【課題】半導体集積回路で発生するノイズの伝搬を精度よく解析する。
【解決手段】位置特定部２が、解析対象の半導体集積回路のレイアウト情報ｄ１から、高耐圧素子部において、可変容量として設定する、異なる導電型の領域間の接合部の位置を特定し、モデル作成部３が、レイアウト情報ｄ１及び半導体集積回路の製造条件（プロセスパラメータｄ２）をもとに、ノイズ伝搬路となる配線または基板を、抵抗及び容量を用いてモデル化し、特定された接合部の位置には可変容量を設定する。 （もっと読む）

【課題】電源遮断領域の信号配線の自由度を低下させないで、電源遮断用スイッチから電源遮断領域に至る電圧伝達経路における電圧降下を抑える。
【解決手段】半導体集積回路装置（８０）は、電源遮断用スイッチ（９０）と電源遮断領域（７６３）とが形成された半導体チップ（２２）とを含む。半導体チップは基板（２１）に結合される。上記電源遮断領域の外側に上記電源遮断用スイッチを配置することで、電源遮断領域内の配線チャネル数の低減を回避する。そして上記基板には、上記半導体チップ内から上記電源遮断用スイッチを介して上記半導体チップの外に伝達された電源電圧を再び上記半導体チップ内に伝達して上記電源遮断領域へ給電するための基板側給電路（３０）を形成することで、上記電源遮断用スイッチと上記電源遮断領域との間の電圧降下を抑える。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の設計において、ＥＭ検証結果がＮＧとなる確率を低減する。
【解決手段】半導体集積回路の設計方法は、（Ａ）設計対象回路のネットリスト中のネットに仮の寄生容量及び０個以上の仮の寄生抵抗が付加された寄生ＲＣ付きネットリストを作成するステップと、（Ｂ）寄生ＲＣ付きネットリストを用いて回路シミュレーションを行い、ネットにつながるそれぞれの素子端子の電流である素子端子電流及び仮の寄生容量の電流である寄生容量電流を算出するステップと、（Ｃ）寄生容量電流をそれぞれの素子端子に分配することによって、素子端子電流の値を変更するステップと、（Ｄ）変更後の素子端子電流に基づいて、ネットに関する配線幅制約を算出するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】チップサイズの増大を抑制できる半導体集積回路装置のレイアウト設計方法を提供する。
【解決手段】外部電源電圧が供給される第一電源線と第一電源線にスイッチとなる第二電源ドライバを介して接続される第二電源線とを備えた、ＳＣＲＣ方式を採用した半導体集積回路装置において、第二電源ドライバのレイアウト面積の増大を抑制するために、半導体集積回路装置の全回路を機能別回路に分割し、機能別回路領域毎に、ＳＣＲＣ方式による制御対象の回路であるＳＣＲＣ使用動作回路のトランジスサイズに応じて第二電源ドライバとして用いるＭＯＳトランジスタのサイズを決定する。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗に起因した電圧降下を抑制し、検査工程での誤判定を受けにくい半導体チップおよび半導体ウェハを提供する。更に、配線抵抗に起因した電圧降下を抑制し、検査工程で誤判定を受けにくい半導体チップの検査方法を提供する。
【解決手段】電極パッド領域は、絶縁膜（７）上で一列に配列されたｎ個（ｎ≧３）の電極パッド（４_ｍ−４から４_ｍ＋４）を備える。内部セル領域は、電極パッド領域側に配列されている半導体回路（３_ｌ−３から３_ｌ＋３）にそれぞれ接続された配線（ＶＤＤＬ）をｎ個の電極パッドの配列方向に備える。ｎ個の電極パッドの内、第１の電極パッド（４_ｍ−１）と、第１の電極パッドから１個の電極パッドを隔てた第２の電極パッド（４_ｍ＋１）とが、絶縁膜中で互いに接続され、かつ、配線Ｌ_ｍ−１およびＬ_ｍ＋１によって、配線（ＶＤＤＬ）にそれぞれ接続されている。 （もっと読む）

【課題】占有面積の小さな直線状の電気ヒューズを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】複数の突出部１０ｆは、電気ヒューズ部１０ａの中央位置からずれた位置、より具体的には、ビア１０ｄに近くかつビア１０ｅから遠い位置に設けられている。また、複数の突出部２０ｆは、電気ヒューズ部２０ａの中央位置からずれた位置、より具体的には、ビア２０ｄから遠くかつビア２０ｅに近い位置に設けられている。つまり、突出部１０ｆおよび突出部２０ｆは、ジグザグ状に配置されている。 （もっと読む）

【課題】外部電源電圧が変動した場合でも、安定に動作する半導体装置を実現することが可能なクロックツリー生成方法を提供する。
【解決手段】プログラム５のＣＴＳ部８は、電源領域Ａから電源領域Ｂにクロック信号ＣＬＫ１，ＣＬＫ２を伝達する経路Ｌ１，Ｌ２を設け、電源領域Ａ内の経路Ｌ１，Ｌ２にそれぞれアンカーバッファＢ１，Ｂ２を配置し、遅延回路Ｄ１，Ｄ２を電源領域Ｂ内の経路Ｌ１，Ｌ２にそれぞれ配置し、遅延回路Ｄ３，Ｄ４をアンカーバッファＢ１，Ｂ２の入力ノード側の経路Ｌ１，Ｌ２にそれぞれ配置する。したがって、外部電源電圧ＶＤＤ１，ＶＤＤ２が変動した場合でも、クロック信号ＣＬＫ１，ＣＬＫ２の遅延時間は同じになる。 （もっと読む）

【課題】より多くのＩ／Ｏセルを配置することができるようにする。
【解決手段】多層配線層には、電位供給用接続配線２３０が設けられている。電位供給用接続配線２３０は、平面視で外周セル列２０を構成するＩ／Ｏセル２００のいずれか、および内周セル列３０を構成するＩ／Ｏセル２００のいずれかと重なっている。そして電位供給用接続配線２３０は、外周セル列２０の下方に位置する電源電位供給配線２２２を、内周セル列３０の下方に位置する電源電位供給配線２２２に接続するとともに、外周セル列２０の下方に位置する接地電位供給配線２２４を、内周セル列３０の下方に位置する接地電位供給配線２２４に接続している。 （もっと読む）

【課題】チップ面積を小さくすることのできるレイアウト設計方法を提供する。
【解決手段】レイアウト設計方法は、所定のタイミング制約Ｆ１を満足させるように、セルを配置し、低抵抗配線が形成される第１配線層を使用してセル間のパスの接続配線を形成する処理（ステップＳ２〜Ｓ４）を有する。また、レイアウト設計方法は、タイミング制約Ｆ１を満足させたまま、パスの接続配線のうち、セル間に配置されるバッファ回路によって区切られる複数のステージ中の少なくとも一つのステージに対応する接続配線におけるレシーバ側からの一部を、第１配線層から該第１配線層よりも配線遅延が大きくなる第２配線層に置き換えて形成する配線置換処理（ステップＳ５）を有する。 （もっと読む）

【課題】従来の入出力セルよりも回路面積の大きな入出力セルを面積効率良く配置する。
【解決手段】半導体装置において、複数の第１バッファセル３１〜３４は、基板の一辺に沿って１列に設けられる。複数の第２バッファセル２１，２２は、複数の第１バッファセルよりも基板の中央寄りの位置に、複数の第１バッファセルの配列方向に沿って１列に設けられる。複数の第１パッド８１〜８８は、複数の第１バッファセルの上部に上記配列方向に沿って１列に設けられる。複数の第２パッド６１〜６６は、複数の第１パッドよりも基板の中央寄りの位置に、上記配列方向に沿って１列に設けられる。複数の第２パッド６１〜６６は、各々が、複数の第１バッファセルのいずれか１つと個別に接続される複数の第３のパッド６１，６３，６５，６６と、各々が、複数の第２バッファセルのいずれか１つと個別に接続される複数の第４パッド６２，６４とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の電流による配線破壊箇所の予測方法において、解析時間を短縮する。
【解決手段】下層配線１４Ａ，１４Ｂをそれぞれ一つの直列抵抗で、第１の下層ビア１５Ａ，第２の下層ビア１５Ｂを１個の抵抗で、第１の上層ビア１７Ａ、第２の上層ビア１８Ｂを１個の抵抗で、第１及び第２の上層配線１６Ａ，１６Ｂを抵抗ブリッジ回路で、パワートランジスタＴＲを直列抵抗で、それぞれモデリングしてなる解析モデルをモデリング用計算機により生成する。回路シミュレータ３により、解析モデルにおけるパワートランジスタＴＲに電流を供給し、解析モデルにおける各抵抗に流れる電流に基づいて、第１及び第２の下層配線１４Ａ，１４Ｂ、第１及び第２の上層配線１６Ａ，１６Ｂにおける各抵抗の電流密度を計算し、各抵抗の電流密度と、配線破壊を起こす電流密度閾値とを比較器４により比較することにより、配線破壊箇所を予測する。 （もっと読む）

【課題】微細配線を簡易に低抵抗化する。
【解決手段】実施形態に係わる半導体装置は、第１の方向に積み重ねられる第１乃至第３の半導体層3a,3b,3cを有し、第２の方向に延びるフィン型積層構造を有する。第１のレイヤーセレクトトランジスタTaは、第１のゲート電極10aを有し、第１の半導体層3aでノーマリオン状態である。第２のレイヤーセレクトトランジスタTbは、第２のゲート電極10bを有し、第２の半導体層3bでノーマリオン状態である。第３のレイヤーセレクトトランジスタTcは、第３のゲート電極10cを有し、第３の半導体層3cでノーマリオン状態である。第１の半導体層3aのうちの第１のゲート電極10aにより覆われた領域、第２の半導体層3bのうちの第２のゲート電極10bにより覆われた領域及び第３の半導体層3cのうちの第３のゲート電極10cにより覆われた領域は、それぞれ金属シリサイド化される。 （もっと読む）

【課題】簡易モデルを使用しても、電源ノイズを高精度かつ高速で解析することのできる電源ノイズ解析方法を提供する。
【解決手段】実施形態の電源ノイズ解析方法は、スイッチング部モデル１１と非スイッチング部モデル１２とを備える簡易モデル１を用い、半導体集積回路のトグル率の時間軸上の変化を表すトグル率時系列データを生成するステップと、トグル率時系列データにもとづいて簡易モデル１の容量ＣＬ、Ｃｎｓｗの容量値の時間軸上の変化を表す容量値時系列データを生成するステップと、簡易モデル１および容量値時系列データを用いて電源ノイズの解析を行うステップとを有する。電源ノイズの解析を行うステップは、スイッチング部モデル１１のスイッチＳＷのスイッチング区間ごとに容量値時系列データから該当区間の容量値を取得し、前区間の過渡解析の結果を引き継ぎながら次区間の過渡解析を実行する。 （もっと読む）

【課題】発熱体である抵抗から熱容量の大きいアノード領域への放熱を阻止し、ジュール熱を効率的に抵抗で消費するようにして、電気ヒューズの切断電力の低減化を図る。
【解決手段】絶縁膜５上にポリシリコン層６を形成し、該ポリシリコン層６上の一部に絶縁膜マスクを形成する。次に、該絶縁膜マスク層で被覆された以外のポリシリコン層６上にシリサイド層７を形成する。次にフォトエッチング工程を経てシリサイド層７、ポリシリコン層６をエッチングし、アノード領域１、カソード領域２及びアノード領域１とカソード領域２を接続するリンク領域３からなる電気ヒューズを形成する。電気ヒューズは、アノード領域１とリンク領域３の境界を挟んでリンク領域３方向からアノード領域１の一部に延在する非シリサイド領域を具備する。リンク領域３の非シリサイド領域は高抵抗領域１１を構成し、アノード領域１の非シリサイド領域は熱伝導阻止層１ｂを構成する。 （もっと読む）

【課題】寄生素子を考慮した半導体集積回路の回路シミュレーションにおいて、精度を落とさずにシミュレーション時間を短縮する。
【解決手段】半導体集積回路のレイアウトデータ１１０から寄生素子を含むネットリスト１３０を作成する寄生素子抽出部１２０と、寄生の影響を考慮する必要の無い回路ブロック情報を格納したデータベース部１５０と、データベース部１５０内に登録された回路ブロックが、対象としている半導体集積回路に存在するか否か判定する回路判定部１６０と、同じ回路ブロックが存在すると判定された時に、レイアウトデータ１１０から抽出したネットリスト１３０の中で、同じ回路ブロックと判断された部分のネットリストをネットリスト置換部１８０によって、寄生素子を含まない回路ブロックのネットリスト１３０Ｚに置換することで不要な寄生素子を削除しネットリストを簡素化して、回路シミュレータ１９０で回路シミュレーションを実施する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の電源線および接地線の高抵抗化を抑制する。
【解決手段】第１の方向に延伸された第１の回路セル列及び第２の回路セル列と、第１の方向に延伸され、第１の回路セル列上に配置され、第１の電源線には第１の電源電位が供給される、第１及び第２の電源線と、第１の方向に延伸され、第２の回路セル列上に配置され、第２の電源電位が供給される第３の電源線と、第２の電源線と第３の電源線との間に接続され、導通状態において第２の電源線と第３の電源線とを接続して第３の電源線から第２の電源線に第２の電源電位を供給し、非導通状態において第２の電源線と第３の電源線とを電気的に切り離す第１のトランジスタと、第１の回路セル列に配置され、第１の電源線から供給される第１の電源電位と第２の電源線から供給される第２の電源電位との間の電源電圧で動作する第１の回路素子とを備える。 （もっと読む）

【課題】電源幹線内で同電位の電源線を相互に接続することにより配線抵抗を削減するとともに、電源幹線間で同電位の電源線を接続することにより配線抵抗をさらに削減できるようにすること。
【解決手段】半導体集積回路装置は、第１の層において第１の方向に延伸する第１の電源線および第２の電源線と、第２の層において第１の方向に延伸するとともに第１の電源線の直上に設けられた第３の電源線と、第２の層において第１の方向に延伸するとともに第２の電源線の直上に設けられた第４の電源線とを備え、第１の電源線および第２の電源線は第１の方向に延伸するセル棚（セル列）に含まれる複数のセルに電源を供給し、第３の電源線は第１の電源線の電位と異なる電位が供給され、第４の電源線は第２の電源線の電位と異なる電位が供給される。 （もっと読む）

【課題】従来の設計支援装置により生成したインダクタは、周囲の回路の影響により特性ずれが生じる問題があった。
【解決手段】本発明の設計支援装置は、生成対象のインダクタに接続される接続対象回路領域の第１、第２の接続端子の位置情報を回路設計情報から生成されるフロアプラン結果から得て、インダクタを他の回路と接続する第３、第４の接続端子を、第１の接続端子と第３の接続端子との間及び第２の接続端子と第４の接続端子との間が最短の配線によって接続可能な位置に設定する端子位置設定部１０と、第３、第４の接続端子の位置を基準としてインダクタの配線パターンを生成し、当該配線パターンに基づきインダクタのレイアウト情報を生成するパターン生成部１３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高い精度を保ちながらも、高速に遅延時間を算出できる遅延解析装置等を提供する。
【解決手段】遅延解析装置１００は、クロックメッシュ上の複数の位置におけるクロック信号の遅延時間および／または波形鈍り値に基づいて、クロックメッシュ接続素子に入力されるクロック信号の遅延時間および／または波形鈍り値を算出する。そして、その算出した遅延時間および／または波形鈍り値に基づいて、クロックパス上の他の回路素子に入力されるクロック信号の遅延時間を算出する。 （もっと読む）

【課題】配線およびダミーパターンが配置された領域の割合を各メタル層において均一に保ちつつ、ダミーパターンの生成によって生じたタイミングエラーを解消できるようにすること。
【解決手段】レイアウト設計装置は、配線およびダミーメタルが配置されたメタル層において、エラーを生じた配線の周囲に配置された複数のダミーメタルの中から該エラーの原因となったダミーメタルを抽出し、該メタル層を分割して得られた複数の領域のそれぞれにおいて、配線およびダミーメタルを含むメタルが占める割合であるメタル密度が該メタル層に対して規定された所定のメタル密度以上となるようにしつつ、該エラーが解消されるように、抽出したダミーメタルの中から削除すべきダミーメタルを選択するダミーメタル選択部と、選択されたダミーメタルを削除するダミーメタル変更部と、を備えている。 （もっと読む）