【課題】
本発明は高品質な化合物薄膜または有機物薄膜を高い生産性で連続的に製造可能とするために、低ダメージで反応性の高い成膜条件を実現するプラズマ源と薄膜の製造方法を提供することを目的とする。具体的には、従来のスパッタ法におけるターゲット使用効率を改善すると共に、基材へ入射する粒子の運動エネルギーを十分緩和しても良好な膜質を得るための高密度なマグネトロンプラズマを基材近傍に生成するものである。
【解決手段】
対向した少なくとも一対の平板型マグネトロンプレートを有し、前記対向する平板型マグネトロンプレートの一方のみがスパッタカソードであることを特徴とする、プラズマ源。 （もっと読む）

【課題】ボトムコンタクト構造で、かつセルフアラインのＴＡＯＳ ＴＦＴにおいて、ＴＡＯＳ層のソース領域およびドレイン領域に相当する領域を十分に低抵抗化できる製造方法、およびこのＴＡＯＳ ＴＦＴを用いた表示装置用電極基板の製造方法を得る。
【解決手段】ゲート電極１２、ソース電極１４およびドレイン電極１５上に、ゲート電極１２を跨いでソース電極１４とドレイン電極１５とを繋ぐように第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７を形成するステップと、第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７上に、ゲート電極１２をマスクとしたガラス基板１１側からの露光により島状絶縁膜１８を形成するステップと、ガラス基板１１の全面に、島状絶縁膜１８をマスクとして、島状絶縁膜１８側からプラズマを照射するステップと、島状絶縁膜１８の周囲に露出した第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７をアルカリ溶液に浸すステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】作製時の技術閾値が低く、アンテナの電波特性を良好に保ちつつ、耐環境性能にも優れる平面アンテナ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の平面アンテナは、誘電体で構成される基板１と、基板１上に形成された所定のパターンと、上記所定のパターン以外の基板１の表面を被覆する導体膜２と、保護膜６とを備える平面アンテナ１００であって、上記所定のパターンは、放射用スロットパターン３を含み、放射用スロットパターン３は、基板１の一方の主面に形成され、保護膜６は、放射用スロットパターン３、放射用スロットパターン３が形成された基板１の一方の主面を被覆する導体膜２、及び基板１の側面を被覆する導体膜２のそれぞれの上に形成されており、保護膜６は、膜厚が１〜２００ｎｍである。また、本発明の平面アンテナの製造方法は、スパッタリング法で導体膜２を形成する工程と、スパッタリング法で保護膜６を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】熱処理工程時の温度ムラによる特性のバラつきを抑制し、かつ、高抵抗率に制御可能とする。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含有し、Ｉｎ及びＧａの合計に対するＧａのモル比率が０.５０＜Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）の関係を満たす非晶質酸化物薄膜を基板上に成膜する成膜工程と、非晶質酸化物薄膜のＧａのモル比率が０.５０＜Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）＜０．７５の関係を満たす場合には、成膜工程後に１００℃以上１５０℃以下又は３５０℃以上６００℃以下の温度で非晶質酸化物薄膜を熱処理し、非晶質酸化物薄膜のＧａのモル比率が０．７５≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）の関係を満たす場合には、成膜工程後に１００℃以上２００℃以下又は３５０℃以上６００℃以下の温度で非晶質酸化物薄膜を熱処理する熱処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】簡便に界面の欠陥を低減することを可能とする。
【解決手段】大気と遮断された真空成膜室内で、基板上に酸素不定比性のある酸化物を含有する第１層を成膜する第１成膜工程と、前記第１層上に前記第１層と同一材料又は異なる材料からなる第２層を成膜する第２成膜工程と、前記第１成膜工程後前記第２成膜工程前までの間、前記第１層を、前記真空成膜室を含む大気と遮断された室内で、前記第１成膜工程における前記真空成膜室内の酸素分圧よりも高い酸素分圧下に保持する分圧制御工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は高アスペクトのビアや凸凹形状のレンズのような３次元形状の基板に対して、小型装置にて面内の高い膜厚均一性かつ高スループットが達成できるスパッタリング装置を提供するものである。
【解決手段】真空容器と、前記真空容器内に配置されたターゲットと、前記真空容器内にガスを導入しながら排気するガス調整手段と、前記ターゲットに対向して配置され、かつ、基板を載置する回転可能な基板保持台によって構成され、スパッタガスまたは、スパッタガスと反応性ガスを導入することにより、前記ターゲットにてターゲット材料または、ターゲット材料の反応生成物を基板上に堆積することができるスパッタリング方法において、前記ターゲットを前記基板に対してずらして配置し、かつ、イオンを前記基板に対して、垂直および斜め方向から入射する複数のイオン発生機構を配置する。 （もっと読む）

【課題】導電体領域から絶縁体領域までの範囲内で所望の電気抵抗値有し、且つ、電気的ストレスに対して安定性の良好なＩＧＺＯ系アモルファス酸化物薄膜を製造する
【解決手段】ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物薄膜を基板上にスパッタ成膜し、その後アニール処理してＩＧＺＯ系アモルファス酸化物薄膜を製造する方法であって、成膜装置内の水分量とアニール処理の温度の組み合わせを変化させて、導電体領域から絶縁体領域の範囲内の任意の電気抵抗値を有するアモルファス酸化物薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】スパッタ法により、酸化物半導体膜上に薄膜を成膜する際に、酸化物半導体膜のプラズマダメージを膜面内均一性良く抑制して成膜する。
【解決手段】基板Ｂ上に成膜された、Ｉｎと、Ｇａ，Ｚｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｎ，Ｓｂ，ＣｄおよびＧｅからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素とを含む酸化物半導体膜１上に、基板ＢとターゲットＴとを対向させて、プラズマを用いるスパッタ法によりターゲットＴの構成元素を含む薄膜２を形成する成膜方法において、薄膜２の成膜時のプラズマ中のプラズマ電位Ｖｓ（Ｖ）と、基板Ｂの基板電位Ｖｓｕｂ（Ｖ）との電位差を０Ｖ超２０Ｖ以下とする。 （もっと読む）

【課題】安定した放電が維持し、且つ作業効率が向上するスパッタリング装置を実現させる。
【解決手段】大気圧よりも減圧した雰囲気を維持可能な真空槽と、前記真空槽内で処理される基板を支持する支持台と、前記支持台に対向するターゲットと、前記真空槽内に設けれた回転トラップと、備え、前記真空槽の中でプラズマを生成し前記基板に処理をするスパッタリング装置であって、前記回転トラップは、前記処理の際に前記ターゲットよりスパッタリングされ、前記真空槽の中を飛行する粒子を遮蔽し、前記処理の際に前記真空槽の中を飛行する電子を通過させることを特徴とするスパッタリング装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の全表面にわたって均一な厚みを有しかつ品質の安定したＳｉ₃Ｎ₄へテロエピタキシャルバッファ層を容易にかつ安価に作製する作成方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板を表面再構成可能に清浄化処理し、次いで、前記清浄化処理したシリコン基板上に、誘導結合プラズマ方式のＲＦ（高周波）高輝度（ＨＢ）放電により生成した解離窒素原子フラックスおよび励起窒素分子フラックスを照射して表面界面反応によりＳｉ₃Ｎ₄単結晶膜をエピタキシャル成長させること。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、しきい値電圧のばらつきを低減し、電気特性を安定させることを課題の一とする。また、オフ電流を低減することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層の上に絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層を積層し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とが絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層を介して接触するように薄膜トランジスタを形成することによって、薄膜トランジスタのしきい値電圧のばらつきを低減し、電気特性を安定させることができる。また、オフ電流を低減することもできる。 （もっと読む）

開示されたものは、ガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）システム（１００，１００’１００’’）において、プロセスガスの混合物、又は多重のプロセスガスの混合物、を導入するためのマルチ−ノズル及びスキマーの組み立て品、並びに基体（１５２，２５２）に層を成長させる、それを変更する、それを堆積させる、又はそれをドープするための動作の関連させられた方法である。多重のノズル及びスキマーの組み立て品は、少なくとも部分的にそれから単一のガスクラスタービーム（１１８）へと放出されたガスクラスタービームを合体させるために相互の近接で配置された、及び／又は、交差するガスクラスタービームのセットを形成するために、及び、ガススキマー（１２０）へと単一の及び／又は交差するガスクラスタービームを向けるために、単一の交差する点（４２０）に向かって各々のビームを収束させるために角度が付けられた少なくとも二つのノズル（１１６，１０１６，２１１０，２１２０，４１１０，４１２０，７０１０，７０２０）を含む。
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【課題】有機ＥＬ材料をはじめとした薄膜の特性を劣化させることなく、大型化かつ高精度の微細パターニングを可能とするパターニング方法、および、かかるパターニング方法を使用するデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に光熱変換層と区画パターンが形成され、前記区画パターン内に転写材料が横方向にｋ個、縦方向にｌ個（ｋ、ｌはそれぞれ１以上の整数）配列されたドナー基板をデバイス基板と対向配置し、横方向にｍ個、縦方向にｎ個（ｋ≧ｍ≧１、ｌ≧ｎ≧１）の転写材料からなる領域よりも広い面積の光を光熱変換層に照射することで、前記転写材料をデバイス基板に一括して転写することを特徴とするパターニング方法。 （もっと読む）

【課題】高速動作の実現、低電圧駆動、および繰返し性の向上に適した抵抗変化型素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】抵抗変化型素子Ｘは、非酸化性金属からなる電極１と、酸化性金属からなる電極２と、電極１，２間に位置し且つ電極２と接する酸素欠損型の酸化物層３と、電極１および酸化物層３の間に介在し且つＰ型半導性を有する酸化物層４とを含む。製造方法は、例えば、基材上に第１電極膜１を形成する工程と、第１電極膜１上に、Ｐ型半導性を有する第２酸化物膜４を形成する工程と、第２酸化物膜上４に、酸素欠損型の第１酸化物膜３を形成する工程と、第１酸化物膜上に第２電極膜２を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】移動度の高い酸化亜鉛半導体膜を提供することを目的とする。
【解決手段】成膜室１２４内で、対向して配置され、少なくともその一方が高純度の亜鉛からなる一組のターゲットＡ，Ｂに、ＤＣ電圧を印加し、両ターゲットＡ，Ｂ間に発生させたプラズマによりスパッタリングする。スパッタリングされたターゲットＡ，ＢのＺｎ粒子を、酸素ガスと反応させつつ、対向するターゲットの軸方向からずらされて配置された基板上に堆積し、該基板表面にＺｎＯ膜を形成する。 （もっと読む）

本発明は、（i）単結晶の基板を提供するステップと、（ii）上記基板上に、単結晶の酸化物の層をエピタキシャル成長するステップと、（iii）（ａ）単結晶の酸化物層の表面から不純物を除去するステップと、（ｂ）遅いエピタキシャル成長によって、半導体のサブ層を蒸着するステップと、を有するステップを用いて、サブ層を形成するステップと、（ｉｖ）そのように形成されたサブ層上に、エピタキシャル成長によって、単結晶の半導体層を形成するステップと、を備える固体の半導体構造を製造する方法に関する。本発明は、また、そのように得られた固体の半導体ヘテロ構造に関する。 （もっと読む）

本発明は、電子工学、光学、光電子工学または光起電力工学用の、基板(10)と前記基板(10)の一方の面上に材料を堆積させることにより形成された層(20)とを含む構造体(1)の製造方法に関し、この方法は、前記基板(10)の面(1B)が堆積した材料の層(20)により覆われ、前記基板の他の面(1A)が露出している前記構造体(1)を形成するように、−一方で前記基板(10)を、他方で残りの部分を画定する脆化区域を含む脆化された基板を形成する工程、−前記脆化された基板の2つの面のそれぞれの上に前記材料の層を堆積させる工程、−前記脆化された基板をへき開する工程を含むことを特徴とする。
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【課題】ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮ等の窒化物バルク単結晶ウエハと同等の特性を有し、かつ電子デバイスの製造に適用可能な大面積の基板を提供する。
【解決手段】Ａｌ、ＧａおよびＩｎから選択される少なくとも１種とＮとを主成分とし、ウルツァイト型構造を有する窒化物結晶を有する窒化物薄膜から構成され、前記窒化物結晶の（０００１）面が、前記窒化物薄膜表面に平行となるように単一配向しており、面積が１０cm²以上である電子デバイス用基板。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料の交換が容易で寿命が長い蒸着源を提供する。
【解決手段】本発明の蒸着源３では、棒状電極４０と蒸着材料３５が接触する面に、それぞれ雄ねじ４１と雌ねじ４２が形成され、棒状電極４０を取り付けた状態では、棒状電極４０と蒸着材料３５が螺合されている。棒状電極４０と蒸着材料３５は螺合することで互いに強く密着しているので、アーク放電を繰り返すことで蒸着材料３５が変形したときには、蒸着材料３５がキャップ３６から離間することはあっても、棒状電極４０に密着した状態が維持されるので、アーク放電の停止が起こらない。 （もっと読む）

【課題】トリガ放電を安定化させ、アーク放電の不具合の発生を抑制可能な同軸型真空アーク蒸着源及びこれを用いた蒸着装置を提供する。
【解決手段】筒状のアノード電極６と、中心軸線をアノード電極６の中心軸線と略一致させアノード電極６内部に配置された柱状の蒸着材料７と、蒸着材料７の周囲に密着配置された筒状の絶縁部材８と、絶縁部材８の周囲に密着配置された筒状のトリガ電極９を有する。トリガ電極９と蒸着材料７の間でトリガ放電を行いアノード電極６と蒸着材料７との間にアーク放電を誘起させ、蒸着材料７側面から放出された微小粒子をアノード電極６の開放口から放出させる。絶縁部材８に、その軸線方向に延び当該絶縁部材８を部分的に切断するスリット部２０を設け、トリガ電極９に、その軸線方向に延び当該トリガ電極９を部分的に切断するスリット部３０を設ける。締付機構４０によりトリガ電極９を締め付ける。 （もっと読む）