【課題】雰囲気安定性、高ＯＮ／ＯＦＦ比、高電流密度等の優れた特性を有する実用的な縦型有機半導体デバイスを提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される化合物を半導体材料として含む、縦型有機半導体デバイス。


（Ｒ_１及びＲ_２はそれぞれ独立に置換基を有してもよい芳香族基を表す） （もっと読む）

【課題】破損を抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、シリコンを含む材料からなる基板２と、基板２上に形成された緩衝層３と、緩衝層３上に形成された窒化物系半導体を含むデバイス形成層４とを有する。緩衝層３は、アルミニウムを含む第１の窒化物系半導体層１１と、第１の窒化物系半導体層１１の上に形成され、アルミニウムの含有率が徐々に減少する第１の組成傾斜層１２と、第１の組成傾斜層１２の上に形成され、アルミニウムを含まないまたは第１の窒化物系半導体層１１よりもアルミニウムの含有率が少ない第２の窒化物系半導体層１３と、第２の窒化物系半導体層１３の上に形成され、アルミニウムの含有率が徐々に増加する第２の組成傾斜層１４とを順番に複数回積層したものである。第１の組成傾斜層１２は、第２の組成傾斜層１４よりも厚い。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層を有する半導体装置を低コストで製造する。
【解決手段】基板上に第１の窒化物半導体の犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、前記犠牲層上に第２の窒化物半導体層を形成し、前記第２の窒化物半導体層上に窒化物半導体層を積層した積層窒化物半導体層を形成する積層半導体形成工程と、前記犠牲層の表面が露出するまで、前記第２の窒化物半導体層及び前記積層窒化物半導体層をエッチングすることによりトレンチを形成し、前記トレンチ及び前記積層窒化物半導体層表面に接続電極を形成する接続電極形成工程と、前記接続電極の形成された前記基板を電解液に浸漬させ、前記電解液に対し前記接続電極に電位を印加し、前記犠牲層を除去し前記基板を剥離する犠牲層除去工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】バッファ層を介した電極間のリーク電流を抑制した半導体素子を提供する。
【解決手段】本半導体素子は、基板１０に形成された第１のＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１４ａ及び第１のＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１４ａよりＡｌ組成Ｘの大きい第２のＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１４ｂが交互に積層して形成された超格子バッファ層１４を有する。そして、第１のＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１４ａ及び第２のＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１４ｂのＡｌ組成Ｘは共に０．３より大きく、かつ第１のＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１４ａ及び第２のＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１４ｂのＡｌ組成Ｘの差は０より大きく０．６より小さい。この構成によれば、バッファ層を介したリーク電流を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｊ−ＦＥＴでは、ゲート領域およびバックゲート領域からのｐ型不純物拡散により、ゲート領域直下のチャネル領域のｎ型不純物濃度が低下し、ＩＤＳＳばらつきや、順伝達アドミタンスｇｍ、電圧利得Ｇｖの劣化やノイズ電圧Ｖｎｏが増加する問題があった。
【解決手段】バックゲート領域となるｐ型半導体基板表面にソース領域５、ドレイン領域６を設け、これらの間のｐ型半導体基板表面にチャネル領域４を設ける。チャネル領域４下方のｐ型半導体基板に、ゲート領域７を設け、ゲート領域７の上面は、チャネル領域４下面と接触する。これにより、チャネル領域４の不純物拡散ばらつきを防止し、チャネル深さばらつきを抑制できる。従って電流経路の抵抗値を略均一にでき、ＤＳＳを安定化させ、順伝達アドミタンスｇｍ、電圧利得Ｇｖを向上させ、ノイズ電圧Ｖｎｏを低減できる。更に同一ウエハ内でのＩＤＳＳばらつきも抑制できる。 （もっと読む）

【課題】接合型電界効果トランジスタ等の半導体装置において、オン抵抗を低減できるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、まず、基板１０１の上に第１の窒化物半導体層１０３、第２の窒化物半導体層１０４及びｐ型の第３の半導体層１０５を順次エピタキシャル成長する。これよりも後に、第３の半導体層１０５を選択的に除去する。これよりも後に、第２の窒化物半導体層１０４の上に、第４の窒化物半導体層１０６をエピタキシャル成長する。これよりも後に、第３の半導体層１０５の上にゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】耐圧性が高い電界効果トランジスタを提供すること。
【解決手段】ｐ型の導電型を有する基板と、前記基板上に形成された高抵抗層と、前記高抵抗層上に形成され、ｐ型の導電型を有するｐ型半導体層を前記基板側に配置したリサーフ構造を有する半導体動作層と、前記半導体動作層上に形成されたソース電極、ドレイン電極、およびゲート電極と、を備える。好ましくは、前記リサーフ構造は、前記ｐ型半導体層上に形成されたｎ型の導電型を有するリサーフ層を備える。また、好ましくは、前記リサーフ構造は、前記ｐ型半導体層上に形成されたアンドープのキャリア走行層と、前記キャリア走行層上に形成され該キャリア走行層とはバンドギャップエネルギーが異なるキャリア供給層とを備える。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオン型ＨＦＥＴの閾値電圧の簡易な調整方法を提供すること。
【解決手段】ｉ−ＡｌＧａＮ層１２のゲート電極１５を形成する領域のみを開口させたパターンのマスク１７を形成する。開口されたｉ−ＡｌＧａＮ層１２の領域に、ＣＦ₄ ガスプラズマを照射し、ダメージ層１６を形成する（図２（ｃ））。ＣＦ₄ ガスプラズマの照射時間によってダメージ層１６の厚さを調整することで、実質的なｉ−ＡｌＧａＮ層１２の厚さを調整することができ、これにより閾値電圧を調整することができる。 （もっと読む）

【課題】ドレイン電極からのリーク電流を防止できる電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】この電界効果型トランジスタによれば、ＷＮ/Ａｌドレイン電極１０９がドレイン電極１０９の下のｎ^＋型領域(拡散領域)１１２を介してＧａＮチャネル層１０４にショットキー接合されている。これにより、従来の熱処理によりドレイン電極にオーミックコンタクトを形成する場合と異なり、ドレイン電極１０９下へメタルが侵入することを回避できる。よって、このメタル侵入が発生するために生じるリーク電流を低減することが可能であり、電界効果型トランジスタにおける破壊電圧を向上できる。 （もっと読む）

【課題】低抵抗なオーミック性を有し、酸・アルカリによる腐食に対し高い耐性を持つ電極を備えた半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】窒化物半導体層１と、窒化物半導体層１上に設けられた電極と、を備え、電極は、窒化物半導体層１上に設けられた第一金属層２と、第一金属層２上に設けられた第二金属層３と、前記第二金属層３上に設けられた第三金属層４と、を備え、第一金属層２は第二金属層３よりも窒化物半導体層１との高い密着性を有する金属を含み、第二金属層３は第一金属層２よりも低抵抗で窒化物半導体層１に対してオーミック性を有する金属を含み、第三金属層４は水素よりもイオン化傾向の小さい金属を含むことを特徴とする、半導体装置。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体装置の表面安定化を実現し、これにより、電流コラプスを抑制した窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の窒化物半導体からなるキャリア走行層１０３と、キャリア走行層１０３の上方に設けられた第２の窒化物半導体からなるキャリア供給層１０４と、キャリア走行層１０３とオーミック接触するソース電極１０６及びドレイン電極１０７と、キャリア供給層１０４の上方に設けられたゲート電極１１０とを備え、ゲート電極１１０とドレイン電極１０７との間において、キャリア供給層１０４の表面の少なくとも一部が、構成元素として窒素元素を含む窒化物絶縁膜で覆われ、窒化物絶縁膜において、窒素元素の含有量が他の構成元素の含有量の合計よりも多い。 （もっと読む）

【課題】チャネル抵抗を大幅に低減した電界効果トランジスタ実装体を実現できるようにする。
【解決手段】トランジスタ実装体の製造方法は、トランジスタ１００を形成する工程（ａ）と、形成基板１０１を研磨する工程（ｂ）と、形成基板１０１を研磨したトランジスタ１００を保持基板２００に固定する工程（ｃ）とを備えている。工程（ａ）は、形成基板１０１の主面上に第１の半導体層及び該第１の半導体層よりもバンドギャップが大きい第２の半導体層を順次形成する。工程（ｂ）は、形成基板１０１における主面と反対側の面を研磨する。工程（ｃ）は、形成基板１０１の反りが小さくなる方向の応力を形成基板１０１に印加した状態でトランジスタ１００を保持基板２００の上に固定する。 （もっと読む）

【課題】 パワーデバイスに必要な特性を確保しながら、コストを低減することができる窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 ＣＡＶＥＴ１において、シリコン基板２上に、ＡｌＮ構造８を有するバッファ層４、電子走行層６、および電子供給層７を積層した構造を有し、電子走行層６および電子供給層７に跨る壁面１６を有する積層構造部３を形成する。バッファ層４と電子走行層６との間には、開口部１３を有するマスク層１２を形成する。ソース電極１８は、電子供給層７上に形成し、ゲート電極２０は、電子供給層７上におけるソース電極１８よりも壁面１６寄りの位置に設ける。ドレイン電極３０は、シリコン基板２の裏面２２側からシリコン基板２およびバッファ層４を貫通するように設ける。そして、壁面１６に沿って埋込電極１７を設け、開口部１３を介してドレイン電極３０に電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】長期にわたって安定した動作が可能な化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１上方に形成された電子走行層２と、電子走行層２上方に形成された電子供給層３と、電子供給層３上方に形成されたソース電極７ｓ、ドレイン電極７ｄ及びゲート電極７ｇと、が設けられている。ソース電極７ｓと電子供給層３との間の抵抗は、ゲート電極７ｇから離間するほど低くなっており、ドレイン電極７ｄと電子供給層３との間の抵抗は、ゲート電極７ｇから離間するほど低くなっている。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極材料の耐熱上の問題を克服し、ソース抵抗の低減が可能な電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極９を挟んでソース電極８、ドレイン電極１０をそれぞれ形成するソース領域３、ドレイン領域６のいずれか一方または双方の領域にイオンを注入し活性化した第１の高濃度キャリア領域６と、ゲート電極９の直下に形成したチャネル領域４と第１の高濃度キャリア領域６との間の領域に、熱処理によりキャリアを拡散させた熱拡散領域７の第２の高濃度キャリア領域とを形成し、第１の高濃度キャリア領域６は、チャネル領域４と互いに隣接して形成される第２の高濃度キャリア領域７と隣接および／または一部重複し、かつ、チャネル領域４以上に深く形成した第２の高濃度キャリア領域７よりも深く形成する。第１の高濃度キャリア領域６のキャリア濃度を、チャネル領域４よりも高濃度の第２の高濃度キャリア領域７よりさらに高くする。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体から成るヘテロ接合電界効果型トランジスタに於いて、バリア層上に２次元電子ガス濃度を減少させずに略50nm以上のキャップ層を形成するには、シリコンを1×10¹⁹cm^-2程度の高濃度でドーピングする必要があるが、この様な高い濃度のシリコンを均一性良くドーピングするのは困難である。窒化物半導体では酸素及び窒素空孔の様なエピタキシャル成長中等に意図せずに混入するドナーがあるため、シリコンだけでドーピング濃度を制御することが難しい。
【解決手段】キャップ層５０内でヘテロ接合の形成により発生する分極の影響を受けるバリア層４０側の領域に、キャップ層５０を構成する窒化物半導体のバンドギャップ内の分極の効果によって決まるフェルミ・レベルよりも高いエネルギー位置に準位を形成する複数のドナーが、合計して２次元電子ガス濃度と同程度の濃度でドーピングされている。 （もっと読む）

【課題】ＪＦＥＴの電気的特性を改善すること。
【解決手段】Ｎ型基板２０１上のＰウェル２０２内部にＮ型チャネル領域２０３がある。Ｎ型チャネル領域２０３上にＰ型ゲート領域１０３がある。ゲート領域１０３の中にＮ型ソース領域１０７及びドレイン領域１０６が互いに平行に配置され、それらはＮ型チャネル２０３に接続されている。ゲート領域１０３を配線に接続するためにＰ型ゲートコンタクト領域１０４がソース領域１０７及びドレイン領域１０６から離れた位置に設けられている。Ｎ型チャネル２０３とＰウェル２０２との境界の上に平坦な分離用のシリコン熱酸化膜２０４があり、その上に分離用の多結晶シリコン１０１がある。多結晶シリコン１０１より外側のＰウェル２０２の上に配線を接続するためにＰウェルコンタクト領域１０２がある。 （もっと読む）

【課題】耐圧特性を向上させ且つリーク電流を低減することが可能な半導体装置、半導体装置の製造方法および半導体装置のリーク電流低減方法を提供する。
【解決手段】ＨＦＥＴ１００は、支持基板であるサファイア基板１０１と、サファイア基板１０１上のバッファ層１０２と、バッファ層１０２上のキャリア走行層１０３と、キャリア走行層１０３上のキャリア供給層１０４と、キャリア供給層１０４上に離間して設けられたソース１０６ｓおよびドレイン１０６ｄと、キャリア供給層１０４上におけるソース１０６ｓとドレイン１０６ｄとの間に設けられたゲート１０７と、キャリア供給層１０４上を覆う絶縁膜１０５と、を備える。キャリア供給層１０４は、カーボン濃度が２×１０^１７ｃｍ^−３以上である。 （もっと読む）

【課題】 安定した表面を有するIII族窒化物基板を提供する。
【解決手段】 一実施形態に係るIII族窒化物基板は、表面層を有している。当該表面層は、３ａｔ．％の〜２５ａｔ．％の炭素を含み、且つ、５×１０^１０原子／ｃｍ^２〜２００×１０^１０原子／ｃｍ^２のｐ型金属元素を含んでいる。このIII族窒化物基板は、安定した表面を有するものとなる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを素材として採用することで本来得られる特性をより確実に得ることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＪＦＥＴ１は、少なくとも上部表面１４Ａが炭化珪素からなるウェハ１０と、上部表面１４Ａ上に形成されたゲートコンタクト電極２１とを備える。ウェハ１０は、上部表面１４Ａを含むように形成されたイオン注入領域である第１のｐ型領域１６を含む。第１のｐ型領域１６は、上部表面１４Ａを含むように配置されるベース領域１６Ａと、突出領域１６Ｂとを含む。ベース領域１６Ａは、上部表面１４Ａに沿った方向における幅ｗ_１が、突出領域１６Ｂの幅ｗ_２よりも広い。ゲートコンタクト電極２１は、平面的に見てその全体が第１のｐ型領域１６に重なるように、第１のｐ型領域１６に接触して配置されている。 （もっと読む）