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Fターム[5F136EA01]の内容

半導体又は固体装置の冷却等 (35,223) | 放熱部材、発熱体の取付 (3,558) | 発熱体への放熱部材の取付 (2,546)

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【課題】ネジなどのような固定部品を正確に案内することができる位置決め構造を有する放熱装置を提供する。
【解決手段】回路基板10上の電子部品12を冷却することに用いられ、放熱器20と、放熱器20に設けられる複数の取付部品30と、を備えてなる放熱装置であって、回路基板10の電子部品12の周囲に前記放熱装置の複数の取付部品30に対応する複数の柱体14が形成され、取付部品30は、放熱器20に固定される固定部32と、固定部32から外に向かって伸び出して形成される取付部34と、取付部34から曲がって形成される位置決め部36と、を含み、回路基板10の柱体14を取付部品30の位置決め部36に貫いてから取付部34に当接させて、前記放熱装置を回路基板10に予め位置決める。 (もっと読む)


【課題】小型で外部装置への取り付けが容易な電源モジュールを提供する。
【解決手段】ヒートシンク13と、ヒートシンク13の両面側にそれぞれ配置された電源回路1,2と、電源回路1,2と外部装置とを接続するための入出力コネクタ14とを備え、入出力コネクタ14は、取付金具15によりヒートシンク13に固定され、配線16,17により、電源回路1,2が実装されたプリント基板5,7に接続される。 (もっと読む)


【課題】基板に実装された一般的な電気部品群の冷却とアンプ等の高発熱電気部品の冷却を1つのファンで賄うことのできる電子機器の筐体構造を安価な構成で提供すること。
【解決手段】フロントパネル109の空気取り入れ口112から吸い込まれて基板104と板状部材2の間の広い空気流路に沿って低速で流れる空気で高発熱電気部品103aを除く電気部品群103を冷却した後、エアダクト5で流速を速められた空気により放熱板4を冷却することで高発熱電気部品103aの熱を効率よく外部に排出する。つまり、高発熱電気部品103aを除いた他の電気部品群103を冷却して僅かに温度が上昇した空気の流速を速め、この空気を再び利用して高発熱電気部品103aを効率よく冷却することにより、高発熱電気部品103aを含む電気部品群103の冷却を1つの遠心式扁平ファン6の設置で賄えるようにした。 (もっと読む)


【課題】空冷式ヒートシンクシステムを有するメモリモジュールにおいて、ヒートシンクを使用してメモリモジュールの放熱特性を改善し、小型PC筺体でも高速メモリを安定に使用できるようにする手段を提供する。
【解決手段】モジュール基板101に、DRAM素子102が装着されたメモリモジュール100を両面より挟持したヒートシンク部201、201’と、ヒートシンク部201、201’の上部にエア導入路を備え、エア導入路からエアを下方に向けて送風することにより、メモリモジュール100を冷却する。これによりヒートシンク部201、201’の上部のエア導入路からエアが下方に向けて送風される。 (もっと読む)


【課題】発熱体が複数存在するとき、効率的に放熱ができる、小型の液冷システムを得る。
【解決手段】複数の発熱源;各発熱源に対応させて設けられ、それぞれの発熱源から受熱した冷媒を冷却するための複数のラジエータ;これら複数の発熱源からの受熱部と複数のラジエータの間で冷媒を循環させるポンプ;及び複数のラジエータに対して冷却風を与える冷却ファン;を備え、冷却ファンはシロッコファンからなり、複数のラジエータは、このシロッコファンの外周の異なる位置に配置されている液冷システム。 (もっと読む)


【課題】発熱部品からの熱を効果的に放熱することができ、機器全体の小型化、軽量化を容易に図ることができる密閉型電子機器を提供すること。
【解決手段】基板10に設けられた発熱部品30と、前記基板10とともに前記発熱部品30を収容する筐体40と、前記発熱部品30と前記筐体40とにわたって当接され、前記発熱部品30から発せられた熱を前記筐体40側に放熱する放熱部50とを備え、前記放熱部50は、前記発熱部品30との接触面積よりも、前記筐体40との接触面積の方が大きく形成されており、前記放熱部50の側部50cは、前記発熱部品30から前記筐体40にかけて漸次広げられてテーパー状に形成されたテーパー部として形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】電子機器に着脱自在なCPUブレードの半導体デバイスを最適に冷却することのできる冷却装置、およびこれを用いる小型で省電力の図れる電子機器を提供する。
【解決手段】電子機器の筐体内部の電子回路基板に設置された半導体デバイスを冷却する冷却装置であって、第一の吸熱部および第一の放熱部を有する第一の冷却手段と、第二の吸熱部および第二の放熱部を有する第二の冷却手段とを含み、該第一の吸熱部を該半導体デバイスに接する形で設置し、該第二の吸熱部を該第一の放熱部に接する形で着脱自在に設置し、該第一の冷却手段には、相変化する冷媒を封入し、該第二の放熱部を筐体外部に設置する。 (もっと読む)


【課題】従来の発熱体と放熱体との接合構造では、両者間の熱抵抗を下げるために、発熱体および放熱体の接合面を高精度に加工する必要があり、加工工程が高コスト化するなどしていた。
【解決手段】パワー半導体モジュール10とヒートシンク20との接合構造であって、パワー半導体モジュール10の接合面には、接合面と直交する方向から傾斜した方向へ突出する複数の接合フィン13bが並設され、ヒートシンク20の接合面には、各接合フィン13b間の形状に対応した形状の、接合フィン13bの傾斜方向と同じ方向へ傾斜した方向へ突出する複数の接合フィン20cが並設され、接合フィン13bおよび接合フィン20cの少なくとも何れか一方の基部の剛性が、基部以外の部分の剛性よりも低く構成されており、パワー半導体モジュール10とヒートシンク20とは、各接合フィン13bと各接合フィン20cとが噛み合う状態で接続されることにより接合される。 (もっと読む)


【課題】発熱部品の放熱効果を高め、かつ構造制約により、放熱部品が発熱部品に対し非対称になるなど特殊な形状や配置になるような場合でも、他の発熱部品への流用性を高める放熱部品を得ることを目的とする。
【解決手段】本発明における放熱部品1は、電子部品(発熱部品2)から発生する熱を放熱するために電子部品の表面に接触配置する取付構造を備える放熱部品1であって、取付構造は、電子部品に対して取り付け位置が移動可能な構造を有する。この取付構造は、放熱部品1に設けられた複数の取り付け穴3を有し、複数の取り付け穴3のいずれかに電子部品をネジ5またはカシメ等で固定する。 (もっと読む)


【課題】放熱部材と熱伝導部材とを密着させ、電子部品の放熱効果を向上させ、周囲の回路基板、電子部品等の短絡障害を防止して、部品点数、部品コスト、製造工数の増加を抑制することのできる新しい電子部品装置を提供する。
【解決手段】電子部品2に平板状金属体42あるいは凹状金属体41の一方を蒸着処理または鍍金処理により形成し、放熱部材3に平板状金属体42あるいは凹状金属体41の他方を蒸着処理または鍍金処理により形成し、その後に、液状金属43を前記凹状金属体41の凹部に充填し、液状金属43と平板状金属体42及び凹状金属体41の一部とを固溶体にしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


本発明は、少なくとも1の多層セラミック回路担体(2,3)と、少なくとも1のヒートシンク(4)を有する少なくとも1の冷却装置とを有する、電子部材モジュールに関する。セラミック回路担体(2,3)と冷却装置(4)との間に少なくとも領域的に、複合材層(5,6)が配置されている。前記複合材層は、一次工程の間のセラミック回路担体(2,3)との反応的な接合のため、および冷却装置(4)との接合のために形成されている。本発明はまた、このような電子部材モジュールの製造方法に関する。
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本発明は、トランスを備えるスイッチング電源に関するものであり、このトランスは少なくとも1つの一次巻線と少なくとも2つの二次巻線を有し、前記一次巻線はスイッチ素子(4)を介して直流電圧に接続され、前記二次巻線は少なくとも1つのダイオード(2)を有する整流回路を介して負荷に接続されている。前記スイッチング電源は少なくとも1つの圧電ファン(8)を有し、該圧電ファンは空気流を、前記トランス(1)および/または前記スイッチ素子(4)および/または前記ダイオード(2)に当てる。形成された空気流は、冷却すべき素子に所期のように偏向されるが、空気スループット全体は小さいままであり、したがって空気中粒子による汚染が発生しない。
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【課題】半導体素子の絶縁性及び放熱性を両立でき、しかも、半導体素子を放熱器に簡単且つ速やかに固定できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置10によれば、絶縁ブッシュ16は、放熱器14に組み付けられたときには、ヒートシンク22と被熱伝達部40とが空間部56を介して対向された状態となるように半導体素子12を放熱器14に対して保持する。また、この絶縁ブッシュ16によって保持された半導体素子12のヒートシンク22と放熱器14の被熱伝達部40との間の空間部56には、絶縁性及び熱伝達性材料で構成された接着材58が配置される。従って、半導体素子12の絶縁性及び放熱性を両立できる。また、絶縁ブッシュ16で半導体素子12を保持しながら、この絶縁ブッシュ16を放熱器14に組み付けるだけで良いので半導体素子12を放熱器14に簡単且つ速やかに固定できる。 (もっと読む)


基板に実装可能な半導体装置には、半導体ダイと、第1取着面及び第2取着面を有する導電性取着領域と、を含む。第1取着面を、半導体ダイと電気的に導通するよう設ける。ハウジングにより、半導体ダイ及び層間材を少なくとも部分的に包囲する。ハウジングには、導電性取着領域の第2取着面を通して配設する凹部を有する。誘電、熱伝導性の層間材を、該凹部内に配置し、ハウジングに固定する。金属プレートを、該凹部内に配置し、層間材に固定する。 (もっと読む)


【課題】 従来の半導体装置の製造方法および製造装置では、ヒータ等の加熱源からハウジングの接合剤への熱伝達効率を向上させるのには限度があった。また、半導体装置を構成する放熱板やハウジング等の加工費がかさんで、半導体装置のコストアップ原因となっていた。
【解決手段】 冷却水路2aを有した冷却器2にハウジング5を接合して構成される半導体装置1の製造方法であって、前記ハウジング5を、熱硬化性接合剤6を介して冷却器2上にセットする工程と、前記冷却水路2a内に加熱した流体を通過させて、前記熱硬化性接合剤6を硬化させる工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】 取付けビスやその他の余分な別部品を用いずに発熱部品を放熱板に取り付ける。
【解決手段】 配線基板3に半田付けされたリードピン13によって自立性が付与されている発熱部品1の部品本体12が放熱板2に重なり合っている。放熱板2の1箇所を直角に突出させることにより形成した円筒状の突起6を部品本体12の取付ビス挿通孔14に貫挿し、放熱板2への発熱部品1の取付箇所で、突起6の先端部を外向きに折り曲げることにより形成した環状片61と放熱板2とによって部品本体12を挟持させる。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイス及び金属製熱伝導体と,ダイヤモンドヒートスプレッダとの接合面を,常温で,接着剤等を使用することなく活性化により化学的に結合させる。
【解決手段】半導体デバイスにダイヤモンドヒートスプレッダを介して銅やアルミニウム製のヒートシンク,ヒートスプレッダ(金属製熱伝導体)を取り付ける。天然ダイヤモンド等により切り出し,又は気相合成法によって成膜されたダイヤモンド膜として得たダイヤモンドヒートスプレッダは,半導体デバイスとの接合面及び前記金属製熱伝導体との接合面を,直接研磨,又は表面に形成された金属膜の研磨により表面平均粗さ(Ra)30nm以下に平坦化し,真空又は不活性ガス雰囲気下に置かれた常温の前記ダイヤモンドヒートスプレッダと前記半導体デバイスとの接合面,及び前記ダイヤモンドスプレッダと金属製熱伝導体との接合面に,アルゴン(Ar)等の希ビームを照射して活性化させて接合する。 (もっと読む)


【課題】パッケージ内の接合強度に優れ、信頼性に富み、光学系への悪影響がなく、かつ設備コストも抑制することができる半導体レーザパッケージ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】カソード電極16と金属箔20とで絶縁層18を挟んだ3層構造の電極シート24を形成し、電極シート24下層の金属箔20とヒートシンクのアノード電極12とを電極シート24上面の溶接用穴26からレーザ溶接で接合することにより、カソード電極16をアノード電極12上に取り付ける。LDAチップ14下面のアノード端子は、アノード電極12の上面に直付けで接続される。LDAチップ14上面のカソード端子は複数本のボンディングワイヤ22を介してカソード電極16と電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】ナノ金属ペーストを用いて上位,中位,下位に重ねた三つの部品間を接合させる際に、各部品の間に未接合部分を残すことなく、かつ同じ接合工程で各部品を一括して接合てきるように改良した接合方法,および組立治具を提供する。
【解決手段】半導体モジュールの組立治具8に、ナノ金属ペースト17を塗布した絶縁基板2,半導体チップ3,ヒートスプレッダ4をセットしての各部品の相互を離間させて保持し、この状態で熱を加えてナノ金属ペーストの有機成分を揮散させ(プレ加熱工程)、続く加熱接合工程では各部品の接合面を重ね合わせた上で、外部から加圧力を加えてナノ金属粒子同士,およびナノ金属粒子と部品の接合母材とを融合/溶着させる。 (もっと読む)


【課題】集積回路デバイスにおいて改善された放熱構造および方法を提供する。
【解決手段】集積回路デバイスが冶金的接合を含みヒートシンクへの熱伝導を改善する。半導体デバイスにおいて、集積回路ダイの表面がヒートシンクの表面に冶金的に接合される。デバイスの製造方法において、パッケージ基板の上表面が内部領域および周縁領域を含む。集積回路ダイが基板表面上に配置され、集積回路ダイの第1の表面がパッケージ基板に当接される。集積回路ダイの反対の第2の表面上に金属層が形成される。予備形成物が金属層上に配置され、ヒートシンクが予備形成物上に配置される。接合層が予備形成物によって形成され、ヒートシンクを集積回路ダイの第2の表面に冶金的に接合する。 (もっと読む)


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