【課題】ヘテロ接合を有する半導体装置において、リーク電流と電流コラプスのトレードオフ関係を打破し、リーク電流と電流コラプスの双方を抑制すること。
【解決手段】半導体装置１の電子走行層４は、炭素が導入されている高抵抗領域４ａを含んでいる。電子走行層４と電子供給層５のヘテロ接合５ａと平行な断面において、高抵抗領域４ａの炭素の濃度分布が、ドレイン電極１２とソース電極１８の少なくともいずれか一方の下方で相対的に濃く、ドレイン電極１２と絶縁ゲート部１６の間で相対的に薄くなるような断面が存在している。 （もっと読む）

【課題】電極メタルがＳｉＮ絶縁膜に拡散することを抑制でき、電流コラプスの抑制とリーク電流の低減とを両立できるＧａＮ系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】このＧａＮ系ＨＦＥＴの製造方法によれば、ＧａＮ系積層体５上に形成したＳｉＮ保護膜７を熱処理により改質してから、Ｔｉ/Ａｌ電極１５,１６をＧａＮ系積層体５上に形成し、Ｔｉ/Ａｌ電極１５,１６を熱処理してオーミック電極としてのソース電極１５,ドレイン電極１６とする。ＳｉＮ保護膜７を熱処理した後に、Ｔｉ/Ａｌ電極１５,１６を熱処理(オーミックアニール)し、オーミック電極としてソース電極１５,ドレイン電極１６を形成することによって、電極メタルがＳｉＮ保護膜７に拡散することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ダイオード等の保護素子の外付けによる部品点数の増加及び占有面積の増大を抑えた、双方向に高いアバランシュエネルギー耐量を有する窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０は、第１のｎ型領域１２Ａ、第２のｎ型領域１２Ｂとともにトランジスタ１１を構成する。半導体基板１０の裏面には、裏面電極１３が接合され、また、半導体基板１０の上には、ＨＦＥＴ２１が形成されている。ＨＦＥＴ２１は、ＡｌＧａＮ層２３Ａ及びＧａＮ層２３Ｂを備える半導体層積層体２３と、第１のオーミック電極２４Ａ、第２のオーミック電極２４Ｂ、第１のゲート電極２５Ａ、第２のゲート電極２５Ｂにより構成されている。第１のオーミック電極２４Ａと第１のｎ型領域１２Ａ、第２のオーミック電極２４Ｂと第２のｎ型領域１２Ｂはそれぞれ電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ノーマリーオフ動作が可能なパワー素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のパワー素子は、第１窒化物層を形成した後ゲート電極下部に第２窒化物層をさらに形成することによってゲート電極に対応する部分には２次元の電子ガス層が形成されないため、ノーマリーオフ動作が可能である。これによって、本発明の一実施形態に係るパワー素子は、ゲートの電圧に応じて２次元の電子ガス層の生成を調整することができ、ノーマリーオフ動作が可能であるため、消費電力を減少させ得る。また、ゲート電極に対応する第２窒化物層を形成するため、第１窒化物層を形成した後ゲート電極に対応する部分のみを再成長させたり、ゲート電極に対応する部分を除いた残り部分をエッチングする方法を用いることによって、リセス工程を省略することができることから素子の再現性を確保することが化膿であり、工程を単純化させることができる。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタにおける電流コラプスの発生の有無を迅速に判定する。
【解決手段】電界効果トランジスタ１０１をオン状態にするとともに、電界効果トランジスタ１０１のドレインに第１電圧を印加した状態において、電界効果トランジスタ１０１の第１オン抵抗を算出する第１の工程と、電界効果トランジスタ１０１をオフ状態にし、前記第１電圧よりも大きい第２電圧を、電界効果トランジスタ１０１のドレインに印加する第２の工程と、電界効果トランジスタ１０１をオン状態にするとともに、電界効果トランジスタ１０１のドレインに前記第２電圧を印加した状態において、電界効果トランジスタ１０１の第２オン抵抗を算出する。 （もっと読む）

【課題】単一基板上にソース・ドレインを同一工程で同時形成したＩＩＩ−Ｖ族半導体のｎＭＩＳＦＥＴおよびＩＶ族半導体のｐＭＩＳＦＥＴのソース・ドレイン領域抵抗または接触抵抗を小さくする。
【解決手段】第１半導体結晶層１０４に形成された第１チャネル型の第１ＭＩＳＦＥＴ１２０の第１ソース１２４および第１ドレイン１２６が、第１半導体結晶層１０４を構成する原子と、ニッケル原子との化合物、または、コバルト原子との化合物、またはニッケル原子とコバルト原子との化合物からなり、第２半導体結晶層１０６に形成された第２チャネル型の第２ＭＩＳＦＥＴ１３０の第２ソース１３４および第２ドレイン１３６が、第２半導体結晶層１０６を構成する原子と、ニッケル原子との化合物、または、コバルト原子との化合物、または、ニッケル原子とコバルト原子との化合物からなる。 （もっと読む）

【課題】
高周波信号遮断後の回復が早く、素子分離特性のよい化合物半導体エピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】
半導体エピタキシャル基板は、単結晶基板と、単結晶基板上にエピタキシャル成長されたＡｌＮ層と、ＡｌＮ層の上にエピタキシャル成長された窒化物半導体層とを有し、単結晶基板とＡｌＮ層間界面より、ＡｌＮ層と窒化物半導体層間界面の方が凹凸が大きい、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置においてオーミック特性を良好にし、かつ、酸・アルカリによる腐食に対し高い耐性を有することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置は、不純物が添加された高濃度不純物領域２を有する窒化物半導体層１と、高濃度不純物領域２上に順に積層された下地電極層３及び主電極層４を含む電極１１とを備える。主電極層４は、窒化物半導体層１に対して下地電極層３よりも仕事関数が近い第１金属と、水素よりもイオン化傾向が小さい第２金属とからなる合金を主成分として含む。下地電極層３は、主電極層４よりも窒素との反応性が高い金属を主成分として含み、かつ、第１金属を含む。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系トランジスタを簡便な構造で適切に保護することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極１１０ｇと保護ダイオード用電極１１５ｐとが互いに接続されている。絶縁膜１１３は、所定値以上の電圧がゲート電極１１０ｇに印加された場合にリーク電流を保護ダイオード用電極１１５ｐと電子走行層１０４及び電子供給層１０３との間に流し、所定値は、ＨＥＭＴがオン動作する電圧より高く、ゲート絶縁膜１０９ｇの耐圧よりも低い。 （もっと読む）

【課題】精密なエッチング制御を必要とすることなく、ビアホール構造を形成することを可能とするとともに、エッチング後の洗浄を容易にする。
【解決手段】半導体装置において、第１の基板１１と、第１の基板表面に形成された素子領域１２，１３と、素子領域と接続され、第１の基板１１上に形成された電極１４，１５，１６と、第１の基板１１と積層される第２の基板１７と、第２の基板１７を貫通し、電極上に配置されるビアホール１８ａ，１８ｂ，１８ｃと、ビアホール内に形成される金属層１９ａ，１９ｂ，１９ｃと、を備える。 （もっと読む）

【課題】ｎ型不純物としてＴｅを用いたノンアロイ層を有していても、ベース電流、コレクタ電流のリーク電流が少ないトランジスタ素子を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に設けられた高電子移動度トランジスタ構造層２８と、高電子移動度トランジスタ構造層２８上に設けられたヘテロバイポーラトランジスタ構造層２９とを備えたトランジスタ素子１０において、ヘテロバイポーラトランジスタ構造層２９のノンアロイ層２６，２７は、ｎ型不純物としてＴｅがドーピングされており、ｎ型不純物濃度が１．０×１０¹⁹ｃｍ^-3以上２．０×１０¹⁹ｃｍ^-3以下にされているものである。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を低減でき、かつ、良好な電流コラプス特性が得られる窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｓi基板１上に順に積層されたチャネルＧaＮ層５およびそのチャネルＧaＮ層５とヘテロ界面を形成するバリアＡlＧaＮ層６を含む窒化物半導体層を備える。上記バリアＡlＧaＮ層６は、炭素濃度を５×１０^１７／ｃｍ^３以上とする。また、チャネルＧaＮ層５は、炭素濃度を６×１０^１６／ｃｍ^３未満とし、かつ、膜厚を５００ｎｍ以上とする。 （もっと読む）

【課題】より高いしきい値電圧と電流コラプス改善を両立できる、ノーマリーオフ型の高耐圧デバイスに好適な窒化物半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１と、前記基板１の一主面上に形成されるバッファー層２と、前記バッファー層２上に形成される中間層３と、前記中間層３上に形成される電子走行層４と、前記電子走行層４上に形成される電子供給層５とを含む窒化物半導体基板１０において、前記中間層３を厚さ２００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下、炭素濃度５×１０¹⁶ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上１×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下のＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０．０５≦ｘ≦０．２４）とし、前記電子走行層４が厚さ５ｎｍ以上２００ｎｍ以下のＡｌ_yＧａ_1-yＮ（０≦ｙ≦０．０４）とする。 （もっと読む）

【課題】ワイドバンドギャップ半導体層とメタル電極のコンタクト抵抗を低減することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】まず、シリコンに比べてバンドギャップが大きいIII−Ｖ族化合物半導体又はIV−IV族化合物半導体からなるｐ型窒化ガリウム層１の表面に、３−ヘリウム又は４−ヘリウムのイオンを照射してイオン照射領域２を形成する。イオン照射領域２を形成した後に、ｐ型窒化ガリウム層１の表面にオーミックコンタクトしたメタル電極３を形成する。 （もっと読む）

【課題】高耐圧なＩＩＩ−窒化物デバイスを提供する。
【解決手段】半導体基板１、基板１上の活性層のスタックであって、それぞれの層はＩＩＩ−窒化物材料を含むスタック２−５、スタック２−５上のゲート８、ソース９およびドレインコンタクト１０、および基板１の裏側（活性層のスタックに接する側に対向する側）から基板１に接する活性層のスタックの下層まで基板中を延びるトレンチであって、トレンチはドレイン領域を完全に囲み、ドレインに向かうゲート領域の端と、ゲートに向かうドレイン領域の端との間に配置され、基板のドレイン領域は本質的に半導体材料から形成されるような幅を有するトレンチを含むＩＩＩ−窒化物デバイス。 （もっと読む）

【課題】銅を回路層に用いても、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子は、ＧａＮ系の半導体材料でできている本体２１および少なくとも１つの電極構造物２３を含む。電極構造物２３は、本体２１に形成されるオーミック接触層２３１、本体２１の反対側のオーミック接触層２３１上に形成されるバッファ層２３２、および、銅系の材料でできており、オーミック接触層２３１の反対側のバッファ層２３２に形成される回路層２３３を含む。オーミック接触層２３１は、チタン、アルミニウム、ニッケルおよびそれらの合金から選択される材料でできている。バッファ層２３２は、オーミック接触層２３１の材料とは異なっており、かつ、チタン、タングステン、窒化チタン、タングステン窒化およびそれらの組み合わせから選択される材料でできている。 （もっと読む）

【課題】設計された形状およびサイズのゲート電極を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体層１２の表面上のうち、互いに離間した位置に、チタン層１７ａ、１８ａ、アルミニウム層１７ｂ、１８ｂ、ニッケル層１７ｃ、１８ｃ、金層１７ｄ、１８ｄがこの順で積層した積層体１７、１８を形成し、これらを、アルミニウムの融点より高い温度で加熱して複数の金属体１７´、１８´を形成するするとともに、これらの複数の金属体１７´、１８´を半導体層１２にオーミック接触させる。この後、複数の金属体１７´、１８´を薄膜化して複数の合金層１３ａ、１４ａを形成し、合金層１３ａ、１４ａを含むドレイン電極１３およびソース電極１４を形成する。次に、ドレイン電極１３とソース電極１４との間のレジスト層１９に開口部２０し、この開口部２０内にゲート電極１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層とオーミック電極とのコンタクト抵抗を低減できる窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｓi基板１０上に形成されたアンドープＧaＮ層１,アンドープＡlＧaＮ層２と、アンドープＧaＮ層１,アンドープＡlＧaＮ層２上に形成されたＴi/Ａl/ＴiＮからなるオーミック電極(ソース電極１１,ドレイン電極１２)とを備える。上記オーミック電極中の酸素濃度を１×１０^１６ｃｍ^−３以上かつ１×１０^２０ｃｍ^−３以下とする。 （もっと読む）

【課題】高抵抗なダメージ層を形成しない窒化物半導体層のエッチング方法と、これを用いた低抵抗なオーミック電極を備える窒化物半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の窒化物半導体層のエッチング方法は、（ａ）窒化物半導体層に不純物イオンを注入し、その表面から所定深さまで不純物領域を形成する工程と、（ｂ）前記不純物領域を熱処理する工程と、（ｃ）前記不純物領域の前記表面側の所定領域をウェットエッチングで除去する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体装置の、ソース・ドレイン間のオン抵抗を低減する。
【解決手段】ソース・ドレイン間を走行する窒化物半導体層と下地となる窒化物半導体層の間に、両窒化物半導体層より電子親和力が大きく、下地となる窒化物半導体よりも格子定数の大きい材料を形成する。その結果、ゲート電圧の印加によりゲート絶縁膜の下方に形成されるチャネルと、ゲート部以外で形成される二次元電子ガスを、深さ方向において近づけることができ、オン抵抗の低減が可能となる。 （もっと読む）