【課題】水素フリーで緻密で硬質なダイヤモンドライクカーボン膜を容易に形成することができる炭素薄膜成膜法を提供する。
【解決手段】この炭素被膜成膜方法は、マグネトロンスパッタ法により試料基板電極上に配置された試料基板表面に炭素被膜を堆積させる炭素被膜成膜装置を用い、炭素ターゲット基板電極と試料電極に対し、下記１〜４の条件でそれぞれ電圧を印加させることを特徴とする。
１．ターゲット基板電極に印加する電圧が負のパルス電圧であって、かつ、そのパルス電圧時間比が４０％以下であること。
２．ターゲット基板電極に印加するパルス電圧のパルス時間が２０μｓ〜２００μｓであること。
３．試料基板電極に印加する電圧が負のパルス電圧であって、かつ、そのパルス電圧時間比が５０％以下であること。
４．試料基板電極に印加する負パルス電圧の大きさが−２０Ｖ〜−２００Ｖであること。 （もっと読む）

【課題】新規な非シリコン系半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．００１〜０．１２であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が８０原子％以上であり、Ｉｎ_２Ｏ_３のビックスバイト構造を有する酸化物薄膜を用いることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体用ターゲットに含まれる複数種の原子の原子量の違いを利用し、原子量の小さい亜鉛を優先的に酸化物絶縁膜に堆積させ、亜鉛を含む種結晶を形成すると共に、種結晶上に原子量の大きいスズ、インジウム等を結晶成長させつつ堆積させることで、複数の工程を経ずとも、結晶性酸化物半導体膜を形成することを要旨とする。さらには、種結晶として、六方晶構造の亜鉛を含む結晶を有する種結晶を核として、結晶成長させて結晶性酸化物半導体膜を形成することで、単結晶、または実質的に単結晶である結晶性酸化物半導体膜を形成することを要旨とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体ＴＦＴの電気的特性及び安定性を向上することが可能な、薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体ＴＦＴ１０は、基板１１と、基板１１上に設けられたゲート電極１３と、ゲート電極１３及び露出された基板１１上に設けられたゲート絶縁膜１５と、ゲート絶縁膜１５上のゲート電極１３に対向する位置に設けられ、Ｚｎの濃度勾配を持つＨｆＩｎＺｎＯ系酸化物半導体からなる酸化物半導体層１７と、酸化物半導体層１７の両側からゲート絶縁膜上に延びるソース及びドレインと、を備える。 （もっと読む）

【課題】低温での作製が可能で、かつチャネル層において電子移動度の高い薄膜トランジスタを得る。
【解決手段】酸化物半導体層を備えた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層１２が、膜厚方向に井戸型ポテンシャルを構成する、井戸型ポテンシャルの井戸部となる第１の電子親和力χ_１を有する第１の領域Ａ_１と、第１の領域Ａ_１よりもゲート電極１６に近い側に配置された、第１の電子親和力χ_１よりも小さい第２の電子親和力χ_２を有する第２の領域Ａ_２と、第１の領域Ａ_１よりもゲート電極１６から離れた側に配置された、第１の電子親和力χ_１よりも小さい第３の電子親和力χ_３を有する第３の領域Ａ_３とを含むものとし、少なくとも第３の領域Ａ_３の酸素濃度を第１の領域Ａ_１の酸素濃度より低いものとする。 （もっと読む）

【課題】大型であって、かつ半導体装置を高い歩留りで製造することができる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の炭化珪素基板１１の第１の側面Ｓ１と、第２の炭化珪素基板１２の側面Ｓ２とが互いに面するように、処理室６０内にベース部３０および第１および第２の炭化珪素基板１１、１２が配置される。処理室６０内に、炭素元素と化合することができる固体材料からなる吸収部５１が設けられる。第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２を互いに接合するために、炭化珪素が昇華し得る温度以上に処理室６０内の温度が高められる。温度を高める工程において吸収部５１が炭化される。 （もっと読む）

【課題】Ｇａの含有量がＩｎの含有量に比べ低い領域において、単一の結晶構造を主成分として有するスパッタリングターゲットに使用できる焼結体を提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを０．２８≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）≦０．３８、０．１８≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）≦０．２８の原子比で含む酸化物であって、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）で表されるホモロガス結晶構造を有する化合物を主成分とする酸化物からなる焼結体。 （もっと読む）

【課題】ある１つのターゲットから飛散したスパッタ粒子が他のターゲットに付着することを防止できるスパッタ装置及びスパッタ法を提供する。
【解決手段】プラズマを生成させるプラズマ室、及び該プラズマ室に連通した成膜室を含む容器を備え、該容器内に設置された少なくとも２つ以上のターゲットをプラズマでスパッタし、スパッタされたターゲットから飛散したスパッタ粒子を成膜室内に設置された基板の表面に堆積させて薄膜を形成するスパッタ装置であって、２つ以上のターゲットのうち１つのターゲットをプラズマでスパッタするときに、スパッタされたターゲットから飛散するスパッタ粒子が他のターゲットに付着することを抑制する抑制手段を備える、スパッタ装置、及び該装置を用いたスパッタ法とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、連続成膜設備において、化学量論的組成勾配を有する形で基板に成膜するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】本発明では、それぞれ一つの蒸発器チューブを有する少なくとも二つの蒸発機器が配備され、両方の蒸発器チューブは、互いに独立して傾斜可能な形に構成されており、そうすることによって、両方の蒸気ビームの移行領域を勾配形態の要件に適合させることができる。 更に、基板に対する蒸発器チューブの間隔及び蒸発器チューブの互いの間隔を調整することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶性、表面平坦性に優れた非極性面や半極性面を主面とするIII 族窒化物半導体を製造すること。
【解決手段】ａ面サファイア基板１０の表面１０ａに、ＩＣＰエッチングで長手方向がサファイア基板１０のｍ軸方向に平行なストライプ状に凹部１１を形成する（図１（ａ））。次に、サファイア基板１０を、反応性マグネトロンスパッタに導入し、厚さ７５〜１２５ÅのＡｌＮ膜１２を形成する（図１（ｂ））。次に、サファイア基板１０をＭＯＣＶＤ装置に搬入し、水素とアンモニアを含む雰囲気中で、１０２０〜１０６０℃まで昇温する。続いて、凹部１１の側面１１ａにＧａＮ結晶１３をエピタキシャル成長させる（図１（ｃ））。成長が進むと、サファイア基板１０の表面１０ａはＧａＮ結晶１３に覆われていき、平坦なＧａＮ結晶１３が形成される（図１（ｄ））。このＧａＮ結晶１３の主面はｍ面である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を示す薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いて高階調な電界発光装置を提供することである。
【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層が、室温から温度の低下と伴に電子キャリア濃度が減少する傾向を有し、その活性化エネルギーが０．０４ｅＶ以上０．１０ｅＶ以下である非晶質酸化物を含有することを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ、およびそれを用いた電界発光装置。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶中におけるドーパント元素としてＳｉのドーピング濃度を容易に最適化でき、スパッタ法を用いて効率よく成膜することができると共に、ドーパント元素であるＳｉの活性化率を高めることが可能なＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内に基板及びＩＩＩ族元素を含有するターゲットを配置すると共に、プラズマ形成用のガスを前記チャンバ内に導入し、反応性スパッタ法によって前記基板上に、ドーパントとしてＳｉが添加されたＩＩＩ族窒化物半導体層を製造する方法であって、前記プラズマ形成用のガス中に、Ｓｉ水素化物を添加させることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法。 （もっと読む）

【課題】大面積化が可能なｎ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体膜及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｆ元素を含むＦ元素含有ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体膜の熱処理によりＦ元素含有ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体膜からＦ元素を脱離させる工程を含み、Ｆ元素含有ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体膜を構成するＩＩ族元素がＺｎであり、Ｆ元素含有ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体膜を構成するＶＩ族元素が、Ｓｅ及びＳからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、Ｆ元素含有ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体膜中のＦ元素濃度が５〜２０ａｔｍ％であるｎ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来よりも光電変換効率が改善された光触媒膜として用いられ得る新規な膜およびその製造方法、ならびに、このような膜を用いた、水溶液から水素を発生するのに適した水素発生装置を提供する。
【解決手段】Ｆｅに対するＴｉの原子数比が０．０５〜０．２のＴｉ含有Ｆｅ₂Ｏ₃からなる第１光触媒膜と、ＴｉＯ₂からなる第２光触媒膜とが積層された構造を備える半導体酸化物膜、ならびにそれを用いた水素発生装置、α−Ｆｅ₂Ｏ₃およびＴｉＯ₂をターゲット材料として用いたスパッタリング法によりＦｅに対するＴｉの原子数比が０．０５〜０．２のＴｉ含有Ｆｅ₂Ｏ₃膜を成膜する工程と、ＴｉＯ₂をターゲット材料として用いたスパッタリング法によりＴｉＯ₂膜を成膜する工程と、形成された膜を５５０〜６００℃で熱処理する工程とを含む半導体酸化物膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】酸化物薄膜の結晶性を維持しつつ、酸化物薄膜中に気体元素を効率良くドーピングすることができる酸化物薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】
ドーピングを行わない酸化物薄膜形成工程（第１の酸化物薄膜形成工程）における酸素供給量を基準とし、この基準酸素供給量よりも、気体元素のドーピングを行う酸化物薄膜形成工程（第２の酸化物薄膜形成工程）における酸素供給量を小さくしているので、成長温度を結晶性が良くなる温度にまで上げている場合でも、気体元素のドーピングが容易に行われる。 （もっと読む）

約８００℃未満の温度でエピタキシャルＡｌＧａＮ層を調製するための方法が提供される。包括的には、基板が、エピタキシャルＡｌ_xＧａ_1-xＮ層を形成するのに適した温度と圧力で、Ａｌ源の存在下で、Ｈ₂ＧａＮ₃、Ｄ₂ＧａＮ_sまたはそれらの混合物と接触させる。さらに、基板の上方に形成された、複数の反復合金層を含むスタックを備え、複数の反復合金層は２つ以上の合金層の種類を有し、少なくとも１つの合金層の種類はＺｒ_zＨｆ_yＡｌ_1-z-yＢ₂合金層からなり、ｚとｙの合計は１以下であり、スタックの厚さは約５０ｎｍより大きい、半導体構造が提供される。 （もっと読む）

基板；基板表面に堆積されアルミニウム／反応性窒化物（Ａｌ／Ｎ）流束の比１未満を有する第１の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）層；及び第１のＡｌＮ層表面に堆積され１より大きいＡｌ／反応性Ｎ流束の比を有する第２のＡｌＮ層を含む半導体構造。基板はシリコンの化合物であり、ここで、第１のＡｌＮ層は、シリコンを実質的に含まない。
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【課題】 高密度かつ高均一な量子ドットの自己形成を実現する。
【解決手段】 ＧａＡｓ基板上に、ＧａＡｓバッファ層を形成し、ＧａＡｓバッファ層上に、ＧａＳｂ_ｘＡｓ_１−ｘ（０＜ｘ≦１）層を導入し、ＧａＳｂ_ｘＡｓ_１−ｘ（０＜ｘ≦１）層上に、ＩｎＡｓ量子ドットを自己形成する。たとえば、アンチモン（Ｓｂ）の組成ｘをｘ＝１にして、０．２４〜１．５２ＭＬ厚のＧａＳｂ層を導入する場合は、ＧａＳｂ層上にＩｎＡｓ量子ドットを、１．１×１０¹¹ｃｍ^-2以上のドット密度で、高均一に自己形成できる。 （もっと読む）