【課題】Ｉ_Ｄ^Ｐ／Ｉ_Ｄ^ＡＰ比を高めることのできるスピントランジスタおよびメモリを提供する。
【解決手段】本実施形態によるスピントランジスタは、基板上に形成されたソース／ドレインの一方となる第１磁性層と、前記第１磁性層上に設けられチャネルとなる絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられ前記ソース／ドレインの他方となる第２磁性層と、前記絶縁膜の側面に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極と前記絶縁膜の前記側面との間に設けられたゲート絶縁膜と、備えている。 （もっと読む）

【課題】変換精度が高いアナログ／デジタル変換器を提供する。
【解決手段】アナログ／デジタル変換器は、電圧生成部と複数の比較器とを備える。電圧生成部は、基準電圧を、複数の抵抗器で分圧して複数の比較用電圧を生成する。各比較器は、複数の比較用電圧のうちの何れかの比較用電圧とアナログの入力電圧との比較結果に応じたデジタル信号を出力する。各比較器は、２つの入力の電位差を検出する差動対回路を含む。差動対回路は、第１回路部５０と第２回路部６０とを有する。第１回路部は、第１入力トランジスタ５１と、第１入力トランジスタと直列に接続される抵抗器Ｒｒｅｆとを含む。第２回路部は、第１入力トランジスタと差動対を形成する第２入力トランジスタ６１と、第２入力トランジスタと直列に接続される可変抵抗器Ｒｖとを含む。可変抵抗器は、直列に接続されるとともに、制御信号に応じて各々の抵抗値が可変に設定される複数の可変抵抗素子を含む。 （もっと読む）

【課題】変換精度が高いアナログ／デジタル変換器を提供する。
【解決手段】実施形態のアナログ／デジタル変換器は、電圧生成部と複数の比較器とを備える。電圧生成部は、基準電圧を、複数の可変抵抗器で分圧して複数の比較用電圧を生成する。複数の可変抵抗器の各々は、直列に接続されるとともに、外部信号に応じて各々の抵抗値が可変に設定される複数の可変抵抗素子を含む。各比較器は、複数の比較用電圧のうちの何れかの比較用電圧とアナログの入力電圧とを比較し、その比較結果に応じたデジタル信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】
大きな乗算信号を取り出すことが可能で、さらに受信用バンドパスフィルタ機能を有した混合器を提供することを主目的とする。
【解決手段】
磁化固定層、磁化自由層、および前記磁化固定層と前記磁化自由層との間に配設された非磁性スペーサー層を備え、高周波信号Ｓ１およびローカル信号Ｓ２を入力したときに磁気抵抗効果によって当該両信号Ｓ１，Ｓ２を乗算して電圧信号（乗算信号）Ｓ４を生成する磁気抵抗効果素子２から得た乗算信号は、共振特性の強度に応じて増減し、共振周波数ｆ０と両信号Ｓ１，Ｓ２のそれぞれ周波数ｆ１、ｆ２が一致するときに最大強度を示し、共振周波数ｆ０から周波数ｆ１、ｆ２の両方またはいずれか一つが離れると減衰する。あたかもバンドパスフィルタを挿入したときと同じ効果があり、磁場印加部３による磁場を制御することで、所望のバンドパスフィルタを有する周波数変換装置を提供できる。 （もっと読む）

【課題】精度の高い磁界検出方法を提供する。
【解決手段】
トンネル磁気抵抗効果素子１０を用いて外部磁界を検出する磁界検出方法が提供される。磁界検出方法は、トンネル磁気抵抗効果素子１０の自由層１５の磁化方向を変化させるバイアス磁界Ｈｂと外部磁界Ｈｅｘとを同時に、もしくはバイアス磁界Ｈｂと外部磁界Ｈｅｘとを個別にトンネル磁気抵抗効果素子１０に印加したときの電気特性を測定するステップと、バイアス磁界Ｈｂおよび外部磁界Ｈｅｘに応じて測定されたトンネル磁気抵抗効果素子１０の電気特性に基づいて外部磁界を算出するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】耐食性スペーサ層を備え、より高い信号雑音比を有するＣＰＰ−ＧＭＲセンサを提供する。
【解決手段】膜面垂直通電（ＣＰＰ）型巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）センサのスペーサ層を形成する材料の電気抵抗と耐食性を増大させるための方法と装置。スペーサ層および、それゆえＣＰＰ−ＧＭＲセンサの抵抗を大きくすることにより、より大きな電圧をセンサにかけることができ、信号対雑音比をより高くすることができる。スペーサ層の耐食性を高めることにより、製造中にスペーサ層を腐食性材料に曝す影響が最小限となる。たとえば、スズを銀に添加して金属合金スペーサ層を形成すれば、このスペーサ層の耐食性とＣＰＰ−ＧＭＲセンサの電気抵抗は、銀のみからなるスペーサ層の場合より増大する。Ａｇ−Ｓｎ合金により、より大きな電流がセンサを流れ、これによって信号対雑音比が増大する。 （もっと読む）

【課題】高周波磁界アシスト記録方式において、低電流でも安定した発振が得られるスピントルク発振器を実現し、高記録密度を可能とする磁気記録ヘッドを提供する。
【解決手段】高周波磁界を発する発振器１１０を備える磁気記録ヘッドにおいて、二層の磁性層１１２ａ，１１２ｂが反平行方結合した積層構造のスピン注入層構造１１２を用いる。二層の磁性層のうち、高周波磁界発生層１１１に近い第一の磁性層１１２ａの飽和磁化Ｍｓと膜厚ｔとの積Ｍｓ×ｔは、高周波磁界発生層から遠い第二の磁性層１１２ｂのＭｓ×ｔよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】より容易な方法で集積度を向上させた情報格納装置を提供する。
【解決手段】本発明の情報格納装置は、基板と、基板上のゲートライン構造体を含むトランジスターと、少なくとも一部が基板内に埋め込まれてトランジスターの活性領域を定義する導電性分離パターン（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｉｓｏｌａｔｉｏｎ ｐａｔｔｅｒｎｓ）と、を有し、導電性分離パターンは、互いに電気的に連結される。 （もっと読む）

【課題】大きな電流で書込みを行うことができるとともに、高速動作を行うことができる磁気抵抗素子および磁気メモリを提供することを可能にする。
【解決手段】本実施形態の磁気抵抗素子は、スピン注入書込みによって磁化方向が可変の第１磁性層と、磁化方向が固定された第２磁性層と、前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた非磁性層とをそれぞれ有し並列に配置された第１および第２素子と、前記第１および第２素子のそれぞれの第１磁性層と対向するように配置されるとともに第１磁性層と静磁結合し磁化方向が可変の第３磁性層と、磁化方向が固定された第４磁性層と、前記第３磁性層と前記第４磁性層との間に設けられたトンネル障壁層とを有するＴＭＲ素子と、を備え、前記第１および第２素子の第１および第２磁性層は膜面に垂直な磁化を有し、前記ＴＭＲ素子の前記第４磁性層は膜面に平行な磁化を有する。 （もっと読む）

【課題】方法及びシステムは磁気デバイスにおいて使用可能な磁気接合を提供する。
【解決手段】磁気接合は、ピンド層と、非磁性スペーサ層と、自由層とを含む。非磁性スペーサ層はピンド層と自由層との間に存在する。磁気接合は、書き込み電流がその磁気接合に流された際に自由層が複数の安定磁気状態の間でスイッチング可能であるように構成される。自由層及びピンド層のうち少なくとも一方は少なくとも一つの半金属を含む。 （もっと読む）

【課題】記憶層にかかる参照層からの漏れ磁場をキャンセルするシフト調整層の膜厚を低減することできる磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】磁化の向きが一方向に固定された参照層３と、磁化の向きが可変である記憶層２と、参照層３と記憶層２との間に設けられた非磁性層４と、参照層３の、非磁性層４が配置された面と反対の面側に配置され、参照層３が有する磁化の向きと反平行な磁化の向きを有する上部シフト層６と、記憶層２の、非磁性層４が配置された面と反対の面側に配置され、参照層３が有する磁化の向きと反平行な磁化の向きを有する下部シフト層８と、参照層３と上部シフト層６との間に配置された非磁性層５と、記憶層２と下部シフト層８との間に配置された非磁性層７とを備える。下部シフト層８の膜厚は、上部シフト層６の膜厚より薄い。 （もっと読む）

【課題】磁気記録素子のＭＲ比の向上を図る。
【解決手段】実施形態に係わる磁気記録素子は、磁化が可変で磁化容易軸方向が膜面に垂直となる方向の磁気記録層１１と、磁化が膜面に垂直となる方向に固定される磁気固着層１２と、磁気記録層１１と磁気固着層１２との間の非磁性バリア層１３と、磁気記録層１１と非磁性バリア層１３との間の挿入層１４とを備える。挿入層１４は、軟磁性材料、ホイスラー合金、ハーフメタル酸化物、及び、ハーフメタル窒化物のうちの１つを含む。 （もっと読む）

【課題】３端子スピントルク発振素子（ＳＴＯ）を提供する。
【解決手段】スピントルク発振素子（ＳＴＯ）は、非磁性導電スペーサ層を有する巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）構造とトンネルバリア層を有するトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）構造の両方の一部を形成する単一の自由強磁性層を有する。ＳＴＯは、導電スペーサ層を通じてスピントルク励起電流を、そして、トンネルバリア層を通じて相対的に小さな検知電流を供給する電気回路に接続する３つの電気端子を有する。ＳＴＯが磁界センサとして使用される際には、励起電流は、外部磁界が存在しない状態において自由層の磁化を固定された基底周波数において発振させる。検知電流に結合された検出器は、外部磁界に応答して基底周波数からの自由層磁化発振周波数のシフトを検出する。 （もっと読む）

【課題】書き込み時に固定層が安定化された、垂直磁化型トンネル磁気抵抗効果素子を用いたスピントルク磁化反転応用の磁気メモリを提供する。
【解決手段】膜面に垂直な方向の磁化を有する自由層６２と、膜面に垂直な一方向に磁化が固定された固定層６４と、固定層と自由層の間に形成された非磁性障壁層６３を有する磁気抵抗効果素子において、互いに隣接したメモリセルの固定層を一列方向に接続する。 （もっと読む）

【課題】スピン注入型磁化反転素子の中間層におけるＭｇＯの（００１）面配向性を向上する。
【解決手段】光変調素子（スピン注入型磁化反転素子）５は、垂直磁気異方性を示す磁化固定層５１と、ＭｇＯからなる中間層５２と、垂直磁気異方性を示す磁化自由層５３とをこの順で積層したトンネル磁気抵抗型のスピン注入型磁化反転素子構造を備え、スピン注入型磁化反転素子構造の上下に設けられた一対の電極２、３を介して電流を供給されることにより磁化自由層５３の磁化方向を変化させて、入射した光をその偏光方向を変化させて出射する。ここで、磁化自由層５３は、遷移金属または遷移金属を含む合金からなる界面層５３ｂと、Ｔａ膜またはＲｕ膜からなる緩衝層５３ｃと、磁化方向が反転される磁性層である主層５３ａとをこの順で積層して構成した。 （もっと読む）

【課題】エッチングに用いられるハロゲン系成分による素子の腐食を防止することが可能な磁気抵抗素子の製造装置及び製造方法を提供すること
【解決手段】本発明の磁気抵抗素子１０の製造方法は、基板上に強磁性材料からなる第１の強磁性層１３を形成する。酸化マグネシウムからなる絶縁層１４は、第１の強磁性層１３上に形成される。Ｆｅ及びＣｏの少なくとも一方を含有する第２の強磁性層１５は、絶縁層１４上に形成される。ハロゲン系元素を含むプラズマによるエッチングは、基板１１上に第１の強磁性層１３、絶縁層１４及び第２の強磁性層１５が積層された積層体に対して施される。積層体は、Ｈ_２Ｏを含むプラズマであるＨ_２Ｏプラズマに曝露される。 （もっと読む）

【課題】半選択状態になった磁気記憶素子のデータの誤反転を抑制することにより信頼性の高い書き込み動作を行うことができる磁気記憶素子、およびこれを用いた磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】磁化容易軸９１と磁化困難軸９２とを有する記録層３は、平面視においてすべての領域が第１導電層ＷＴまたは第２導電層ＢＬの少なくとも一方と重なる。磁化容易軸９１に沿い、記録層３と平面視において重なる寸法が最大となる第１の線分の第１の端点ＴＰ，ＢＰは、第２導電層ＢＬと平面視において重ならない。上記第１の線分の中点を通り、平面視において第１の線分に直交し、記録層３と平面視において重なる第２の線分の１対の端点である第２の端点ＬＰ，ＲＰのうち少なくとも一方は、第１導電層ＷＴと平面視において重ならない。 （もっと読む）

【課題】ノイズを抑制した磁気抵抗効果型の磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、再生部を備えた磁気ヘッドが提供される。再生部は、磁気記録媒体に記録された媒体磁界を検出する。再生部は、積層膜と、磁界印加部と、を含む。積層膜は、第１磁化固着層と、磁化自由層と、を含む。第１磁化固着層は、垂直磁気異方性を有し磁化が固着されている。磁化自由層は、第１磁化固着層と第１軸に沿って積層されスピントルク発振する。磁界印加部は、積層膜と第１軸に沿って積層され、第１軸に沿う成分を有するバイアス磁界を積層膜に加える。第１磁化固着層から磁化自由層へ、磁化自由層がスピントルク発振する値以上の電流が流されたときに、媒体磁界に応じて積層膜の抵抗が変化する。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気異方性を有するとともにより大きな磁気抵抗効果を発現することが可能な磁気抵抗素子およびこれを用いた磁気メモリを提供する。
【解決手段】下地層と、下地層上に設けられ、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、Ｍｎ_ｘＧａ_{１００−ｘ}（４５≦ｘ＜６４ａｔｍ％）である磁性体膜を含む第１の磁性層と、第１の磁性層上に設けられた第１の非磁性層と、第１の非磁性層上に設けられ、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、Ｍｎ_ｙＧａ_{１００−ｙ}（４５≦ｘ＜６４ａｔｍ％）である磁性体膜を含む第２の磁性層と、を備え、第１および第２の磁性層のＭｎの組成比が異なり、第１の非磁性層を介して第１の磁性層と第２の磁性層との間に流れる電流によって、第１の磁性層の磁化方向が可変となる。 （もっと読む）

【課題】書込み電流の範囲を広くすることができるとともに書込み電流を低減することができる磁気抵抗素子および磁気メモリを提供する。
【解決手段】本実施形態の磁気抵抗素子は、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、磁化が可変の第１強磁性層と、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、磁化が不変の第２強磁性層と、第１強磁性層と第２強磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、第２強磁性層に対して第１非磁性層と反対側に設けられ、それぞれが異なる発振周波数の回転磁界を発振する強磁性体の複数の発振体を有し、各発振体が膜面に平行な磁化を有する、第３強磁性層と、を備え、第３強磁性層と、第１強磁性層との間に電流を流すことにより、スピン偏極した電子を第１強磁性層に作用させるとともに、第３強磁性層の複数の発振体に作用させて前記発振体の磁化に歳差運動を誘起し、歳差運動によって生じた複数の回転周波数を有し第１強磁性層の磁化反転をアシストする回転磁界が第１強磁性層に印加される。 （もっと読む）