【課題】従来の放熱基板は、熱伝導性を高めるために無機フィラの含有量を増加した場合、伝熱層の表面が粗化しやすく、ここに埋め込んだリードフレームや配線基板との密着性が低下し、電気絶縁性に影響を与える可能性があった。
【解決手段】金属板１０７と、この金属板１０７上に設けられたシート状の、結晶性エポキシ樹脂を含む伝熱層１０２と、この伝熱層１０２に固定された、配線基板１０４と、リードフレーム１０３と、を有する放熱基板１０１であって、伝熱層１０２における無機フィラ１２６の含有率が、６６Ｖｏｌ％以上、９０Ｖｏｌ％以下であって、配線基板１０４と、リードフレーム１０３とは、１つ以上の接触部１０８を介して接触させることで、高精度位置決めと、優れた電気絶縁性を有する放熱基板１０１とする。 （もっと読む）

【課題】液冷式の冷却装置に関し、高効率の冷却装置を簡便なプロセスで製造しうる冷却装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板３０に、表面から底部にかけて階段状に深くなる溝状の凹部３６を形成し、基板２０に、溝状の凹部３６に適合した形状の階段状の土手状の凸部２６を形成し、土手状の凸部２６を溝状の凹部３６に嵌め込むように基板２０と基板３０とを接合し、溝状の凹部３６と土手状の凸部２６との間に階段状のチャネル１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来の放熱基板は、熱伝導性を高めるために無機フィラの含有量を増加した場合、伝熱層の表面が粗化しやすく、ここに埋め込んだリードフレームや配線基板との密着性が低下し、電気絶縁性に影響を与える可能性があった。
【解決手段】金属板１０７と、この金属板１０７上に設けられたシート状の、結晶性エポキシ樹脂を含む伝熱層１０２と、この伝熱層１０２に固定された、配線基板１０４と、リードフレーム１０３と、を有する放熱基板１０１であって、伝熱層１０２における前記無機フィラ１２７の含有率が、６６Ｖｏｌ％以上、９０Ｖｏｌ％以下であって、配線基板１０４と、リードフレーム１０３とは、半田部１０８を介して接続させることで、高精度位置決めと、優れた放熱性を有する放熱基板１０１とする。 （もっと読む）

【課題】高分子化合物マトリクス中における熱伝導性充填剤の比率を大幅に増加しなくても、従って高分子化合物マトリクス中における熱伝導性充填剤の比率を大幅に増加することによる粘着力が低下するの防止でき、粘着力を維持しながら高熱伝導性を有する電気絶縁性の熱伝導性シートを提供する。
【解決手段】少なくとも熱伝導性充填剤と粘着性を有する高分子化合物を含む熱伝導性シートにおいて、前記熱伝導性充填剤が、熱伝導性金属粒子を窒化ホウ素に対して5重量％〜20重量％担持させた金属粒子担持窒化ホウ素であり、前記熱伝導性充填剤と前記高分子化合物の重量比率が15部/85部〜40部/60部である熱伝導性シート。 （もっと読む）

【課題】水平方向の熱膨張を抑制することができるとともに、垂直方向の熱伝導を良好なものとすることができる金属積層構造体および金属積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】タングステンを含む第１の金属層は銅を含む第２の金属層の第１の表面上に設置され、タングステンを含む第３の金属層は第２の金属層の第１の表面とは反対側の第２の表面上に設置されており、第１の金属層に含まれるタングステンの結晶粒が第２の金属層の第１の表面に対して垂直方向に伸長する柱状結晶であり、第３の金属層に含まれるタングステンの結晶粒が第２の金属層の第２の表面に対して垂直方向に伸長する柱状結晶である金属積層構造体と金属積層構造体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】低温〜高温間の冷熱サイクルで生じる熱応力を緩和して半導体素子の信頼性を向上させるようにする。
【解決手段】冷却器具１２を、冷却対象の半導体素子１４の面に対して交差する方向に立設される棒状の複数の熱吸収部材４０と、半導体素子１４が熱膨張しても複数の熱吸収部材４０の一端部の配置関係と他端部の配置関係とが対応し、かつ、複数の熱吸収部材４０の熱膨張によって熱吸収部材４０に対する応力が発生しないように設けられ、半導体素子１４の熱膨張率と対応する熱膨張率である材料で形成された支持部材４２であって、半導体素子１４の面に対して複数の熱吸収部材４０を位置決めするように熱吸収部材４０を支持する支持部材４２と、を含んで構成する。 （もっと読む）

【課題】放熱構造の組み立て時に、集積回路や基板上の他の電子部品に過大な負荷が掛かることを防止する。
【解決手段】放熱構造1は、集積回路4を下面に設けた基板3と、集積回路4に接する当接軸21を設けた放熱体2と、頭部70を有して基板3を放熱体2に取り付けるネジ7と、基板3と放熱体2の間に配備されて基板3を上向き付勢する下側バネ6と、ネジ7の頭部70と基板3の間にてネジ7に嵌まって、基板3を下向き付勢する上側バネ5とを具えている。放熱体2は、下側バネ6が嵌まる大径軸23と、上側バネ5が嵌まる小径軸24を一体に具えた支持軸20を具えている。ネジ7が放熱体2に螺合した状態で、上側バネ5の頭部70と小径軸24の上端面との間、及び基板3の下面と大径軸23の上端面との間には、隙間が設けられている。 （もっと読む）

【課題】放熱体の全体寸法を顕著に増加させることなく、極めて高い放熱性能を実現する放熱構造体を提供する。
【解決手段】熱伝導層１の最表面に３次元形状賦型層２を含む表皮層８が設けられた放熱構造体であって、熱伝導層の表皮層を除いた部位は、層内の少なくとも一方向における熱伝導率が２Ｗ／ｍ・Ｋ以上、平均厚みが０．２〜５ｍｍであって、熱伝導率と平均厚みの積が０．０１Ｗ／Ｋ以上であり、３次元形状賦型層は、熱伝導層の全表面の１０％以上の領域に複数の凸部が平均ピッチ０．０３〜２ｍｍで配され、凸部の根元側での平均幅もしくは平均太さが０．０２〜０．７ｍｍ、凸部頂部の平均高さが、凸部の根元側平均幅もしくは平均太さの０．２〜５倍であり、３次元形状賦型層の設けられた領域の表面積が平坦面である場合に比べ、１．３倍以上であることを特徴とする放熱構造体。 （もっと読む）

【課題】製膜性と放熱性とのバランスに優れた放熱性二軸延伸フィルムを提供する。
【解決手段】特定の繊維状炭素材料、ポリエステル系樹脂、熱伝導性フィラーを含む熱伝導層を形成するマトリックス材料、および特定の厚み、体積抵抗率を有する電気絶縁層を形成するマトリックス材料を、それぞれ別の押出機で溶融、積層し、溶融押出し固化成形することで、二軸方向に延伸させた放熱性二軸延伸フィルムを製造する。厚み方向の熱伝導率を０．２８Ｗ／（ｍ・Ｋ）とすることが出きる。 （もっと読む）

【課題】原材料コストや加工コストを低く抑え、一体型基板としての反り（形状変形）が低減され、優れた強度および放熱性を備えた液冷一体型基板およびその液冷一体型基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１０の一方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属回路板１５が接合されると共に、他方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる平板状の金属ベース板２０の一方の面が接合され、金属ベース板２０の他方の面には押出し材で構成される液冷式の放熱器３０が接合された液冷一体型基板１において、金属回路板１５の厚さｔ１と金属ベース板２０の厚さｔ２との関係はｔ２／ｔ１≧２を満たし、金属回路板１５の厚さｔ１は０．４〜３ｍｍであり、金属ベース板２０の厚さｔ２は０．８〜６ｍｍである、液冷一体型基板が提供される。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の各部位の温度を均一化させることのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１０は、半導体素子１１と冷却器２０とを備えている。半導体素子１１と冷却水流路３０の間に位置している上側壁部材２１の厚みｄ１は、半導体素子１１中央領域に対応する範囲で薄く、周辺領域に対応する範囲で厚い。昇温しやすい中央領域では効率的に冷却され、半導体素子１１の各部位の温度が均一化される。 （もっと読む）

【課題】製造コストの低減と冷却効率の向上を両立させた冷却装置を提供する。
【解決手段】冷却装置は、電気部品１０と、冷却器２０と、電気部品１０および冷却器２０の間に設けられ、電気部品１０および冷却器２０の表面の凹凸を吸収するとしてのシリコングリス３０と、電気部品１０および冷却器２０の表面に密着するように設けられ、電気部品１０と冷却器２０との間の電気的絶縁性を確保する絶縁フィルム４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体素子で発生する熱を基板を通じて放熱させることができるとともに、半導体素子と基板との間の接合部の劣化をより適切に抑制することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、半導体素子１１と接合部１２と放熱板１５とが順に積層されている。半導体素子１１と放熱板１５とが積層されている方向を厚さ方向とし、厚さ方向と直交する面に沿った方向を面方向とする。放熱板１５には、半導体素子１１の積層範囲に対応する中央領域に、厚さ方向の熱伝導率が面方向の熱伝導率及び放熱板１５の母材の熱伝導率よりも高い第１埋設部１６が形成されており、外周領域に、面方向の線膨張係数が第１埋設部１６の面方向の線膨張係数及び放熱板１５の母材の線膨張係数よりも小さく且つ面方向の剛性が第１埋設部１６の面方向の剛性及び放熱板１５の母材の剛性よりも第２埋設部１７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】作動時に大量の熱を発する電子部品を収容しても熱伝導性に優れ、かつ電子部品の熱膨張係数と適合させることができる電子部品収納用パッケージおよび電子装置を提供する。
【解決手段】電子部品収納用パッケージおよび電子装置には、熱伝導率のよい第１金属層１１と、第１金属層１１より低熱膨張係数を有し厚さの薄い第２金属層１０とが交互に５層以上積層され、最下層および最上層には第１金属層１１ｃ，１１ｂが配されているとともに、内層に配される第１金属層１１ａの少なくとも１層の厚さが最下層および最上層に配される第１金属層１１ｃ，１１ｂの厚さよりも厚い放熱部材１が用いられている。また、放熱部材の外周部は、下方または上方に向かってだれるように変形している。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性シートをパワーモジュールに組み込んだ際に、熱伝導性シートに接する部材との界面付近において鱗片状窒化ホウ素の長径方向がシート厚み方向と概ね一致するように配向させ、シート厚み方向の熱伝導性を向上させることにより、放熱特性に優れたパワーモジュールを提供する。
【解決手段】３μｍ以上５０μｍ以下の平均長径を有する鱗片状窒化ホウ素を３０体積％以上８０体積％以下の割合でマトリックス樹脂中に含む熱伝導性シートを具備するパワーモジュールであって、前記熱伝導性シートに接する部材の前記熱伝導性シート側の面に、前記鱗片状窒化ホウ素の平均長径の１／３以上且つ前記熱伝導性シートの厚みの１／２以下の十点平均高さＲｚを有する凹凸が形成されていることを特徴とするパワーモジュールとする。 （もっと読む）

【課題】 熱伝導率及び導電率が悪化することがなく、製造工程で各層を構成する金属積材とグラファイト積層材とが位置ずれするおそれがない放熱プレートとする。
【解決手段】 銅からなる板状の金属積層材１１０と、グラファイトからなる板状のグラファイト積層材１２０とが交互に積層される放熱プレートであって、積層された金属積層材１１０とグラファイト積層材１２０とを貫通し、両積層材１１０、１２０を積層状態で固定する金属からなるピン部材１３０とを備えており、最外層は金属積層材１１０を構成する最外用金属積層材１１１となっている。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）一分子中にケイ素原子結合アルケニル基を含有するオルガノポリシロキサン、
（Ｂ）平均粒子径が１〜１００μｍの熱伝導性充填剤、
（Ｃ）一分子中にケイ素原子結合水素原子を含有する硬化剤
を含有する下記流れ性試験方法にて流れ性が５０ｍｍ以上の流動性を与える高熱伝導性ポッティング材用シリコーン組成物。
＊流れ性
上記組成物を０．６ｍｌ取り、Ａｌ板に垂らし、垂らした後、すぐに滴下したＡｌ板を傾斜（傾斜角２８度）させ、４０℃の恒温槽に入れ、４０℃×１時間後に取り出し、１２０℃の乾燥機に入れて１０分間硬化させ、硬化後のサンプルを取り出し、流れた組成物の長さを端から端まで測定する。
【効果】本発明の組成物は、熱伝導性充填剤が高充填されていても、取扱性、成形性が良好であり、その硬化物は、硬さ、伸び、引っ張り強さ、接着強さなどの物性が良好である。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れ、また安価に製造することができる素子搭載基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１と、セラミックス基板１に設けられたビアホール２内に充填された銅ペースト焼結体３と、銅導体ペースト焼結体３が充填されたビアホール２に重なる位置に搭載される素子５とを備えて形成される素子搭載基板に関する。そしてセラミックス基板の厚みが０．２〜１．０ｍｍで、且つビアホールの断面積が０．２ｍｍ^２以上であり、銅導体ペースト焼結体の熱伝導度が８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であると共に、ビアホール内に充填された状態での銅導体ペースト焼結体のセラミックス基板の厚み方向の熱抵抗が２４℃／Ｗ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温動作が可能で信頼性の高い半導体装置を得ることを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体装置は、基板１と、基板１上に搭載され、２００℃以上の熱を発生する半導体素子２と、半導体素子２を包囲する包囲部４と、包囲部４により流動を制御され、半導体素子２を封止し、耐熱性油により構成された液状の封止部６とを備える。 （もっと読む）

【課題】熱伝導部品とセラミック基体との熱膨張率差による電子装置全体の変形を低減させること。
【解決手段】素子搭載用部品１は、複合部材１１および金属部材１２を含んでいる。複合部材１１は、タングステンまたはモリブデンからなる多孔質体と、多孔質体に含浸された含浸材とを含んでいる。含浸材は、タングステンまたはモリブデンより熱伝導性の高い金属材料からなる。金属部材１２は、複合部材１１に接合されているとともに、複合部材１１よりセラミックスに近い熱膨張係数を有している。 （もっと読む）