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Fターム[5F088AA11]の内容

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【課題】性能を落とすことなく小型化が可能なセンサ、太陽電池等の電気素子と、電気素子を容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】柱状体2に、蒸着、或いは半導体の溶融、溶解又はゲル状態の半導体8をコーティングする。その回りに、4本の絶縁線6、例えば糸を縞状に接合したものを巻き付ける。次に1本の絶縁線6をはがして、その跡に銅を蒸着して銅線9を形成する。最後に銅線9に隣接しない絶縁線をはがして、その跡にアルミニウムを蒸着してアルミニウム線10を形成する。そして銅線9、アルミニウム線10の間の抵抗値を測ることにより、半導体8に照射している光の強度を知ることができる。4本の絶縁線の太さを調整することにより、銅線9、アルミニウム線10のそれぞれの直径、及びその間隔を決めることができ、設計とシミュレーションの作業が容易になる。また絶縁線6として細い糸を用いることにより、小型の光センサを得ることができる。 (もっと読む)


【課題】製造工程の複雑化を防止すると共に、光照射で発生した励起キャリアを効率良くテラヘルツ電磁波の発生または検出に用いることができる光伝導基板等を提供する。
【解決手段】基板3と、基板3上に積層され、基板3のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有するキャリア移動防止層51とキャリア移動防止層51上に積層され、基板3のバンドギャップ以上のバンドギャップを有すると共に、キャリア移動防止層51のバンドギャップよりも小さなバンドギャップを有する半導体層52と、を備え、半導体層52が、GaAsを低温でエピタキシャル成長させた層である。 (もっと読む)


【課題】発光素子と受光素子とのペアを備えて微細化が可能である。
【解決手段】対をなす発光素子11と受光素子12とは共に微細な棒状の素子であり、微細な棒状発光素子11から放出された光を微細な棒状受光素子12で受光することによって、微細な棒状受光素子12の電気特性が変化する。こうして、微細な棒状発光素子11と微細な棒状受光素子12との対を非常に微細にして、電子デバイス10を非常に微細化することが可能になる。 (もっと読む)


【課題】複数の検出電流経路が発生することを防止し、光吸収層の表面状態にかかわらず、高感度で安定して検出することができる光検出素子及び光検出装置を提供する。
【解決手段】光検出素子は、透光性基板1、光吸収層2、電極3、電極4、接着層5、絶縁膜6、パッケージ7で構成される。透光性基板1上に光吸収層2が形成され、光吸収層2に電極3と電極4の一部が埋め込まれている。パッケージ7上に光検出部がジャンクションダウンで接着層5により接合されている。光吸収層2は、特定波長の光を選択的に吸収して、電気信号に変換する。測定する光は、透光性基板1の裏面から照射される。 (もっと読む)


【課題】光の受光により高効率に電子を発光する受光層を備える受光素子、かかる受光素子を備える受発光素子、受発光装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】 本発明の受発光素子は、第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられ、受光により電子を発生する光導電体層とを有し、該光導電体層は、下記式(1A)で表されるテトラフェニルポルフィリン骨格を有する化合物を主材料として含有する。


[式(1A)中、Bは、白金、パラジウム、マグネシウム、ニッケルまたは亜鉛を表す。
Rは置換基を意味し、水素原子、フッ素原子、アルキル基、アリール基を表す。] (もっと読む)


【課題】 簡素な構造で適切な受光感度を得ることが可能な紫外線センサ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 紫外線センサ素子は、ステム60に紫外線透過フィルタ72が形成されたキャップ70が溶接されて、チップ50が封止された構造を有する。外部から照射される紫外線は、紫外線透過フィルタ72を透過して、チップ50を構成するチップ状酸化亜鉛単結晶30の受光面であるa面に到達する。チップ状酸化亜鉛単結晶30のa面に紫外線が到達することによって、チップ状酸化亜鉛単結晶30の抵抗値は変化する。そして、抵抗値の変化に伴って、チップ状酸化亜鉛単結晶30を流れる信号の電流(光電流)の値も変化する。図示しない外部の装置は、端子62に接続されており、信号の電流値を検出し、当該電流値に基づいて、紫外線量を算出することができる。 (もっと読む)


【課題】光センサーの材料として好適に用いられる新規な光導電材料、並びにこの光導電材料を用いた光導電素子、光センサー及びセンサーアレイを提供する。
【解決手段】硫化ビスマスを主成分とする光導電材料である。当該光導電材料において、全原子に対する硫黄原子の含有量を50モル%以上70モル%以下とし、かつ、酸素原子の含有量を0.0001モル%以上10モル%以下とすることが好ましい。光導電素子10は、当該光導電材料から形成され、膜厚が20nm以上100μm以下の硫化ビスマス薄膜12を備える。光センサーは、当該光導電素子10を用いたものである。また、センサーアレイは、当該光センサーを複数備える。 (もっと読む)


【課題】半導体紫外線受光素子の製造を容易にする製造方法を提供する。
【解決手段】半導体紫外線受光素子は、単結晶基板1と、前記単結晶基板1上方に形成された−c極性MgZn1−xO(0.3≦x≦0.6)層14と、前記−c極性MgZn1−xO(0.3≦x≦0.6)層14と同一平面上に形成された+c極性MgZn1−yO(0≦y<0.3)層4と、前記−c極性MgZn1−xO(0.3≦x≦0.6)層14上及び前記+c極性MgZn1−yO(0≦y<0.3)層4上に形成されたショットキー電極8と、前記ショットキー電極8と対をなすオーミック電極7とを有する。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成で量子井戸層の積層方向に入射された光を積層方向に垂直な偏光方向の光に変換して検出することができる光検出器を提供する。
【解決手段】基板21と、光が入射されることにより光電流を生じる多重量子井戸層16と、多重量子井戸層16を挟み込む下部コンタクト層15及び上部コンタクト層17と、下部コンタクト層15の基板21側に配置された下部電極12と、下部コンタクト層15の側方であって下部電極12上に配置された絶縁層13と、絶縁層13上に配置された仮想グランド電極14と、上部コンタクト層17上に配置され、入射される光の波長よりも小さく分割され、それぞれの間に隙間が形成された複数の上部電極18と、上部電極18及び仮想グランド電極14を電気的に接続する金属部材19と、を備える。 (もっと読む)


【課題】容易にテラヘルツ波の出射方向を変更することができるテラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置および計測装置を提供すること。
【解決手段】テラヘルツ波発生装置1は、パルス光を発生する複数の光源3と、前記複数の光源3で発生したパルス光が照射されることによりテラヘルツ波を発生するアンテナ2とを備え、前記アンテナ2は、ギャップ23を介して対向配置された1対の電極22を複数有しており、前記複数の光源3の各々は、前記複数の1対の電極22のうちそれぞれ異なる前記1対の電極22間に前記パルス光を照射し、前記複数の1対の電極22のうち少なくとも2つの前記1対の電極22間に、互いにタイミングをずらしてパルス光を照射するよう構成されている。 (もっと読む)


【課題】光励起によりテラヘルツ波を発生、検出する素子において低温成長半導体の歪みや欠陥がテラヘルツ波発生効率などを制限していた点を解決した光伝導素子等を提供する。
【解決手段】光伝導素子は、半導体低温成長層14を有し、半導体低温成長層14と半導体基板10との間に位置し且つ半導体低温成長層14よりも薄い半導体層11、12、13を有する。半導体低温成長層14は、半導体層11、12、13と格子整合し半導体基板10と格子整合しない半導体を含む。 (もっと読む)


【課題】素子全体として高抵抗化することによって、出力及び検出感度を増大することが可能な光伝導素子を提供することである。
【解決手段】光伝導素子は、光を照射すると電磁波を発生・検出し得る光伝導素子である。光が照射された際に抵抗率が変化することにより電磁波を発生・検出し得る半導体層101、102を有する光伝導層と、半導体層と接して配された複数の電極103、104を備える。半導体層101、102は、抵抗率が、電極が接する半導体層の面と交わる厚さ方向に変化する。また、半導体層101、102は、半導体層において第1の領域101及びこの領域より厚さ方向に電極103、104から離れた第2の領域102をとるとき、第1の領域101での抵抗率が第2の領域102での抵抗率より大きい。 (もっと読む)


【課題】気相Clを安定に均一に供給することができる放射線検出器の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】主ソース用サセプタ35aに収納されたソースSは、Cdの単体、Teの単体、Znの単体、CdTe、ZnTe、CdZnTeの少なくとも一つを含む材料からなり、検出層の形成過程では、主ソース用サセプタ35aに収納されたソースSを支持基板に供給することにより、多結晶膜または多結晶の積層膜(検出層)を形成する。一方、ソースSおよびそれを収納する主ソース用サセプタ35aの底面を貫通する複数個の開孔35Aを設け、主ソース用サセプタ35aの底面よりも下部に配置されたCl化合物からなる付加ソースS’ によるCl蒸気を、開孔35Aを通して支持基板に供給することにより、複数個の開孔35Aが設けられた箇所において、気相Clを安定に均一に供給することができる。 (もっと読む)


【課題】大面積X線検出器を提供する。
【解決手段】印刷回路基板に配置された複数のチップと、各チップに対応するように、その上に配置された複数のピクセル電極と、複数のピクセル電極と複数のピクセルパッドとを電気的に連結する再分配層と、を備え、再分配層上で、チップのピンパッドが形成された裏面上に形成された複数の第1電極パッドと、第1電極パッド及び第2電極ピンパッドを電気的に連結するワイヤーと、を備え、ワイヤーは、チップ間のギャップに配置される、大面積X線検出器である。 (もっと読む)


【課題】光触媒作用が向上した光触媒体及び光電極を提供する。
【解決手段】第1半導体層10と、第1半導体層10の伝導帯最下部のエネルギー準位より真空準位に近いエネルギー準位に伝導帯最下部のエネルギー準位を有する第2半導体14と、硫化物12と、を含み、硫化物12が第1半導体層10と第2半導体層14の両方に接触した構成とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、動作電圧を低減させる高感度光電変換膜を用いた撮像デバイス及びこれを用いた撮像管を提供することを目的とする。
【解決手段】透光性基板10と、
該透光性基板の一方の面に形成された導電膜11と、
該導電膜側に設けられた光電変換層22と、
該光電変換層の光電変換作用により生成された信号電荷を読み出す電荷読み出し手段30と、を有する撮像デバイス40であって、
前記光電変換層は、塩素を含有することを特徴とする撮像デバイス。 (もっと読む)


【課題】
単板式の積層型の撮像素子に含まれる有機光電変換膜の劣化を抑制することにより、量子効率の改善を図った撮像素子の製造方法、及び、撮像素子を提供することを課題とする。
【解決手段】
撮像素子の製造方法は、基板の上に第1波長の光に感度を有する第1受光部を形成する工程と、前記第1受光部の上に紫外線を吸収する第1紫外線吸収部を形成する工程と、前記第1紫外線吸収部の上に第2波長の光に感度を有する第2受光部を形成する工程と、前記第2受光部の上に紫外線を吸収する第2紫外線吸収部を形成する工程と、前記第2紫外線吸収部の上に第3波長の光に感度を有する第3受光部を形成する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】放射線の検出感度を維持しつつ、電線と電極部との剥離を抑制できる。
【解決手段】検出可能領域上に充填される第1充填材444は、原子番号9以下の元素で構成されているので、原子番号9を超える元素で構成される場合に比して、放射線の透過性がよい。このため、検出可能領域において、放射線の検出感度が維持できる。また、バイアス電極401と電線とが接続される接続部は、弾性を有する第2充填材445が充填されているため、硬化性を有する充填材に比して、延長電極部431と高電圧線432との密着性が保て、高電圧線432と延長電極部431との剥離を抑制できる。このように、本実施形態では、延長電極部431と高電圧線432とが接続される接続部と検出可能領域とで充填材を使い分けることにより、放射線の検出感度を維持しつつ、高電圧線432と電極部との剥離を抑制する。 (もっと読む)


【課題】非晶質酸化物を用いた新規な撮像装置を提供する。
【解決手段】基板1と、基板1上に設けられている電磁波を検知するセンサと、該センサからの信号を読み出すための電界効果型トランジスタとを備え、該電界効果型トランジスタの活性層は、In―Zn―Ga―O系酸化物、In―Zn―Ga―Mg−O系酸化物、In―Zn―O系酸化物、In―Sn―O系酸化物、In−O系酸化物、In―Ga―O系酸化物、及びSn−In−Zn―O系酸化物のうちのいずれかである非晶質酸化物2を有し、非晶質酸化物2の電子キャリア濃度は1018/cm未満であり、前記電界効果型トランジスタは、ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が10マイクロアンペア未満であり、電界効果移動度が1cm/(V・秒)超である。 (もっと読む)


【課題】画素毎のバンプが増加してもフリップチップボンディングを適切に行うことができる赤外線撮像装置を提供する。
【解決手段】複数の画素が配列した赤外線イメージセンサ100と、赤外線イメージセンサ100から信号を読み出す読み出し回路300と、赤外線イメージセンサ100と読み出し回路300との間に設けられた中継部材200と、が設けられている。複数の画素の各々には、互いに相違する波長の赤外線を吸収する複数の吸収層106、110と、複数の吸収層にバイアスを印加するバイアスバンプ159と、複数の吸収層毎に設けられた出力バンプ157、158と、が設けられている。出力バンプは、読み出し回路に設けられた入力バンプ302、303に接続され、バイアスバンプは、読み出し回路に設けられたバイアス供給バンプ304に、中継部材に設けられた中継配線207を介して接続されている。 (もっと読む)


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