【課題】トランジスタのオン特性を向上させて、半導体装置の高速応答、高速駆動を実現する際に、信頼性の高い構成を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層、第１の導電層及び第２の導電層の積層によって構成されるソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁層、及びゲート電極層が順に積層されたコプレナー型のトランジスタにおいて、該ゲート電極層は、該第１の導電層と該ゲート絶縁層を介して重畳し、該第２の導電層と前記ゲート絶縁層を介して非重畳とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を損なうことがない半導体装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタ（半導体装置）において、電極層を酸化物半導体層の下部に接して形成し、不純物を添加する処理により酸化物半導体層に自己整合的にチャネル形成領域と、チャネル形成領域を挟むように一対の低抵抗領域を形成する。また、電極層および低抵抗領域と電気的に接続する配線層を絶縁層の開口を介して設ける。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を含み、高速動作が可能なトランジスタを提供する。または、該トランジスタを含む信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁層中に埋め込まれ、上面の少なくとも一部が下地絶縁層から露出した電極層上に、一対の低抵抗領域及びチャネル形成領域を含む酸化物半導体層を設け、電極層において、または、酸化物半導体層の低抵抗領域であって電極層と重畳する領域において、酸化物半導体層の上層に設けられる配線層との電気的な接続を行うトランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】配線電極間の双方向の電流値、書き込み及び消去の電圧値、および記憶保持時間が制御容易なメモリ装置を提供する。
【解決手段】微結晶である第１の導電性微粒子を含む微結晶層２２と、微結晶層２２を挟むトンネル絶縁膜２１、２３とを有する第１の二重トンネル接合構造と、微結晶である第２の導電性微粒子を含む微結晶層２６と、微結晶層２６を挟むトンネル絶縁膜２５、２７とを有する第２の二重トンネル接合構造と、第１の二重トンネル接合構造と第２の二重トンネル接合構造との間に配置され、情報電荷を蓄積する電荷蓄積層と、第１の二重トンネル接合構造、電荷蓄積層、及び第２の二重トンネル接合構造を挟む第１、第２の導電層とを備える。第１の導電性微粒子の平均粒径は、第２の導電性微粒子の平均粒径と異なっている。 （もっと読む）

【課題】抵抗値の変化によって高い信頼性で情報を記憶する積層型の不揮発性記録装置を実現する。
【解決手段】基板の主面に沿うように延在する第１配線と、前記第１配線の上方に設けられる積層体と、前記積層体の上方に形成される第２配線と、前記第１配線と前記第２配線との交点に設けられ、電流を前記基板の主面に対して垂直方向に流す選択素子と、前記積層体の側面に沿って設けられる第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜に沿って設けられるチャネル層と、前記チャネル層に沿って設けられる接着層と、前記接着層に沿って設けられる抵抗変化材料層とを有し、前記第１配線および前記第２配線は、前記選択素子および前記チャネル層を介して電気的に接続されており、前記チャネル層と前記抵抗変化材料層との間の前記接着層を介した接触抵抗は低く、前記チャネル層の延在方向について前記接着層の抵抗が高く形成された不揮発性記録装置。 （もっと読む）

【課題】不揮発性半導体記憶装置の動作電力を低減する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、ＴｉＮ層からなる上部電極ＴＥ及びバリアメタルＢＭ１，ＢＭ２と、金属酸化物ＨｆＯｘ層を有する可変抵抗素子ＶＲと、ポリシリコン層及びポリシリコン層と金属酸化物ＨｆＯｘ層との界面に形成されたＳｉＧｅ層を有する下部電極ＢＥと、バリアメタルＢＭ１と、ＮＩＰ層からなるバイポーラ型の電流整流素子Ｄｉとを直列接続したメモリセルＭＣを備える。 （もっと読む）

【課題】ビット当たりの単価を低減できる半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、第１方向に沿う第１部分(11a)と第２方向に沿いかつ第１部分と接続された第２部分(11b)とを有し、第２部分において半導体材料を含み、第１方向および第２方向からなる第１平面と交わる方向に沿って離れて並ぶ少なくとも２つの第１配線(11)を含む。可変抵抗膜(15)は、第１配線の第２部分に接続された第１面を有し、相違する抵抗値を示す複数の状態を取り得る。第２配線(12)は、可変抵抗膜の第１面と対向する第２面と接続されている。制御線(13)は、第１平面と交わる方向に沿い、少なくとも２つの第１配線の第２部分の半導体材料を含む部分と絶縁膜を介して接し、第１配線の第２部分の半導体材料を含む部分および絶縁膜とともにトランジスタを構成する。 （もっと読む）

【課題】エッチング加工がし易く、データ保持の劣化を抑制する。
【解決手段】実施形態の不揮発性半導体記憶装置は、下地層と、前記下地層の上に設けられた積層体であって、それぞれ交互に積層された複数の電極層と複数の絶縁層と、前記複数の電極層と前記複数の絶縁層との間に設けられた拡散抑制層と、を有する前記積層体と、前記積層体を積層方向に貫通するホールの側壁に設けられたメモリ膜と、前記メモリ膜の内側に設けられたチャネルボディ層と、を備える。前記複数の電極層のそれぞれは、第１の不純物元素を含む第１の半導体層である。前記拡散抑制層は、前記第１の不純物元素とは異なる第２の不純物元素を含む第２の半導体層である。前記拡散抑制層は、前記第１の不純物元素の拡散を抑制する効果を有する膜である。 （もっと読む）

【課題】ワード線抵抗を低減し、かつ、周辺回路のトランジスタの特性変化を抑制することができる半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板と、複数のメモリセルと、周辺回路とを備える。メモリセルは、半導体基板の上方に設けられたフローティングゲートと、フローティングゲート上に設けられたゲート間絶縁膜と、ゲート間絶縁膜上に設けられたコントロールゲートとを含む。周辺回路は、互いに電気的に接続されたフローティングゲートおよびコントロールゲートと、少なくともフローティングゲートとコントロールゲートとの間の電気的接触部分に設けられ該フローティングゲートと該コントロールゲートとの間の電気的接続を妨げない絶縁薄膜とを含むトランジスタを含む。複数のメモリセルは、コントロールゲート内に絶縁薄膜を含まない。メモリセルおよび周辺回路において、コントロールゲートの少なくとも上部はシリサイド化されている。 （もっと読む）

【課題】結晶性の優れた酸化物半導体層を形成して電気特性の優れたトランジスタを製造
可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図ることを目的の一つとす
る。
【解決手段】第１の加熱処理で第１の酸化物半導体層を結晶化し、その上部に第２の酸化
物半導体層を形成し、温度と雰囲気の異なる条件で段階的に行われる第２の加熱処理によ
って表面と略垂直な方向にｃ軸が配向する結晶領域を有する酸化物半導体層の形成と酸素
欠損の補填を効率良く行い、酸化物半導体層上に接する酸化物絶縁層を形成し、第３の加
熱処理を行うことにより、酸化物半導体層に再度酸素を供給し、酸化物絶縁層上に、水素
を含む窒化物絶縁層を形成し、第４の加熱処理を行うことにより、少なくとも酸化物半導
体層と酸化物絶縁層の界面に水素を供給する。 （もっと読む）

【課題】メモリセルの制御性を向上した不揮発性半導体記憶装置の製造方法及び不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】基板上に、第１積層体及び第２積層体を形成する工程と、第１積層体及び第２積層体を貫通する貫通孔を形成する工程と、貫通孔の第１部分の側壁にメモリ膜を形成し、貫通孔の第２部分及び第３部分の側壁にゲート絶縁膜を形成し、メモリ膜及びゲート絶縁膜の内側にチャネルボディを形成する工程と、チャネルボディの内側に酸化シリコンを含む第３絶縁層を形成し、第２部分と第３部分との境界部分を第３絶縁層により閉塞する工程と、第３部分の内側にシリコンを含む第１埋め込み部を形成する工程と、第１埋め込み部の一部と第３絶縁層の一部とを除去してチャネルボディを露出させる工程と、第３部分の内側における第１埋め込み部の上に、第１埋め込み部よりも不純物濃度が高いシリコンを含む第２埋め込み部を埋め込む工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＤＲＡＭとＲｅＲＡＭとを混載する場合において、容量素子及び抵抗変化素子の性能を維持しながら製造コストを低減する。
【解決手段】半導体記憶装置は、抵抗変化素子１と容量素子１０１とを具備している。抵抗変化素子１は、第１深さＤ１のシリンダー型のＭＩＭ構造を有し、抵抗変化型メモリ用である。容量素子１０１は、第１深さＤ１よりも深い第２深さＤ２のシリンダー型のＭＩＭ構造を有し、ＤＲＡＭ用である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のトランジスタのシリコンピラー上部に活性領域を設ける際に、エピタキシャル成長により前記シリコンピラー上部に形成されるシリコン膜の高さが、前記トランジスタ毎にばらつくことを防ぎ、前記シリコン膜への導電型ドーパントの注入深さを均一にする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の主面に柱状のシリコンピラーを形成するシリコンピラー形成工程と、前記シリコンピラーを覆うように第１の絶縁膜を形成する第１絶縁膜形成工程と、前記第１の絶縁膜を上面から除去し、前記シリコンピラー上部の上面及び側面を露出させる第１絶縁膜除去工程と、前記シリコンピラー上部の上面及び側面にエピタキシャル成長法によりシリコン膜を形成するシリコン膜形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】低いビットコストで積層化可能な不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、不揮発性半導体記憶装置は、平行に配列された所定方向に延びる複数の半導体層と、半導体層の上に形成されたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層の上に形成され所定方向に配列された複数の浮遊ゲートと、浮遊ゲートに隣接するゲート間絶縁層と、ゲート間絶縁層を介して所定方向の両側から浮遊ゲートに対向し複数の半導体層と交差する方向に延びる複数の制御ゲートとを有するセルアレイ層を複数層積層した不揮発性半導体記憶装置であって、積層方向に隣接するセルアレイ層において、下層のセルアレイ層の制御ゲートと、その上層のセルアレイ層の制御ゲートとが直交し、下層のセルアレイ層の浮遊ゲートと、その上層の半導体層との位置が整合している。 （もっと読む）

【課題】チャネル移動度を向上させた不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板２０上に設けられたメモリトランジスタ４０と選択トランジスタ５０を有する。メモリトランジスタ４０は、導電層４１ａ〜４１ｄ、メモリゲート絶縁層４３、柱状半導体層４４、及び酸化層４５を有する。導電層４１は、メモリトランジスタ４０のゲートとして機能する。メモリゲート絶縁層４３は、導電層の側面に接する。半導体層４４は、導電層と共にメモリゲート絶縁層４３を一方の側面で挟み、半導体基板２０に対して垂直方向に延び、メモリトランジスタ４０のボディとして機能する。酸化層４５は、半導体層４４の他方の側面に接する。半導体層４４は、シリコンゲルマニウムにて構成される。酸化層４５は、酸化シリコンにて構成される。 （もっと読む）

【課題】メモリセルアレイの加工マージンを向上させた不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的とする。
【解決手段】実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の製造方法は、半導体基板上に、第１方向に延びる第１配線となる膜、第１非オーミック素子となる膜及び金属材料からなる第１可変抵抗素子となる膜を順次積層し、第１可変抵抗素子となる膜及び第１非オーミック素子となる膜をこれらの積層方向及び第１方向と交差する第２方向で複数に分割し、第２方向で複数に分割された第１可変抵抗素子となる膜及び第１非オーミック素子となる膜の間に第１層間絶縁膜を形成し、第１可変抵抗素子となる膜及び第１層間絶縁膜の上面を平坦化し、第１可変抵抗素子となる膜の金属材料を酸化し、第１可変抵抗素子となる膜及び第１層間絶縁膜上に、第１上部電極となる膜及び第２方向に延びる第２配線となる膜を順次積層することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大容量なメモリ用シフトレジスタを提供する。
【解決手段】メモリ用シフトレジスタは、基板１０１と、基板１０１上に形成され、基板１０１の主面に垂直な軸Ｌの周りを回転する螺旋形状を有するチャネル層１１１とを備える。さらに、メモリ用シフトレジスタは、基板１０１上に形成され、軸Ｌに平行な方向に延びており、チャネル層１１１内の電荷を転送するために使用される３本以上の制御電極１１２１，１１２２，１１２３を備える。 （もっと読む）

【課題】メモリセルアレイおよび周辺回路の両方において、ワード線またはゲート電極を適切にシリサイド化することができる半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板、半導体基板の上方に設けられたフローティングゲートと、フローティングゲート上に設けられたゲート間絶縁膜と、ゲート間絶縁膜上に設けられたコントロールゲートとを含む複数のメモリセル、および、互いに電気的に接続されたフローティングゲートおよびコントロールゲートを含むゲート電極と、ゲート電極のうちフローティングゲートの側面を被覆する側壁膜と、ゲート電極のうちコントロールゲートの側面を被覆し側壁膜上に設けられたスペーサとを備えたトランジスタを含む周辺回路、を備え、メモリセルおよび周辺回路において、コントロールゲートの上部はシリサイド化されている。 （もっと読む）

【課題】隣接する配線の間におけるリークを抑制することができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置１は、シリコンを含む基板１１と、基板１１の上に設けられた複数のメモリセルと、複数のメモリセルの上方に設けられた配線７と、配線７の上に設けられたリーク抑制層８と、前記リーク抑制層８の上方に設けられた層間絶縁膜１０と、を備えている。そして、隣接するメモリセルの間、および、隣接する配線７の間には空隙１２が形成され、リーク抑制層８の幅寸法は、配線７の幅寸法よりも短いこと、および、隣接するリーク抑制層８の間の寸法は、隣接する配線７の間の寸法よりも長いこと、の少なくともいずれかである。 （もっと読む）

【課題】実施形態は、抵抗変化素子と、それを安定して双方向動作させることが可能な電流制御素子と、を有するメモリセルを備えた不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る不揮発性記憶装置は、第１の信号線と、前記第１の信号線と非平行な第２の信号線と、前記第１の信号線と前記第２の信号線とに接続されたメモリセルを備える。さらにメモリセルは、前記第１の信号線と前記第２の信号線との間を流れる電流により抵抗値が変化する抵抗変化部と、前記電流を制御する電流制御部と、を含む。そして、前記抵抗変化部と前記電流制御部とが、前記第１の信号線と前記第２の信号線との間に直列に配置され、前記電流制御部は、第１の導電体と、前記第１の導電体から離間して設けられた第２の導電体と、前記第１の導電体と前記第２の導電体と間の対向する２つの面の間に設けられた絶縁層と、を有する。前記２つの面のそれぞれは、前記第１の信号線から前記第２の信号線に向かう方向に直交する平面に対して、平行な部分と、交差する部分と、を有する。 （もっと読む）