【課題】リセスゲート部における二次元電子ガス濃度を制御でき、しきい値電圧のバラつきが小さいヘテロ接合電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ＜１）からなるチャネル層３と、前記チャネル層３上に設けられ且つリセス領域を有する障壁層１０と、前記リセス領域に設けられたゲート電極９と、前記障壁層１０上において前記リセス領域を挟んで設けられたソース電極７およびドレイン電極８とを備え、前記障壁層１０は、前記チャネル層３側から順にＡｌ_s1Ｇａ_1-s1Ｎ（０＜ｓ１≦１）からなる第１障壁層４およびＡｌ_s2Ｇａ_1-s2Ｎ（０＜ｓ２＜１）からなる第２障壁層５を有し、第１障壁層４のＡｌ組成ｓ１は、第２障壁層５のＡｌ組成ｓ２および前記チャネル層３のＡｌ組成ｘの何れよりも大きく、前記リセス領域は、第２障壁層５を貫通して第１障壁層４に到達していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の結晶面方位を規定して表面の微細な凹凸を抑制した炭化珪素基板上のエピタキシャル相に半導体装置を形成することによって、その電気的特性を改善する。
【解決手段】炭化珪素半導体基板上に形成する半導体装置として、基板の（０００−１）面から０°超で以上１°未満傾斜した面上に成長したエピタキシャル層に、Ｐ型あるいはＮ型領域をイオン注入により選択的に形成して製造したダイオード、トランジスターなどとする。 （もっと読む）

【課題】例えば高抵抗半導体基板を用いて高周波デバイスを実現する場合などに、コストを低く抑えながら、寄生容量が増加しないようにし、利得及び効率を十分に高め、帯域を十分に広くする。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１上に形成された化合物半導体層２とを備え、半導体基板１に対してドーパントにならない不純物が、半導体基板１と化合物半導体層２との界面及びその近傍を含む領域に存在する。 （もっと読む）

ＨＥＭＴ装置及びＨＥＭＴ装置の製造方法であって、ＨＥＭＴ装置は、基板（１２）上のバッファ層（１４）と、バッファ層（１４）上の半導体層と、半導体層上の絶縁層（１６，１７）と、半導体層に接触するソース電極（２２）及びドレイン電極（２３）と、ソース電極（２２）とドレイン電極（２３）との間のゲート電極（２４，１０４，１１４）と、を備え、ゲート電極（２４，１０４，１１４）の下の半導体層に配置されたチャネルをピンチオフ状態にしている。 （もっと読む）

【課題】 オン抵抗が低減されたヘテロ接合を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体装置１０は、窒化ガリウムの半導体下層３０と、半導体下層３０の表面に設けられている窒化ガリウムアルミニウムの半導体上層４０と、半導体上層４０の表面に設けられている絶縁ゲート部５５を備えている。半導体下層３０と半導体上層４０は、ヘテロ接合７２を構成している。半導体上層４０は、マグネシウムを含むｐ型であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 ノーマリオフ動作を実現するとともに、電流コラプス現象が抑制されたヘテロ接合を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体装置１０は、窒化ガリウムの半導体下層３０と、半導体下層３０の表面に設けられている窒化ガリウムアルミニウムの半導体上層４０と、半導体上層４０の表面に設けられている絶縁ゲート部５５を備えている。半導体下層３０と半導体上層４０は、ヘテロ接合７２を構成している。半導体上層４０は、中間領域にマグネシウムを含むδドープ層４４を有する。 （もっと読む）

【課題】 結晶成長させたｐ型窒化物半導体領域をエッチングすることなく、ｎ型半導体層とｐ型半導体層が隣接する構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本半導体装置の製造方法は、ｎ型半導体層２２の表面の一部をエッチングして溝１７を形成する溝形成工程と、溝１７の内外に亘るｎ型半導体層２２の表面上にｐ型窒化物半導層１６を結晶成長させるｐ型窒化物半導体層形成工程と、溝形成工程でエッチングされなかった範囲のｎ型半導体層２２の上部に位置するｐ型窒化物半導体層１６の少なくとも一部にｎ型不純物を注入し、ｐ型窒化物半導体層１６の表面からｎ型半導体層２２に達するｎ型領域１０を形成するｎ型領域工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】導電型が異なる不純物層を順に形成する場合に、先に形成した不純物層へのドーピング用の不純物が後に形成する不純物層に混入されることを抑制する。
【解決手段】ｐ⁺型第２ゲート層８を形成してから次のロットでｎ^-型チャネル層７を形成する工程に移行する前の工程として、ｎ^-型チャネル層７の成長温度よりも高い温度においてＣＶＤ装置内のＳｉＣコーティングの表面をエッチングするエッチング処理と、エッチング処理後にＣＶＤ装置内をｎ^-型チャネル層７の成長温度よりも高い温度で加熱する加熱処理とを行う第１の残留不純物除去工程と、ｎ^-型チャネル層７の成長レートよりも早い成長レートにて、後工程で成長させるｎ^-型チャネル層７と同じ導電型の不純物層をカーボン容器の内壁面のＳｉＣコーティングの表面にデポジションするデポジション工程を行う第２の残留不純物除去工程を行う。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型層を貫通するｎ型のIII族窒化物半導体層を備えているｎチャネル型の縦型のIII族窒化物半導体装置であって、オフ時にはｐ型層を貫通するｎ型層を空乏層が横断する構造と、その構造を製造する方法を提供する。
【解決手段】 窒化ガリウム基板２の表面に形成されている第１の窒化ガリウム層４の一部を窒化ガリウム基板２に達しない深さまでエッチングする。次に第１の窒化ガリウム層４の表面に第２の窒化ガリウム層６を形成する。次に第２の窒化ガリウム層６の一部を第１の窒化ガリウム層４の凸部４ａが露出する深さまでエッチングして凹部を形成する。次に凹部に第３の窒化ガリウム層８を形成する。第３の窒化ガリウム層８が成長するときにシリコンや酸素が取り込まれて、ｎ型不純物の濃度が高くなる。貫通層９ではｎ型不純物の濃度が低い層４ａと高い層８ａが混在している。 （もっと読む）

半導体素子が記載されており、当該素子における電流の流れは変換接合（例えば、ｐ−ｎ接合又は金属−半導体接合）の間に閉じ込められる。当該素子は、非パンチスルー挙動と、促進された導電可能性とをもたらす。当該素子は、接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）、スタティック誘導トランジスタ（ＳＩＴ）、接合型電界効果サイリスタ、又はＪＦＥＴ電流リミッタであり得る。当該素子は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）などの広いバンドギャップ半導体により製造され得る。いくつかの実施形態によれば、当該素子は、通常ＯＦＦのＳｉＣ垂直接合型電界効果トランジスタであり得る。当該素子の製法、及び当該素子を備えた回路も記載されている。 （もっと読む）

【課題】ドナー元素を含む半導体層を備えた半導体素子を形成する場合に、このドナー元素が上層に拡散することを抑制することができる半導体素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板上にＧａドープＭｇＺｎＯ層、アンドープＭｇＺｎＯ層、窒素ドープＭｇＺｎＯ層、アンドープ活性層、窒素ドープＭｇＺｎＯ層と積層した積層体でＧａの拡散を分析した。アンドープＭｇＺｎＯ層の次の窒素ドープＭｇＺｎＯ層で、拡散してきたＧａの濃度が表面側になるにつれて、急激に減少しており、この窒素ドープＭｇＺｎＯ層の上層にＧａは拡散していない。このように、ドナー元素を含む同一組成のドナー含有半導体層の一部に、アクセプタ元素を含み前記ドナー含有半導体層と同一組成のアクセプタ含有半導体層を形成することで、ドナー元素の拡散を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 縦型のIII族窒化物半導体の製造過程において、半導体構造の表面を平坦化する処理を利用することができるとともに、その後の工程で電極等を形成する際に半導体構造に対して高い精度で位置合わせできる製造方法を提供する。
【解決手段】 ｎ型の窒化ガリウム基板２の表面の一部にアライメントマーク４を形成する。次に、窒化ガリウム基板２の表面とアライメントマーク４を覆うようにｎ型の第１の窒化ガリウム層６を結晶成長させる。次に、第１の窒化ガリウム層６の一部をアライメントマーク４に達しない深さまでエッチングする。次に、第１の窒化ガリウム層６の表面にｐ型の第２の窒化ガリウム層８を形成する。次に、第１の窒化ガリウム層６の凸部６ａが露出するまで表面を平坦化する。第１の窒化ガリウム層６の表面を平坦化した後の工程でも、アライメントマークを認識することができる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系電界効果トランジスタをノーマリオフで動作させつつ、チャネルの電流密度を増加する。
【解決手段】窒素を含む３−５族化合物半導体のチャネル層と、前記チャネル層に電子を供給する電子供給層であって前記チャネル層に対向する面の反対面に溝部を有する電子供給層と、前記電子供給層の前記溝部に形成されたｐ形半導体層と、前記ｐ形半導体層と接して形成された、または、前記ｐ形半導体層との間に中間層を介して形成された制御電極と、を備えた半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系電界効果トランジスタをノーマリオフで動作させつつ、チャネルの電流密度を増加する。
【解決手段】窒素を含む３−５族化合物半導体のチャネル層と、前記チャネル層に電子を供給する電子供給層と、前記電子供給層の前記チャネル層に対向する面の反対面に形成された、窒素を含む３−５族化合物の真性またはｎ形の半導体層と、前記半導体層と接して形成された、または、前記半導体層との間に中間層を介して形成された制御電極と、を備えた半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ソース抵抗を低くし、ゲートしきい値電圧を浅くし、かつ信頼性を高くする。
【解決手段】サファイヤからなる基板１上にアンドープのＧａＮからなるチャネル層２を形成し、チャネル層２上にＡｌＧａＮからなる電子供給層３を形成し、電子供給層３のドレイン領域３ｂおよびソース領域３ｃにＳｎを拡散して、ドレイン領域３ｂおよびソース領域３ｃのキャリア濃度をチャネル領域３ａのキャリア濃度よりも高くし、チャネル領域３ａ上にＮｉからなるゲート電極４を形成し、ドレイン領域３ｂ上にＴｉ／Ａｌからなるドレイン電極５を形成し、ソース領域３ｂ上にＴｉ／Ａｌからなるソース電極６を形成する。 （もっと読む）

【課題】高性能、高品質のチャ領域を構成することができるＺｎＯ系トランジスタを提供する。
【解決手段】Ｍｇ_ＺＺｎＯ基板１上に、Ｍｇ_ＸＺｎＯ層２、Ｍｇ_ＹＺｎＯ層３が積層されている。Ｍｇ_ＸＺｎＯ層２とＭｇ_ＹＺｎＯ層３の界面で２次元電子ガスが発生する。４はゲート絶縁膜又は有機物電極であり、Ｍｇ_ＹＺｎＯ層３に接して形成されている。ゲート絶縁膜又は有機物電極４上にはゲート電極５が、ドナードープ部３ａ上には各々ソース電極６、ドレイン電極７が形成されている。このように、トランジスタのチャネル領域をＭｇＺｎＯ層で形成する。 （もっと読む）

【課題】ノーマリーオフ動作を実現可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、アンドープのＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０≦Ｘ≦１）を含む第１の半導体層３と、第１の半導体層３上に設けられ、アンドープもしくはｎ型のＡｌ_ＹＧａ_１−ＹＮ（０≦Ｙ≦１、Ｘ＜Ｙ）を含み、第１の半導体層３よりもバンドギャップが大きい第２の半導体層４と、第２の半導体層４上におけるソース電極５とドレイン電極６との間に設けられたゲート電極７とを備え、ゲート電極７下の第２の半導体層４中であって第１の半導体層３に達しない深さの部分に、第２の半導体層４中で負電荷を帯びる原子が添加されている。 （もっと読む）

【課題】チップ面積を大きくすることなく、十分なキャパシタンスおよび耐圧を確保することができる半導体装置を得る。
【解決手段】ＳｉＣ基板１１上に、ＡｌＮ層１２、ＧａＮ層１３およびＡｌＧａＮ層１４が順番に形成されている。ＡｌＮ層１２の上面の一部を露出するように、ＧａＮ層１３およびＡｌＧａＮ層１４に第１の開口１５が形成されている。また、第１の開口１５と対向する位置に、ＡｌＮ層１２の下面の一部を露出するように、ＳｉＣ基板１１に第２の開口１６が形成されている。第１の開口１５内においてＡｌＮ層１２の上面に上部電極１７が形成され、第２の開口１６内においてＡｌＮ層１２の下面に下部電極１８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオフ化が容易になり且つオン抵抗を低減できるＨＦＥＴを提供する。
【解決手段】第１半導体層と、前記第１半導体層上にヘテロ接合され且つ前記へテロ接合界面において２次元キャリアガス層を形成することができる第２半導体層とを備える主半導体領域と、前記主半導体領域上に形成されるソース電極９と、前記主半導体領域上に形成され且つ前記ソース電極と離間して形成されるドレイン電極１０と、前記第２半導体層上であって前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成され且つ前記２次元キャリアガス層と異なる導電型を有する第３半導体層と、前記第３半導体層上に形成されるゲート電極８と、を有し、前記第２半導体層上が、前記ゲート電極直下の領域に凹部を有することを特徴とするＨＦＥＴ。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上できる炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体装置の製造方法は、以下の工程を備えている。まず、主面１１０ａを含む炭化珪素半導体層１１０が準備される。そして、炭化珪素半導体層１１０の主面１１０ａにシリコンをドーピングして、炭化珪素半導体層に１１０おいてシリコンがドーピングされていない領域よりもシリコン濃度の高い高濃度領域１１５が形成される。そして、高濃度領域１１５と接する位置に、シリコンと化合物を生成する材料を含む金属層１４３、１４４が形成される。そして、金属層１４３、１４４を熱処理して、化合物を含む電極が形成される。 （もっと読む）