【課題】電流リークパスを低減可能であると共に、ドリフト層におけるオン抵抗を低減可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体素子１１では、半導体積層１３の開口部３１上に、チャネル層１５及びキャリア供給層１７が成長される。半導体積層１３は、ｎ型ドリフト層２３、ｐ型電流ブロック層２５及びｎ型コンタクト層１７を含み、これらの半導体層２３、２５、２７は支持基体２９の主面２９ａ上に順に設けられる。半導体積層１３では（０００２）面方向のＸ線回折半値幅は１００秒以下であり、（１０−１２）面方向のＸ線回折半値幅は２５０秒以下である。ゲート電極１９は、キャリア供給層１７上に設けられる。ゲート電極１９は、電流ブロック層２５の側面２５ａ上に設けられたチャネル層１５における二次元電子ガス３５の濃度を変調するように設けられる。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗の上昇を抑制し、かつ、オフ容量を低減することができる電界効果トランジスタ、電界効果トランジスタの製造方法及び通信装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板１０の一面側に、バッファ層１１、下部ドーピング層１２、下部スペーサ層１３、チャネル層１４、上部スペーサ層１５、上部ドーピング層１６、拡散層１７をこの順に積層し、拡散層１７上の一部にゲート電極１８、ソース電極１９及びドレイン電極２０を形成する。また、ゲート電極１８とソース電極１９及びドレイン電極２０との間の領域にそれぞれ所定の間隔ｄ２，ｄ３を空けてｐ型半導体層２１を形成すると共に、拡散層１７のうちゲート電極１８直下の部分にゲート領域２３を形成する。 （もっと読む）

単位面積あたりの電流処理能力が従来の窒化ガリウム（GaN）デバイスよりも非常に優れたGaNデバイスを開示する。当該改良は、レイアウトトポロジの改良によるものである。フィンガー電極ではなくアイランド電極を使用する当該レイアウトスキームは、従来のインターデジタル構造よりも活性面密度を増加させることを示す。当該アイランドトポロジを用いて超低オン抵抗トランジスタを構築することができる。具体的には、本発明は、従来通りのGaN水平方向技術および電極間隔を用いており、すべての水平方向GaN構造のコストパフォーマンス／実効性能を高める手段を提供する。

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【課題】高耐圧で、高い動作電圧を有する電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半絶縁性基板上に積層されたアンドープＡｌＮ６２層と、該アンドープＡｌＮ層上に積層されたＳｉドープｎ型ＡｌＮ層６３と、該Ｓｉドープｎ型ＡｌＮ層上に、高濃度Ｓｉドープｎ型ＡｌＮ層６４ａ，６４ｂを介して形成されたドレイン電極６５およびソース電極６７と、前記Ｓｉドープｎ型ＡｌＮ層６３上に形成されたゲート電極６６とを備え、前記Ｓｉドープｎ型ＡｌＮ層のＳｉ濃度は、５×１０^１６ｃｍ^−３〜５×１０^１８ｃｍ^−３であり、前記高濃度Ｓｉドープｎ型ＡｌＮ層のＳｉ濃度は、５×１０^１９ｃｍ^−３以上である。前記ゲート電極の材料は、Ｐｄ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ａｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｎｂ，Ａｌ，Ｔｉのいずれか１つが含まれる。 （もっと読む）

本発明は、ドリフト層（１６）を有する単極半導体部品の製造方法であって、少なくとも１つの広いバンドギャップ材料を含むドリフト層（１６）の材料のエピタキシャル析出を手段として、ドリフト層（１６）の成長方向（１９）に沿って連続的に低下する電荷キャリアドーピング（ｎ）の濃度を有するドリフト層（１６）を形成する工程を含む方法に関する。エピタキシャル析出により形成されるドリフト層（１６）に炭化ケイ素を使用することにより、下流工程におけるドープ材原子の拡散による電荷キャリアドーピング（ｎ）の連続的に低下する濃度のその後の変化を抑制する。製造方法は特に、単純なおよび／または費用効果的なやり方で、ドリフト層（１６）を含む単極半導体部品であって比較的低い順方向損失と比較的高い逆バイアス電圧との有利な比を有する単極半導体部品を実装するために使用されることができる。単極半導体部品は能動半導体部品または受動半導体部品であることができる。本発明はさらに、半導体装置（１０）に関する。
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【課題】電流コラプス現象およびゲートリーク電流を抑制することが可能な電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】電界効果トランジスタ１は、基板１０と、チャネル層１１と、キャリア供給層１２と、ソース電極２１と、ドレイン電極２２と、ゲート電極２３と、ソース電極２１とドレイン電極２２との間でキャリア供給層１２に積層されて電流コラプス現象を抑制する第１絶縁層３１と、ドレイン電極２２に対向する第１絶縁層３１の端とドレイン電極２２との間に形成された開口部４０と、開口部４０に露出したキャリア供給層１２に積層された第２絶縁層３２とを備える。 （もっと読む）

【課題】精度良く加工された窒化物半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体装置は、基板１０１の上に形成された第１の窒化物半導体層１０７と、第１の窒化物半導体層１０７の上に形成された欠陥導入層１０８と、欠陥導入層１０８の上に接して形成され、欠陥導入層１０８を露出する開口部を有する第２の窒化物半導体層１０９とを備えている。欠陥導入層１０８は、第１の窒化物半導体層１０７及び第２の窒化物半導体層１０９と比べて結晶欠陥密度が大きい。 （もっと読む）

縦型接合形電界効果トランジスタ（ＶＪＦＥＴ）またはバイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）のような半導体デバイスを製造する方法が記載される。その方法はイオン注入を必要としない。ＶＪＦＥＴデバイスは、エピタキシャル成長した埋め込みゲート層のみでなく、エピタキシャル再成長したｎ型チャネル層及びエピタキシャル再成長したｐ型ゲート層も有する。その方法で製造されたデバイスも記載される。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極下の電子の走行方向が基板表面に略平行であるようにデバイス構造を改良しながらも各種弊害を解消したヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ｎ型導電層は選択的にイオン注入されているシリコン（Ｓｉ）などのｎ型不純物をアニール処理で活性化することにより形成されており、ｎ型導電層は、イオンが２００ｋｅＶ以上の加速エネルギーで注入されており、ｐ型窒化物半導体層より深く、かつドレイン電極１１４と導通する半導体層にまで注入イオンが達する選択的イオン注入によって形成されており、ｎ型導電層とｎ型不純物が注入されていないチャネル領域との接続部１１５に注入されているｎ型不純物濃度が１×１０^１８ｃｍ^−３以下である。 （もっと読む）

【課題】 炭化珪素の半導体装置において、電極材料と、内部配線の材料とが異なるとき、これら異種金属の接触界面における不具合のおそれを無くして、長期間使用後にも高い信頼性を得ることができる、半導体装置等を提供する。
【解決手段】 炭化珪素１４，１８に接触する接触電極１６と、該接触電極と導通する配線１９とを備え、接触電極１６が、チタン、アルミニウム、および珪素を含有する合金で形成され、配線１９は、アルミニウムまたはアルミニウム合金で形成され、該配線は接触電極と接触することで該接触電極と導通をとることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高いアバランシュブレークダイン強度を有する横型ＨＥＭＴと、その製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板上に配置された、第１導電型のチヤネルとなる第１層１１、少なくとも部分的に上記第１層１１の上に配置された電子供給層となる第２層１２を有する。さらに、上記横型ＨＥＭＴは、上記第１導電型に対して相補的な第２導電型の半導体物質を有し、少なくとも部分的に上記第１層１１の中に配置された第３層１３を有する。このためＰＮダイオードが上記第１層および第３層の間で形成され、ＰＮダイオードは横型ＨＥＭＴより低いブレークダウン電圧を有することにより、ＨＥＭＴを高い電界から保護することができ、ＨＥＭＴの劣化を防止できる。 （もっと読む）

【課題】ノーマリーオフ型であるとともに、ゲート閾値電圧のばらつきが小さいＨＥＭＴ型のトランジスタを提供する。
【解決手段】このトランジスタは、ｐ型領域18と、チャネル領域20と、バリア領域22と、絶縁膜62と、ゲート電極64を備えている。チャネル領域20は、ｎ型またはｉ型であり、ｐ型領域の表面に接しており、第１チャネル領域と第２チャネル領域を有している。バリア領域22は、第１チャネル領域の表面とヘテロ接合している。絶縁膜62は、第２チャネル領域の表面、及び、バリア領域の表面に接している。ゲート電極64は、絶縁膜62を介して第２チャネル領域及びバリア領域に対向している。第１チャネル領域と第２チャネル領域は、電流経路において直列に配置されている。 （もっと読む）

【課題】電流コラプスを減少し耐圧を維持しつつ、オン抵抗を改善した、高電圧、高周波で動作する半導体装置を提供する。
【解決手段】この発明にかかる半導体装置は、ヘテロ接合型の窒化物半導体装置であって、基板１上に形成されたチャネル層２と、チャネル層２上に形成された電子供給層３と、電子供給層３上に選択的に形成されたゲート電極５と、ゲート電極５を挟み離間して形成されたソース、ドレイン電極４ａ，４ｂと、ゲート電極５のドレイン電極側端部近傍を除く第１領域に形成され、当該第１領域に対応する二次元電子ガス濃度に作用する第１薄膜である薄膜８と、ゲート電極５のドレイン電極側端部近傍の第２領域に形成され、当該第２領域に対応する二次元電子ガス濃度に作用し、当該濃度を第１領域に対応するそれよりも低くする第２薄膜である薄膜６とを備える。 （もっと読む）

【課題】電子移動度を向上させつつ結晶中のカーボン濃度を所望の値にすることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板が配置されたチャンバ内にガス状の窒化物系化合物半導体材料としてトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）とアンモニア（ＮＨ_３）とを導入してバッファ層１３を形成する際、プロパンなどのカーボンを含む炭化水素または有機化合物の材料ガスを添加剤として導入することで、バッファ層１３のカーボン濃度を制御する。 （もっと読む）

【課題】コスト増や大型化を招くことなく、耐圧特性に優れた半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層１３と、半導体層１３上のゲート電極１５、ソース電極１６ｓおよびドレイン領域１６ｄと、を備えたＭＯＳＦＥＴ１は、半導体層１３中であってこの半導体層１３の上面および下面それぞれから離間する中間領域に所定の導電性を備えたドーパント（例えばシリコン（Ｓｉ））を含む縦方向電界緩和領域１９を備えている。 （もっと読む）

半導体結晶、及びそれを形成する方法を提供する。当該方法は、ドーパント及びＩＩＩ族元素を含有するガスのフローを供給し、その後、ドーパント及びＩＩＩ族元素を含有するガスのフローを停止し、温度を低下させ、ＩＩＩ族元素を含有するガスのフローを再開し、そして、温度を上昇させることを含む。
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【課題】耐圧性が高い電界効果トランジスタを提供すること。
【解決手段】ｐ型の導電型を有する基板と、前記基板上に形成された高抵抗層と、前記高抵抗層上に形成され、ｐ型の導電型を有するｐ型半導体層を前記基板側に配置したリサーフ構造を有する半導体動作層と、前記半導体動作層上に形成されたソース電極、ドレイン電極、およびゲート電極と、を備える。好ましくは、前記リサーフ構造は、前記ｐ型半導体層上に形成されたｎ型の導電型を有するリサーフ層を備える。また、好ましくは、前記リサーフ構造は、前記ｐ型半導体層上に形成されたアンドープのキャリア走行層と、前記キャリア走行層上に形成され該キャリア走行層とはバンドギャップエネルギーが異なるキャリア供給層とを備える。 （もっと読む）

【課題】電流コラプスを抑制することができる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ソース電極１０５、ドレイン電極１０７およびゲート電極１０６を備えるＨＥＭＴ１００であって、第１の窒化物半導体からなる第１の半導体層１０３と、第１の半導体層１０３上に設けられた、第１の窒化物半導体よりもバンドギャップの大きな第２の窒化物半導体からなる第２の半導体層１０４とを備え、第１の半導体層１０３および第２の半導体層１０４のヘテロ接合によりチャネルが形成され、第１の半導体層１０３における、ドレイン電極１０７とゲート電極１０６との間の下方で、かつ、ヘテロ接合界面から所定の距離おいた領域には、低移動度領域１０８が設けられ、低移動度領域１０８は、第１の半導体層１０３における該低移動度領域１０８の周囲の領域よりも電子移動度の小さな領域である。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極材料の耐熱上の問題を克服し、ソース抵抗の低減が可能な電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極９を挟んでソース電極８、ドレイン電極１０をそれぞれ形成するソース領域３、ドレイン領域６のいずれか一方または双方の領域にイオンを注入し活性化した第１の高濃度キャリア領域６と、ゲート電極９の直下に形成したチャネル領域４と第１の高濃度キャリア領域６との間の領域に、熱処理によりキャリアを拡散させた熱拡散領域７の第２の高濃度キャリア領域とを形成し、第１の高濃度キャリア領域６は、チャネル領域４と互いに隣接して形成される第２の高濃度キャリア領域７と隣接および／または一部重複し、かつ、チャネル領域４以上に深く形成した第２の高濃度キャリア領域７よりも深く形成する。第１の高濃度キャリア領域６のキャリア濃度を、チャネル領域４よりも高濃度の第２の高濃度キャリア領域７よりさらに高くする。 （もっと読む）

【課題】低オン抵抗と高耐圧とを同時に実現させることができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】ＧａＮからなる半導体基板１２と、この半導体基板１２の表面に形成されたｎ型拡散層１１と、このｎ型拡散層１１の表面の一部に形成されたｎ＋型拡散層１７と、ｎ型拡散層１１上に互いに離間して形成されたドレイン電極１３及びソース電極１４と、ｎ＋型拡散層１７上に形成され、ドレイン電極１３とソース電極１４との間に形成されたゲート電極１５と、ゲート電極１５とドレイン電極１３との間の半導体基板１２に、深さ方向に延長形成され、内部が高抵抗体２０で充填されたトレンチ１９と、を具備する。 （もっと読む）