【課題】ＴＩＭとの密着性の向上を実現できる放熱板の製造方法を提供する。
【解決手段】銅製のリッド表面にニッケルメッキを生成した後に、リッドに付着したメッキ浴を温水で洗い流し、リッドに付着した水分をエアブローによって吹き飛ばす。その後、６０℃以上８０℃未満の温度で１分以上３分未満の時間といった条件でリッドの乾燥を行なう。 （もっと読む）

【課題】コールドプレートと電子部品との間の熱抵抗の低減により、冷却性能の向上が可能な自動車用電子部品冷却装置の提供する。
【解決手段】発熱する電子部品を冷却するための自動車用電子部品冷却装置であって、電子部品が取付固定されるアルミニウム製コールドプレート１上に、予め上面に半田付けが可能なニッケルメッキ５が施されたアルミニウム製のプレート４がロウ付けにより一体化され、該プレート４の上面に対し電子部品が半田付け固定されるように構成されている。 （もっと読む）

アンダーフィルド熱排出部（群）（４６，４６’, ７８，７８’）付き半導体デバイス（４０，６１−１３，６１−１５，６１−１８，６１−１９）用の構造（４０，６１−１３，６１−１５，６１−１８，６１−１９）及び方法（６０−５．．．６０−１９，１００，２００）が提供される。デバイス（４０，６１−１３，６１−１５，６１−１８，６１−１９）は、上側表面（３７）及び下側表面（６３，７３）を有する基板（４８，７２）を備える。半導体（３８，７２）は、素子領域（２６）を含む上側表面（３７）に近接して位置する。素子領域（２６）の下方に設けられる一つ以上の空洞（６７，７７）は、下側表面（６３，７３）から延びるように基板（４８，７２）内にエッチングにより形成される。高熱伝導率材料（６８）は基板（４８，７２）において一つ以上の空洞（６７）を充填し、そして素子領域（２６）の下方の下側表面（６３，７３）の位置に、または下側表面（６３，７３）を超えた位置に露出表面（６９，６９’, ７９，７９’）を有する。これによりアンダーフィルド熱排出部（群）（４６，４６’, ７８，７８’）が形成される。複合基板（４８）が好ましく、複合基板は、素子領域（２６）を含む上側表面（３７）にまで延びる第１半導体領域（３８）と、下側表面（６３）にまで延びる第２半導体領域（４２）と、そして第１半導体領域と第２半導体領域との間の絶縁層（３６）と、を有し、一つ以上の空洞（６７）が下側表面（６３）から絶縁層（３６）にまで延び、そしてエッチング深さ（６７１）は自動的に決まる。
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【課題】放熱金属の放熱機能を十分に発揮し、半導体素子の放熱能力をさらに高める半導体素子の金属製ヒートシンクの製造方法を提供する。
【解決手段】互いに表裏の関係である第１の表面１０４と第２の表面１０６とを有し、第１の表面１０４を仮基板１００の表面上に接着させる粘着テープ１０２を準備する工程と、互いに表裏の関係である第１の側と第２の側とを有し、第１の側を粘着テープ１０２の第２の表面１０６の一部に圧着させて第２の側を露出させる半導体素子を準備する工程と、半導体素子の第２の側上と粘着テープ１０２の第２の表面１０６の露出部分上とに、金属薄層１１４を形成する工程と、金属薄層１１４上に金属製ヒートシンクを形成する工程と、粘着テープ１０２及び仮基板１００を除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】素子を作動させた時に発生する温度を迅速かつ効果的に下げ、素子の良好な動作性を確保して寿命を延ばすことができるヒートシンク装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属薄層１１４、金属製ヒートシンク１２２及び２つのボンディングパッド１２８、１３４を備える。金属薄層１１４は、互いに表裏の関係である第１の表面と第２の表面とを有し、第１の表面には、導電型が互いに反対の２つの電極を有する半導体素子が少なくとも１つ埋め込まれる。金属製ヒートシンク１２２は、金属薄層１１４の第２の表面に接合される。ボンディングパッド１２８は、半導体素子の周囲にある金属薄層１１４の第１の表面上に、それぞれ電極に対応するように配置される。 （もっと読む）

【課題】非晶質炭素膜と金属層との密着性を向上させることのできる接着方法の提供、及び、非晶質炭素膜を備える放熱部材と電極金属層との密着性が改善された半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】非晶質炭素膜の表面に、第一の金属層を形成する工程と、熱処理によって前記第一の金属層をナノ粒子化する工程と、形成した金属ナノ粒子をマスクとして、前記非晶質炭素膜の表面を局部的にエッチングする工程と、前記エッチングを施した非晶質炭素膜の表面に、第二の金属層を形成する工程と、を有することを特徴とする非晶質炭素膜と金属層との接着方法、並びに該接着方法を用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスなどの冷却用ヒートシンク局部の鍍金方法を提供する。
【解決手段】 鍍金液材料をヒートシンクの鍍金を必要とする領域１１１に対応する容器１２内に貯留し、鍍金を必要とする領域に接触させて、被鍍金領域に接触する容器壁により囲われた局部に鍍金層を形成する。
めっき液は、下地層としての亜鉛めっき、ニッケルめっきに適用することができると共に、不必要な箇所へのめっきがされないため、めっき材料の損失が無く、生産効率がよい。 （もっと読む）

【課題】大面積化が容易で、しかも、高い熱伝導性を有すると共に、ＳｉＣと熱膨張係数が近い上、半導体素子との間での熱伝達の効率に優れた放熱基板と、前記放熱基板の製造方法とを提供する。
【解決手段】放熱基板は、ＳｉＣ系セラミックスからなる三次元網目状構造体の空隙がＳｉによって充てんされた複合構造を有し、半導体素子を搭載する搭載面における、
(i) 直径０．３〜１．０ｍｍの空孔、または空孔にＳｉが充てんされたＳｉ溜り、
(ii) 複数の空孔が面状に集中した直径１．０〜２．０ｍｍの面粗れ状の部位、または
(iii) 複数の空孔が線状に繋がった長さ１．０〜２．０ｍｍのき裂状の部位、
のいずれかの個数を１個／５０ｃｍ²以下とした。製造方法は、酸素吸収体の存在下、非酸化性雰囲気中で、三次元網目状構造体の空隙にＳｉの融液を含浸させる。 （もっと読む）

【課題】省スペース化、冷却効率及び熱変換効率の向上が可能な異方性冷却素子およびこれを備えた半導体素子を提供すること。
【解決手段】異方性冷却素子１００は、発熱体１０に取り付けられる異方性熱伝導部材１１０と、異方性熱伝導部材１１０を介して伝達した熱を吸熱して冷却または放熱する冷却放熱手段１２０_１、１２０_２と、異方性熱伝導部材１１０と各冷却放熱手段１２０_１、１２０_２とを熱的に接触させる接触層とを備える。異方性熱伝導部材１１０は、少なくとも面内で発熱体１０よりも熱伝導率の高い材料からなる複数の熱伝導層と、対象とするフォノンの平均自由行程および波長に応じて層厚が決定される熱共振体層とが交互に積層されて構成される。 （もっと読む）

熱源と熱交換器との間の効率的な熱輸送のために金属ＴＩＭを用いる熱交換システムを提供する。熱源は、好ましくは、回路板に連結された集積回路である。金属ＴＩＭは、好ましくは、インジウムを含む。金属ＴＩＭは、独立した金属ＴＩＭ箔又は金属材料の堆積層である。金属ＴＩＭ箔は、クランピングによって、十分な圧力を加えることによって熱交換器の第１の表面及び集積回路の第１の表面に機械的に接合される。分解は、熱交換器、金属ＴＩＭ箔及び集積回路のクランプを解除することによって行われる。一旦、分解されると、熱交換器及び金属ＴＩＭ箔は、再び使用することができる。金属ＴＩＭが熱交換器に堆積されている場合、分解によって、熱交換サブアセンブリを再使用することができる。
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【課題】優れた耐電圧と放熱性とをもつ熱伝導部材を廉価に提供すること。
【解決手段】導電性の基材２上にアモルファス膜３を被着し、このアモルファス膜３を介して熱移動すべき相手部材４に密着する。 （もっと読む）

ここに記載している構成要素と材料は、熱伝達材料を含め、金属ベースの被覆、層、及び／又はフィルムと連結されている少なくとも１つの熱スプレッダー構成要素と、少なくとも１つの熱インターフェース材料と、或る熟考された実施形態では、少なくとも１つの接着材料とを備えている。熱スプレッダー構成要素は、上面、底面、及び少なくとも１つの熱スプレッダー材料を備えている。熱インターフェース材料は、熱スプレッダー構成要素の少なくとも１つの表面の少なくとも一部分の上に直接堆積されている。
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【課題】電子デバイス冷却システムを製造する方法を提供する。
【解決手段】本方法は、基板（１２）の内面上に伝導層を形成する段階と、伝導層を覆って犠牲層（３６）を設ける段階とを含む。本方法はまた、犠牲層（３６）内に複数のチャネルを形成する段階と、伝導性材料を含むめっき材料で複数のチャネルを実質的に満たすように犠牲層をめっきする段階とを含む。本方法はさらに、犠牲層（３６）をエッチングして、該犠牲層（３６）がエッチングされた部位であるマイクロチャネルによって分離された状態で伝導性材料が残存した部位であるフィンを有する伝導性構造を形成する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】電子デバイス冷却システムを製造する方法を提供する。
【解決手段】本方法は、基板（１２）の内面上に熱伝導層（８８）を形成する段階と、熱伝導層（８８）をレーザ切除加工してマイクロチャネルを形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】安価かつ作業効率が良好で、層間の熱伝導効率が良好な構造を有する両面配線テープキャリア及びその製造方法並びに半導体装置を提供する。
【解決手段】有機絶縁テープからなる基材１１の上面及び下面にそれぞれ配線層として銅箔からなる上導体層１２、下導体層１３を設け、基材１１及び上導体層１２を貫通するビアホール１９内に導電性のめっき膜１５を形成して上導体層１２と下導体層１３とを電気的に接続して両面配線テープキャリア２０を構成し、この両面配線テープキャリア２０の下導体層１３側に発熱体１７を、上導体層１２側に放熱体１８を搭載して半導体装置１０とする。 （もっと読む）

【課題】複数の金属板などの張り合わせ技術を用いることなく、一体構造で内部に緻密かつ自由形状の流路を作成する水冷式ヒートシンクを提供すること。
【解決手段】水冷式のヒートシンク１は、外側に成形体本体２が設けられ、成形体本体２の内部に液体が通る流路３が形成されるとともに、ヒートシンク本体１に流路３に連通する液体の入口５と出口４を形成している。ヒートシンク１の成形体本体２の全体が電鋳メッキによる厚膜被覆層によって一体成形され、接合部を無くした。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤや高密度ＬＳＩにおける発熱が素子機能を低下させる。特にＬＥＤを高輝度・高出力用途で用いる場合、発熱量の増加に伴い発光効率、寿命が低下することを防止する手段を提供する。
【解決手段】基板を、少なくとも等方的熱伝導層１６、１７と異方的熱伝導層１５よりなる２層以上の構成とし、異方的熱伝導層における高熱伝導度方向の熱伝導度が等方的熱伝導層の熱伝導度より２倍以上大きく、かつその異方性が１０倍以上とする事で、ＬＥＤチップから発生する熱を効率良く放熱する。また、前記異方性熱伝導層を熱伝導性の異方性を有するグラファイト層とし、層面方向の熱伝導度が２００Ｗ／ｍＫ以上であるグラファイトを用いる。駆動電流を増やしてもＬＥＤチップの発光効率低下させず、長寿命化が可能である。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて半導体チップで発生する熱をパッケージ又はヒートシンクに効率よく伝達できる熱拡散シート及びその熱拡散シートを使用した半導体装置を提供する。
【解決手段】ヒートスプレッダ（熱拡散シート）２４は、パッケージ２１の長さ方向に伸びる複数のカーボンナノチューブ３２により構成される第１の層と、パッケージ２１の幅方向に伸びる複数のカーボンナノチューブ３４により構成される第２の層とが交互に積層されて構成されている。第１の層のカーボンナノチューブ３２と第２の層のカーボンナノチューブ３４との交差部にはＴｉ等の金属粒子３５が付着しており、それらの金属粒子３５を介して厚さ方向に熱を伝達する。 （もっと読む）

ヒートスプレッダまたはヒートシンク上へのはんだの堆積を制御する方法が開示される。前記方法は、取付けフラックスおよび仕上げフラックスをヒートスプレッダに塗布する工程、その上にプリフォームを配置し、それをリフロー条件に曝す工程を含んでなる。仕上げフラックスを塗布して、取付けフラックスがプリフォームおよびヒートスプレッダと共にリフロー条件に曝されるとき起こるであろう通常は不溶性の腐食性残渣を可溶化する。あるいは、リバースリフロー条件を経験する前に取付けフラックスをプリフォームおよびヒートスプレッダに塗布し、次いで、仕上げフラックスをはんだ堆積およびヒートスプレッダに塗布し、それを第２のリフロー条件に曝す。各方法の後、仕上げフラックスにより可溶化される取付けフラックスから出た残渣を、典型的な溶媒での洗いにより洗浄する。はんだ堆積は、ダイへの接合の前に任意に平坦化される。さらに、ヒートスプレッダ上のはんだ堆積の上に取付けフラックスを塗布し、ダイまたはヒートシンクへの接合を助けてもよい。
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【課題】 回路基板内に埋め込んだ場合であっても高い放熱性を得ることが可能な半導体ＩＣを提供する。
【解決手段】 主面１１ａに所定の回路が形成された半導体ＩＣ本体１１と、半導体ＩＣ本体１１の裏面１１ｂの周辺部１１ｃを除くほぼ全面に選択的に設けられた金属層１３とを備える。本発明によれば、半導体ＩＣ本体１１に設けられた金属層１３によって、高い放熱性を得ることが可能となる。しかも、この金属層１３は、選択的に設けられていることから、研磨などにより半導体ＩＣ本体１１が薄型化されている場合であっても、ウェハ状態で反りが生じることがなくなる。また、選択的に設けられている箇所が、半導体ＩＣ本体１１の裏面中央部であることから、半導体ウェハと厚い金属との積層体をダイシングする必要がなく、その結果、切断面のチッピングを効果的に防止することが可能となる。 （もっと読む）