済基板）の生産性を効率良く向上することができないと云う弊害がある。
従って、例えば、キャビティ底面部材に対して仕切部材（仕切部）を着脱自在に装設することにより、圧縮成形装置の製作費を効率良く低減し、製品（成形済基板）の生産性を効率良く向上させることが求められている。
【００１１】
また、前述した分割キャビティの構成を用いる場合、分割キャビティ内に顆粒樹脂を各別に計量し且つ平坦化して供給するために、樹脂材料の供給機構が複雑な構造になってその製作コストが高くなり、さらに、樹脂材料（顆粒樹脂）の供給時間が長くなる。
このため、製品（成形済基板）の生産性を効率良く向上することができないと云う弊害がある。
従って、例えば、下型キャビティ内に（大キャビティ底面の全面に）平坦化した顆粒樹脂を被覆した状態で一括して供給することにより、圧縮成形装置の製作費を効率良く低減し、樹脂材料（顆粒樹脂）の供給時間を効率良く短縮化することにより、製品（成形済基板）の生産性を向上させることが求められている。
【００１２】
前述したように、本発明においては、成形済基板（製品）に発生する反りを効率良く防止すると共に、前述した分割キャビティ（溝部）の構成を用いる場合に、離型フィルムにしわが発生することを効率良く防止し、製品（成形済基板）の生産性を効率良く向上させることが求められている。
【００１３】
即ち、本発明は、製品（成形済基板）に反りが発生することを効率良く防止することを目的とするものである。
また、本発明は、分割キャビティ内に被覆される離型フィルムにしわが発生することを効率良く防止することを目的とするものである。
また、本発明は、製品（成形済基板）の生産性を効率良く向上させることを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記の技術的課題を解決するための本発明に係る半導体チップの圧縮成形方法は、半導体チップの圧縮成形型を用いて、前記圧縮成形型に設けたキャビティに離型フィルムを被覆すると共に、前記離型フィルムを被覆したキャビティ内に樹脂材料を供給して加熱し、前記成形型を型締めすることにより前記キャビティ内の樹脂に基板に装着した半導体チップを浸漬すると共に、前記キャビティ内の樹脂をキャビティ底面部材で加圧することにより、前記半導体チップを前記キャビティの形状に対応し且つ所要の厚さを有する樹脂成形体内に圧縮成形する半導体チップの圧縮成形方法であって、前記キャビティ内を仕切って分割キャビティを形成する仕切部材を用意する工程と、前記仕切部材における前記キャビティ底面からの高さを前記樹脂成形体の所要の厚さと同じ長さに設定する工程と、前記仕切部材を前記キャビティ底面部材に対して着脱自在に装設する工程と、前記キャビティに前記分割キャビティ内に供給された樹脂量を調整する樹脂連通路を設ける工程と、前記キャビティ内に平坦化した樹脂材料をキャビティ底面の全面に一括して供給する工程と、前記キャビティ底面部材にて前記キャビティ内の樹脂を加圧する工程と、前記キャビティ内の樹脂を前記キャビティ底面部材で加圧したときに、前記した基板面に前記仕切部材の先端面を押圧する工程と、前記した基板面に前記仕切部材の先端面を押圧したときに、前記樹脂連通路で前記分割キャビティ内の樹脂量を調整する工程と、前記した基板面に前記仕切部材の先端面を押圧したときに、前記キャビティ内で圧縮成形される樹脂成形体に前記仕切部材の形状に対応した溝部を形成する工程と、前記半導体チップを前記分割キャビティの形状に対応した分割樹脂成形体内に圧縮成形する工程とを備えたことを特徴とする。
【００１５】
また、前記技術的課題を解決するための本発明に係る半導体チップの圧縮成形方法は、半導体チップの圧縮成形型を用いて、前記圧縮成形型に設けたキャビティに離型フィルムを被覆すると共に、前記離型フィルムを被覆したキャビティ内に樹脂材料を供給して加熱し、前記成形型を型締めすることにより前記キャビティ内の樹脂に基板に装着した半導体チップを浸漬すると共に、前記キャビティ内の樹脂をキャビティ底面部材で加圧することにより、前記半導体チップを前記キャビティの形状に対応し且つ所要の厚さを有する樹脂成形体内に圧縮成形する半導体チップの圧縮成形方法であって、前記キャビティ内を仕切って分割キャビティを形成する仕切部材を用意する工程と、前記仕切部材を前記キャビティ内方向に弾性付勢した状態で、前記仕切部材を前記キャビティ底面部材に装設する工程と、前記仕切部材におけるキャビティ底面からの高さを、前記キャビティ底面部材にて加圧するときに前記仕切部材の先端面が前記基板面を弾性押圧するように当該高さを設定する工程と、前記キャビティに前記分割キャビティ内に供給された樹脂量を調整する樹脂連通路を設ける工程と、前記キャビティ内に平坦化した樹脂材料をキャビティ底面の全面に一括して供給する工程と、前記キャビティ内の樹脂を前記キャビティ底面部材で加圧したときに、前記した基板面に前記仕切部材の先端面を弾性押圧する工程と、前記した基板面に前記仕切部材の先端面を弾性押圧したときに、前記樹脂連通路で前記分割キャビティ内の樹脂量を調整する工程と、前記した基板面に前記仕切部材の先端面を弾性押圧したときに、前記キャビティ内で圧縮成形される樹脂成形体に前記仕切部材の形状に対応した溝部を形成する工程と、前記半導体チップを前記分割キャビティの形状に対応した分割樹脂成形体内に圧縮成形する工程とを備えたことを特徴とする。
【００１６】
また、前記技術的課題を解決するための半導体チップの圧縮成形方法は、前記仕切部材で仕切って形成された分割キャビティ内に樹脂材料を各別に供給する工程を含むことを特徴とする。
【００１７】
また、前記技術的課題を解決するための本発明に係る半導体チップの圧縮成形型は、半導体チップの圧縮成形型に設けられ且つ上方側に開口したにキャビティ開口部を有する圧縮成形用のキャビティと、前記キャビティ開口部の上方位置に設けられ且つ半導体チップを装着した基板における半導体チップ側を下方に向けた状態で供給セットする基板セット部と、前記キャビティ内に被覆される離型フィルムと、前記離型フィルムを被覆したキャビティ内に供給される樹脂材料と、前記キャビティ内の樹脂材料を加熱する加熱手段と、前記基板とキャビティとを閉じ合わせることにより前記キャビティ内の樹脂に前記基板に装着した半導体チップを浸漬する型締機構と、前記キャビティ内の樹脂をキャビティ底面側から加圧するキャビティ底面部材とを備えた半導体チップの圧縮成形型であって、前記キャビティ底面における所要個所に設けられ且つ前記キャビティを仕切って分割キャビティを形成する仕切部材と、前記分割キャビティ内に供給された樹脂量を調整する樹脂連通路と、前記仕切部材のキャビティ底面からの高さを前記樹脂成形体の所要の厚さと同じ長さに設定すると共に、前記樹脂成形体の所要の厚さに対応して前記仕切部材を前記したキャビティ底面部材に対して着脱自在に構成したことを特徴とする。
【００１８】
また、前記技術的課題を解決するための本発明に係る半導体チップの圧縮成形型は、半導体チップの圧縮成形型に設けられ且つ上方側に開口したにキャビティ開口部を有する圧縮成形用のキャビティと、前記キャビティ開口部の上方位置に設けられ且つ半導体チップを装着した基板における半導体チップ側を下方に向けた状態で供給セットする基板セット部と、前記キャビティ内に被覆される離型フィルムと、前記離型フィルムを被覆したキャビティ内に供給される樹脂材料と、前記キャビティ内の樹脂材料を加熱する加熱手段と、前記基板とキャビティとを閉じ合わせることにより前記キャビティ内の樹脂に前記基板に装着した半導体チップを浸漬する型締機構と、前記キャビティ内の樹脂をキャビティ底面側から加圧するキャビティ底面部材とを備えた半導体チップの圧縮成形型であって、前記キャビティ底面における所要個所に前記キャビティを仕切って分割キャビティを形成する仕切部材と、前記分割キャビティ内に供給された樹脂量を調整する樹脂連通路と、前記キャビティ底面部材に前記仕切部材を型面方向に弾性付勢する弾性機構を設けると共に、前記仕切部材のキャビティ底面からの高さを、前記キャビティ底面部材にて加圧するときに前記仕切部材の先端面が前記基板面を押圧するように当該高さを設定することを特徴とする。
【００１９】
前記技術的課題を解決するための本発明に係る半導体チップの圧縮成形型は、前記した仕切部材の先端面に設けられる樹脂連通路が、薄層状の樹脂連通路であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明は、基板に装着した半導体チップを圧縮成形して成形済基板（製品）を形成するときに、下型キャビティ内に仕切部材にて形成された分割キャビティに対応した分割樹脂成形体を形成する構成であり、且つ、下型キャビティの形状に対応した樹脂成形体に仕切部材の形状に対応した溝部（凹部）を形成する構成である。
また、本発明は、下型キャビティ内を上下摺動するキャビティ底面部材（単数個）に対して、所要数個の仕切部材を着脱自在に設けた構成である。
また、仕切部材の高さ（キャビティ底面から仕切部材の先端面までの距離）は分割樹脂成形体の厚さに対応して構成され、分割樹脂成形体の厚さと同じ距離（高さ）に設定されている。
即ち、本発明によれば、成形済基板（製品）の樹脂成形体に形成される溝部（凹部）にて、基板と樹脂成形体（硬化樹脂）とによる熱膨張係数の差にて発生する歪みを効率良く解消することができる。
従って、本発明によれば、製品(成形済基板)に反りが発生することを効率良く防止することができるという優れた効果を奏するものである。
【００２１】
また、本発明は、上下摺動するキャビティ底面部材に、分割キャビティを形成する仕切部材を容易に且つ効率良く着脱自在に装設する構成であり、且つ、下型キャビティ底面の全面に平坦化した顆粒樹脂を被覆した状態で一括して供給する構成である。
このため、下型キャビティ内における仕切部材の先端面の位置より上方の空間部を、顆粒樹脂の供給部として利用することができる。
即ち、従来は、分割キャビティ内に各別に顆粒樹脂を供給する構成であるため、仕切部材（下型面）の先端面の位置より上方の空間部を利用できず、少なくとも下型キャビティ深さとして、例えば、分割樹脂成形体の厚さの３倍は必要であった。
しかしながら、本発明によれば、仕切部材の先端面の位置より上方の空間部を利用できるため、本発明に係る下型キャビティの深さを従来の下型キャビティ深さより浅くすることができる。
このため、本発明によれば、キャビティ底面部材の移動距離を効率良く減少させることができると共に、当該移動距離を必要最小限にすることができる。
また、下型キャビティ内におけるキャビティ底面の全面に平坦化した顆粒樹脂を被覆した状態で一括して供給することにより、圧縮成形装置の樹脂材料供給手段の構造を簡素化し得て圧縮成形装置の製作費を効率良く低減することができると共に、顆粒樹脂の供給時間を効率良く短縮化するができる。
従って、前述した装置製作費の低減と、樹脂供給時間の短縮化とにて、製品（成形済基板）の生産性を向上させることができるという優れた効果を奏するものである。
【００２２】
また、本発明は、前述したように、キャビティ底面部材を必要最小限の移動距離で移動（上動）させることにより、基板面（半導体チップ装着面）に仕切部材の先端面を押圧する構成である。
また、本発明は、前述したように、キャビティ底面部材に仕切部材を（着脱自在に）装設する構成であるため、キャビティ底面部材が仕切部材に対して摺動しない構成であって、キャビティ底面部材とが仕切部材とが相対的に不動である。
このため、キャビティ底面部材が上動するときに、キャビティ底面部材と仕切部材とで形成される分割キャビティに被覆した離型フィルムが緩むことを効率良く防止できるものである。
従って、分割キャビティ内（下型キャビティ内）に被覆される離型フィルムに「しわ（皺）」が発生することを効率良く防止することができる。
【００２３】
また、本発明は、異なる（多種の）分割樹脂成形体の厚さに対応して、当該厚さに対応する仕切部材をキャビティ底面部材に対して着脱自在に装設する構成である。
従って、本発明によれば、従来例のように、分割樹脂成形体の厚さに変更があったときに、これに対応して製作費用の高い金型（キャビティブロック）を製作する必要がないものである。
このため、分割樹脂成形体の厚さに変更があったときに、異なる分割樹脂成形体の厚さに対応して、当該厚さに対応する仕切部材をキャビティ底面部材に着脱自在に装設することができる。
従って、本発明によれば、異なる分割樹脂成形体の厚さに効率良く対応することができるので、製品（成形済基板）の生産性を向上させることができるという優れた効果を奏するものである。
【００２４】
また、本発明は、分割キャビティを形成する仕切部材（弾性仕切部材）をキャビティ底面部材に対して弾性上下動自在（弾性移動自在）に装設した構成である。
また、分割キャビティ内の樹脂をキャビティ底面部材で加圧したときに、基板面に弾性仕切部材の先端面を弾性押圧することができるように構成されている。
また、或る特定範囲ではあるが、異なる分割樹脂成形体の厚さに対応して、基板に装着した半導体チップを圧縮成形して成形済基板（製品）を形成する場合、弾性上下動する仕切部材を交換することなく、異なる分割樹脂成形体の厚さに対応することができる。
例えば、弾性仕切部材の高さを、分割樹脂成形体の厚さの或る特定範囲における最大値に最小限度の移動距離を加えた距離（長さ）に構成することができる。
即ち、或る特定範囲における最大値（最小値）となる厚さを有する分割樹脂成形体を圧縮成形する場合において、キャビティ底面部材で樹脂を加圧するときに、キャビティ底面部材をその移動距離（必要最小限の移動距離と必要最小限の弾性移動距離とを含む）にて移動させることにより、基板面に弾性仕切部材の先端面を弾性押圧することができる。
【００２５】
即ち、従来は、分割キャビティ（仕切部）を有するキャビティブロックを異なる厚さの分割樹脂成形体に対応して各別に製作していた。
しかしながら、本発明によれば、仕切部材（弾性仕切部材）を交換する必要はなく、本発明に係る弾性仕切部材にて異なる分割樹脂成形体の厚さに効率良く対応することができる。
また、従来、金型を冷却して分解すると共に、金型にキャビティブロックを装着して金型を加熱していた。
しかしながら、本発明によれば、弾性移動する弾性仕切部材を採用したことにより厚さの異なる分割樹脂成形体（成形済基板）に効率良く対応して基板に装着した半導体チップを圧縮成形することができる。
このため、厚さの異なる分割樹脂成形体の厚さに対応してその都度（弾性）仕切部材を交換する必要がない。
また、厚さの異なる分割樹脂成形体の厚さに対応してその都度キャビティブロック（仕切部）を製作する必要がない。
このため、本発明によれば、弾性仕切部材の構成にて、製作コストを効率良く低減することができる。
従って、製品（成形済基板）の生産性を向上させることができるという優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】図１は、本発明に係る半導体チップの圧縮成形用金型（圧縮成形型）を概略的に示す概略縦断面図であって、基板の長辺方向の断面を示すと共に、前記した金型による成形前の型開状態を示している（実施例１）。
【図２】図２は、図１に示す金型に対応する半導体チップの圧縮成形用金型を概略的に示す概略縦断面図であって、前記金型に設けられ且つ離型フィルムを被覆した下型キャビティ内に樹脂材料を供給した状態を示している（実施例１）。
【図３】図３は、図１に示す金型に対応する半導体チップの圧縮成形用金型を概略的に示す概略縦断面図であって、前記金型の型締状態を示している（実施例１）。
【図４】図４（１）は図１に示す金型に対応する半導体チップの圧縮成形用金型を概略的に示す概略縦断面図であって前記金型による成形後の型開状態を示し、図４（２）は図４（１）に示す金型で成形された成形済基板を拡大して概略的に示す概略拡大正面図である（実施例１）。
【図５】図５は、図２に示す金型の下型面を概略的に示す概略平面図であって、前記金型に設けられ且つ離型フィルムを被覆した下型キャビティ内に樹脂材料（顆粒樹脂）を供給した状態を示している（実施例１）。
【図６】図６は、図１に示す金型のキャビティ底面を形成するキャビティ底面部材を概略的に示す概略斜視図であって、前記キャビティ底面部材に対して仕切部材を着脱自在に設けた状態を示している（実施例１）。
【図７】図７は、図２に示す金型に対応する半導体チップの圧縮成形用金型を概略的に示す概略縦断面図であって、基板の短辺方向の断面を示すと共に、前記金型に設けられ且つ離型フィルムを被覆した下型キャビティ内に樹脂材料（顆粒樹脂）を供給した状態を示している（実施例１）。
【図８】図８は、図３に示す金型に対応する半導体チップの圧縮成形用金型を概略的に示す概略縦断面図であって、基板の短辺方向の断面を示すと共に、前記金型の型締状態を示している（実施例１）。
【図９】図９は、図１に示す金型の要部を拡大して概略的に示す拡大概略縦断面図であって、前記金型のキャビティ底面部材に装設された仕切部材を示している（実施例１）。
【図１０】図１０は、本発明に係る他の半導体チップの圧縮成形用金型（圧縮成形型）を概略的に示す概略縦断面図であって、基板の短辺方向の断面を示すと共に、前記金型の型開き状態を示している（実施例２）。
【図１１】図１１（１）は図１０に示す金型における下型の型面を概略的に示す概略平面図であり、図１１（２）、図１１（３）は図１０に示す金型におけるキャビティ底面部材の上部キャビティ底面部材と仕切部材とを概略的に示す概略底面図であり、図１１（２）は、上部キャビティ底面部材に仕切部材を装着する前の状態を示し、図１１（３）は上部キャビティ底面部材に仕切部材を装着した状態を示している（実施例２）。
【図１２】図１２（１）、図１２（２）は本発明に係る他の実施例に用いられる仕切部材を概略的に示す概略縦断面図であって、図１２（１）は上部キャビティ底面部材に仕切部材を装着する前の状態を示し、図１２（２）は上部キャビティ底面部材に仕切部材を装着した状態を示している（実施例３）。
【図１３】図１３（１）は図１で示す金型で圧縮成形された成形済基板を概略的に示す概略斜視図であり（実施例１）、図１３（２）は図１０で示す金型で圧縮成形された成形済基板を概略的に示す概略斜視図（実施例２）である。
【図１４】図１４は、本発明に係る他の半導体チップの圧縮成形用金型（圧縮成形型）の要部を拡大して概略的に示す概略拡大縦断面図であって、基板の短辺方向の断面を示すと共に、前記金型の型開状態を示している（実施例４）。
【図１５】図１５は、図１４に対応する金型の要部を拡大して概略的に示す概略拡大縦断面図であって、前記金型の型締状態を示している（実施例４）。
【図１６】図１６は、図１４に対応する金型を概略的に示す概略縦断面図であって、基板の短辺方向の断面を示すと共に、前記金型の型開状態を示している（実施例４）。
【図１７】図１７（１）〜（４）は、図１０に示す金型で成形された成形済基板の例を拡大して概略的に示す拡大概略斜視図である（実施例５）。
【図１８】図１８（１）〜（４）は、図１０に示す金型で成形された成形済基板の例を拡大して概略的に示す拡大概略斜視図である（実施例５）。
【図１９】図１９（１）〜（２）は、本発明に係る半導体チップの圧縮成形用金型（圧縮成形型）に用いられる仕切部材を拡大して概略的に示す拡大概略斜視図である（実施例６）。
【図２０】図２０（１）〜（２）は本発明に係る他の半導体チップの圧縮成形用金型（圧縮成形型）で圧縮成形された成形済基板の例を概略的に示す概略斜視図であり（実施例７）、図２０（３）は本発明に係る他の金型で圧縮成形された成形済基板の例を概略的に示す概略斜視図である（実施例８）。
【図２１】図２１（１）〜（３）は、本発明に係る他の半導体チップの圧縮成形用金型（圧縮成形型）で圧縮成形された成形済基板の例を概略的に示す概略斜視図である（実施例８）。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
本発明によれば、半導体チップの圧縮成形用金型（半導体チップの圧縮成形型）において、下型キャビティ内に所要数の仕切部材を配置させることにより所要数の分割キャビティを形成することができると共に、キャビティ底面部材に対して仕切部材を容易に且つ効率良く着脱自在に装設することができるように構成されている。
また、仕切部材の高さを分割樹脂成形体の厚さに対応させて同じ距離（長さ）に設定することができる。
また、本発明によれば、仕切部材の先端面の上方の空間部を樹脂材料の供給部として利用することができるため、下型キャビティ内に平坦化した顆粒樹脂を被覆した状態で一括して供給することができる。
また、このため、本発明によれば、従来例に比べて、下型キャビティの深さを浅くすることができると共に、キャビティ底面部材の上動する移動距離を必要最小限にすることができる。
なお、従来は、分割樹脂成形体の厚さの３倍の深さを有する分割キャビティ内に各別に顆粒樹脂を供給していたため、キャビティ底面部材の上動する移動距離が長かった。
【００２８】
即ち、本発明によれば、キャビティ底面部材を必要最小限の移動距離にて上動させて分割キャビティ内の樹脂を加圧し、基板に装着した半導体チップを分割キャビティの形状に対応した分割樹脂成形体内に圧縮成形して成形済基板を形成することができる。
このとき、下型キャビティ内で下型キャビティの形状に対応した樹脂成形体内に基板に装着した半導体チップを圧縮成形することができると共に、この樹脂成形体に仕切部材（先端部）の形状に対応した基板反り防止用の溝部（凹部）を形成することができる。
即ち、本発明によれば、成形済基板において、下型キャビティに対応した樹脂成形体に仕切部材にて溝部（凹部）を形成して分割樹脂成形体を形成することができる。
従って、本発明によれば、仕切部材にて樹脂成形体に形成される溝部（凹部）にて、或いは、分割樹脂成形体を形成することにより、成形済基板を反り返らせる力を緩和することができるので、基板に発生する反りを効率良く防止することができる。
【００２９】
また、本発明によれば、キャビティ底面部材に対して仕切部材を容易に且つ効率良く着脱自在に装設することができるように構成されている。
このため、例えば、下型キャビティ内で圧縮成形される樹脂成形体の厚さが変更になった場合に、キャビティ底面部材に対して仕切部材を容易に且つ効率良く交換することができる。
従って、仕切部材を容易に且つ効率良く交換することができるので、成形済基板（分割樹脂成形体）の生産性を効率良く向上させることができる。
【００３０】
また、従来、分割キャビティ内に顆粒樹脂を各別に計量して供給していたため、樹脂材料（顆粒樹脂）の供給時間が長く、樹脂材料供給手段の構造が複雑で装置の製作コストが高かった。
また、従来、分割キャビティの深さも分割樹脂成形体の厚さの３倍と深く、キャビティ底面部材の上動する移動距離が長かった。
しかしながら、本発明よれば、キャビティ底面部材に着脱自在に装設した仕切部材の先端面の上方の空間部を樹脂材料の供給部として利用できるので、下型キャビティ内に平坦化した顆粒樹脂を被覆した状態で一括して供給することができる。
このため、下型キャビティ内に顆粒樹脂を供給する樹脂材料の供給時間を短縮化することができ、且つ、樹脂材料供給手段の構造を簡素化し得て装置の製作コストを効率良く低減することができる。
従って、本発明よれば、樹脂材料の供給時間を短時間化し得て、装置の製作コストを低減し得て、成形済基板の生産性を効率良く向上させることができる。
【００３１】
また、本発明は、キャビティ底面部材に装設した仕切部材を弾性機構（圧縮スプリング、皿ばね）にて上方向に弾性付勢する構成である。
従って、キャビティ底面部材に対して弾性仕切部材を弾性上下摺動することができるように構成されている。
例えば、上方向に弾性付勢された仕切部材の先端面を下方に加圧した場合、仕切部材の弾性付勢力に逆らって仕切部材（先端面）を下方向に弾性移動させることができるように構成されている。
また、或る特定範囲ではあるが、異なる（多種の）分割樹脂成形体の厚さに対応して、基板に装着した半導体チップを圧縮成形して成形済基板（製品）を形成する場合、弾性上下動する仕切部材を交換することなく、異なる分割樹脂成形体の厚さに効率良く対応することができる。
例えば、弾性仕切部材の高さを、分割樹脂成形体の厚さの或る特定範囲における最大値に最小限度の弾性移動距離を加えた距離（長さ）に構成することができる。
即ち、或る特定範囲における最大値（最小値）となる厚さを有する分割樹脂成形体を圧縮成形する場合において、キャビティ底面部材で樹脂を加圧するときに、キャビティ底面部材をその移動距離（必要最小限の移動距離と必要最小限の弾性移動距離とを含む）にて移動させることにより、基板面に弾性仕切部材の先端面を弾性押圧することができる。
従って、本発明によれば、（弾性）仕切部材を交換することなく、異なる（多種の）分割樹脂成形体の厚さに効率良く対応することができる。
【００３２】
また、従来、仕切部材(キャビティ底面部材)を交換するために金型を分解した場合、金型の交換のために金型温度を下げてまた上げる必要があり、更に、金型温度を安定化させる必要があるため、これらの時間が長時間になっていた。
しかしながら、本発明によれば、弾性移動する仕切部材を装設したキャビティ底面部材を用いる構成であるため、分割樹脂成形体の厚さにおいて、或る特定範囲ではあるが、金型を分解する必要がなくなるものである。
このため、金型温度を安定化させる時間なども不要となり、金型で圧縮成形される成形済基板の生産性を効率良く向上させることができる。
また、例えば、前述した厚さの異なる成形済基板（分割樹脂成形体）を圧縮成形する場合に、仕切部材を装設したキャビティ底面部材を、前述した厚さの異なる分割樹脂成形体に対応して、多数個、製作する必要がないので、成形済基板（分割樹脂成形体）の生産性を効率良く向上させることができる。
【００３３】
また、本発明は、基板に装着した半導体チップを樹脂材料で圧縮成形した成形済基板の樹脂成形体に、基板反り防止用の凹部を設ける構成である。
即ち、本発明によれば、樹脂成形体に設けた基板反り防止用の凹部にて基板を反り返らせる力を緩和することができる。
例えば、成形済基板が樹脂成形体側に凸状態で反った場合（スマイル反り）に、樹脂成形体に設けた基板反り防止用の凹部（溝部を含む）は有効であり、基板を反り返らす力を効率良く緩和することができる。
また、本発明は、成形済基板における樹脂成形体に、基板反り防止用の凸部を設ける構成である。
即ち、本発明によれば、樹脂成形体に設けた基板反り防止用の凸部にて成形済基板を補強することができる。
例えば、成形済基板が基板側に凸状態で反った場合（クライ反り）に、樹脂成形体に設けた基板反り防止用の凸部は有効であり、基板を反り返らす力を効率良く補強することができる。
従って、本発明によれば、樹脂成形体に設けた基板反り防止用の凹部或いは凸部にて、基板に発生する反りを効率良く防止することができる。
【実施例１】
【００３４】
まず、図１〜図９及び図１３（１）を用いて実施例１を詳細に説明する。
図１、図２、図３、図４、図５、図７、図８は、実施例１に係る半導体チップの圧縮成形用金型である。
図６は、実施例１に係る金型に設けられたキャビティ底面部材及びキャビティ底面部材に着脱自在に設けられた仕切部材である。
図９は、実施例１に係る金型に設けられたキャビティ底面部材に設けられた仕切部材である。
図１３（１）は実施例１に係る成形済基板である。
【００３５】
（本発明に用いられる基板について）
本発明に用いられる基板１には、ＩＣ等の半導体チップ２が所要複数個、マトリックス型に配置した状態で装着されている。
また、本発明においては、基板１にマトリックス型に配置して装着された半導体チップ２を分割樹脂成形体３（樹脂成形体３３）内に圧縮成形（樹脂封止成形）することにより成形済基板４を形成することができる。
【００３６】
（実施例１に係る半導体チップの圧縮成形用金型の構成について）
図１〜図９に示す導体チップの圧縮成形用金型５には、上型６と、上型６に対向配置した下型７と、上型６と下型７と間に張架した（長尺状の）離型フィルム８と、上型６の型面に設けられた基板セット部９と、下型７の型面に設けられた所要の深さを有する圧縮成形用の下型キャビティ（大キャビティ）１０と、大キャビティ１０内に樹脂材料を供給する樹脂材料供給手段１１とが設けられて構成されている。
また、金型５（上型６、下型７）には、図示はしていないが、下型キャビティ１０内の樹脂材料を加熱する加熱手段と、金型５（上型６、下型７）を型締めする型締機構とが設けられて構成されている。
また、上型６の基板セット部９に、半導体チップ２を装着した基板１を、半導体チップ装着面１ａ側を下方に向けた状態で供給セットすることができるように構成されている。
また、下型キャビティ１０内と下型７の型面とにそれらの形状に沿って離型フィルム８を吸着して被覆することができるように構成されている。
また、樹脂材料供給手段１１にて離型フィルム８を被覆した下型キャビティ１０内に樹脂材料、例えば、顆粒状の樹脂材料（顆粒樹脂）１２を供給することができるように構成されている。
また、下型キャビティ１０内で樹脂材料（顆粒樹脂１２）を加熱手段で加熱して溶融化することができるように構成されている。
また、型締機構にて金型５（上型６、下型７）を型締めすることにより、下型７の型面で、上型６の基板セット部９に供給セットした基板１の半導体チップ装着面１ａを押圧して先押さえすることができるように構成されている。
また、このとき、下型キャビティ１０内の樹脂１３を所要の加圧力で加圧することにより、下型キャビティ内の加熱した溶融樹脂（流動性樹脂）１３中に基板１に装着した半導体チップ２を浸漬すると共に、下型キャビティ１０内で基板１に装着した半導体チップ２を後述する所要数個の分割樹脂成形体(分割パッケージ)３内に圧縮成形して成形済基板４を形成することができるように構成されている。
【００３７】
（実施例１に係る樹脂材料供給手段の構成について）
例えば、図１に示すように、樹脂材料供給手段１１には、貫通孔１４を備えたフレーム１５と、フレーム１５における貫通孔１４の下部開口部１４ａ側に設けられた開閉式のシャッタ板１６と、シャッタ板１６を水平方向に開閉するシャッタ板の開閉機構（図示なし）とが設けられて構成されている。
また、貫通孔１４の下部開口部１４ａをシャッタ板１６で閉鎖することにより、貫通孔１４を樹脂供給部１７に形成することができる。
即ち、まず、フレーム貫通孔１４の上部開口部側１４ｂから樹脂供給部１７に所要量の顆粒樹脂１２を計量して供給すると共に、顆粒樹脂１２を平坦化して所要の均等な厚さを有するように形成する。
次に、樹脂材料供給手段１１を上下両型５（６、７）間に進入させると共に、シャッタ板１６を開けることにより、離型フィルム８を被覆した下型キャビティ１０内に平坦化した顆粒樹脂１２を、下型キャビティ底面１０ｂの全面に被覆した状態で一括して供給することができる。
また、このとき、図５に示すように、平面的な外観上、離型フィルム８を被覆した下型キャビティ１０内に供給された顆粒樹脂１２は、下型キャビティ１０内で平面的に一様に撒かれた状態となる。
【００３８】
なお、前述したように、本発明（実施例１）においては、樹脂材料供給手段１１にて、下型キャビティ１０内に平坦化した顆粒樹脂１２を、キャビティ底面１０ｂの全面に被覆した状態で一括して供給する構成であるため、従来例に示すような分割キャビティ内に所要量の顆粒樹脂を計量且つ平坦化して各別に供給する必要はなく、樹脂材料の供給時間を効率良く短縮化することができる。
従って、樹脂材料供給手段１１にて樹脂材料の供給時間を効率良く短縮化することができるので、成形済基板４の生産性を効率良く向上させることができる。
【００３９】
（実施例１に係る下型キャビティの構成について）
また、下型キャビティ（大キャビティ）１０には、下型７の型面に設けたキャビティ開口部１０ａと、キャビティ底面１０ｂと、キャビティ側面１０ｃとが設けられて構成されている。
また、下型キャビティ１０には、キャビティ底面１０ｂを先端面とするキャビティ底面部材１８と、キャビティ側面１０ｃを含むキャビティ側面部材（下型本体７）と、キャビティ底面部材１８をキャビティ１０内で相対的に上動させてキャビティ１０内の溶融樹脂１３を加圧する加圧手段１９と、下型本体（キャビティ側面部材）７と加圧手段１９と間に設けられた圧縮スプリング３４とが設けられて構成されている。
なお、キャビティ底面部材１８は単数個であって、加圧手段１９にて下型キャビティ１０のキャビティ側面１０ｃに連通して設けられた摺動孔２０内（摺動部）を上下摺動することができるように構成されている。
また、後述するように、加圧手段１９（仕切部材２１を含むキャビティ底面部材１８）を必要最小限の移動距離２４にて上動させることにより、仕切部材２１の先端面２１ａにて基板面（半導体チップ装着面）１ａを押圧することができるように構成されている。
【００４０】
即ち、上下両型５（６、７）を型締めすると共に、離型フィルム８を介して、下型キャビティ１０内の樹脂１２をキャビティ底面部材１８（加圧手段１９）にて所要の加圧力にて加圧することができるように構成されている。
従って、後述するように、下型キャビティ１０内で加熱して溶融化した樹脂（流動性樹脂）１３中に基板１に装着した所要複数個の半導体チップ２を浸漬することができるように構成されると共に、下型キャビティ１０の形状に対応した樹脂成形体３３（分割樹脂成形体３）内に基板１に装着した所要複数個の半導体チップ２を圧縮成形（樹脂封止成形）することができるように構成されている。
【００４１】
（実施例１に係る仕切部材の構成について）
また、図１に示すように、下型７の大キャビティ１０において、所要数の仕切部材（凸部）２１がキャビティ底面１０ｂに（突出した状態で）立設して構成されている。
また、仕切部材２１の高さ２３（キャビティ底面１０ａから仕切部材２１の先端面２１ａまでの距離）は、下型キャビティ１０内で成形される樹脂成形体３３の厚さに対応して構成されている。
即ち、仕切部材２１の高さ２３は樹脂成形体３３の厚さと同じ距離（長さ）にて構成されている。
なお、この高さ２３は、下型キャビティ１０内の樹脂を上動するキャビティ底面部材１８で加圧した場合において、仕切部材２１の先端面２１ａで基板面１ａを押圧したとき、キャビティ１０の深さ（２３）となるものである。
【００４２】
また、仕切部材（凸部）２１にて、下型大キャビティ１０の形状に対応して成形される樹脂成形体３３に、仕切部材２１の形状に対応した溝部（凹部）２８を形成することにより、溝部（凹部）２８の両側に（後述する分割キャビティ２２に対応した）分割樹脂成形体３を形成し、成形済基板４を形成することができるように構成されている。
即ち、従来の樹脂成形体（硬化樹脂３３）に溝部（凹部）２８を形成することにより、この溝部（凹部）２８にて、従来例に示す樹脂成形体（３３）に発生する反る力を緩和することができる。
従って、基板１と樹脂成形体（３３）との熱膨張係数の差を緩和することにより、成形済基板４の反りを効率良く防止することができるように構成されている。
【００４３】
また、後述するように、所要数の仕切部材２１はキャビティ底面部材１８に対して着脱自在に構成されている。
即ち、キャビティ底面部材１８に対して、樹脂成形体（３３）の厚さに対応した高さ２３を有する仕切部材２１を着脱自在に装設して効率良く交換することができる。
このため、従来は、多種の成形済基板（異なる厚さを有する分割樹脂成形体）に対応して、分割キャビティを有するキャビティブロックを一体として製作していたため、製作コストが高くなるのが通例であったが、実施例１に示すように、キャビティ底面部材１８に仕切部材２１を着脱自在に装設する構成を採用したので、圧縮成形装置の製作費を効率良く低減し、製品（成形済基板）の生産性を効率良く向上させることできる。
【００４４】
また、仕切部材２１にて大キャビティ１０に分割キャビティ２２を形成することができるように構成されている。
また、仕切部材２１はキャビティ１０（基板１）の短辺方向に差渡した状態でキャビティ底面１０ｂ（キャビティ底面部材１８の先端面）に設けられて構成されている。
このため、仕切部材２１の先端面２１ａは隣接する分割キャビティ２２の一辺の全辺に相当するものである。
また、図例においては、キャビティ底面１０ｂに３個の仕切部材２１がキャビティ１０（基板１）の長辺に沿って配置され、４個の分割キャビティ２２が形成されている。
従って、図１３(１)に示すように、成形済基板４において、大キャビティ１０に対応した樹脂成形体３３に、仕切部材２１に対応した３本の直線状の溝部(凹部)２８にて、分割キャビティ２２に対応した４個の分割樹脂成形体３を形成することができる。
なお、実施例１に係る仕切部材２１は、大キャビティ１０に対応する樹脂成形体３３に基板反り防止用の凹部を形成する凹部形成手段である。
【００４５】
また、前述したように、樹脂材料供給手段１１にて離型フィルム８を被覆したキャビティ１０内（分割キャビティ２２の底面２２ａ、仕切部材２１の先端面２１ａ）に所要量の顆粒樹脂１２を一括して供給することができる。
このとき、前述したように、キャビティ底面１０ｂの全面に顆粒樹脂１２を被覆した状態で一括して供給することができる。
【００４６】
即ち、基板１に装着した所要複数個の半導体チップ２を分割キャビティ２２の形状に対応した分割樹脂成形体３内に圧縮成形することができるので、図１３（１）に示す成形済基板４を得ることができる。
また、このとき、仕切部材２１を設けたキャビティ１０内において、キャビティ１０の形状に対応した樹脂成形体３３内に基板１に装着した所要複数個の半導体チップ２を圧縮成形することができると共に、樹脂成形体３３に仕切部材２１にて溝部（凹部）２８を形成することができるように構成されている。
また、隣接する分割樹脂成形体３の間には仕切部材２１の形状に対応した基板反り防止用の所要形状を有する溝部（凹部）２８が形成されることになる。
従って、溝部２８にて成形済基板４に発生する歪みを効率良く防止することができるので、成形済基板４に発生する反りを効率良く防止することができる。
【００４７】
なお、溝部２８の底面２８ａの形状は、仕切部材２１の先端側（例えば、先端面２１ａ）の形状に対応して転写されることになる。
また、キャビティ１０内の仕切部材２１の間におけるキャビティ底面１０ｂは分割キャビティ底面２２ａとなる。
また、仕切部材２１の先端面２１ａは浅いキャビティ底面となるものであり、キャビティ底面部材１８の先端面は深いキャビティ底面（大キャビティ底面１０ｂ、分割キャビティ底面２２ａ）となるものである。
【００４８】
（実施例１に係る仕切部材の樹脂連通路について）
実施例１に係る仕切部材２１の先端面２１ａには半円底状の樹脂連通路（スルーゲート）３５が設けられて構成されている。
従って、分割キャビティ２２内の樹脂をキャビティ底面部材１８で加圧したとき、仕切部材２１の先端面２１ａを基板面１ａに押圧することができると共に、仕切部材２１の先端面２１ａに設けた樹脂連通路３５を通して、分割キャビティ２２内の樹脂（溶融樹脂１３）を分割キャビティ２２間で相互に移動させて分割キャビティ２２内の樹脂量を調整することができる。
なお、樹脂連通路３５内で硬化した樹脂は連通樹脂部３６となり、分割樹脂成形体３間の溝部２８の底面２８ａに形成されることになる。
【００４９】
（実施例１に係る仕切部材を含むキャビティ底面部材における必要最小限の移動距離について）
また、図１に示すように、仕切部材２１の先端面（仕切面）２１ａはキャビティ底面１０ｂから所要の距離（所要の高さ）２３、即ち、分割樹脂成形体３（樹脂成形体３３）の厚さとなるように構成されている。
また、下型７の型面と仕切部材の先端面２１ａとの間に形成される所要の距離２４は、加圧手段１９にてキャビティ底面部材１８を型面方向に加圧してキャビティ１０、２２内の樹脂を加圧するとき、下型本体７の型面（圧縮スプリング３４）にて、基板面１ａを上方向に（型面方向に）押圧することができる必要最小限の移動距離（２４）となるように構成されている。
また、下型キャビティ１０内でキャビティ底面部材１８を上動させることにより、仕切部材２１の先端面２１ａにて基板面１ａを上方向に押圧することができる。
なお、所要数の仕切部材２１はキャビティ底面部材１８と一体となってキャビティ１０（摺動孔２０）内を相対的に上下摺動することができるように構成されている。
また、基板１は、キャビティ底面部材１８の必要最小限の移動距離２４による圧縮スプリング３４の弾性圧力にて、上型６の型面と下型７の型面（仕切部材２１の先端面２１ａを含む）との間に挟持されることになる。
なお、キャビティ底面部材１８の樹脂加圧前において、下型面（Ｐ．Ｌ面）と仕切部材２１の先端面２１ａとの間を所要の距離２４となるように構成しても良い。
【００５０】
（実施例１に係る離型フィルムとキャビティ底面部材における必要最小限の移動距離とについて）
また、実施例１において、キャビティ底面部材１８を必要最小限の移動距離２４で上動させることにより、離型フィルム８を被覆した分割キャビティ２２内の溶融樹脂１３を加圧することができる。
このとき、まず、下型本体７の型面にて、上型６の基板セット部９に供給セットした基板１の半導体チップ装着面１ａを、圧縮スプリング３４の弾性加圧力にて押圧して先押さえすることができる。
また、次に、仕切部材２１の先端面２１ａを基板面１ａに押圧することができる。
このため、分割キャビティ２２内の溶融樹脂１３を加圧することができる。
また、このとき、キャビティ底面部材１８は必要最小限の移動距離２４しか移動しないことになる。
また、キャビティ底面部材１８と仕切部材２１とは相対的に互いに不動であって、分割キャビティ２２内に被覆した離型フィルム８が、キャビティ底面２２ａ（１０ｂ）と仕切部材２１との間で緩むことを効率良く防止することができる。
このため、分割キャビティ２２内に被覆した離型フィルム８に発生するしわを効率良く防止することができる。
なお、従来は、下型キャビティの深さは、少なくとも樹脂成形体の厚さの３倍が必要であり、キャビティ底面部材の移動距離は、少なくとも樹脂成形体の厚さの２倍以上となっていた。
【００５１】
（実施例１における下型キャビティ内における樹脂材料の供給部について）
また、実施例１（本発明）によれば、前述したように、樹脂材料供給手段１１にて、離型フィルム８を被覆した下型キャビティ１０内に平坦化した顆粒樹脂１２を、キャビティ底面の全面に被覆した状態で一括して供給することができる。
従来は、分割キャビティ内に各別に顆粒樹脂を供給する構成であるため、分割キャビティを形成する仕切部の型面（実施例１の仕切部材の先端面に相当）に、顆粒樹脂を供給することができなかった。
しかしながら、実施例１（本発明）によれば、分割キャビティを形成する仕切部材を上下摺動するキャビティ底面部材に着脱自在に装設する構成であり、且つ、下型キャビティ底面の全面に平坦化した顆粒樹脂を被覆した状態で一括して供給する構成であるため、下型キャビティ内における仕切部材の先端面の位置より上方の空間部を顆粒樹脂の供給部として利用することができ、且つ、仕切部材の先端面を含む下型キャビティ底面の全面より上方の空間部を顆粒樹脂の供給部として利用することができる。
このため、実施例１（本発明）によれば、従来例のように、下型キャビティの深さを分割樹脂成形体の厚さの３倍とする必要がなく、従来例に比べて、下型キャビティ１０の深さをきわめて浅くすることができる。
なお、仕切部材２１の先端面２１ａ上に供給された顆粒樹脂は加熱されて溶融化することにより、この溶融樹脂（流動性樹脂）は分割キャビティ２２内に流入することになり、下型キャビティ１０内の各分割キャビティ２２内に溶融樹脂が各別に収容されることになる。
【００５２】
（実施例１に係る仕切部材の着脱自在の構成について）
前述したように、実施例１によれば、キャビティ底面部材１８に対して仕切部材２１を着脱自在に装設して交換することができる。
即ち、図例に示すように、キャビティ底面部材１８には、上部キャビティ底面部材（キャビティブロック）２９と、下部キャビティ底面部材（ベース部材）３０とが設けられて構成されている。
また、キャビティ底面部材１８には仕切部材２１を着脱自在に嵌装する溝状の仕切部材用の嵌合部（図例では溝部）３１が所要数、キャビティ１０の短辺方向に設けられて構成されている。
従って、キャビティ底面部材１８（上部キャビティ底面部材２９、下部キャビティ底面部材３０）の嵌合部３１に仕切部材２１の基端部２１ｂ側を水平方向に（横方向に）押して嵌合させることができるように構成されている。
このとき、仕切部材２１の先端部２１ｃ側はキャビティ底面部材１８から突出した状態となる。
また、下部キャビティ底面部材３０には嵌合部３１に嵌合した仕切部材２１を係止するボルト等の係止部材３２が設けられて構成され、嵌合部３１に嵌合した仕切部材２１を下部キャビティ底面部材３０側から係止することができるように構成されている。
【００５３】
即ち、まず、キャビティ底面部材１８（２９、３０）の嵌合部３１に対して仕切部材２１の基端部２１ｂ側を着脱自在に水平方向に嵌合させ、次に、下部キャビティ底面部材３０側から所要数の係止部材３２にて仕切部材２１を係止してキャビティ底面部材１８に所要数の仕切部材２１を係止することができる。
従って、実施例１によれば、分割樹脂成形体３の厚さの変更に対応するために、キャビティ底面部材１８に対して仕切部材２１を容易に且つ着脱自在に装着することができるように構成されている。
例えば、新たに所要の厚さを有する分割樹脂成形体（異なる厚さの分割樹脂成形体）を圧縮成形する場合において、まず、キャビティ底面部材１８から仕切部材１８を取り出し、次に、当該分割樹脂成形体の厚さに対応する高さを有する仕切部材２１を装設して効率良く交換することができる。
このため、実施例１によれば、キャビティ底面部材３０に対して仕切部材２１を着脱自在に効率良く交換することができるので、実施例１に係る金型５で成形済基板４を効率良く圧縮成形することができ、製品（成形済基板）の生産性を効率良く向上させることができる。
【００５４】
（実施例１に係る半導体チップの圧縮成形方法について）
まず、図１に示すように、半導体チップの圧縮成形用金型（半導体チップの圧縮成形型）５を用いて、上型６の基板セット部９に、マトリックス型に配置した所要複数個の半導体チップ２を装着した基板１（成形前基板）を、半導体チップ装着面１ａ側を下方向に向けた状態で供給セットし、且つ、下型７の型面と下型キャビティ１０（分割キャビティ２２と仕切部材２１）内とに離型フィルム８を吸着して被覆させると共に、樹脂材料供給手段１１にて離型フィルム８を被覆したキャビティ１０（分割キャビティ２２）内に平坦化した顆粒樹脂１２を供給する。
このとき、離型フィルム８を介してキャビティ１０の底面１０ｂの全面、即ち、分割キャビティ底面２２ａと仕切部材２１の先端面２１ａとに平坦化した顆粒樹脂１２をそのままの状態で落下させることにより、平坦化した顆粒樹脂１２を一括して供給することができる。
このため、離型フィルム８を介してキャビティ底面１１ｂの全面（分割キャビティ２２の底面２２ａと仕切部材２１の先端面２１ａ）に顆粒樹脂１２を被覆させた状態で供給することができる。
【００５５】
次に、下型キャビティ１０内（分割キャビティ面２２ａと仕切部材先端面２１ａ）の樹脂１２を加熱して溶融化し、上下両型６、７を型締めする。
このとき、下型本体７の型面を上型６側の基板１の半導体チップ装着面１ａに押圧して先押さえすることになる。
次に、樹脂成形体３、３３の厚さと同じ高さを有する仕切部材２１を着脱自在に装設したキャビティ底面部材１８を、必要最小限の移動距離２４で上動させることにより、大キャビティ１０(分割キャビティ２２)内の樹脂（１３）を所要の加圧力にて加圧することができる。
このとき、キャビティ底面部材１８を必要最小限の移動距離２４で上動させることにより、圧縮スプリング３４の弾性押圧力にて下型７の型面で基板面１ａを押圧することができる。
また、このとき、キャビティ底面部材１８に着脱自在に装設した仕切部材２１の先端面２１ａで基板面１ａを押圧することができる。
従って、分割キャビティ２２内で分割キャビティ２２の形状に対応した分割樹脂成形体（分割パッケージ）３内に所要複数個の半導体チップ２を一括して圧縮成形（樹脂封止成形）することができる。
このとき、隣接する分割樹脂成形体３間には仕切部材２１の先端部側（先端面２１ａを含む）の形状に対応した溝部（凹部）２８が形成される。
このとき、樹脂連通路３５内で連通樹脂部（硬化樹脂）３６が形成される。
従って、次に、上下両型を型開きすることにより、下型キャビティ１０（２２）から成形済基板４（分割樹脂成形体３）を離型することができる。
【００５６】
（実施例１における作用効果について）
実施例１によれば、基板１に装着した半導体チップ２を圧縮成形して成形済基板（製品）４を形成するときに、仕切部材２１にて形成された分割キャビティ２２に対応した分割樹脂成形体３を形成すると共に、下型キャビティ１０の形状に対応した樹脂成形体３３に仕切部材２１の形状に対応した溝部（凹部）２８を形成することができる。
即ち、本発明によれば、成形済基板（製品）４の樹脂成形体３３に形成される溝部（凹部）２８にて、基板１と樹脂成形体３、３３とによる熱膨張係数の差による歪みを効率良く解消することができる。
従って、実施例１によれば、製品(成形済基板)４に反りが発生することを効率良く防止することができる。
【００５７】
また、実施例１は、分割キャビティ２２を形成する仕切部材２１を上下摺動するキャビティ底面部材１８に着脱自在に装設する構成であり、且つ、下型キャビティ１０底面１０ｂの全面に平坦化した顆粒樹脂１２を被覆した状態で一括して供給する構成であるため、下型キャビティ１０内における仕切部材２１の先端面２１ａの位置より上方の空間部を顆粒樹脂１２の供給部として利用することができる。
即ち、実施例１によれば、下型キャビティ１０内（分割キャビティ２２内）の底面１０ｂの全面に平坦化した顆粒樹脂１２を一括して供給することができる。
また、実施例１によれば、下型キャビティ１０の深さを従来の下型キャビティ深さ（例えば、分割樹脂成形体の厚さの３倍）より浅くすることができる。
また、実施例１によれば、キャビティ底面部材１８の移動距離を必要最小限の距離２４にすることができる。
従って、下型キャビティ１０内に平坦化した顆粒樹脂１２を一括して被覆した状態で供給することにより、圧縮成形装置の製作費を効率良く低減し、顆粒樹脂の供給時間を効率良く短縮化することにより、製品（成形済基板）４の生産性を向上させることができる。
なお、従来は、各分割キャビティ２２内に各別に所要量の顆粒樹脂１２を供給する構成であるため、分割キャビティ２２を形成する仕切部材の型面（実施例１の仕切部材２１の先端面２１ａに相当）に、顆粒樹脂１２を供給することができなかった。
また、各分割キャビティ２２内に各別に所要量の顆粒樹脂１２を供給する構成であるため、下型キャビティ１０の深さが分割樹脂成形体３（３３）の厚さ２３の３倍（以上）必要であった。
【００５８】
また、実施例１は、分割キャビティ２２を形成する仕切部材２１を着脱自在に装設したキャビティ底面部材１８で樹脂を加圧するとき、前述したように、下型キャビティ１０の深さを従来の下型キャビティ深さより浅くすることができ、キャビティ底面部材２１の移動距離を必要最小限の距離２４にすることができる。
即ち、実施例１は、キャビティ底面部材１８を必要最小限の移動距離２４で移動させて基板面１ａに仕切部材２１の先端面２１ａを押圧する構成である。
また、キャビティ底面部材１８と仕切部材２１とは相対的に互いに不動であるため、分割キャビティ２２内に被覆した離型フィルム８が緩むことを効率良く防止することができる。
従って、分割キャビティ２２内（下型キャビティ１０内）に被覆される離型フィルム８にしわが発生することを効率良く防止することができる。
【００５９】
また、実施例１は、分割キャビティ２２を形成する仕切部材２１をキャビティ底面部材１８に対して着脱自在に装設した構成であるので、分割樹脂成形体３の厚さ（２３）に変更があるとき、新たな異なる分割樹脂成形体３の厚さ（２３）に対応して仕切部材２１をキャビティ底面部材１８に対して着脱自在に装設することができる。
従って、本発明によれば、異なる分割樹脂成形体３（３３）の厚さに効率良く対応することができるので、製品（成形済基板）４の生産性を効率良く向上させることができる。
【実施例２】
【００６０】
次に、図１０、図１１（１）〜図１１（３）、図１３（２）を用いて、実施例２（本発明）を詳細に説明する。
図１０、図１１（１）〜図１１（３）は、実施例２に係る半導体チップの圧縮成形用金型である。
図１３（２）は実施例２に示す金型で成形した成形済基板である。
なお、実施例２に示す金型の基本的な構成は実施例１に示す金型と同じであるため、その説明を省略する。
また、実施例２に用いられる基板は実施例１に用いられる基板と同じである。
また、実施例２は、下型キャビティ内において、仕切部材の両側にスルーゲートを設ける構成である。
【００６１】
（実施例２に係る半導体チップの圧縮成形用金型の構成について）
図１０、図１１（１）〜（３）に示す金型４１には、実施例１と同様に、上型４２と、下型４３と、下型の大キャビティ４４（キャビティ開口部４４ａ、キャビティ底面４４ｂ、キャビティ側面４４ｃ）と、キャビティ底面部材４５と、加圧手段１９と、上型の基板セット部９と、下型キャビティ４４内を被覆する離型フィルム８と、下型４３と加圧手段１９との間に設けられた圧縮スプリング（図示なし）とが設けられて構成されている。
また、金型４１には、実施例１と同様に、加熱手段と型締機構とが設けられて構成されている。
【００６２】
また、実施例１と同様に、キャビティ底面４４ｂには所要数の仕切部材４６が立設して構成されると共に、仕切部材４６がキャビティ底面部材４５に着脱自在に装設されて構成されている。
また、大キャビティ４４内で所要数の仕切部材４６にて所要数の分割キャビティ４７が形成されている。
また、図１１（１）に示す図例では、大キャビティ４４の長辺方向に４個の分割キャビティ４７が配置されている。
従って、実施例１と同様に、基板１に装着したマトリックス配置の半導体チップ２を大キャビティ４４の形状に対応した樹脂成形体５６に圧縮成形することができる。
また、実施例１と同様に、基板１に装着したマトリックス配置の半導体チップ２を各分割キャビティ４７の形状に対応した分割樹脂成形体４８内に各別に圧縮成形することができる。
また、実施例１と同様に、大キャビティ４４の形状に対応した樹脂成形体５６に、仕切部材４６の形状に対応した直線状の溝部（凹部）５７にて分割樹脂成形体４８を圧縮成形し得て成形済基板４９を形成することができるように構成されている〔図１３（２）を参照〕。
なお、実施例２に係る仕切部材４６は、成形済基板４９の樹脂成形体５６に溝部（凹部）５７を形成する凹部形成手段であり、溝部（凹部）５７にて成形済基板４９の反りを効率良く防止することができるものである。
【００６３】
（実施例２に係る仕切部材について）
即ち、仕切部材４６には、実施例１と同様に、先端面４６ａ、基端部４６ｂ、先端部４６ｃがある。
また、キャビティ底面４４ｂ（分割キャビティ底面４７ａ）と仕切部材４６の先端面４６ａの距離、即ち、仕切部材４６の高さ５０は分割樹脂成形体４８（樹脂成形体５６）の厚さに対応して形成されている。
また、実施例１と同様に、キャビティ底面部材４５は、必要最小限の移動距離５１にて上動することになる。
また、隣接する分割キャビティ４７の一辺（仕切部材の先端面４６ａにて）は、実施例１と同様に、大キャビティ４４の短辺方向に設けられて構成されている。
また、実施例２においては、実施例１とは異なり、仕切部材４６の両側に、キャビティ底面４４ｂの樹脂連通路（底面スルーゲート）５２が設けられて構成され、隣接する分割キャビティ４７間を連通することになる。
即ち、樹脂連通路５２は、キャビティ短辺方向に配設された仕切部材４６の両側におけるキャビティ底面４４ｂ上に設けられて構成されている。
従って、実施例２における分割キャビティ４７内に供給された樹脂（顆粒樹脂１２）の量の過不足を樹脂連通路５２にて調整することができるように構成され、樹脂連通路５２で硬化した樹脂は連通樹脂部（硬化樹脂）５４となる。
【００６４】
また、実施例１と同様に、樹脂材料供給手段（１１）にて大キャビティ４４内に所要量の平坦化した顆粒樹脂１２を供給した場合、大キャビティ４４の底面４４ｂの全面に被覆した状態で一括して供給することができる。
また、所要数の仕切部材４６を含むキャビティ底面部材４５は一体となってキャビティ側面４４ｃを含む摺動孔５３内を上下摺動するように構成されている。
また、図１３（２）に示すように、実施例２に係る仕切部材４６にて、基板１上に形成され且つ大キャビティ４４内で成形される樹脂成形体５６に長孔状の溝部５７が形成されることになる。
また、樹脂成形体５６の長孔状の溝部５７の底面５７ａ側には仕切部材の先端面４６ａ（先端部４６ｃ）の形状が転写されると共に、樹脂成形体５６の長孔状の溝部５７の両側は樹脂連通路５２内で樹脂が硬化して連通樹脂部５４となるものである。
【００６５】
（実施例２における仕切部材の着脱自在の構成について）
即ち、図１０、図１１（２）、図１１（３）に示すように、キャビティ底面部材４５には、上部キャビティ底面部材５８と下部キャビティ底面部材５９とが設けられて構成されている。
また、上部キャビティ底面部材５８には、仕切部材４６を着脱自在に装設する長孔状の嵌合部６０が設けられて構成されている。
また、仕切部材４６をボルト等の係止部材６１にて上部キャビティ底面部材５８に係止することができるように構成されている。
従って、図１１（２）に示すように、まず、上部キャビティ底面部材５８の嵌合部６０に対して仕切部材の先端部４６ｂ側から垂直方向（上方向）に移動させて基端部４６ｃを嵌合部６０に装着する。
次に、図１１（３）に示すように、仕切部材４６を基端部４６ｃ側から係止部材６１にて係止し、下部キャビティ底面部材５９と合わせてキャビティ底面部材４５とすることができる。
【００６６】
実施例２によれば、実施例１と同様に、分割樹脂成形体４８（３）を厚さの変更に対応するために、キャビティ底面部材４５に対して仕切部材４６を容易に且つ着脱自在に装着することができるように構成されている。
実施例２によれば、実施例１と同様に、キャビティ底面部材４５に対して仕切部材４６を着脱自在に効率良く交換することができるので、実施例２に係る金型で成形済基板４９を効率良く圧縮成形することができる。
なお、実施例２に係る仕切部材４６の先端面４６ａは、例えば、水平面形状に形成することができる。
また、実施例２は、成形済基板４９に形成される大キャビティ４４に対応した樹脂成形体５６に、仕切部材４６に対応した溝部（凹部）５７を形成する構成であって、成形済基板４９に発生する反りを効率良く防止するものである。
従って、実施例２に係る仕切部材４６は成形済基板４９における樹脂成形体５６に凹部を形成する基板反り防止用の凹部形成手段となるものである。
【００６７】
（実施例２に係る半導体チップの圧縮成形方法について）
実施例２に係る金型４１（上型４２、下型４３）を用いて、実施例１と同様に、離型フィルム８を被覆したキャビティ４４内に平坦化した顆粒樹脂１２を供給する。
このとき、キャビティ４４の底面４４ｂ全面、即ち、分割キャビティ４７の底面４７ａと仕切部材４６の先端面４６ａとに平坦化した顆粒樹脂１２をそのままの状態で落下させて一括して供給することができる。
このため、離型フィルム８を介してキャビティ底面４４ｂの全面（分割キャビティ４７の底面４７ａと仕切部材４６の先端面４６ａ）に顆粒樹脂１２を被覆させた状態で供給することができる。
次に、下型キャビティ４４内（分割キャビティ底面４７ａと仕切部材先端面４６ａ）の樹脂１２を加熱して溶融化し、金型４１（上型４２、下型４３）を型締めする。
次に、キャビティ底面部材４５を必要最小限の移動距離５１にて上動させることにより、大キャビティ４４(分割キャビティ４７)内の樹脂を所要の加圧力にて加圧する。
このとき、仕切部材４６の先端面４６ａで基板面１ａを押圧することができる。
従って、分割キャビティ４７内で分割キャビティ４７の形状に対応した分割樹脂成形体（分割パッケージ）４８内に所要複数個の半導体チップ（２）を一括して圧縮成形（樹脂封止成形）することができる。
【００６８】
このとき、隣接する分割樹脂成形体４８間には仕切部材の先端部側（先端面を含む）の形状に対応した溝部（凹部）５７が形成される。
このとき、キャビティ底面４４ｂの樹脂連通路５２にて分割キャビティ４７内の樹脂量を調整することができると共に、仕切部材４６（溝部５７）の両側の樹脂連通路５２内で樹脂を硬化させて連通樹脂部（硬化樹脂）５４を形成することができる。
従って、次に、金型４１（上型４２、下型４３）を型開きすることにより、下型キャビティ４４から成形済基板４９（分割樹脂成形体４８、樹脂成形体５６）を離型することができる。なお、５７ａは溝部５７の底部である。
【００６９】
（実施例２における作用効果について）
実施例２によれば、実施例１と同様の作用効果を得ることができる。
実施例２によれば、実施例１と同様に、基板１に装着した半導体チップ（２）を分割樹脂成形体４８内に圧縮成形すると共に、隣接する分割樹脂成形体４８の間に仕切部材４６に対応した溝部５７（５７ａ）を形成することができるので、成形済基板４９に発生する反りを効率良く防止することができる。
【００７０】
また、実施例２によれば、実施例１と同様に、分割キャビティ４７を形成する仕切部材４６を上下摺動するキャビティ底面部材４５に着脱自在に装設する構成であり、且つ、下型キャビティ４４底面４４ｂの全面に平坦化した顆粒樹脂１２を被覆した状態で一括して供給する構成であるため、下型キャビティ４４内における仕切部材４６の先端面４６ａの位置より上方の空間部を顆粒樹脂１２の供給部として利用することができる。
即ち、実施例２によれば、実施例１と同様に、下型キャビティ４４内（分割キャビティ４７内）の底面４７ａの全面に平坦化した顆粒樹脂１２を被覆した状態で一括して供給することができる。
また、実施例２によれば、実施例１と同様に、下型キャビティ４４の深さを従来の下型キャビティ深さ（例えば、分割樹脂成形体の厚さの３倍）より浅くすることができる。
実施例２によれば、実施例１と同様に、キャビティ底面部材４５の移動距離５１を必要最小限の距離にすることができる。
従って、下型キャビティ４４内に平坦化した顆粒樹脂１２を被覆した状態で一括して供給することにより、樹脂材料供給手段（１１）を含む圧縮成形装置の製作費を効率良く低減し、且つ、顆粒樹脂の供給時間を効率良く短縮化することにより、製品（成形済基板）４９の生産性を向上させることができる。
【００７１】
また、実施例２によれば、実施例１と同様に、キャビティ底面部材４５の移動距離を必要最小限の移動距離５１にすることができる。
従って、分割キャビティ４７内（下型キャビティ４４内）に被覆される離型フィルム８にしわが発生することを効率良く防止することができる。
【００７２】
また、実施例２によれば、実施例１と同様に、分割キャビティ４７を形成する仕切部材４６をキャビティ底面部材４５に対して着脱自在に装設した構成であるので、分割樹脂成形体４８の厚さに変更があるとき、新たな異なる分割樹脂成形体４８の厚さに対応した仕切部材４６を、キャビティ底面部材４５に対して着脱自在に装設することができる。
従って、実施例２によれば、実施例１と同様に、異なる分割樹脂成形体４８の厚さに効率良く対応することができるので、製品（成形済基板）４９の生産性を効率良く向上させることができる。
【実施例３】
【００７３】
次に、図１２（１）〜図１２（２）を用いて、実施例３を詳細に説明する。
図１２（１）〜図１２（２）は他の半導体チップの圧縮成形用金型の要部であって、キャビティ底面部材に仕切部材を着脱自在に装設する構成である。
なお、実施例３に示す金型の基本的な構成は実施例１に示す金型と同じであるため、その説明を省略する。
また、実施例３に用いられる基板は実施例１に用いられる基板と同じである。
【００７４】
（実施例３に示す半導体チップの圧縮成形用金型の構成について）
即ち、実施例３に示す金型の基本的な構成は実施例１に示す金型と同じである。
また、図１２（１）〜図１２（２）示す金型には、実施例１と同様に、キャビティ底面部材１４１と仕切部材１４２とが設けられて構成され、キャビティ底面部材１４１に対して仕切部材１４２を着脱自在に装設することができるように構成されている。
従って、実施例３に係る金型にて、基板（１）に装着した半導体チップ（２）を分割キャビティ（下型キャビティ)の形状に対応した分割樹脂成形体(樹脂成形体)内に圧縮成形して成形済基板を形成することができるように構成されている。
このとき、下型キャビティで圧縮成形された樹脂成形体には、或いは、分割樹脂成形体間には、仕切部材１４２の形状に対応した基板反り防止用の溝部が形成されるように構成されている。
また、実施例３によれば、例えば、下型キャビティ内で圧縮成形される樹脂成形体の厚さが変更になった場合に、下型の型面（キャビティ底面）の上方から仕切部材を容易に効率良く交換することができる。
従って、成形済基板（樹脂成形体）の生産性を効率良く向上させることができる。
なお、実施例３に示す金型において、実施例１、２と同様の作用効果を得ることができる。
【００７５】
（実施例３における仕切部材の着脱自在の構成について）
即ち、仕切部材１４２には、先端面１４２ａ、基端部１４２ｂ、先端部１４２ｃ、キャビティ底面相当部１４２ｄとが設けられて構成されている。
また、キャビティ底面部材１４１は、上部キャビティ底面部材１４３と下部キャビティ底面部材１４４とが設けられて構成されている。
従って、キャビティ底面部材１４１（上部キャビティ底面部材１４３）に仕切部材１４２を装設した場合、キャビティ底面１４５と仕切部材１４２のキャビティ底面相当部１４２ｄとは面一となる。
また、上部キャビティ底面部材１４３の上面となるキャビティ底面１４５には、仕切部材１４２の基端部１４２ｂ側をキャビティ底面１４５側から着脱自在に装着する嵌合孔（嵌合部）１４６と、仕切部材１４２（基端部１４２ｂ）を係止する嵌合孔１４６の係止部１４６ａとが設けられて構成されている。
また、上部キャビティ底面部材１４３の下面には、仕切部材１４２を上部キャビティ底面部材１４３（キャビティ底面部材１４１）に係止するボルト部材１４７を挿通する挿通孔１４８が設けられ、挿通孔１４８にはボルト部材１４７を係止する挿通孔１４８の係止部１４８ａが設けられて構成されている。
なお、上部キャビティ底面部材１４３において、嵌合孔１４６と挿通孔１４８とが連通した状態で設けられて構成されている。
また、下部キャビティ底面部材１４４には貫通した状態の挿通孔１４９が設けられて構成され、上部キャビティ底面部材１４３と下部底面部材１４４とを合体したときに、上部キャビティ底面部材１４３の嵌合孔１４６と挿通孔１４８及び下部キャビティ底面部材１４４の挿通孔１４９とが連通した状態となるように構成されている。
【００７６】
即ち、図１２（１）に示すように、まず、上部キャビティ底面部材１４３の上面（キャビティ底面１４５）の嵌合孔１４６の開口部１４６ｂに、仕切部材１４２を基端部１４２ｂ側から下方向に着脱自在に装着することができる。
このとき、仕切部材１４２(基端部１４２ｂ)を嵌合孔１４６の係止部１４６ａで係止することができる。
また、上部キャビティ底面部材１４３の下面の挿通孔１４８の開口部１４８ａからボルト部材１４７を挿入することによって、上部キャビティ底面部材１４３に仕切部材１４２を嵌合孔１４６にボルト部材１４７で固定することができる。
このとき、ボルト部材１４７の先端部１４７ａは仕切部材１４２（基端部１４２ｂ）に螺設され、ボルト部材１４７のボルト頭１４７ｂは挿通孔１４８の係止部１４８ａに係止されることになる。
従って、次に、図１２（２）に示すように、上部キャビティ底面部材１４３に下部キャビティ底面部材１４４を合体することにより、仕切部材１４２を装設したキャビティ底面部材１４１を形成することになる。
このとき、上部キャビティ底面部材１４３の嵌合孔１４６と挿通孔１４８と、下部キャビティ底面部材１４４の挿通孔１４９とが連通した状態になる。
なお、上部キャビティ底面部材１４３の嵌合孔１４６から仕切部材１４２を取り外すときは、前述した手順と逆の手順となるものである。
【００７７】
また、キャビティ底面部材１４１の嵌合孔１４６に仕切部材１４２を装着する場合、下部キャビティ底面部材１４４の挿通孔１４９からボルト部材１４７を通すことにより、嵌合孔１４６に仕切部材１４２を装着することができる。
【００７８】
従って、実施例３によれば、仕切部材１４２を、下型キャビティ内のキャビティ底面部材１４１に対して、キャビティ底面１４５の上から着脱自在に装着することができるので、仕切部材１４２を効率良く短時間で装着することができる。
このため、樹脂成形体を厚さが変更になった場合に、仕切部材を容易に且つ短時間で交換することができるので、成形済基板（製品）の生産性を効率良く向上させることができる。
【実施例４】
【００７９】
次に、図１４、図１５、図１６を用いて、実施例４を詳細に説明する。
図１４、図１５、図１６は、実施例４に係る半導体チップの圧縮成形用金型（半導体チップの圧縮成形型）である。
なお、実施例４に示す金型の基本的な構成は、実施例１〜３に示す金型と同じであるため、その説明を省略する。
また、実施例４に用いられる基板１は実施例１〜３に用いられる基板と同じであり、実施例４にて図１３（１）に示す成形済基板４が形成されるものである。
また、実施例４は、キャビティ底面部材に仕切部材をキャビティ方向に(型面方向に)弾性付勢した状態で嵌装した構成である。
このため、仕切部材の先端部はキャビティ底面から突出した状態で設けられている。
従って、実施例４は、仕切部材（先端部）を分割キャビティ内で圧縮成形される分割樹脂成形体の厚さに対応して弾性移動させることができる。
【００８０】
（実施例４に係る半導体チップの圧縮成形用金型の構成について）
図１４、図１５、図１６に示す半導体チップの圧縮成形用金型７１には、実施例１〜３と同様に、上型７２と、下型７３と、下型７３の型面に設けられた所要の深さを有する大キャビティ７４（キャビティ開口部７４ａ、キャビティ底面７４ｂ、キャビティ側面７４ｃ）と、キャビティ底面部材７５と、加圧手段１９と、上型の基板セット部９と、下型キャビティ７４内を被覆する離型フィルム８と、下型本体７３と加圧部材１９との間に設けられた圧縮スプリング（図示なし）とが設けられて構成されている。
従って、下型７３の大キャビティ７４（側面７４ｃ）に連通接続する摺動孔２０内でキャビティ底面部材７５を加圧手段１９にて上動させて加圧することができるように構成されている。
なお、図示はしていないが、実施例４には、実施例１〜３と同様に、加熱手段と型締機構とが設けられて構成されている。
【００８１】
また、実施例４において、実施例１〜３と同様に、下型キャビティ７４（キャビティ底面部材７５）には所要数の仕切部材（弾性仕切部材）７６が設けられて構成され、所要数の仕切部材７６にて下型キャビティ７４に所要数の分割キャビティ７７を形成して構成されている。
また、実施例４において、図示はしていないが、実施例１〜３と同様に、樹脂材料供給手段（１１）にて、下型キャビティ７４(分割キャビティ７７を含む)内に平坦化した顆粒樹脂（１２）を被覆した状態で一括して供給することができるように構成されている。
このとき、実施例４において、実施例１〜３と同様に、仕切部材７６の先端面７６ａの上方の空間部を樹脂材料の供給部に利用することができる。
また、実施例４において、実施例１〜３と同様に、仕切部材７６を装設したキャビティ底面部材７５を必要最小限の移動距離８９にて上動させることができる。
なお、前述したように、従来、下型キャビティの深さが分割樹脂成形体の厚さの３倍（以上）は必要であった。
【００８２】
（実施例４に係る仕切部材について）
即ち、実施例４において、実施例１〜３と同様に、仕切部材７６には、先端面７６ａと基端部７６ｂと先端部７６ｃとが設けられて構成されている。
また、実施例４に示す仕切部材７６は、実施例１〜３と同様に、キャビティ底面７４ｂから立設して構成されると共に、キャビティ底面７４ｂから仕切部材７６の先端部７６ｂ（先端面７６ａを含む）が突出した状態で設けられている。
従って、仕切部材７６にて下型キャビティ７４内を仕切ることにより所要複数個の分割キャビティ７７を形成することができる。
また、仕切部材７６の先端面７６ａには樹脂連通路９１が設けられて構成されている。
なお、実施例４において、仕切部材７６の先端面７６ａと先端部７６ｃの形状は、例えば、実施例１〜３に示す形状と同じ形状に形成することができる。
また、実施例４に示す仕切部材７６は、成形済基板４における樹脂成形体３３に基板反り防止用の溝部（２８）を形成する凹部形成手段となるものである。
【００８３】
また、実施例４に示す仕切部材７６は、キャビティ底面７４ｂを先端面とするキャビティ底面部材７５に対して着脱自在に装設されて構成されている。
また、仕切部材７６（全体）はキャビティ底面部材７５（キャビティ底面７４ｂ）に対して弾性上下摺動することができるように構成されている。
即ち、下型キャビティ７４内において、仕切部材７６の先端部７６ｃ側及び先端面７６ａが弾性上下摺動することができるように構成されている。
また、実施例４において、実施例１〜３と同様に、離型フィルム８を被覆した下型キャビティ７４（分割キャビティ７７）内の樹脂中に基板１に装着したマトリックス配置の半導体チップ（２）を浸漬することができるように構成されている。
このとき、下型キャビティ４４内の樹脂を、キャビティ底面部材７５（加圧手段１９）を上動することにより所要の加圧力にて加圧することができるように構成されている。
従って、基板１に装着したマトリックス配置の半導体チップ２を各分割キャビティ７７の形状に対応した分割樹脂成形体３内に圧縮成形して成形済基板４を形成することができるように構成されている。
このとき、基板１に装着した半導体チップ２を下型キャビティ７４の形状に対応した樹脂成形体３３内に圧縮成形すると共に、樹脂成形体３３に弾性仕切部材７６の形状に対応した溝部（凹部）２８を形成することができる。
即ち、実施例４によれば、成形済基板４の樹脂成形体３３に形成される溝部（凹部）２８にて、基板１と樹脂成形体（硬化樹脂）３３とによる熱膨張係数の差にて発生する歪みを効率良く解消することができる。
従って、実施例４によれば、製品(成形済基板)に反りが発生することを効率良く防止することができるという優れた効果を奏するものである。
【００８４】
（実施例４におけるキャビティ底面部材の構成について）
即ち、キャビティ底面７４ｂを先端面とするキャビティ底面部材７５には、上部キャビティ底面部材（キャビティブロック）８０と、下部キャビティ底面部材（ベース部材）８１とが設けられている。
また、上部キャビティ底面部材８０には仕切部材７６を弾性移動自在（弾性上下摺動自在）に嵌装する弾性摺動孔（図例では溝部）８２が設けられて構成されている。
また、図例に示すように、上部キャビティ底面部材８０の弾性摺動孔８２には上部開口部８２ａと下部開口部８２ｂとが設けられて構成され、弾性摺動孔８２の中間位置に、仕切部材の弾性上摺動を係止する係止部８２ｃが設けられて構成されている。
また、下部キャビティ底面部材８１には弾性摺動孔８２の仕切部材７６を型面方向に（上方向に）弾性付勢する適宜な弾性機構（弾性付勢機構）８３が、所要数、設けられて構成されている。
また、上部開口部８２ａ側に仕切部材７６の先端部７６ａが嵌装され、下部開口部８２ｂ側には下部キャビティ底面部材８１の弾性機構８１を嵌装することができるように構成されている。
また、仕切部材７６の基端部７６ｂ側には係合凹部（図例では溝部）７６ｄが下方側に開口した状態で設けられている。
また、後述するように、弾性機構８１の上部側には係合凸部（図例ではボルト頭部）が突出した状態で設けられて構成されている。
従って、上部キャビティ底面部材の弾性摺動孔８２内において、仕切部材７６の係合凹部７６ｄに弾性機構８３の係合凸部（８７ｂ）を係合することができるように構成されている。
【００８５】
（実施例４における仕切部材の着脱自在について）
即ち、実施例４において、実施例１〜３と同様に、キャビティ底面部材７５の弾性摺動孔８２に、仕切部材（弾性仕切部材）７６を着脱自在に装設することができるように構成されている。
例えば、弾性摺動孔（溝部）８２に対して仕切部材７６を水平方向に移動させて（スライドさせて）嵌装することにより、弾性摺動孔８２内の下部キャビティ底面部材８１に固設された弾性機構８３の係合凸部（８７ｂ）に仕切部材７６の係合凹部７６ｄを係合することができる。
また、弾性摺動孔８２から仕切部材７６を水平方向に移動（退出）させることより、
弾性摺動孔８２から仕切部材７６を取り出すことができる。
即ち、実施例４において、実施例１〜３と同様に、キャビティ底面部材７５（弾性摺動孔８２）に対して仕切部材７６を着脱自在に効率良く交換することができる。
このため、実施例４に係る金型７１で成形済基板（樹脂成形体）を効率良く圧縮成形することができる。
【００８６】
（実施例４における弾性機構について）
次に、実施例４に示す弾性機構（弾性付勢機構）８３の構成について説明する。
例えば、弾性機構８３には、図例に示すように、上部板８４と、上部板８４の下方位置に配置した下部板８５と、上部板８４と下部板８５との間に介装した圧縮スプリング、皿ばね等の弾性部材８６と、上部板８４と下部板８５と弾性部材８６とを貫通した状態で設けられたボルト部材８７とが設けられて構成されている。
また、ボルト部材８７の下部先端８７ａ側を下部キャビティ底面部材８１に螺設することにより、弾性機構８３を下部キャビティ底面部材８１に固設することができるように構成されている。
また、上部板８４（及び弾性部材８６）はボルト部材８７に対して上下動自在に設けられて構成されている。
また、ボルト部材８７の上部基端側となる係合凸部（ボルト頭）８７ｂを、上部キャビティ底面部材８０の弾性摺動孔８２に対して着脱自在に装設される仕切部材７６の係合凹部７６ｄに係合することができる。
即ち、上部板８４に仕切部材７６を載置した状態で、弾性部材８６にて仕切部材７６を上方向に弾性付勢することができるように構成され、且つ、仕切部材７６は弾性摺動孔８２の係止部８２ｃで係止するように構成されている。
従って、実施例４において、仕切部材７６をキャビティ底面部材７５に弾性機構８３にて弾性移動自在に（弾性上下摺動自在）に嵌装して構成することができる。
なお、この場合において、仕切部材（弾性仕切部材）７６に対する下方向への加圧力を解除したとき、弾性機構８３による上方向の弾性付勢力に仕切部材７６が上動し、仕切部材７６が係止部８２ｃにて係止され、元の位置で仕切部材７６の先端面７６ａは停止することになる。
【００８７】
（実施例４に係る仕切部材の高さについて）
また、実施例４において、実施例１〜３と同様に、仕切部材（弾性仕切部材）７６の高さ７８を、分割樹脂成形体３における或る特定範囲の厚さに（或いは、或る特定の数値以下の厚さに）対応することができるように構成されている。
即ち、キャビティ底面部材７５にて分割キャビティ７７（７４）内の樹脂を加圧するとき、弾性仕切部材７６の先端面７６ａを基板面１ａに弾性押圧することにより、弾性仕切部材７６の高さを分割樹脂成形体の厚さ９０に設定することができるように構成されている。
例えば、実施例４において、仕切部材７６の高さ７８を、即ち、キャビティ底面７４ｂと仕切部材７６の先端面７６ａとの間を、分割樹脂成形体３（樹脂成形体３３）の或る特定範囲の厚さの最大値９０に、キャビティ底面部材７５における必要最小限の弾性移動距離８８を加えた距離（長さ）７８とすることができる。
即ち、実施例４においては、設計或いは成形上の変更が生じた場合において、例えば、分割樹脂成形体における厚さが或る特定範囲で変更になったときに、仕切部材７６を交換する必要がなくなるものである。
従って、実施例４において、或る特定範囲内ではあるが、分割樹脂成形体３における厚さに変更があったとしても、実施例４に係る弾性仕切部材７６にて対応することができるように構成されている。
【００８８】
例えば、分割樹脂成形体３における厚さが或る特定範囲の最大値９０である場合、上型７２と下型７３とを型締めすると共に、キャビティ底面部材７５を所要の移動距離（必要最小限の移動距離８９と必要最小限の弾性移動距離８８とを含む）で上動させることにより、下型７３の型面を基板面１ａに押圧し、弾性仕切部材７６の先端面７６ａを基板面１ａに押圧することができる。
このとき、弾性仕切部材７６の先端面７６ａは基板面１ａに押圧されて下型キャビティ７４内を相対的に下動することになる。
また、例えば、分割樹脂成形体３における厚さが或る特定範囲の最小値である場合においても、基板面１ａにて弾性仕切部材７６の先端面７６ａは押圧されることになる。
【００８９】
（実施例４に係る半導体チップの圧縮成形方法について）
即ち、実施例４に係る金型７１（上型７２、下型７３）を用いて、実施例１〜３と同様に、離型フィルム８を被覆した下型大キャビティ７４（分割キャビティ７７）内に平坦化した顆粒樹脂１２を供給する。
このとき、下型キャビティ７４の底面７４ｂの全面、即ち、分割キャビティ７７の底面７７ａと仕切部材７６の先端面７６ａとに平坦化した顆粒樹脂１２をそのままの状態で落下させ一括して供給することができる。
このため、離型フィルム８を介してキャビティ底面７４ｂの全面（分割キャビティの底面７７ａと仕切部材７６の先端面７６ａ）に顆粒樹脂１２を被覆させた状態で供給することができる。
【００９０】
次に、下型キャビティ７４内（分割キャビティ底面７７ａを含む）の樹脂を加熱して溶融化し、金型７１（上型７２、下型７３）を型締めする。
このとき、基板面１ａに下型７３の型面を押圧して先押さえすることができる。
次に、キャビティ底面部材７５を必要最小限の移動距離８９で上動させ、更に、キャビティ底面部材７５を必要最小限の弾性移動距離８８で移動させることにより、大キャビティ７４(分割キャビティ７７)内の樹脂を所要の加圧力にて加圧する。
従って、分割キャビティ７７内で分割キャビティ７７の形状に対応した分割樹脂成形体３内に所要複数個の半導体チップ２を一括して圧縮成形（樹脂封止成形）して成形済基板４を形成することができる。
このとき、下型キャビティ７４内で圧縮成形された樹脂成形体３３に仕切部材７６の先端部７６ｃ側（先端面７６ａを含む）の形状に対応した溝部（凹部）２８が形成され、隣接する分割樹脂成形体３間に溝部２８が位置することになる。
従って、このとき、金型７１（上型７２、下型７３）を型開きすることにより、下型キャビティ７４から成形済基板４における所要数の分割樹脂成形体３を離型することができる。
【００９１】
（実施例４における作用効果について）
実施例４によれば、実施例１〜３と同様の作用効果を得ることができる。
実施例４によれば、実施例１〜３と同様に、基板１に装着した半導体チップ２を分割樹脂成形体３内に圧縮成形すると共に、隣接する分割樹脂成形体３の間に仕切部材７６に対応した溝部２８を形成することができるので、成形済基板４に発生する反りを効率良く防止することができる。
【００９２】
また、実施例４によれば、実施例１〜３と同様に、樹脂連通路９１にて隣接する分割キャビティ７７内における樹脂量の過不足を調整することができる。
また、実施例４によれば、実施例１〜３と同様に、樹脂材料供給機構（１１）にて、平坦化した顆粒樹脂１２を下型キャビティ７４の底面７４ｂ全面に被覆した状態で供給することができる。
従って、実施例４においては、実施例１〜３と同様に、従来例に示すような分割キャビティ内に各別に顆粒樹脂を供給する必要はなくなるため、樹脂材料供給手段を含む装置の製作コストを効率良く低減することができ、樹脂材料の供給時間を効率良く短縮化することができる。
また、前述した装置の製作コストの低減と、樹脂材料の供給時間の短縮化とにて、成形済基板４の生産性を効率良く向上させることができる。
また、実施例４においては、キャビティ底面部材７５を所要の移動距離（必要最小限の移動距離８９と必要最小限の弾性移動距離８８と）にて上動させる構成である。
また、実施例４によれば、キャビティ底面部材７５に対して弾性仕切部材７６が必要最小限の移動距離８８しか摺動しないため、分割キャビティ７７内に吸着して被覆した離型フィルム８が緩むことを効率良く防止することができる
従って、実施例４において、実施例１〜３と同様に、離型フィルム８のしわを効率良く防止することができる。
【００９３】
また、実施例４は、キャビティ底面部材７５に装設した仕切部材７６を弾性機構（圧縮スプリング、皿ばね）にて上方向に弾性付勢する構成である。
従って、キャビティ底面部材７５に対して弾性仕切部材７６を弾性上下摺動することができるように構成されている。
例えば、上方向に弾性付勢された仕切部材７６の先端面７６ａを下方に加圧した場合、仕切部材７６の弾性付勢力に逆らって仕切部材（先端面）を下方向に弾性移動させることができるように構成されている。
また、或る特定範囲ではあるが、多種の分割樹脂成形体３の厚さに対応して、基板１に装着した半導体チップ２を圧縮成形して成形済基板４（製品）を形成する場合、弾性上下動する仕切部材７６を交換することなく、異なる分割樹脂成形体３の厚さに対応することができる。
例えば、弾性仕切部材７６の高さ７８を、分割樹脂成形体３の厚さの或る特定範囲における最大値９０に必要最小限度の弾性移動距離８８を加えた距離（長さ７８）に構成することができる。
即ち、或る特定範囲における最大値９０（最小値）となる厚さを有する分割樹脂成形体３を圧縮成形する場合において、キャビティ底面部材７５で樹脂（１２）を加圧するときに、キャビティ底面部材７５をその移動距離８９、８８にて移動させることにより、基板面１ａに弾性仕切部材７６の先端面７６ａを弾性押圧することができる。
即ち、実施例４によれば、（弾性）仕切部材７６を交換することなく、異なる分割樹脂成形体３の厚さに効率良く対応することができる。
【００９４】
また、従来、仕切部材７６(キャビティ底面部材７５或いは従来例に示すキャビティブロックを含む)を交換するために金型を分解した場合、金型の交換のために金型温度を下げてまた上げる必要があり、更に、金型温度を安定化させることが必要になるなど、それらの時間が長時間になっていた。
しかしながら、本発明によれば、弾性移動する仕切部材を装設したキャビティ底面部材を用いる構成であるため、金型を分解する必要はなくなるので、金型温度を安定化させる時間なども不要となり、金型で圧縮成形される成形済基板の生産性を効率良く向上させることができる。
また、例えば、前述した厚さの異なる成形済基板４（分割樹脂成形体３）を圧縮成形する場合に、仕切部材７６を装設したキャビティ底面部材７５を、前述した厚さの異なる分割樹脂成形体３に対応して、多数個、製作する必要がないので、成形済基板４（分割樹脂成形体）の生産性を効率良く向上させることができる。
【００９５】
また、実施例４において、キャビティ底面部材７５における必要最小限の移動距離８９を採用しなくても良い。
この場合、金型７１（上型７２、下型７３）を型締めしたとき、即ち、下型７３の型面で上型７２の基板１を押圧したとき、弾性仕切部材７６の先端面７６ａは基板面１ａに当接（或いは押圧）することになる。
また、更に、弾性仕切部材７６の先端面７６ａを基板面１ａに押圧した状態で、キャビティ底面部材７５を上動させて分割キャビティ７７内の樹脂を加圧することにより、弾性仕切部材７６の高さを分割樹脂成形体の厚さに設定することができる。
なお、この場合、下型キャビティ７４内に顆粒樹脂１２を下型キャビティ底面７４ｂの全面に被覆した状態で供給しても良いし、また、分割キャビティ７７内に各別に所要量の顆粒樹脂１２を供給してもよい。
【実施例５】
【００９６】
次に、図１７（１）〜（４）、図１８（１）〜（４）を用いて、実施例５を詳細に説明する。
また、図１７（１）〜（４）、図１８（１）〜（４）に示す図例は、実施例２に示される金型４１（仕切部材４６）にて圧縮成形される樹脂成形体５６（分割樹脂成形体４８）に形成される平面形状が長孔状となる溝部の形状の例を示している。
なお、実施例２に示される金型４１にて、図１３（２）に示す成形済基板４９が形成され、溝部５７（底面５７ａを含む）の形状は仕切部材４６の先端部４６ｃ（先端面４６ａ）の形状が転写されるものであり、実施例５においても実施例２と同様である。
また、実施例５において、前記した各実施例と同様の作用効果を得ることができる。
【００９７】
即ち、図１７（１）において、基板１に形成された樹脂成形体５６（分割樹脂成形体４８）の溝部１０１の形状は台形状にて形成されている。
また、図１７（２）において、溝部１０２の形状は端面半楕円形状を有する台形状にて形成されている。
また、図１７（３）において、溝部１０３の形状は端面テーパ形状を有する台形状にて形成されている。
また、図１７（４）において、溝部１０４の形状は端面楔形状を有する台形状にて形成されている。
【００９８】
また、図１８（１）において、溝部１０５の形状はＶ字状にて形成されている。
また、図１８（２）において、溝部１０６の形状は丸底状（かまぼこ状）にて形成されている。
また、図１８（３）においては、樹脂成形体５６（分割樹脂成形体４８）に幅が細い溝部１０７が設けられて形成されている。
また、図１８（４）においては、図１７（１）と同じ溝部形状の台形状の溝部１０８を２個、1列にて形成されている。
【００９９】
また、前述した溝部１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０５、１０７、１０８の外両側には樹脂連通路５２内で硬化した連通樹脂部５４が形成されている。
また、実施例２と同様に、実施例５において、成形済基板４９における樹脂成形体５６（４８）に形成される溝部（凹部）１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０５、１０７、１０８にて、成形済基板４９に発生する反りを効率良く防止することができるものである。
【実施例６】
【０１００】
次に、図１９（１）〜（２）を用いて、実施例６を詳細に説明する。
実施例６は、実施例１〜３、３に示す仕切部材（２１、４６，７６）の先端部（先端面）の形状の例であって、仕切部材の先端面に樹脂連通路を設けた構成である。
なお、実施例６において、前記した各実施例と同様の作用効果を得ることができる。
【０１０１】
即ち、図１９（１）には、仕切部材１１１が示されると共に、仕切部材１１１の先端面１１１ａに薄層状の樹脂連通路（フィンゲート）１１２を設けた構成である。
また、図１９（２）には、仕切部材１１３が示されると共に、仕切部材１１３の先端面１１３ａに矩形状の樹脂連通路（スルーゲート）１１４（図例では２個）を設けた構成である。
また、実施例６において、前記した各実施例と同様に、樹脂連通路１１２、１１４内で硬化した樹脂は連通樹脂部となる。
また、実施例６において、前記した各実施例と同様に、仕切部材１１１、１１３にて形成される溝部（凹部）にて、成形済基板４、４９に発生する反りを効率良く防止することができるものである。
なお、図１９（１）に示す薄層状の樹脂連通路（フィンゲート）１１２の通路の厚さを１００μｍ以下とすることができる。
【実施例７】
【０１０２】
次に、図２０（１）〜（２）を用いて、実施例７を詳細に説明する。
実施例７は、成形済基板に発生する反りを効率良く防止するために、樹脂成形体に反り防止用の凹部を設ける例である。
即ち、実施例７において、樹脂成形体に凹部を形成することにより、この凹部にて成形済基板に発生する反る力を緩和させることができるので、成形済基板に発生する反りを効率良く防止することができる。
【０１０３】
図２０（１）は、基板１に装着した半導体チップ（２）を圧縮成形した樹脂成形体１１５を有する成形済基板１１６の樹脂成形体１１５に、反り防止用の凹部として、Ｖ字溝部１１７を形成する構成である。
図２０（１）に示す図例では、樹脂成形体１１５に、基板１の長辺方向と短辺方向とに各別に沿って反り防止用のＶ字溝部（凹部）１１７が形成されることにより、基板１上にＶ字溝部１１７にて所要数の個別樹脂成形体１１８がマトリックス型に配置されて構成されている。
従って、図２０（１）に示す実施例（反り防止用のＶ字溝部１１７にて）にて、成形済基板１１６に発生する反りを効率良く防止することができる。
【０１０４】
図２０（２）は、基板１に装着した半導体チップ（２）を圧縮成形した樹脂成形体１１９を有する成形済基板１２０の樹脂成形体１１９に、反り防止用の凹部として、所要数の（ディンプル状の）小凹部１２１を形成する構成である。
図２０（２）に示す図例では、樹脂成形体に、反り防止用の（ディンプル状の）小凹部１２１を適宜な位置に配置して構成されている。
従って、図２０（２）に示す実施例（反り防止用の小凹部１２１にて）にて、成形済基板１２０に発生する反りを効率良く防止することができる。
【実施例８】
【０１０５】
次に、図２０（３）、図２１（１）〜（３）を用いて、実施例８を詳細に説明する。
実施例８は、成形済基板に発生する反りを効率良く防止するために、樹脂成形体に反り防止用の凸部を設ける例である。
即ち、実施例８において、樹脂成形体に反り防止用の凸部を形成することにより、成形済基板に発生する基板を反り返させる力に対抗する力を、反り防止用の凸部にて補強することができる。
従って、この補強用の凹部にて、成形済基板に発生する反りを効率良く防止することができる。
【０１０６】
図２０（３）は、基板１に装着した半導体チップ（２）を圧縮成形した樹脂成形体１２２を有する成形済基板１２３の樹脂成形体１２２に、反り防止用の凸部として、所要数の（ディンプル状の）小凸部１２４を形成する構成である。
図２０（３）に示す図例では、樹脂成形体１２２に、反り防止用の（ディンプル状の）小凸部１２４を適宜な位置に配置して構成されている。
従って、図２０（３）に示す実施例（反り防止用の小凸部１２４にて）にて、成形済基板１２３に発生する反りを効率良く防止することができる。
【０１０７】
図２１（１）は、基板１に装着した半導体チップ（２）を圧縮成形した樹脂成形体１２５を有する成形済基板１２６の樹脂成形体１２５に、反り防止用の凸部として、リブを形成する構成である。
図２１（１）に示す図例では、樹脂成形体１２５の天面における基板１の長辺方向の縁に沿って長辺縁リブが１２７設けられて構成されている。
従って、図２１（１）に示す実施例（反り防止用の長辺縁リブ１２７にて）にて、成形済基板１２６に発生する反りを効率良く防止することができる。
【０１０８】
図２１（２）は、基板１に装着した半導体チップ（２）を圧縮成形した樹脂成形体１２８を有する成形済基板１２９の樹脂成形体１２８に、反り防止用の凸部として、リブを形成する構成である。
図２１（２）に示す図例では、樹脂成形体１２８の天面における基板１の長辺方向及び短辺方向を含む外周縁に沿って、外周縁リブ１３０が設けられて構成されている。
従って、図２１（１）に示す実施例（反り防止用の外周縁リブ１３０にて）にて、成形済基板１２９に発生する反りを効率良く防止することができる。
【０１０９】
図２１（３）は、基板１に装着した半導体チップ（２）を圧縮成形した樹脂成形体１３１を有する成形済基板１３２の樹脂成形体１３１に、反り防止用の凸部として、リブを形成する構成である。
図２１（３）に示す図例では、樹脂成形体１３１の側面に所要数の小片リブ１３３が設けられて構成されている。
従って、図２１（３）に示す実施例（反り防止用の小片リブ１３３にて）にて、成形済基板１３２に発生する反りを効率良く防止することができる。
【０１１０】
また、本発明は、前述した実施例に限定されるものでなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必要に応じて、任意に且つ適宜に変更し選択して採用することができる。
【０１１１】
また、本発明においては、樹脂材料が供給される下型キャビティ（分割キャビティ）の深さについて、本発明（各実施例）の趣旨にしたがい、分割樹脂成形体（製品）の厚さ、キャビティ内に供給される樹脂材料のかさ（体積）、キャビティ底面部材（仕切部材）の必要最小限の移動距離、キャビティ底面部材（弾性仕切部材）の必要最小限の弾性移動距離などを勘案して任意に設定することができる。
【０１１２】
また、前記した各実施例において、大型基板を用いることができる。
例えば、大きさが短辺７０mm以上で長辺２５０ｍｍ以上である基板を用いることができる。
【０１１３】
また、前記した各実施例において、熱硬化性の樹脂材料を用いて説明したが、熱可塑性の樹脂材料を用いても良い。
【０１１４】
また、前記した各実施例において、例えば、顆粒状の樹脂材料（顆粒樹脂）、液状の樹脂材料（液状樹脂）、所要の粒径分布を有するパウダー状の樹脂材料（パウダー樹脂）、粉末状の樹脂材料（粉末樹脂）、ペースト状の樹脂材料（ペースト樹脂）、タブレット状の樹脂材料（タブレット樹脂）などの種々の形状の樹脂材料を採用することができる。
【０１１５】
また、前記した各実施例において、例えば、シリコン系の樹脂材料（シリコーン樹脂）、エポキシ系の樹脂材料（エポキシ樹脂）を用いることができる。
【０１１６】
また、前記した各実施例において、透明性を有する樹脂材料、半透明性を有する樹脂材料、燐光物資、蛍光物質を含む樹脂材料など種々の樹脂材料を用いることができる。
【０１１７】
また、前記した各実施例において、顆粒樹脂を例に挙げて説明したが、シリコーン樹脂などの液状樹脂（流動性を有する樹脂）を用いることができる。
即ち、まず、下型キャビティ内でシリコーン樹脂などの液状樹脂（流動性を有する樹脂）を加熱すると共に、下型キャビティ内で加熱した流動性を有する樹脂（溶融樹脂）中に基板に装着した半導体チップを浸漬して下型キャビティ内の樹脂をキャビティ底面部材で加圧することになる。
従って、次に、下型キャビティ内の樹脂を硬化させて基板上の半導体チップを下型キャビティの形状に対応した樹脂成形体（固化樹脂）内に圧縮成形し、成形済基板を得ることができる。
【０１１８】
また、前記した各実施例において、まず、外気遮断状態にある下型キャビティ（分割キャビティ）内の空気を真空ポンプ等の強制排気手段にて強制的に排出することにより、下型キャビティ（分割キャビティ）内を所要の真空度に設定する（所謂、真空成形）。
次に、下型キャビティ（分割キャビティ）内で加熱した溶融樹脂（流動性樹脂）を加圧することにより、基板に装着した半導体チップを樹脂成形体（硬化樹脂）に圧縮成形して成形済基板（樹脂成形体）を得ることができる。
【０１１９】
また、前記した各実施例において、離型フィルム（８）として、予め切断した離型フィルム（１枚のプリカットした離型フィルム）を用いることができる。
即ち、まず、予め切断した離型フィルム（１枚のプリカットした離型フィルム）に、貫通孔を有するフレームを載置すると共に、フレームの樹脂供給凹部（貫通孔）に樹脂材料、例えば、顆粒樹脂を供給して平坦化させる。
次に、この状態で、上型と下型との間に、平坦化した顆粒樹脂（プリカット離型フィルムとフレームを含む）を進入させて、下型キャビティ（キャビティ開口部）上に離型フィルムを介してフレーム樹脂供給凹部を載置させ、平坦化した顆粒樹脂を離型フィルムごと落下させることにより、下型キャビティ（分割キャビティ）内に離型フィルムを被覆させる。
従って、離型フィルムを被覆した下型キャビティ（分割キャビティ）内に、平坦化した顆粒樹脂を被覆した状態で一括して供給することができる。
このため、前記した各実施例と同様に、プリカットした離型フィルムを被覆した下型キャビティ（分割キャビティ）内で基板に装着した半導体チップを圧縮成形することができる。
【０１２０】
また、前記した各実施例において、キャビティ底面部材に装設した仕切部材にて形成される分割キャビティ内に、樹脂材料（顆粒樹脂など）を各別に供給することができる。
この場合、分割キャビティ内で加熱された溶融樹脂（流動性を有する樹脂）は概ね分割キャビティ内でわずかに流動するため、溶融樹脂中に浸漬されるワイヤ（基板と半導体チップとを電気的に接続するもの）に損傷や断線、また、ワイヤ流れを引く起こすことを効率良く防止することができる。
従って、封止済基板の所要個所を切断して形成される個片の電気的特性を効率良く向上させることができる。
【０１２１】
なお、前記した各実施例において、分割樹脂成形体３（樹脂成形体３３）の厚さ（仕切部材の高さ）は、例えば、１．０ｍｍ以下とすることができる。
また、必要最小限の移動距離２４，８８は、或いは、必要最小限の弾性移動距離８８は、任意であるが、例えば、０．２ｍｍ以下とすることができる。
例えば、前記した各実施例において、分割樹脂成形体の厚さを０．７ｍｍ、必要最小限の移動距離２４、８９を０．１ｍｍとしても良い。
また、弾性移動する仕切部材の高さを、例えば、前記した分割樹脂成形体（樹脂成形体）の厚さの最大値、１．０ｍｍに必要最小限の弾性移動距離０．１ｍｍを加えた高さに設定することができる。
また、例えば、分割樹脂成形体３、３３の厚さ（２４）０．７ｍｍの３倍は、２．１ｍｍである。
【符号の説明】
【０１２２】
１ 基板
１ａ 半導体チップ装着面
２ 半導体チップ
３ 分割樹脂成形体
４ 成形済基板
５ 半導体チップの圧縮成形用金型（半導体チップの圧縮成形型）
６ 上型
７ 下型
８ 離型フィルム
９ 基板セット部
１０ 大キャビティ
１０ａ キャビティ開口部
１０ｂ キャビティ底面
１０ｃ キャビティ側面
１１ 樹脂材料供給手段
１２ 顆粒樹脂（顆粒状の樹脂材料）
１３ 溶融樹脂
１４ 貫通孔
１４ａ 下部開口部
１４ｂ 上部開口部
１５ フレーム
１６ シャッタ板
１７ 樹脂供給部
１８ キャビティ底面部材
１９ 加圧手段
２０ 摺動孔（摺動部）
２１ 仕切部材
２１ａ 先端面（仕切面）
２１ｂ 基端部
２１ｃ 先端部
２２ 分割キャビティ
２２ａ 分割キャビティ底面
２３ 距離（仕切部材の高さ、分割樹脂成形体の厚さ）
２４ 距離（キャビティ底面部材の移動距離）
２８ 溝部
２８ａ 溝部の底面
２９ 上部キャビティ底面部材（キャビティブロック）
３０ 下部キャビティ底面部材（ベース部材）
３１ 嵌合部
３２ 係止部材
３３ 樹脂成形体
３４ 圧縮スプリング
３５ 樹脂連通路（スルーゲート）
３６ 連通樹脂部（硬化樹脂）
４１ 半導体チップの圧縮成形用金型（半導体チップの圧縮成形型）
４２ 上型
４３ 下型
４４ 大キャビティ
４４ａ キャビティ開口部
４４ｂ キャビティ底面
４４ｃ キャビティ側面
４５ キャビティ底面部材
４６ 仕切部材
４６ａ 先端面（仕切面）
４６ｂ 基端部
４６ｃ 先端部
４７ 分割キャビティ
４７ａ 分割キャビティ底面
４８ 分割樹脂成形体
４９ 成形済基板
５０ 距離
５１ 距離
５２ 樹脂連通路（スルーゲート）
５３ 摺動孔
５４ 連通樹脂部（硬化樹脂）
５６ 樹脂成形体（大キャビティ）
５７ 溝部
５７ａ 溝部の底面
５８ 上部キャビティ底面部材
５９ 下部キャビティ底面部材
６０ 嵌合部
６１ 係止部材
７１ 半導体チップの圧縮成形用金型（半導体チップの圧縮成形型）
７２ 上型
７３ 下型
７４ 大キャビティ
７４ａ キャビティ開口部
７４ｂ キャビティ底面
７４ｃ キャビティ側面
７５ キャビティ底面部材
７６ 仕切部材（弾性仕切部材）
７６ａ 先端面
７６ｂ 基端部
７６ｃ 先端部
７６ｄ 係合凹部
７７ 分割キャビティ
７７ａ 分割キャビティ底面
７８ 距離
８０ 上部キャビティ底面部材
８１ 下部キャビティ底面部材
８２ 弾性摺動孔
８２ａ 上部開口部
８２ｂ 下部開口部
８２ｃ 係止部
８３ 弾性機構
８４ 上部板
８５ 下部板
８６ 弾性部材
８７ ボルト部材
８７ａ 下部先端
８７ｂ 係合凸部（ボルト頭）
８８ 距離
９０ 距離
９１ 樹脂連通路
１０１ 溝部
１０２ 溝部
１０３ 溝部
１０４ 溝部
１０５ 溝部
１０６ 溝部
１０７ 溝部
１０８ 溝部
１１１ 仕切部材
１１１ａ 先端面
１１２ 樹脂連通路
１１３ 仕切部材
１１３ａ 先端面
１１４ 樹脂連通路
１１５ 樹脂成形体
１１６ 成形済基板
１１７ Ｖ字溝
１１８ 個別樹脂成形体
１１９ 樹脂成形体
１２０ 成形済基板
１２１ 小凹部
１２２ 樹脂成形体
１２３ 成形済基板
１２４ 小凸部
１２５ 樹脂成形体
１２６ 成形済基板
１２７ 長辺縁リブ
１２８ 樹脂成形体
１２９ 成形済基板
１３０ 外周縁リブ
１３１ 樹脂成形体
１３２ 成形済基板
１３３ 小片リブ
１４１ キャビティ底面部材
１４２ 仕切部材
１４２ａ 先端面
１４２ｂ 基端部
１４２ｃ 先端部
１４２ｄ キャビティ底面相当部
１４３ 上部キャビティ底面部材
１４４ 下部キャビティ底面部材
１４５ キャビティ底面
１４６ 嵌合孔（嵌合部）
１４６ａ 係止部
１４６ｂ 開口部
１４７ ボルト部材
１４７ａ 先端部
１４７ｂ 基端部（ボルト頭）
１４８ 挿通孔
１４８ａ 係止部
１４８ｂ 開口部
１４９ 挿通孔
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの圧縮成形型を用いて、前記圧縮成形型に設けたキャビティに離型フィルムを被覆すると共に、前記離型フィルムを被覆したキャビティ内に樹脂材料を供給して加熱し、前記成形型を型締めすることにより前記キャビティ内の樹脂に基板に装着した半導体チップを浸漬すると共に、前記キャビティ内の樹脂をキャビティ底面部材で加圧することにより、前記半導体チップを前記キャビティの形状に対応し且つ所要の厚さを有する樹脂成形体内に圧縮成形する半導体チップの圧縮成形方法であって、
前記キャビティ内を仕切って分割キャビティを形成する仕切部材を用意する工程と、
前記仕切部材における前記キャビティ底面からの高さを前記樹脂成形体の所要の厚さと同じ長さに設定する工程と、
前記仕切部材を前記キャビティ底面部材に対して着脱自在に装設する工程と、
前記キャビティに前記分割キャビティ内に供給された樹脂量を調整する樹脂連通路を設ける工程と、
前記キャビティ内に平坦化した樹脂材料をキャビティ底面の全面に一括して供給する工程と、
前記キャビティ底面部材にて前記キャビティ内の樹脂を加圧する工程と、
前記キャビティ内の樹脂を前記キャビティ底面部材で加圧したときに、前記した基板面に前記仕切部材の先端面を押圧する工程と、
前記した基板面に前記仕切部材の先端面を押圧したときに、前記樹脂連通路で前記分割キャビティ内の樹脂量を調整する工程と、
前記した基板面に前記仕切部材の先端面を押圧したときに、前記キャビティ内で圧縮成形される樹脂成形体に前記仕切部材の形状に対応した溝部を形成する工程と、
前記半導体チップを前記分割キャビティの形状に対応した分割樹脂成形体内に圧縮成形する工程とを備えたことを特徴とする半導体チップの圧縮成形方法。
【請求項２】
半導体チップの圧縮成形型を用いて、前記圧縮成形型に設けたキャビティに離型フィルムを被覆すると共に、前記離型フィルムを被覆したキャビティ内に樹脂材料を供給して加熱し、前記成形型を型締めすることにより前記キャビティ内の樹脂に基板に装着した半導体チップを浸漬すると共に、前記キャビティ内の樹脂をキャビティ底面部材で加圧することにより、前記半導体チップを前記キャビティの形状に対応し且つ所要の厚さを有する樹脂成形体内に圧縮成形する半導体チップの圧縮成形方法であって、
前記キャビティ内を仕切って分割キャビティを形成する仕切部材を用意する工程と、
前記仕切部材を前記キャビティ内方向に弾性付勢した状態で、前記仕切部材を前記キャビティ底面部材に装設する工程と、
前記仕切部材におけるキャビティ底面からの高さを、前記キャビティ底面部材にて加圧するときに前記仕切部材の先端面が前記基板面を弾性押圧するように当該高さを設定する工程と、
前記キャビティに前記分割キャビティ内に供給された樹脂量を調整する樹脂連通路を設ける工程と、
前記キャビティ内に平坦化した樹脂材料をキャビティ底面の全面に一括して供給する工程と、
前記キャビティ内の樹脂を前記キャビティ底面部材で加圧したときに、前記した基板面に前記仕切部材の先端面を弾性押圧する工程と、
前記した基板面に前記仕切部材の先端面を弾性押圧したときに、前記樹脂連通路で前記分割キャビティ内の樹脂量を調整する工程と、
前記した基板面に前記仕切部材の先端面を弾性押圧したときに、前記キャビティ内で圧縮成形される樹脂成形体に前記仕切部材の形状に対応した溝部を形成する工程と、
前記半導体チップを前記分割キャビティの形状に対応した分割樹脂成形体内に圧縮成形する工程とを備えたことを特徴とする半導体チップの圧縮成形方法。
【請求項３】
仕切部材で仕切って形成された分割キャビティ内に樹脂材料を各別に供給する工程を含むことを特徴とする請求項１にまたは請求項２に記載の半導体チップの圧縮成形方法。
【請求項４】
半導体チップの圧縮成形型に設けられ且つ上方側に開口したにキャビティ開口部を有する圧縮成形用のキャビティと、前記キャビティ開口部の上方位置に設けられ且つ半導体チップを装着した基板における半導体チップ側を下方に向けた状態で供給セットする基板セット部と、前記キャビティ内に被覆される離型フィルムと、前記離型フィルムを被覆したキャビティ内に供給される樹脂材料と、前記キャビティ内の樹脂材料を加熱する加熱手段と、前記基板とキャビティとを閉じ合わせることにより前記キャビティ内の樹脂に前記基板に装着した半導体チップを浸漬する型締機構と、前記キャビティ内の樹脂をキャビティ底面側から加圧するキャビティ底面部材とを備えた半導体チップの圧縮成形型であって、前記キャビティ底面における所要個所に設けられ且つ前記キャビティを仕切って分割キャビティを形成する仕切部材と、前記分割キャビティ内に供給された樹脂量を調整する樹脂連通路と、前記仕切部材のキャビティ底面からの高さを前記樹脂成形体の所要の厚さと同じ長さに設定すると共に、前記樹脂成形体の所要の厚さに対応して前記仕切部材を前記したキャビティ底面部材に対して着脱自在に構成したことを特徴とする半導体チップの圧縮成形型。
【請求項５】
半導体チップの圧縮成形型に設けられ且つ上方側に開口したにキャビティ開口部を有する圧縮成形用のキャビティと、前記キャビティ開口部の上方位置に設けられ且つ半導体チップを装着した基板における半導体チップ側を下方に向けた状態で供給セットする基板セット部と、前記キャビティ内に被覆される離型フィルムと、前記離型フィルムを被覆したキャビティ内に供給される樹脂材料と、前記キャビティ内の樹脂材料を加熱する加熱手段と、前記基板とキャビティとを閉じ合わせることにより前記キャビティ内の樹脂に前記基板に装着した半導体チップを浸漬する型締機構と、前記キャビティ内の樹脂をキャビティ底面側から加圧するキャビティ底面部材とを備えた半導体チップの圧縮成形型であって、前記キャビティ底面における所要個所に前記キャビティを仕切って分割キャビティを形成する仕切部材と、前記分割キャビティ内に供給された樹脂量を調整する樹脂連通路と、前記キャビティ底面部材に前記仕切部材を型面方向に弾性付勢する弾性機構を設けると共に、前記仕切部材のキャビティ底面からの高さを、前記キャビティ底面部材にて加圧するときに前記仕切部材の先端面が前記基板面を押圧するように当該高さを設定することを特徴とする半導体チップの圧縮成形型。
【請求項６】
仕切部材の先端面に設けられる樹脂連通路が、薄層状の樹脂連通路であることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の半導体チップの圧縮成形型。
【請求項１】
半導体チップの圧縮成形型を用いて、前記圧縮成形型に設けたキャビティに離型フィルムを被覆すると共に、前記離型フィルムを被覆したキャビティ内に樹脂材料を供給して加熱し、前記成形型を型締めすることにより前記キャビティ内の樹脂に基板に装着した半導体チップを浸漬すると共に、前記キャビティ内の樹脂をキャビティ底面部材で加圧することにより、前記半導体チップを前記キャビティの形状に対応し且つ所要の厚さを有する樹脂成形体内に圧縮成形する半導体チップの圧縮成形方法であって、
前記キャビティ内を仕切って分割キャビティを形成する仕切部材を用意する工程と、
前記仕切部材における前記キャビティ底面からの高さを前記樹脂成形体の所要の厚さと同じ長さに設定する工程と、
前記仕切部材を前記キャビティ底面部材に対して着脱自在に装設する工程と、
前記キャビティに前記分割キャビティ内に供給された樹脂量を調整する樹脂連通路を設ける工程と、
前記キャビティ内に平坦化した樹脂材料をキャビティ底面の全面に一括して供給する工程と、
前記キャビティ底面部材にて前記キャビティ内の樹脂を加圧する工程と、
前記キャビティ内の樹脂を前記キャビティ底面部材で加圧したときに、前記した基板面に前記仕切部材の先端面を押圧する工程と、
前記した基板面に前記仕切部材の先端面を押圧したときに、前記樹脂連通路で前記分割キャビティ内の樹脂量を調整する工程と、
前記した基板面に前記仕切部材の先端面を押圧したときに、前記キャビティ内で圧縮成形される樹脂成形体に前記仕切部材の形状に対応した溝部を形成する工程と、
前記半導体チップを前記分割キャビティの形状に対応した分割樹脂成形体内に圧縮成形する工程とを備えたことを特徴とする半導体チップの圧縮成形方法。
【請求項２】
半導体チップの圧縮成形型を用いて、前記圧縮成形型に設けたキャビティに離型フィルムを被覆すると共に、前記離型フィルムを被覆したキャビティ内に樹脂材料を供給して加熱し、前記成形型を型締めすることにより前記キャビティ内の樹脂に基板に装着した半導体チップを浸漬すると共に、前記キャビティ内の樹脂をキャビティ底面部材で加圧することにより、前記半導体チップを前記キャビティの形状に対応し且つ所要の厚さを有する樹脂成形体内に圧縮成形する半導体チップの圧縮成形方法であって、
前記キャビティ内を仕切って分割キャビティを形成する仕切部材を用意する工程と、
前記仕切部材を前記キャビティ内方向に弾性付勢した状態で、前記仕切部材を前記キャビティ底面部材に装設する工程と、
前記仕切部材におけるキャビティ底面からの高さを、前記キャビティ底面部材にて加圧するときに前記仕切部材の先端面が前記基板面を弾性押圧するように当該高さを設定する工程と、
前記キャビティに前記分割キャビティ内に供給された樹脂量を調整する樹脂連通路を設ける工程と、
前記キャビティ内に平坦化した樹脂材料をキャビティ底面の全面に一括して供給する工程と、
前記キャビティ内の樹脂を前記キャビティ底面部材で加圧したときに、前記した基板面に前記仕切部材の先端面を弾性押圧する工程と、
前記した基板面に前記仕切部材の先端面を弾性押圧したときに、前記樹脂連通路で前記分割キャビティ内の樹脂量を調整する工程と、
前記した基板面に前記仕切部材の先端面を弾性押圧したときに、前記キャビティ内で圧縮成形される樹脂成形体に前記仕切部材の形状に対応した溝部を形成する工程と、
前記半導体チップを前記分割キャビティの形状に対応した分割樹脂成形体内に圧縮成形する工程とを備えたことを特徴とする半導体チップの圧縮成形方法。
【請求項３】
仕切部材で仕切って形成された分割キャビティ内に樹脂材料を各別に供給する工程を含むことを特徴とする請求項１にまたは請求項２に記載の半導体チップの圧縮成形方法。
【請求項４】
半導体チップの圧縮成形型に設けられ且つ上方側に開口したにキャビティ開口部を有する圧縮成形用のキャビティと、前記キャビティ開口部の上方位置に設けられ且つ半導体チップを装着した基板における半導体チップ側を下方に向けた状態で供給セットする基板セット部と、前記キャビティ内に被覆される離型フィルムと、前記離型フィルムを被覆したキャビティ内に供給される樹脂材料と、前記キャビティ内の樹脂材料を加熱する加熱手段と、前記基板とキャビティとを閉じ合わせることにより前記キャビティ内の樹脂に前記基板に装着した半導体チップを浸漬する型締機構と、前記キャビティ内の樹脂をキャビティ底面側から加圧するキャビティ底面部材とを備えた半導体チップの圧縮成形型であって、前記キャビティ底面における所要個所に設けられ且つ前記キャビティを仕切って分割キャビティを形成する仕切部材と、前記分割キャビティ内に供給された樹脂量を調整する樹脂連通路と、前記仕切部材のキャビティ底面からの高さを前記樹脂成形体の所要の厚さと同じ長さに設定すると共に、前記樹脂成形体の所要の厚さに対応して前記仕切部材を前記したキャビティ底面部材に対して着脱自在に構成したことを特徴とする半導体チップの圧縮成形型。
【請求項５】
半導体チップの圧縮成形型に設けられ且つ上方側に開口したにキャビティ開口部を有する圧縮成形用のキャビティと、前記キャビティ開口部の上方位置に設けられ且つ半導体チップを装着した基板における半導体チップ側を下方に向けた状態で供給セットする基板セット部と、前記キャビティ内に被覆される離型フィルムと、前記離型フィルムを被覆したキャビティ内に供給される樹脂材料と、前記キャビティ内の樹脂材料を加熱する加熱手段と、前記基板とキャビティとを閉じ合わせることにより前記キャビティ内の樹脂に前記基板に装着した半導体チップを浸漬する型締機構と、前記キャビティ内の樹脂をキャビティ底面側から加圧するキャビティ底面部材とを備えた半導体チップの圧縮成形型であって、前記キャビティ底面における所要個所に前記キャビティを仕切って分割キャビティを形成する仕切部材と、前記分割キャビティ内に供給された樹脂量を調整する樹脂連通路と、前記キャビティ底面部材に前記仕切部材を型面方向に弾性付勢する弾性機構を設けると共に、前記仕切部材のキャビティ底面からの高さを、前記キャビティ底面部材にて加圧するときに前記仕切部材の先端面が前記基板面を押圧するように当該高さを設定することを特徴とする半導体チップの圧縮成形型。
【請求項６】
仕切部材の先端面に設けられる樹脂連通路が、薄層状の樹脂連通路であることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の半導体チップの圧縮成形型。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【公開番号】特開２０１２−８１６７８（Ｐ２０１２−８１６７８Ａ）
【公開日】平成２４年４月２６日（２０１２．４．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２３１０９６（Ｐ２０１０−２３１０９６）
【出願日】平成２２年１０月１４日（２０１０．１０．１４）
【出願人】（３９０００２４７３）ＴＯＷＡ株式会社 (192)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月２６日（２０１２．４．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１０月１４日（２０１０．１０．１４）
【出願人】（３９０００２４７３）ＴＯＷＡ株式会社 (192)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]