【課題】多孔質体に冷媒流路を設けた冷却装置の冷却性能を向上させる。
【解決手段】半導体素子８が接合される上壁３を冷却面Ｓとするケーシング２と、ケーシングの冷媒入口ＩＮと冷媒出口ＯＵＴの間に設けられた多孔質体１０とからなり、多孔質体１０には、冷媒入口ＩＮに開口し下壁４を流路壁の一部とする第１流路２０を設けるとともに、冷媒出口ＯＵＴに開口し上壁を流路壁の一部とする第２流路３０を設ける。第１流路２０は冷媒出口ＯＵＴ側が閉じ、第２流路３０は冷媒入口ＩＮ側が閉じているので、冷媒入口ＩＮから第１流路２０に入った冷媒はすべて多孔質体１０内へ染み出て上方へ流れ、第２流路３０へ至って冷媒出口ＯＵＴから流れ出る。冷媒が冷却面Ｓに向かって流れるので、半導体素子８は効率良く冷却される。 （もっと読む）

【課題】
電子機器の発熱素子冷却用のヒートシンクの放熱性能の高性能化と軽量化を実現する。
【解決手段】
グラファイトシートと金属薄板を張り合わせたものをコルゲート状に形成し、ヒートシンクベース上に金属薄板部分で接合することによってヒートシンクを構成する。金属薄板は、フィンの剛性を確保するとともに、ヒートシンクベースとフィン部を構成するグラファイトシートに熱を伝える。フィン部は、金属薄板によって剛性が付与されるのでシート状のグラファイトでの構成が可能で、薄肉化が可能となる。グラファイトは高い熱伝導率を有するので、高い放熱性能を維持したままで、ヒートシンクの軽量化が図れる。 （もっと読む）

【課題】発熱体取付部に取り付けられる発熱体の温度検出部により検出される温度を、実際の発熱体の温度に近い温度にすることができる平板状ヒートパイプを提供する。
【解決手段】平板状ヒートパイプ１は、互いに接合された２枚の金属板３により形成された基板２を備えている。基板２に発熱体取付部５および放熱部６を設ける。基板２に、発熱体取付部５および放熱部６に跨るヒートパイプ部８を形成する。ヒートパイプ部８が、ヒートパイプ部８における発熱体取付部５に存在する蒸発部10と、放熱部６に存在する部分が凝縮部11とを通じさせるバイパス部13を備えている。基板２の発熱体取付部５におけるバイパス部13が設けられている部分に、発熱体取付部５に取り付けられる発熱体Ｓの温度検出部S1により温度が検出される温度検出位置14を設ける。 （もっと読む）

【課題】ＤＢＣ基板にパワー半導体チップを半田接合する際に、半田材の飛散やチップずれによる不都合を解消した半導体装置を提供する。
【解決手段】セラミック基板２１の少なくとも一方の主面に回路配線用導体として島状に導体パターン２３，２４が接着され、セラミック基板２１との境界部分に沿う導体パターン２３，２４の主面の縁部に複数の応力緩和用のディンプル６が加工され、導体パターン２３，２４上のパワー半導体チップ４１〜４３が配置される領域、およびパワー半導体チップ４１〜４３の配置領域の周辺部に形成されたディンプル６内に半田ペーストが部分塗布され、パワー半導体チップ４１〜４３を導体パターン２３，２４上に載置して半田ペーストを加熱処理することによって半田接合されるとともに、ディンプル６内に半田層３が充填される。 （もっと読む）

【課題】配線層として必要な伝熱性及び導電性を確保しつつ熱膨張率を低減し、配線層とセラミック基板との界面における熱応力を低減せしめた電子部品用セラミックス部品、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】セラミックス基板１０と、セラミックス基板１０の表面に配設した配線層２０を備えた電子部品用セラミックス基板１である。配線層２０は、粒状炭素相２３と微細炭素繊維２２と導電性母材２１を含む複合材から成る。カーボンナノチューブ２２と粒状炭素相２３とは、連結して３次元ネットワーク状の構造体を形成している。配線層２０では、熱及び電流は矢印ａで示すように、配線層２０の厚さ方向Ｔにおいて、連続した経路を形成している。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子を冷媒によって冷却する構成において、冷媒の流れていない状態でも該パワー半導体素子を冷却できるような構成を得る。
【解決手段】パワー半導体素子（32）と、該パワー半導体素子（32）を冷媒によって冷却するための冷媒配管（23）とを備えた空気調和装置において、上記冷媒配管（23）に、その内部を冷媒が流れない場合に上記パワー半導体素子（32）で発生する熱を放熱可能な放熱手段（23a）を設ける。 （もっと読む）

【課題】 表面実装型電子部品が表面実装により半田付けされている場合は、半田部分である半田ボールとボール形成ランドによる結合力が弱い為、振動や衝撃の多い環境での使用については長時間の使用により、半田クラックやパターン剥がれが発生する等の問題が生ずる。
【解決手段】 熱伝導シートの角部を面取りにすることにより、振動や衝撃による応力や、および、熱膨張及び熱収縮によって発生するヒートシンクと表面実装型電子部品の相対移動を少なくすることで、半田クラックおよび冷却能力の低下や電気特性の劣化の問題を抑制することを目的とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を弾性体を介して安定して保持してその信頼性を向上することのできる高周波電力発生装置を提供する。
【解決手段】平板状の基板電極２８と、該基板電極上に配置された複数の高周波電力増幅素子２６と、前記それぞれの高周波電力増幅素子上にそれぞれ配置された弾性体３１を備え、前記弾性体により高周波電力増幅素子を基板電極方向に押圧することにより前記高周波電力増幅素子を前記基板電極に加圧接触させる高周波電力発生装置において、その梁状部に前記弾性体の一端をそれぞれ収納する凹部を有し、その柱状部を介して前記基板電極に固定された門型の押さえブロック２２を備え、前記弾性体の一端を前記高周波電力増幅素子に当接させ、その他端を前記凹部の底に当接させ、前記高周波電力増幅素子を前記基板電極により均一な力で安定して加圧接触させた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、冷却効率を改善しながら小型化、薄型化でき、構造が簡単な冷却装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の冷却装置は、冷媒を循環するための閉循環路に設けられ、遠心ポンプ１が発熱電子部品２に接触されて内部の冷媒の熱交換作用で該発熱電子部品から熱を奪い、放熱器から放熱を行なう冷却装置であって、遠心ポンプ１が、ポンプケーシング１５と開放型の羽根車１１とを備え、ポンプケーシング１５には、ポンプ室凹部１５ｂとその底部から突起する多数の突起体２４と、内部のポンプ室１５ａに沿った側面に受熱面１５ｂが形成され、且つ該受熱面１５ｂが接触位置において発熱電子部品２の上面表面の３次元的な形状と相補的な形状に形成されるとともに、受熱面１５ｂとポンプ室１５ａの内壁面との間に吸込路１９が設けられたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】実装される表面実装部品の構造を設計変更することなく、表面実装部品からの熱を効率よく放熱することが可能な放熱部材を提供する。
【解決手段】このメタルベース基板（放熱部材）１２０は、アルミニウムから構成される板状の基材部１２１と、基材部１２１の上面上に絶縁層１２５を介して形成された導体層１２６と、導体層１２６の上面側に開口端を有し、導体層１２６および絶縁層１２５を貫通することにより基材部１２１に底面が形成された細長状の溝部１２７と、溝部１２７の底面および溝部１２７の内側面を覆うように被覆された銅メッキ層１２８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】電流センサの構成部材と一体化でき、容易に製作できるパワーモジュールを提供する。
【解決手段】ヒートシンク1と、このヒートシンク1に接着剤2で固定された配線3と、この配線3に接続されるスイッチング素子とを有するパワーモジュールである。この配線3の外側に嵌めた状態でヒートシンク1に接着剤2で固定される磁性コア7を備え、その磁性コア7が配線3の電流を検知する電流センサのコアである。ヒートシンク1に接着剤2でスイッチング素子と共に電流センサの磁性コア7を固定することにより、パワーモジュールを作製する過程で、電流センサの構成部材の実装も行うことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、放熱体への取付時に半導体素子に伝達される機械的応力を軽減して放熱体に確実に固定できる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明による半導体装置は、底壁（11）及び底壁（11）の外周部に筒状に形成された側壁(12)により皿状の凹部(14)を形成する支持電極(1)と、凹部(14)内の底壁（11）上に配置された半導体素子(2)と、半導体素子(2)に固着されたリード電極(3)と、半導体素子(2)及びリード電極(3)の一部を被覆する樹脂被覆体(4)とを備える。支持電極(1)は、金属製の放熱体(21)に形成された装着孔(22)に嵌合され、側壁(12)は、側壁(12)の一端(12a)に形成されて、装着孔(22)の一端周縁部(21a)に係止するストッパ(32)と、側壁(12)の他端(12b)に形成されて、装着孔(22)の他端周縁部(21b)に係止する係止部(31)とを有する。 （もっと読む）

【課題】冷媒通路を形成するケースの開口に取り付けたあと冷媒の圧力により支障が生じるのを防止する。
【解決手段】絶縁フィン１０は、セラミックス製の絶縁基板１２の上面に形成された電子部品搭載用の導体層１４と、絶縁基板１２の下の面に形成されたフィンベース部１８と複数の放熱フィン１６とを備えている。絶縁基板１２は、冷媒が流通する冷媒通路を形成するケース３０の開口を絶縁フィン１０が塞ぐように配置されたときにケース３０の開口の周縁と重なり合う大きさに形成されている。したがって、絶縁フィン１０をケース３０の開口に取り付けたあと冷媒の圧力が取付部分やその周辺に加わったとしても、その取付部分に剛性の高い絶縁基板１２が存在しているため、強度不足により支障が生じるのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】絶縁性流動物質を介して効率的に素子の放熱を行うことが可能な素子冷却構造の提供。
【解決手段】本発明による素子冷却構造１は、熱を発する素子が第１面側に設けられ、水平面に対して傾斜をもって配置された基板１０と、該基板の第１面に接触する空間に充填された絶縁性流動物質３０と、前記素子の位置よりも上方に配置され、前記絶縁性流動物質を冷却する冷却手段２２と、前記素子における前記絶縁性流動物質と接触する面に設けられ、下方から上方に向けて傾斜して延在する複数のフィン１４とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱膨張による剥がれ、ひび割れを抑制することができる伝熱部材の製造方法を提供する。
【解決手段】固相状態の金属粉末を圧縮ガスと共に、基材１１の表面に吹き付けて、前記金属粉末から被膜１２を前記基材１１の表面に成膜する工程を少なくとも含む伝熱部材１０の製造方法であって、前記成膜工程において、前記被膜１２が多孔質組織となるように、前記基材１１の表面への前記金属粉末の吹き付け圧を設定する。 （もっと読む）

【課題】システム／デバイス内の高電力コンポーネントの動作温度範囲を効率的に拡大するための方法およびシステムを提供すること。
【解決手段】埋め込みモニタが、コンポーネントの接合温度などの局部的温度を測定する。測定温度がコンポーネントの最低動作温度閾値よりも低い場合、温度制御ロジックは、加熱源を利用して、コンポーネントの温度を動作レベルまで上昇させるために予熱を開始する。コンポーネント（またはデバイス）は、温度が動作レベル以上である場合にのみ、動作状態にされる。温度制御ロジックは、動作中システム／デバイス内のコンポーネントによって散逸される高電力を自己加熱源として使用して、コンポーネントの動作温度を維持する。自己加熱が動作温度を維持することができない場合、加熱源が、コンポーネントの動作温度の維持を支援するために利用され、それによって、コンポーネントが利用されるシステムの有効動作温度範囲を拡大する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも容易に、冷却チューブと電子部品との間にかかる面圧を均一にできる冷却装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】冷却チューブと電子部品の積層方向での冷却ユニット３の線膨張率が、ケース２の線膨張率よりも大きいという関係を有する冷却ユニット３およびケース２を用意し、電子部品１０の使用環境温度よりも低い温度雰囲気下、例えば、−４０℃で、一対の冷却チューブ２１の間に電子部品１０を配置して冷却ユニット３を組付けた後、冷却ユニット３をケース２に収容する。これにより、組付け時の温度よりも高い温度、すなわち、電子部品１０の使用環境温度時および電子部品１０の発熱時では、冷却チューブと電子部品の積層方向において、冷却ユニットが膨張することによって、冷却ユニットがケースによって加圧される。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、半導体素子と放熱機構部との間の熱抵抗を小さくして、冷却性能の向上したパワー半導体モジュールを提供することにある。
【解決手段】
窒化ケイ素絶縁基板と、前記窒化ケイ素絶縁基板の一方の面に配置されたＣｕ又はＣｕ合金からなる金属回路板と、前記金属回路板に搭載された半導体素子と、前記窒化ケイ素絶縁基板の他方の面に配置されたＣｕ又はＣｕ合金からなる放熱板とを有する半導体モジュールにおいて、前記窒化ケイ素絶縁基板と前記金属回路板との間に、炭素繊維とＣｕ又はＣｕ合金からなる炭素繊維−金属複合材が配置されており、前記炭素繊維−金属複合材の炭素繊維配向方向の熱伝導率が４００Ｗ／ｍ.Ｋ 以上であることを特徴とする半導体モジュール。 （もっと読む）

【課題】簡素な構造で高い冷却効率を得ることが可能な半導体素子の冷却構造を提供する。
【解決手段】半導体素子の冷却構造は、複数の半導体素子１Ａ〜１Ｄと、内部に冷媒流路２０Ａ，２０Ｂを有し、複数の半導体素子１に電気的に接続された電極構造２とを含む。電極構造２は、両面に各々半導体素子１が搭載された交流電極２Ａと、交流電極２Ａおよび該交流電極２Ａの両面に各々搭載された半導体素子１Ａ〜１Ｄを挟持する複数の直流電極２Ｂとを含み、交流電極２Ａおよび直流電極２Ｂは、それぞれ内部に冷媒流路２０Ａ，２０Ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】ロウ材の回り込みの発生を抑制したパワーモジュール用基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】金属母材を打ち抜いて、外縁部に沿って外縁端に向かうにしたがって反り上がる反上部２４、２５を有する金属層１２Ａ及び回路層１３Ａそれぞれを形成する打抜工程と、セラミックス基板１１の表面における金属層１２Ａ及び回路層１３Ａが配置される配置予定部１１ｃ、１１ｄの外周縁に沿って配置予定部１１ｃ、１１ｄそれぞれを囲む溝部１１ａ、１１ｂを形成する溝形成工程と、反上部２４、２５の先端を溝部１１ａ、１１ｂ内に収容し、セラミックス基板１１において溝部１１ａで囲まれる領域と金属層１２Ａとをロウ付けすると共に溝部１１ｂで囲まれる領域と回路層１３Ａとをロウ付け接合する接合工程とを備える。 （もっと読む）