【課題】中間層の一部が露出している支持基板であっても、それに適切な処理を加えることにより、半導体デバイスを歩留まりよく製造することができる半導体デバイスの製造方法およびエピタキシャル成長用の支持基板を提供する。
【解決手段】本半導体デバイスの製造方法は、少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層４０をエピタキシャル成長させることができる下地基板１０と、下地基板１０上に全面的に配置された中間層２０と、中間層２０上に部分的に配置されたＧａＮ層３０ａとを含み、ＧａＮ層３０ａと中間層２０の一部とが露出している支持基板２を形成する工程と、支持基板２の中間層２０が露出している部分２０ｐ，２０ｑ，２０ｒを選択的に除去することにより、下地基板１０の一部を露出させる工程と、ＧａＮ層３０ａ上に、ＩＩＩ族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系の材料により形成されるＨＥＭＴ（高電子移動度トランジスタ）をノーマリーオフ化させる。
【解決手段】基板１１上に形成された第１の半導体層１２と、前記第１の半導体層上に形成された第２の半導体層１３と、所定の領域の前記第２の半導体層の一部または全部を除去することにより形成されているゲートリセス２２と、前記ゲートリセス及び第２の半導体層上に形成されている絶縁膜３１と、前記ゲートリセス上に絶縁膜を介して形成されているゲート電極３２と、前記第１の半導体層または前記第２の半導体層上に形成されているソース電極３３及びドレイン電極３４と、を有し、前記ゲートリセスが形成されている領域における前記第２の半導体層、または、前記第２の半導体層及び前記第１の半導体層にはフッ素が含まれているフッ素を含む領域２４を有する。 （もっと読む）

【課題】電流電圧のパルス特性を向上させて電流電圧のＤＣ特性に近づける。
【解決手段】半導体層と、半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、ゲート絶縁膜上に設けられ、ゲート絶縁膜上におけるゲート電極の端部の少なくとも一部においてゲート電極と接するゲート境界膜と、を備え、ゲート境界膜およびゲート絶縁膜は、同種の絶縁材料を含む半導体装置を提供する。ゲート電極およびゲート境界膜上に設けられた絶縁性の保護膜を更に備え、保護膜は、ゲート境界膜およびゲート絶縁膜とは別種の絶縁材料を含んでよい。 （もっと読む）

【課題】材料の熱膨張係数の差に起因する反り等を抑制しつつ良好な結晶性の電子走行層及び電子供給層を得ることができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１上方に形成された電子走行層３と、電子走行層３上方に形成された電子供給層４と、基板１と電子走行層３との間に形成され、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１）を含むバッファ層２と、が設けられている。ｘの値は、バッファ層２の厚さ方向で複数の極大及び複数の極小を示し、バッファ層２中の厚さが１ｎｍの任意の領域内では、ｘの値の変化量が０．５以下となっている。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体層のクラックをより一層低減することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１と、基材１の上方に形成された初期層２と、初期層２上に形成され、III−V族化合物半導体を含むコア層３と、が設けられている。初期層３として、コア層３に含まれるIII-V族化合物半導体のIII族原子の層が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ゲートリーク電流の発生及び耐圧の低下、又は電流コラプスの発生を抑制することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】キャップ層２１に、ｎ−ＧａＮ層６と、ｎ−ＧａＮ層６上方に形成されたｉ−ＡｌＮ層８と、ｉ−ＡｌＮ層８上方に形成されたｎ−ＧａＮ層１０と、が設けられている。更に、ｎ−ＧａＮ層６とｉ−ＡｌＮ層８との間に形成され、ｉ−ＡｌＮ層８に近くづくほどＡｌ組成が増加するＡｌＧａＮ含有層７、又はｉ−ＡｌＮ層８とｎ−ＧａＮ層１０との間に形成され、ｉ−ＡｌＮ層８に近くづくほどＡｌ組成が増加するＡｌＧａＮ含有層９の少なくとも一方が設けられている。 （もっと読む）

【課題】リーク電流が低減された、耐圧性が高い窒化物系化合物半導体素子の製造方法および窒化物系化合物半導体素子を提供すること。
【解決手段】基板上に少なくともガリウム原子を含むＩＩＩ族原子と窒素原子とからなる窒化物系化合物半導体層をエピタキシャル成長する成長工程と、素子構造形成前に、前記窒化物系化合物半導体層にレーザ光または電離放射線を照射し、前記窒化物系化合物半導体層中のＩＩＩ族空孔と水素原子との複合体を分解する分解工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜上に保護膜を形成した構造において、絶縁耐圧の低下を防ぐ。
【解決手段】基板上に形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成された第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記第２の半導体層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記絶縁膜を覆うように形成された保護膜と、を有し、前記保護膜は、熱ＣＶＤ、熱ＡＬＤ、真空蒸着のいずれかにより形成されたものであることを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム材料デバイスおよびその形成方法を提供する。
【解決手段】該デバイスは、電極規定層２４を包含する。電極規定層は典型的にはその内部に形成されたビア２６を有し、該ビア内に電極１８が（少なくとも部分的に）形成される。したがって、ビアは、電極の寸法を（少なくとも部分的に）規定する。いくつかの場合において、電極規定層は、窒化ガリウム材料領域上に形成された不動態化層である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、トランジスタ特性の再現性が高く、高速でパワーの大きい電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】ダイヤモンド基板１１と、前記ダイヤモンド基板１１の一面１１ａ側に離間して形成された第２の電極１３及び第３の電極１４と、２つの電極１３、１４の間に離間して形成された第１の電極１５と、を有する電界効果トランジスタであって、第１の電極１５とダイヤモンド基板１１との間にＩＩＩ族窒化物半導体層１２が設けられ、ダイヤモンド基板１１とＩＩＩ族窒化物半導体層１２との界面１７の近傍領域に正孔伝導チャネル領域１６が形成されている電界効果トランジスタ１０を用いることによって前記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】低いオン抵抗を得ながら、優れた耐圧性能を持つ、縦型の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】開口部２８はｎ⁻型ＧａＮドリフト層４にまで届いており、開口部の壁面を覆うように位置する再成長層２７と、ｐ型ＧａＮバリア層６と、ゲート電極Ｇと、ソース電極Ｓとを備え、チャネルが電子走行層２２内の電子供給層２６との界面に生じる二次元電子ガスにより形成され、ｐ型ＧａＮバリア層６がＧａＮ系積層体１５の表層をなし、かつソース電極Ｓが、再成長層２７およびｐ型ＧａＮバリア層６に接して位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、ソース電極およびドレイン電極の熱耐久性を向上させて、かつ製造過程においてオーミック性に与える不安定要因を取り除き信頼性および量産性の高いＧａＮ系ＨＥＭＴを提供する。
【解決手段】
化合物半導体装置は、基板と、前記基板上に形成された窒化ガリウム系半導体と、前記窒化ガリウム系半導体上に形成された窒化ガリウム系保護層と、前記窒化ガリウム系保護層上にタンタルとアルミニウムが任意の順に積層されてなるオーミック電極とを備え、前記オーミック電極が形成された箇所の前記窒化ガリウム系保護層の膜厚は、前記オーミック電極が形成されていない箇所の前記窒化ガリウム系保護層の膜厚よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、抵抗が増大して変換効率が低下してしまうのを防止する。
【解決手段】半導体装置を、基板２上に形成されたＧａＮ系半導体積層構造３を有する第１トランジスタＱ１と、ＧａＮ系半導体積層構造を有する第２トランジスタＱ２とを備え、第１トランジスタが、複数の第１フィンガ８ＡＸを有する第１ゲート電極８Ａと、複数の第１ドレイン電極９Ａと、複数の第１ソース電極１０Ａとを備え、第２トランジスタが、複数の第２フィンガ８ＢＸを有する第２ゲート電極８Ｂと、複数の第２ドレイン電極９Ｂと、複数の第２ソース電極１０Ｂとを備え、複数の第１ドレイン電極の上方又は下方に接続されたドレインパッド１５と、複数の第２ソース電極の上方又は下方に接続されたソースパッド２５と、複数の第１ソース電極及び複数の第２ドレイン電極に接続された共通パッド３５とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】窒化物ベースの半導体チャネル層上に窒化物ベースの半導体バリア層を形成すること、および窒化物ベースの半導体バリア層のゲート領域上に保護層を形成することによって、トランジスタが製作される。
【解決手段】パターニングされたオーム性接触金属領域が、バリア層上に形成され、第１および第２のオーム性接触を形成するためにアニールされる。アニールは、保護層をゲート領域上に載せたままで実施される。バリア層のゲート領域上に、ゲート接点も形成される。ゲート領域内に保護層を有するトランジスタも形成され、バリア層の成長させたままのシート抵抗と実質的に同じシート抵抗をもつバリア層を有するトランジスタも同様である。 （もっと読む）

【課題】埋込ゲート層とゲート配線とのコンタクト構造をより微細化できる構造としたＪＦＥＴを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】埋込ゲート層１０とゲート配線１２との電気的な接続をトレンチ１３内に形成したｐ⁺型コンタクト埋込層１４によって行うようにする。これにより、ｐ⁺型コンタクト埋込層１４のみしか配置されないトレンチ１３の幅を、従来の半導体装置のように層間絶縁膜やゲート配線などが配置されるトレンチと比較して、狭くすることが可能となる。したがって、埋込ゲート層１０とゲート配線１２とのコンタクト構造をより微細化できる構造としたＪＦＥＴを有する半導体装置とすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】電極領域の抵抗を従来よりも一段と低減させることができる半導体デバイス、その製造方法及び集積回路を提供する。
【解決手段】III−Ｖ族化合物半導体層４上にニッケル層17を形成し、RTA処理により加熱することで、ニッケルIII−Ｖ族合金（Ni-In_xGa_1-xAs_yP_1-y合金）からなるソース領域５及びドレイン領域６が形成される。これにより、MOSFET１では、III−Ｖ族化合物半導体層４に対して単に不純物をインプラテーションで注入して形成された従来のソース領域及びドレイン領域の寄生抵抗に比べて、ソース領域５及びドレイン領域６の寄生抵抗を一段と低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】ゲートのリーク電流を少なくする。
【解決手段】サファイアからなる基板１１上に膜厚が３０ｎｍのＧａＮからなる核形成層１２を形成し、核形成層１２上に膜厚が２μｍのＧａＮからなるバッファ層１３を形成し、バッファ層１３上に膜厚が２０ｎｍでありかつＩｎ組成が０．２５のＩｎＡｌＮからなるバリア層１６の第１の層１４を形成し、第１の層１４上に膜厚が２０ｎｍでありかつＩｎ組成が０．１５のＩｎＡｌＮからなるバリア層１６の第２の層１５を形成し、第２の層１５上にＡｌ／ＴｉまたはＴｉ／Ａｕからなるソース電極１７、ドレイン電極１８をオーミック接合により形成し、第２の層１５が除去された部分にＮｉ／Ａｕからなるゲート電極１９を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ａｌを含むIII族窒化物系半導体からなるチャネル層を備え、二次元電子ガスの移動度を高め電流特性を向上させることが可能なIII族窒化物半導体デバイス、及び該III族窒化物半導体デバイスの作製に用いられるIII族窒化物半導体積層ウェハを提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体積層ウェハ１０は、Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）からなる基板２７と、Ａｌを含むIII族窒化物系半導体からなり基板２７上に設けられた第１のＡｌＧａＮ層１３と、第１のＡｌＧａＮ層１３上に設けられ、第１のＡｌＧａＮ層１３よりバンドギャップが大きいIII族窒化物系半導体からなる第２のＡｌＧａＮ層１５とを備える。第１のＡｌＧａＮ層１３の（０００２）面及び（１０−１２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅は、１０００［ａｒｃｓｅｃ］未満である。 （もっと読む）

【課題】チャネル層をＩｎＡｓから構成するヘテロ構造の電界効果トランジスタで、高速で安定した動作ができるようにする。
【解決手段】キャップ層１０５の表面を塩酸からなる処理液で処理する。処理液は、例えば、塩化水素の３７質量％水溶液を、水で５倍（体積）に希釈したものである。次に、基板１０１を処理液中より引き上げ、直ちにキャップ層１０５の表面に付着している塩酸を除去する。この塩酸の除去では、水を用いることなく、例えば、キャップ層１０５の表面に窒素ガスを吹き付けることで付着している塩酸を除去する。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、窒化物半導体層１１の表面に、パワー密度が０．２〜０．３Ｗ／ｃｍ^２である酸素プラズマ処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法である。本発明によれば、酸素プラズマ処理によって、窒化物半導体層１１に導電層２６が形成されることにより、イオンマイグレーション現象が抑制される。このため、半導体装置の信頼性が向上する。 （もっと読む）