【課題】汎用溶媒に対する溶解性が非常に高く、湿式成膜が可能な低コストプロセスに適応可能であり、さらに、容易に均質性の高い薄膜を得ることが可能な有機エレクトロニクス用材料として有用なオリゴチオフェン類からなる有機半導体材料およびこれを用いた有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表わされることを特徴とする有機半導体材料。


（式中、Ｒ_１およびＲ_２は、互いに異なるアルキル基を表わし、ｘおよびｙは、それぞれ独立に１または２の整数を表わす。） （もっと読む）

【課題】低温短時間のアニールによっても、低いコンタクト抵抗を得ることのできるオーミック電極を備える電子デバイスを提供する。
【解決手段】電子デバイスは、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６と、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６上に形成されるオーミック電極であるソース電極１８及びドレイン電極とを含む電子デバイスであって、オーミック電極は、密着層４０、オーミック層４２、及び、酸化防止層４６が、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６側からこの順に積層されて形成された電極であり、密着層４０は、バナジウム（Ｖ）からなり、かつ、厚みが３００Å以下であるようにする。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタの局所的な温度を測定することが可能な電界効果トランジスタを提供することである。
【解決手段】本発明にかかる電界効果トランジスタは、半導体層５と、半導体層５とオーミック接合したソース電極１と、半導体層５とオーミック接合したドレイン電極２と、半導体層５とショットキ接合したゲート電極３と、ソース電極１の一部に形成された空隙に設けられた、半導体層５とショットキ接合したショットキ電極４と、を有する。また、本発明にかかる他の態様の電界効果トランジスタは、半導体層５と、半導体層５とオーミック接合したソース電極１と、半導体層５とオーミック接合したドレイン電極２と、半導体層５とショットキ接合したゲート電極１と、ドレイン電極２の一部に形成された空隙に設けられた、半導体層５とショットキ接合したショットキ電極４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】インパクトイオン化現象によって発生した電子・正孔を効率よく吸収することが可能で正常な動作特性と高い信頼性を実現する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置２０は、基板２１に対して順次積層されたバッファ層２２、下地化合物半導体層２３ｆ（下地化合物半導体層２３）、インパクトイオン制御層２４、下地化合物半導体層２３ｓ（下地化合物半導体層２３）、チャネル画定化合物半導体層２６ｆ（チャネル画定化合物半導体層２６）、チャネル画定化合物半導体層２６ｓ（チャネル画定化合物半導体層２６）、ＡｌＧａＮ（窒化アルミニウムガリウム）層２８、ＧａＮ（窒化ガリウム）層２９を備えている。インパクトイオン制御層２４は、下地化合物半導体層２３の積層範囲（積層範囲の厚さＴｓｔ）内に積層されてインパクトイオン化現象の発生位置を制御する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極下の電子の走行方向が基板表面に略平行であるようにデバイス構造を改良しながらも各種弊害を解消したヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ｎ型導電層は選択的にイオン注入されているシリコン（Ｓｉ）などのｎ型不純物をアニール処理で活性化することにより形成されており、ｎ型導電層は、イオンが２００ｋｅＶ以上の加速エネルギーで注入されており、ｐ型窒化物半導体層より深く、かつドレイン電極１１４と導通する半導体層にまで注入イオンが達する選択的イオン注入によって形成されており、ｎ型導電層とｎ型不純物が注入されていないチャネル領域との接続部１１５に注入されているｎ型不純物濃度が１×１０^１８ｃｍ^−３以下である。 （もっと読む）

【課題】ドレイン電極部分での破壊を抑制して、耐圧を向上できる半導体装置を提供する。
【解決手段】ドレイン電極１０５は、バリア層１０２に、ショットキー接触するショットキー電極である。このように、ドレイン電極１０５を、高温アニールで合金化してバリア層１０２にオーミック接触することなく、形成できる。したがって、ドレイン電極１０５部分において破壊電界が低くならないので、ドレイン電極１０５部分での破壊を抑制して、耐圧を向上できる。 （もっと読む）

【課題】良好な高周波特性及び電流コラプスの低減を両立することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体積層構造２と、化合物半導体積層構造２上に形成された表面保護膜１０と、化合物半導体積層構造２上方に形成されたソース電極４、ドレイン電極５及びゲート電極６と、が設けられている。ゲート電極６には、その下面が化合物半導体積層構造２に接する接合部６ａと、接合部６ａよりもドレイン電極５側において、その下面が表面保護膜１０の上面に接する乗り上がり部６ｂと、乗り上がり部６ｂよりもドレイン電極５側に位置し、その下面と表面保護膜１０の上面との間に表面保護膜１０よりも誘電率が低い領域が介在する離間部６ｃと、が設けられている。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ低抵抗の半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成され、該半導体層の表面方向における幅が該半導体層の表面と垂直方向における高さ以上である櫛歯状の電極と、を備える。また、基板上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層上に、前記半導体層の表面方向における幅が該半導体層の表面と垂直方向における高さ以上である櫛歯状の電極を形成する電極形成工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物半導体において埋め込み電極として利用可能な特定のパターン形状の導電性材料を埋め込んだ構造を実現し、ＳＩＴ等のデバイスを作製可能にする。
【解決手段】（１）一般式Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_zＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される第１の３−５族化合物半導体と、（２）これに接して該第１の３−５族化合物半導体表面の一部を特定のパターン形状で被覆するＳｉＯ_２と、（３）該ＳｉＯ_２に接して積層された導電性材料と、（４）該ＳｉＯ_２と該導電性材料との積層体で被覆されてない該第１の３−５族化合物半導体表面の露出部と該導電性材料とを共に被覆する一般式Ｉｎ_uＧａ_vＡｌ_wＮ（ただし、ｕ＋ｖ＋ｗ＝１、０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１）で表される第２の３−５族化合物半導体と、からなり、該導電性材料の層厚が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする３−５族化合物半導体。 （もっと読む）

【課題】窒素不足に起因する移動度の低下を抑制し、窒素不足に起因するリーク電流を低減することができる窒化物半導体装置、その製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体装置１は、基板１０と、バッファ層１１と、窒化物半導体層（第１窒化物半導体層１２、第２窒化物半導体層１３、第３窒化物半導体層１４）と、第１電極２２と、第２電極２３と、制御電極２５とを備える。第１電極２２と第２電極２３との間で第３窒化物半導体層１４の表面から第２窒化物半導体層１３に渡って凹状に形成されたリセス部１６を備え、リセス部１６は、絶縁性窒化物で形成された窒化物絶縁膜１７を備え、制御電極２５は、導電性窒化物で形成され窒化物絶縁膜１７（ゲート絶縁膜）に重ねて配置されている。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗を低減することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上方に、表面が（０００１）面の第１の化合物半導体層１３ｂ、及び表面が（０００−１）面の第２の化合物半導体層１３ａを互いに接するように形成し、第１の化合物半導体層１３ｂ上に第１の化合物半導体層１３ｂよりも格子定数が小さい第３の化合物半導体層１４ｂを形成し、第２の化合物半導体層１３ａ上に第２の化合物半導体層１３ａよりも格子定数が小さい第４の化合物半導体層１４ａを形成する。また、前記第１の化合物半導体層に電位を付与する第１の電極、及び前記第２の化合物半導体層に電位を付与する第２の電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物半導体において埋め込み電極として利用可能な特定のパターン形状の導電性材料を埋め込んだ構造を実現し、ＳＩＴ等のデバイスを作製可能にする。
【解決手段】（１）ＧａＮ層上にＧａＡｌＮを積層した構造である第１の３−５族化合物半導体と、（２）これに接して該第１の３−５族化合物半導体表面の一部を特定のパターン形状で被覆する導電性材料と、（３）該導電性材料で被覆されてない該第１の３−５族化合物半導体表面の露出部と該導電性材料とを共に被覆する一般式Ｉｎ_uＧａ_vＡｌ_wＮ（ただし、ｕ＋ｖ＋ｗ＝１、０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１）で表される第２の３−５族化合物半導体と、からなり、該導電性材料の層厚が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である３−５族化合物半導体。 （もっと読む）

【課題】漏れ電流の発生を防止すると共に、十分な耐圧を実現することが可能な横型接合型電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】この発明に従った横型ＪＦＥＴ１０では、バッファ層１１は、ＳｉＣ基板１の主表面上に位置し、ｐ型不純物を含む。チャネル層１２は、バッファ層１１上に位置し、バッファ層１１におけるｐ型不純物の濃度より高い濃度のｎ型不純物を含む。ｎ型のソース領域１５およびドレイン領域１６は、チャネル層１２の表面層において互いに間隔を隔てて形成され、ｐ型のゲート領域１７は、チャネル層１２の表面層においてソース領域１５およびドレイン領域１６の間に位置する。バリア領域１３は、チャネル層１２とバッファ層１１との境界領域において、ゲート領域１７の下に位置する領域に配置され、バッファ層１１におけるｐ型不純物の濃度より高い濃度のｐ型不純物を含む。 （もっと読む）

【課題】単一半導体基板上にＨＢＴおよびＦＥＴのような複数異なる種類のデバイスを形成するに適した半導体基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体を結晶成長させる反応容器内に第１不純物原子を構成要素として有する単体または化合物を含む第１不純物ガスを導入する段階を含む複数の段階を繰り返して、複数の半導体基板を製造する方法であって、第１不純物ガスを導入する段階の後に、製造された半導体基板を取り出す段階と、反応容器内に第１半導体を設置する段階と、反応容器内に、第１半導体内で第１不純物原子と反対の伝導型を示す第２不純物原子を構成要素として有する単体または化合物を含む第２不純物ガスを導入する段階と、第１半導体を第２不純物ガスの雰囲気中で加熱する段階と、加熱した前記第１半導体上に第２半導体を結晶成長させる段階とを備える半導体基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】電流コラプスを減少し耐圧を維持しつつ、オン抵抗を改善した、高電圧、高周波で動作する半導体装置を提供する。
【解決手段】この発明にかかる半導体装置は、ヘテロ接合型の窒化物半導体装置であって、基板１上に形成されたチャネル層２と、チャネル層２上に形成された電子供給層３と、電子供給層３上に選択的に形成されたゲート電極５と、ゲート電極５を挟み離間して形成されたソース、ドレイン電極４ａ，４ｂと、ゲート電極５のドレイン電極側端部近傍を除く第１領域に形成され、当該第１領域に対応する二次元電子ガス濃度に作用する第１薄膜である薄膜８と、ゲート電極５のドレイン電極側端部近傍の第２領域に形成され、当該第２領域に対応する二次元電子ガス濃度に作用し、当該濃度を第１領域に対応するそれよりも低くする第２薄膜である薄膜６とを備える。 （もっと読む）

【課題】ｐ型の窒化物半導体層からのマグネシウムの拡散を防止するとともに良好なノーマリオフ特性を確保することができる窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体装置１００は、ｎチャネル型の縦型のＨＥＭＴである。窒化物半導体装置１００は、ｎ型の第３窒化物半導体層４の表面の一部にマグネシウムが含有されているｐ型の第１窒化物半導体層６ａ、６ｂを備えている。第１窒化物半導体層６ａ、６ｂの表面に臨む範囲には、イオン注入されたアルミニウムが含有されているＡｌ含有領域８ａ、８ｂが形成されている。Ａｌ含有領域８ａ、８ｂはマグネシウムの拡散を防止する。また、Ａｌ含有領域８ａ、８ｂの表裏両面に二次元電子ガス層が発生することが抑制され、リーク電流が流れることが抑制される。 （もっと読む）

【課題】リセスゲート構造のヘテロ接合ＦＥＴにおいて、デルタドーピングによらずドレイン電流の低減を抑止することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体装置は、ゲート電極１０と、ゲート電極１０の両側に離間して夫々設けられたドレイン電極９及びソース電極８と、少なくともゲート電極１０のドレイン電極９側の側面に接するように設けられた不純物ドーピング濃度が異なる二層以上のキャップ層と、を備え、キャップ層の最下層（第一キャップ層５）の厚さｄが式（１）で表されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】容易にノーマリオフ特性を向上させることができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、一方の主面５ａの一部に凹部１６が形成された窒化物系半導体層３〜５と、一方の主面５ａに設けられたソース電極７と、凹部１６を挟みソース電極７とは反対側であって、一方の主面５ａに設けられたドレイン電極８と、一方の主面５ａの凹部１６を挟み両側に形成され、凹部１６側の壁面１７が傾斜した絶縁層６と、凹部１６の底面１６ａ上及び側面１６ｂ上並びに絶縁層６の凹部１６側の壁面１７上に設けられたゲート電極１０とを備えている。絶縁層６の壁面１７の傾斜角βは、凹部１６の側面１６ｂの傾斜角αよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】破損を抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、シリコンを含む材料からなる基板２と、基板２上に形成された緩衝層３と、緩衝層３上に形成された窒化物系半導体を含むデバイス形成層４とを有する。緩衝層３は、アルミニウムを含む第１の窒化物系半導体層１１と、第１の窒化物系半導体層１１の上に形成され、アルミニウムの含有率が徐々に減少する第１の組成傾斜層１２と、第１の組成傾斜層１２の上に形成され、アルミニウムを含まないまたは第１の窒化物系半導体層１１よりもアルミニウムの含有率が少ない第２の窒化物系半導体層１３と、第２の窒化物系半導体層１３の上に形成され、アルミニウムの含有率が徐々に増加する第２の組成傾斜層１４とを順番に複数回積層したものである。第１の組成傾斜層１２は、第２の組成傾斜層１４よりも厚い。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層を有する半導体装置を低コストで製造する。
【解決手段】基板上に第１の窒化物半導体の犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、前記犠牲層上に第２の窒化物半導体層を形成し、前記第２の窒化物半導体層上に窒化物半導体層を積層した積層窒化物半導体層を形成する積層半導体形成工程と、前記犠牲層の表面が露出するまで、前記第２の窒化物半導体層及び前記積層窒化物半導体層をエッチングすることによりトレンチを形成し、前記トレンチ及び前記積層窒化物半導体層表面に接続電極を形成する接続電極形成工程と、前記接続電極の形成された前記基板を電解液に浸漬させ、前記電解液に対し前記接続電極に電位を印加し、前記犠牲層を除去し前記基板を剥離する犠牲層除去工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）