【課題】放熱量が大きく安価な半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置１は、パッケージングされていないシリコン基板２を含んでおり、いわゆるフリップチップ接続が可能である。シリコン基板２は、扁平なほぼ直方体の形状を有している。シリコン基板２の表面２ａから一定の深さにわたる領域は、機能素子が形成された機能素子形成領域３となっている。表面２ａ上の所定の位置には、機能素子に電気接続された複数のバンプ４が形成されている。シリコン基板２の裏面２ｂには、直線状に延びる多数の溝５が、互いにほぼ平行にほぼ同じ間隔で形成されている。シリコン基板２の裏面２ｂには、金属薄膜が形成されている。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの電気または電子コンポーネントから形成されるかそのようなコンポーネントを備えた熱源、吸熱源、および熱源と吸熱源の間に置かれて熱伝導材料から作られた中間層を含む新規なデバイスに関する。前記熱伝導材料は、ナノファイバを組み込まれた有機マトリックスから構成される。
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本発明は、電子機器を表面実装するための組み立てに関する。特に、本発明は、効率よく冷却するために高周波数電子素子を低価格の回路基板と共に実装することに関する。特に、本発明は、熱を効率よく伝達すること及びマイクロ波機器におけるエアギャップを排除することに関する。
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ダイヤモンド含有複合材料から成るヒートシンクに関する。この複合材料は、４０〜９０体積％のダイヤモンドの他に、０．００５〜１２体積％の珪素・炭素化合物と、７〜４９体積％のＡｇ、Ａｕ又はＡｌ豊富相と、５体積％以下の他の相とを含み、Ａｇ、Ａｕ或いはＡｌ豊富相と炭化珪素との体積比が４より大きく、ダイヤモンド粒子表面が珪素・炭素化合物で少なくとも６０％覆われている。好適な製造方法は無圧および加圧下の浸透工程を含む。その部品は、特に半導体構成要素用のヒートシンクとして適する。 （もっと読む）

【課題】 熱伝導率が高く熱の放散性に優れる放熱用部材を比較的容易に、安定して得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、方向を揃えた炭素繊維が該炭素繊維を横切るように配置した樹脂繊維により固定されてシート状をなす炭素繊維シートに銅メッキを施し、次いでシート同士の炭素繊維の方向が実質的に一致するように積層し、放電プラズマ焼結法等により加圧焼結するパワーデバイス半導体等に用いられる放熱用部材の製造方法である。 （もっと読む）

本発明は、熱源と、センサおよび吸熱器を実装したプリント回路基板を含む電子デバイスとの温度測定方法に関する。前記センサおよび吸熱器は熱伝導するように連結される。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップなどのデバイスの冷却用放熱導管構造及びその製造方法。
【解決手段】中空封鎖管体３１、柱体３１４からなり、金属にダイヤモンド構造の炭素を混入した材料からなる成型体、又は該成型体若しくは金属からなる成型体にダイヤモンド構造の炭素被覆を形成した成型体から構成する。該中空封鎖管は、一端側がデバイス熱源に接する熱源端１４、他端側が低温度の放熱装置に接する放熱端とし、
該柱体は、第一端は該中空封鎖管体の該熱源端１４に、第二端は該中空封鎖管体の該放熱端に接続し、
該封鎖管体内壁面及び該柱体表面に毛細管作用を有する毛細組織構造を形成し、
冷却流体を該封鎖管体内に封入して、該流体を熱源からの熱伝導により気化蒸発せしめ、その気化流体を低温度の放熱端で凝縮させて該毛細組織構造の毛細管作用を経て還流せしめる。 （もっと読む）

【課題】冷却効率の高い半導体チップ冷却システム及び冷却装置構造と製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ冷却システムは、冷却装置３３、熱交換装置３４、ポンプ装置３５及び冷却装置と熱交換装置間で冷却流体を循環するチューブ３５１を具える。冷却装置は半導体チップに接して配置されてその廃熱を受け、且つ冷却装置は熱伝導材料で構成され、ポンプ装置により冷却装置と熱交換装置内で循環流動する流体を冷却する。該熱伝導材料は、金属材料と正四面体構造の炭素の混合物、又は金属材料の表面を正四面体構造の炭素で被覆した構造、或いはそれらの組合せでもよい。正四面体構造の炭素は高い熱伝導率特性を具えて熱伝導材料の熱伝導効果を向上させる。熱伝導材料の製造方法は、化学気相成長法、物理気相成長法、溶融、またはその他の材料製造方法で完成し、且つ正四面体構造の炭素は金属材料表面を覆ってもよく、金属材料中に混入してもよい。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの発生する熱を効率よく伝導するプリント回路基板構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】プリント回路基板は電子部品２５の回路中での支持と電子部品とその関連装置から発生する熱を伝導して放熱する。該半導体デバイスを搭載するプリント配線基板は層状構造３１を具え、該層状構造は導電層３２と絶縁基板３３とからなる。導電層は熱伝導性であり、ダイヤモンド状構造の炭素微粉末を分散混合した金属、又は金属もしくはダイヤモンド状構造の炭素微粉末を分散混合した金属表面にダイヤモンド状構造の炭素皮膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップ冷却用ヒートシンク放熱導管構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 放熱導管３１は、熱源端１４で半導体チップに密着して配置されてその発熱量を伝導される中空封鎖管体であって、内壁面に微細な凹凸条からなる熱交換面３１４を有し、冷却用媒体を封入する。
該放熱導管は、金属成型体表面をダイヤモンド構造を有する炭素で被覆、若しくは金属とダイヤモンド構造を有する炭素美粉末との混合材料から構成される熱伝導材料からなる。
ダイヤモンド構造の炭素は高い熱伝導係数特性を具え熱伝導材料の熱伝導效果を向上させることができる。ダイヤモンド構造を有する炭素による被覆方法は化学気相堆積法、イオンスパッタリングなどの物理気相堆積法、電気メッキ、或いはその他の公知方法でよい。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの冷却構造。
【解決手段】電気回路構造を備え、半導体チップを搭載する基板１２、半導体チップ１３及びパッケージ１５より構成される。
半導体チップは、フリップチップ構造により基板１２上に電気的に接続され、その発熱は背面側１３１より熱伝導１４を介して金属製パッケージ１５に熱伝導され、冷却される。
該金属製パッケージ１５の半導体チップと接する面にＣＶＤ、或いはスパッタリングなどによりダイヤモンド構造の炭素被覆層を形成することにより、熱伝導性を向上する。また、微粒状のダイヤモンド構造の炭素を懸濁した電解液を用いた電気めっき法により、或いはこれらの微粒子を混合してダイキャスト法により金属製パッケージにこれらの構造を形成しても良い。 （もっと読む）

本明細書において記述される層状界面材料が、相互接続材料などの少なくとも１つのパルスめっき熱伝導性材料、および少なくとも１つのパルスめっき熱伝導性材料に結合された少なくとも１つの熱スプレッダ構成要素を含む。泳動構成要素を含むめっき層状界面材料も、本明細書において開示され、少なくとも１つのパルスめっき熱伝導性材料および少なくとも１つの熱スプレッダ構成要素を含み、めっき層状界面材料の泳動構成要素は、基準層状界面材料の泳動構成要素と比較して、少なくとも５１％だけ低減される。本明細書において記述される他の層状界面材料は、ａ）熱導体、ｂ）保護層、ｃ）はんだを受け取り、かつ酸化物の形成を防止する材料層、およびｄ）はんだ材料の層を含む。層状界面材料を形成する方法が、本明細書において記述され、ａ）パルスめっき熱伝導界面材料を提供することと、ｂ）熱スプレッダ構成要素を提供することと、ｃ）熱伝導界面材料と熱スプレッダ構成要素とを物理的に結合することとを含む。基板層、表面、接着剤、順応性繊維状構成要素、またはあらゆる他の適切な層、もしくは熱界面材料を含めて、少なくとも１つの追加の層を層状界面材料に結合することができる。 （もっと読む）

非常に高い熱伝達性能を有するヒートシンクを複数のユニット要素で製作することができる。各ユニット要素は、或る範囲の直径を備えた一連の入口管と、これ又或る範囲の直径を備えた一連の出口管とを有する。最小入口管直径を備えた少なくとも１本の入口管が、最小出口管直径を備えた少なくとも１本の出口管と流れ連通状態にあるのがよい。
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本発明は、熱源をヒート・シンクに結合するための熱インタフェースである。本発明の１つの実施形態は、メッシュと、該メッシュ中に配置された液体、例えば、熱伝導性液体とを含む。メッシュおよび熱伝導性液体は、熱源とヒート・シンクとの間に配置された場合に、熱源およびヒート・シンクの両方に接触する。１つの実施形態において、メッシュは、液体と共存できる金属または有機材料を含み得る。１つの実施形態において、液体は、液体金属を含み得る。例えば、液体は、ガリウム／インジウム／錫合金を含み得る。熱源とヒート・シンクとの間のメッシュおよび液体を封止するために、ガスケットを任意に用いることができる。１つの実施形態において、熱源は、集積回路チップである。 （もっと読む）

【解決手段】 本体の少なくとも１つの表面部が、プラズマ電解酸化（ＰＥＯ）により生じる被覆部を有する金属本体部を含む電力基板。被覆部は、金属本体部の表面部に隣接する高密度で堅固な層と、多孔性の外層部と、を含む。電導素子はこの被覆部に装着される。 （もっと読む）

カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）のアレイを用いる熱伝導の提供方法。垂直に配向したＣＮＴのアレイが高い熱伝導率を有する基材上に成長させられ、アレイ中の隣接するＣＮＴ間の隙間領域は、各ＣＮＴの少なくとも一端が露出するように、高い熱伝導率を有する充填材で部分的に又は完全に充填される。各ＣＮＴの露出端は、それから熱が除去されるべきである物体の表面に押し付けられる。基材に隣接したＣＮＴ−充填材複合材料は、ＣＮＴを適所に固定するための向上した機械的強度を提供し、そしてまたより小さな体積（ＣＮＴ）からより大きなヒートシンクへの熱流束の拡散を改善するためのヒートスプレッダーとしても機能する。
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流体入り冷却プレートは、底部プレートと、頂部プレートと、金属ワイヤまたは金属管とを含み、金属ワイヤまたは金属管は回路を形成し、かつこれらのプレートの間に挟まれて室を形成している。ワイヤはろう付け可能またははんだ付け可能合金によってめっきされるか若しくは他の方法で被覆され、アセンブリを加熱することでプレートに接合され、これによって室を密封している。２相冷却プレートを製作するために、めっきされた金属のスラグは室の中に置かれ、プレートに接合されて、つぶれに対する支持を提供している。室はウィック構造を備えており、入口を通って蒸発可能な流体を部分的に充てんされる。次に不完全真空を引き、入口を閉鎖する。単相冷却プレートを製作するために、邪魔板として働くワイヤ仕切りをスラグの代わりに備える。これらの仕切りは配置して入口と出口との間に流体の蛇行経路を備えることができ、かつこれらの仕切りをプレートに接合するために溶融する合金によってめっきされる。
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本発明は、回路と、集積回路パッケージと、集積回路ダイまたはディスクリートな電力構成要素を集積回路のフランジに取り付けるための方法とに関するものである。前記集積回路ダイはそれぞれウェーハからのこ引きされる。本発明は、機械的研磨により前記ウェーハを薄くし、前記ウェーハに等方性湿式化学的エッチを行うことにより結晶欠陥を除き、前記ウェーハの裏面に接着および拡散隔膜金属を蒸着させ、前記ウェーハの裏面にＡｕおよびＳｎを蒸着させ（Ａｕの重量割合は８５％以上）、前記ウェーハをのこ引きして回路ダイを作り、前記各回路ダイをそれぞれのヒートシンクにはんだ付けすることを含む。
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１つの発光ダイ・パッケージが開示される。ダイ・パッケージは、基板、反射板、及びレンズを含む。基板は、熱伝導性ではあるが電気的には絶縁性の材料から、又は熱伝導性であり且つ導電性の材料から作ることができる。基板が導電性材料から作られる実施形態では、基板は、導電性材料上に形成された電気的に絶縁性であるが熱伝導性の材料をさらに含む。基板は、取り付けパッドにおいて発光ダイオード（ＬＥＤ）に接続するための複数のトレースを有する。反射板は基板に結合され、取り付けパッドを略囲む。レンズは、取り付けパッドを略覆う。動作中にＬＥＤから生成される熱は、基板（底部ヒート・シンクとして働く）及び反射板（上部ヒート・シンクとして働く）の両方によってＬＥＤから逃される。反射板は、ＬＥＤからの光を所望の方向に向けるための反射面を含む。

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熱交換器デバイスは、その内部を流れる冷却媒体のための１つまたは複数のチャネルの層を含む押出体を含み、チャネルは一般に約５０ミクロンから約２０００ミクロンの内径を有する。デバイスは、対象とする冷却アプリケーションに存在する加熱要素から熱交換器を通過する冷却媒体への熱の伝達を容易にする高い熱伝導率を有し、加熱要素の材料と適合性がある材料で形成される。デバイス材料は、セラミック酸化物、セラミック炭化物、セラミック窒化物、セラミックホウ化物、セラミックケイ化物、金属および合金、ならびにそれらの組み合わせからなる群から選択される。熱交換器デバイスは、所望のチャネル形状を与えるように配列した押出しフィラメントから形成される。フィラメントは、中心の除去可能な材料と、中心の材料の除去によってチャネル壁を形成する外部材料とを含む。

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