【課題】配線抵抗に伴う電圧降下や信号遅延によるトランジスタへの信号の書き込み不良
を防止した半導体装置を提供することを課題の一つとする。例えば、表示装置の画素に設
けたトランジスタへの書き込み不良が引き起こす階調不良などを防止し、表示品質の高い
表示装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】配線抵抗が低い銅を含む配線に、バンドギャップが広く、且つキャリア濃度
が低い高純度化された酸化物半導体を接続してトランジスタを作製すればよい。バンドギ
ャップが広い酸化物半導体を用いて、トランジスタのオフ電流を低減するだけでなく、キ
ャリア濃度が低い高純度化された酸化物半導体を用いて正のしきい値電圧を有し、所謂ノ
ーマリーオフ特性のトランジスタとして、オフ電流とオン電流の比を大きくできる。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを提供する。
【解決手段】チャネル長方向の一方の側面においてソース電極層と接し、チャネル長方向の他方の側面においてドレイン電極層と接する酸化物半導体層を含むトランジスタとすることでソース電極層とドレイン電極層の間の電界を緩和して、短チャネル効果を抑制する。また、ゲート電極層のチャネル長方向の側面に導電性を有する側壁層を設けることで、当該導電性を有する側壁層がゲート絶縁層を介してソース電極層又はドレイン電極層と重畳し、実質的にＬｏｖ領域を有するトランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】酸素欠損の発生を抑制する。
【解決手段】ガリウム（Ｇａ）若しくはスズ（Ｓｎ）の一部又は全部の代わりにゲルマニウム（Ｇｅ）を用いて酸化物半導体膜を構成する。ゲルマニウム（Ｇｅ）原子は、酸素（Ｇｅ）原子との結合の少なくとも一つの結合エネルギーがガリウム（Ｇａ）又はスズ（Ｓｎ）の場合よりも高い。このため、ゲルマニウム（Ｇｅ）を用いて構成される酸化物半導体結晶において、酸素欠損が発生しにくい。このことから、ゲルマニウム（Ｇｅ）を用いて酸化物半導体膜を構成することにより、酸素欠損の発生の抑制を図る。 （もっと読む）

【課題】ショートチャネル特性などを向上する。
【解決手段】ｎ型ＦＥＴ１１１Ｎの半導体活性層１１１Ｃの上面に、バックゲート絶縁膜４０１を介してバックゲート電極１２１を金属材料で形成する。ここでは、バックゲート電極１２１，２２１について、半導体活性層１１１Ｃの上面においてゲート電極１１１Ｇおよび一対のソース・ドレイン領域１１１Ａ，１１１Ｂに対応する部分を被覆するように、バックゲート電極１２１を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体の組成若しくは欠陥制御をすることを目的の一とし、また、薄膜ト
ランジスタの電界効果移動度を高め、オフ電流を抑えつつ十分なオンオフ比を得ることを
他の目的の一とする。
【解決手段】ＩｎＭＯ_３（ＺｎＯ）_ｎ（Ｍ＝Ｇａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｏ及びＡｌから
選ばれた一又は複数の元素、ｎは１以上５０未満の非整数）でありさらに水素を含む。こ
の場合において、Ｚｎの濃度がＩｎ及びＭ（Ｍ＝Ｆｅ、Ｇａ、Ｎｉ及びＡｌから選ばれた
一又は複数の元素）よりも低くする。また、当該酸化物半導体はアモルファス構造を有し
ている。ここでｎの値は、好ましくは１以上５０未満の非整数、より好ましくは１０未満
の非整数とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜とゲート絶縁膜との界面において、電子の界面散乱を抑制することで、電気的特性に優れたトランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に酸化物半導体以外の半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜と該半導体膜との界面において、酸化物半導体膜中の酸素原子と半導体膜中の原子とを結合させる。これにより、酸化物半導体膜と該半導体膜との界面において構造を連続させることができる。また、酸化物半導体膜から脱離した酸素が、該半導体膜に拡散することで、該半導体膜は酸化されるため、絶縁膜とすることができる。このようにして形成されたゲート絶縁膜を用いることで、酸化物半導体膜とゲート絶縁膜との界面において電子の界面散乱が抑制され、電気的特性に優れたトランジスタを作製できる。 （もっと読む）

【課題】電界が局所的に集中することを抑制して、高耐圧化した半導体装置を提供する。
【解決手段】第１導電型の第１ドリフト領域１４０は、平面視でソース領域１１０から離間して設けられている。第１導電型の第２ドリフト領域１５０は、平面視で第１ドリフト領域１４０のうちソース領域１１０と反対側の領域に接している。第１導電型のドレイン領域１２０は、平面視で第１ドリフト領域１４０から離間しているとともに、平面視で第２ドリフト領域１５０のうち第１ドリフト領域１４０と反対側の領域に接している。チャネル領域１３０上には、ゲート絶縁層２００およびゲート電極４００が設けられている。第１フィールドプレート絶縁層３００は、半導体基板１００上に設けられ、少なくとも平面視で第１ドリフト領域１４０と第２ドリフト領域１５０の一部と重なるように設けられている。第１フィールドプレート電極４２０は、第１フィールドプレート絶縁層３００上に接している。 （もっと読む）

【課題】大型化に適した薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ基板、フレキシブル表示素子、フレキシブル表示装置及び薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】フレキシブルな樹脂基板６０に形成された薄膜トランジスタ２００であって、周面の一部又は全部が導電性材料２０により覆われたワイヤー１０と、前記導電性材料を覆う絶縁膜３０と、該絶縁膜を介して前記導電性材料上に形成された薄膜半導体４０と、が一体的に構成されたゲート・チャネル一体形成部５０を有し、該ゲート・チャネル一体形成部が前記樹脂基板の表面上又は内部の所定位置に設けられ、前記薄膜半導体の両側に第１及び第２の電極７０、８０が接続されて形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を含み、高速動作が可能なトランジスタを提供する。または、該トランジスタを含む信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁層の溝に埋め込まれた電極層上に、一対の低抵抗領域及びチャネル形成領域を含む酸化物半導体層を設ける。チャネル形成領域は、サイドウォールを側壁に有するゲート電極層と重なる位置に形成される。溝は、深い領域と浅い領域を有し、サイドウォールは、浅い領域と重なり、配線との接続は、深い領域と重なる。 （もっと読む）

【課題】高温雰囲気下にあっても特性に変化が生じ難い有機半導体材料（具体的には、ジオキサアンタントレン系化合物）を提供する。
【解決手段】本開示のジオキサアンタントレン系化合物は、以下の構造式（１）で表される。


ここで、Ｒは、炭素数が４以上の分岐を有するアルキル基である。 （もっと読む）

【課題】ノーマリーオフの電気特性を有し、オン電流の高い、酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。また、該トランジスタを用いた高速動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜と、下地絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体膜と重畳して設けられたゲート電極と、少なくともゲート電極を覆って設けられた、開口部を有する層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に設けられ、開口部を介して酸化物半導体膜と接する配線と、を有し、少なくとも酸化物半導体膜と配線とが接する領域の、下地絶縁膜および酸化物半導体膜の間に、絶縁膜および絶縁膜上に設けられたバッファ層を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を、酸化物半導体層上のゲート絶縁層及び絶縁層の開口を埋め込むように設ける。ソース電極層を設けるための開口とドレイン電極層を設けるための開口は、それぞれ異なるマスクを用いた個別のエッチング処理によって形成される。これにより、ソース電極層（またはドレイン電極層）と酸化物半導体層が接する領域と、ゲート電極層との距離を十分に縮小することができる。また、酸化物半導体層の下に第１の電極層および第２の電極層を設けてコンタクト抵抗の低減を図る。 （もっと読む）

【課題】高温雰囲気下にあっても特性に変化が生じ難い有機半導体材料の提供。
【解決手段】下記ジオキサアンタントレン系化合物。
（もっと読む）

【課題】バンドギャップが大きく、且つ結合エネルギーを安定な状態にする酸化物半導体膜を提供する。また、バンドギャップが大きく、且つ結合エネルギーを安定な状態にする酸化物半導体膜を具備する半導体装置を提供する。
【解決手段】インジウム、ランタン、亜鉛及び酸素を有する結晶構造の酸化物半導体膜とする。また、当該結晶構造において、ランタンは酸素が６配位した構造とし、インジウムは酸素が５配位した構造とする。酸化物半導体膜の結晶構造中にランタンを用いることで、インジウム、ガリウム、亜鉛及び酸素を有する結晶構造の酸化物半導体膜よりもバンドギャップが大きく、結合エネルギーを大きくした酸化物半導体膜とすることができる。また、該酸化物半導体膜を用いた半導体装置の特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタにおいて、高いゲート電圧がゲート電極層に印加される場合、ドレイン電極層の端部近傍（及びソース電極層の端部近傍）に生じる恐れのある電界集中を緩和し、スイッチング特性の劣化を抑え、信頼性が向上された構造を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域上に重なる絶縁層の断面形状を、テーパ形状とし、チャネル形成領域上に重なる絶縁層の膜厚は、０．３μｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上０．１μｍ以下とする。チャネル形成領域上に重なる絶縁層の断面形状の下端部のテーパ角θを６０°以下、好ましくは４５°以下、さらに好ましくは３０°以下とする。 （もっと読む）

【課題】高い安定性を有し、プロセスに対する適応性が高い有機半導体材料に適する新規化合物、及び該化合物からなる半導体層を備えた電子デバイスの提供。
【解決手段】ジオキサアンタントレン系化合物であり、は、代表的なものとして、下記で示される化合物、及び
該化合物からなる半導体層を備えた電子デバイス。
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【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、インジウムを含む酸化物半導体膜、ゲート電極層と重畳する酸化物半導体膜上に接する絶縁層が順に積層され、酸化物半導体膜及び絶縁層に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、絶縁層表面における塩素濃度を１×１０^１９／ｃｍ^３以下とし、かつインジウム濃度を２×１０^１９／ｃｍ^３以下とする。 （もっと読む）

【課題】アライメント精度良く半導体層を形成し、かつ、プロセス数を増やすことなくトランジスタの素子分離を行うことのできる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ５０は、基板１と、基板１上に形成されたゲート電極２と、基板１とゲート電極２とにわたって、これらの上に形成されたゲート絶縁体層４と、ゲート絶縁体層４上に形成された半導体層５と、半導体層５上に形成された保護層６と、ゲート絶縁体層４と半導体層５と保護層６とにわたって、これらの上に形成された、ソース電極７及びドレイン電極８と、を有し、半導体層５における、ソース電極７とドレイン電極８との間のチャネル部を流れる電流の方向の一端５ａは、ソース電極７の一端７ａと一致し、半導体層５における他端５ｂは、ドレイン電極８の一端８ａと一致している。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供する。
【解決手段】ジルコニウムを含ませた酸化物半導体材料は結晶化しやすい材料とすることができ、成膜直後において、結晶構造を有する酸化物半導体膜を形成することができる。従って、酸化物半導体膜の成膜後の加熱処理を省略することができるため、量産に適したプロセスである。具体的には、少なくともインジウムと亜鉛を含む酸化物半導体材料に、４族元素の一つであるジルコニウムを含ませる。少なくともインジウムと亜鉛を含む酸化物半導体材料にジルコニウムを含ませた酸化物半導体材料膜（ＩｎＺｒＺｎＯ_Ｘ膜）を提供する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、オン電流の低下を抑制すること。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、ゲート電極と、ゲート電極を覆い、シリコンを含む酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくともゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、を有し、酸化物半導体膜において、ゲート絶縁膜との界面からの厚さが５ｎｍ以下の第１の領域は、シリコンの濃度が１．０原子％以下であり、酸化物半導体膜の第１の領域以外の領域に含まれるシリコンの濃度は、第１の領域に含まれるシリコンの濃度より小さくする。 （もっと読む）