【課題】熱拡散効率をより一層向上させた熱伝導シートを提供する。
【解決手段】熱伝導シート１０は、半導体チップ２０とヒートシンク３０との間に設けられる熱伝導シートであって、ＳｉＣ基板１２と、半導体チップとの接触面を構成しＳｉＣ基板１２の一方の面から成長したカーボンナノ構造層１１と、ヒートシンクとの接触面を構成しＳｉＣ基板１２の他方の面から成長したカーボンナノ構造層１３とを備える。カーボンナノ構造層１１、１３の少なくとも一方は、カーボンナノウォール、カーボンナノフレーク、カーボンナノチューブ、カーボンナノリーフおよびグラファイトのうち少なくとも１つを含む。 （もっと読む）

【課題】凝縮部から蒸発部への作動流体の流通効率を向上することができるヒートスプレッダ及びこのヒートスプレッダを備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】液相の作動流体は凝縮部３０から凝縮部３０より低い位置に配置された蒸発部２０へと重力で液相流路４０を流通する。液相流路４０は表面が疎水性を有するナノ材料からなる。このため、液冷媒の接触角を大きく保つことが可能となり、流路抵抗を低く保つことができる。その結果、液相の作動流体の分布に偏りが生じることがなく、凝縮部３０から蒸発部２０への液相の作動流体の流通効率を向上させることができる。これにより、蒸発部２０への液冷媒の供給量が減少することもないので、冷媒の循環に障害をきたすことなく、動作の安定性を実現できる。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子のダメージを抑制し、且つ、放熱性を向上することのできる半導体レーザ装置の製造方法及び半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子における半導体層側表面に、開口部を有する絶縁膜を形成するとともに開口部を覆いつつ絶縁膜と重なる電極を形成し、物理的堆積により、共晶点を有する単一組成の合金膜を、絶縁膜及び電極を覆いつつ絶縁膜と電極とを積層してなる突起部に倣った凸部を有するように形成する。そして、ヒートシンク上の金属膜に合金膜の凸部が接するように半導体レーザ素子をヒートシンクに積層配置し、積層方向に半導体レーザ素子とヒートシンクを加圧しつつ合金膜の共晶点未満の温度で加熱した状態で、積層方向とは略垂直な方向に超音波振動を印加して合金膜における凸部を含む一部のみを溶融させ、少なくとも突起部及び開口部に対応する部位にて合金膜と金属膜とを接合させる。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュール用ベース板として好適なアルミニウム−炭化珪素質複合体を提供すること。
【解決手段】アルミニウム７７〜９４．５質量％、珪素５〜２０質量％及びマグネシウム０．５〜３質量％を含有する金属粉末２０〜４０体積％と、平均粒子径が５０〜３００μｍの炭化珪素粉末６０〜８０体積％を混合した後、離型処理を施した金型に充填し、温度６００〜７５０℃に加熱して、圧力１０ＭＰａ以上で加熱プレス成形することを特徴とする、板厚２〜６ｍｍの板状アルミニウム−炭化珪素質複合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュール用ベース板として好適なアルミニウム−炭化珪素質複合体を提供すること。
【解決手段】アルミニウムを７７〜９４．５質量％、珪素を５〜２０質量％及びマグネシウムを０．５〜３質量％を含有する金属粉末１５〜４０体積％、平均粒子径０．５〜３０μｍの炭化珪素粉末１０〜５０体積％、平均粒子径１〜３０μｍで結晶化度（ＧＩ値）が３以下の窒化硼素粉末５〜３５体積％、並びに、平均粒子径が１〜１０００μｍのコークス系炭素を黒鉛化した黒鉛粉末５〜３５体積％を混合した後、離型処理を施した金型に充填し、温度６００〜７５０℃に加熱して、圧力１０ＭＰａ以上で加熱プレス成形し、さらに切断及び／又は面加工を行って板厚を２〜６ｍｍとすることを特徴とする、板状アルミニウム−炭化珪素質複合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】放熱材を設けつつも折り曲げ性を向上させて、配線の断線などの不具合を生じない半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るＣＯＦ１０は、放熱材７が、その端部７ａ，７ｂ周辺の領域ほど、大きな面積の開口部を設けるなどして、体積（面積）が少なくなるように設けられている。この構成により、ＣＯＦ１０を折り曲げた際の折り曲げ性が向上し、この折り曲げによる応力が放熱材７の端部７ａ，７ｂに集中することを防いで、絶縁フィルム１上の配線２を断線から守ることができる。また、ＣＯＦ１０を表示装置３０に実装する際に、ＣＯＦ１０と表示パネル１５との接合に用いられる異方性導電樹脂の剥がれをなくすことができる。 （もっと読む）

【課題】発熱デバイスが発生する熱を効率よく放散することが可能であるとともに、軽量かつ放熱用サーマルモジュール等への取り付け作業が容易であり、電子モジュールに悪影響を与える炭素粉等の塵が発生しない。
【解決手段】金属シート12の主面12a及び裏面12bの双方又はいずれか一方の面にポリピロール重合体膜(10又は14)が形成された構成、あるいは、セルロースシートにポリピロール重合体が浸潤されたポリピロール浸潤シート18の主面18a及び裏面18bの双方又はいずれか一方の面に金属層(16又は20)が密着された構成、あるいは、セルロースシートにポリピロール重合体が浸潤されたポリピロール浸潤シート26の主面26a及び裏面26bの双方又はいずれか一方の面に接着部材(24又は28)を介して金属シート(22又は30)が接着された構成の放熱シートである。 （もっと読む）

【課題】回路パターンを金属板の打ち抜き成形により形成してコスト低下を図るとともに、ろう材の回り込みを規制して、セラミックス基板と金属板との接合性を維持しつつワイヤボンディングの信頼性を向上させる。
【解決手段】セラミックス基板２の表面に金属板６がろう付け接合されてなるパワーモジュール用基板において、金属板６の側面に、該金属板６とセラミックス基板２との接合面から金属板６の板厚の１／８〜１／６の範囲Ｈでろう材が露出している。 （もっと読む）

【課題】ボンディング点で局所的に熱が発生する場合に、半導体チップの表面の広い範囲に効率的に伝熱し、ボンディング点が局所的に過熱してワイヤと表面電極の接合強度が劣化する現象の発生を抑制する。
【解決手段】ワイヤ２２がボンディングされている表面電極１６の表面に、表面電極１６よりも熱伝導率が高い材料の被覆層２０が形成されている。ワイヤ２２がボンディングされている表面電極１６の表面に、表面電極１６よりも熱伝導率が高い材料をコーティングすれば、半導体チップ１４の表面の広い範囲に効率的に伝熱することができ、ボンディング点が局所的に過熱されてしまう現象の発生を防止できる。あるいは、表面電極に表面被覆層を介してワイヤをボンディングしてもよい。この場合は、表面電極の表面に、表面電極よりも熱伝導率が高い材料で、表面電極よりも厚く形成されている被覆層を形成する。 （もっと読む）

装置１００は、第１の面１２５を有する第１の基板１３０、第１の面と向き合う第２の面１２７を有する第２の基板１３２、及び第１の面の上に配置された金属の突出フィーチャ１７０の配列１７０を備え、各突出フィーチャは第１の面に接触して第２の面に向かい、突出フィーチャの一部は圧縮力３０５によって変形を受ける。
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【課題】回路基板の生産歩留まりを向上させ、安定した動作が可能な回路基板及び電子装置を提供すること。
【解決手段】一主面に冷媒流路となるべき第１の凹部１ａを有する誘電体基板１と、前記第１の凹部を覆うように、前記誘電体基板の一主面に設けられた第１の金属板２と、を具備した回路基板。前記誘電体基板の他主面に第２の金属板３をさらに有することが好ましい。前記第１の金属板は、電子素子４が搭載されるべき搭載部と、前記電子素子と電気的に接続された回路部とを有するものであることが好ましい。前記誘電体基板は、前記搭載部と前記回路部との間に突出する凸部、又は第２の凹部を有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、熱伝導率に優れ、放熱性能の高い放熱構造を安価に提供することを課題とする。
【解決手段】本発明に係る放熱構造は、基板表面の少なくとも一部に炭化アルミニウム相を有し、該炭化アルミニウム相上に複数の炭化アルミニウムウィスカーを有する炭化アルミニウムウィスカー層が形成されていることを特徴とする。また、前記基板の炭化アルミニウム以外の部分がアルミニウム、銅又はセラミックスのいずれかにより形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｘ軸及びＹ軸の面方向のあらゆる方向に優れた熱伝導率を示す炭素繊維強化炭素複合材料を得る。
【解決手段】ピッチ系炭素繊維をＸ軸及びＹ軸の面方向にランダムに分散させたシート状分散体を積層した炭素繊維積層体の炭素繊維の表面上に熱分解炭素を堆積して該炭素繊維の周囲を被覆することにより、前記炭素繊維積層体内に熱分解炭素が充填されていることを特徴とする炭素繊維炭素複合成形体及びこれを用いて得られる炭素繊維強化炭素複合材料。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率に優れて放熱性能が高く、耐湿性に優れた放熱構造を安価に提供する。
【解決手段】放熱構造は、基板表面の少なくとも一部に酸化アルミニウム相を有し、該酸化アルミニウム相上にアルミナウィスカーが形成されたことを特徴とする。特に、前記基板は、アルミニウムであり、前記アルミナウィスカーが、表面から外側に延びるように形成されて層を形成し、前記基板表面にアルミナウィスカー層を有することが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、電気デバイスまたは電子デバイス用ヒートシンク、熱源とヒートシンクとを含むＥ＆Ｅデバイス、ならびにヒートシンクの製造方法に関する。熱伝導性プラスチック材料の全重量を基準にして少なくとも２０重量％の量の膨張黒鉛を含む、および／または少なくとも７．５Ｗ／ｍ・Ｋの面内熱伝導率Λ_／／を有する熱伝導性プラスチック材料でできたプラスチック本体を含む。本発明のヒートシンクは、熱伝導性プラスチック材料を射出成形し、場合により次に、コーティング層を塗布することによって、熱伝導性プラスチック材料から製造することができる。Ｅ＆Ｅデバイス中で、本発明のヒートシンクは、熱源と互いに熱伝導連通するように互いに組み合わされる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性が高く、放熱性の良い半導体パッケージ放熱用部品を提供する。
【解決手段】 半導体パッケージ上に配置され、高熱伝導性物質３２を含有した樹脂を主成分とするＴＩＭ３０に接する、半導体パッケージ放熱用部品であって、当該放熱用部品の前記ＴＩＭ３０と接する面は、針状又は刃状の凸形状６０の領域を有し、前記凸形状６０の先端部６２は、前記高熱伝導性物質３２に突き刺している、半導体パッケージ放熱用部品により解決することができる。 （もっと読む）

【課題】実装される電子部品において、所望の半田付け強度を確保すると共に、放熱性を向上させることにある。
【解決手段】第１層１４ａ〜第６層１４ｆからなる銅箔パターン２２によって構成されたプリント回路基板１４の表層には、積層方向に沿って延在し前記プリント回路基板１４の内層と非貫通に形成されたインナビア３０が設けられ、さらに、前記プリント回路基板１４の内層には、積層方向に沿って延在し前記プリント回路基板１４の表層と非貫通に形成されたコアビア３２が設けられ、前記インナビア３０と前記コアビア３２とは、積層面に設けられた銅箔パターン２２に沿って所定間隔だけオフセットして配置される。 （もっと読む）

【課題】冷却性能に優れると共に、半導体素子の発熱による早期の劣化等を、従来に比べてより確実に防止できる上、小型化も可能な半導体素子搭載基板と、前記半導体素子搭載基板を用いた半導体装置とを提供する。
【解決手段】半導体素子搭載基板５は、ビア１の、素子搭載面２に露出した表面８の平面積を、前記素子搭載面２に搭載される半導体素子３の平面積の８５％以上、１１０％以下とする。半導体装置１６は、前記半導体素子搭載基板５の素子搭載面２に、ビア１と接合させた状態で、半導体素子３を搭載した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、平板型ヒートパイプの外力の影響を受けた構造変形、温度による膨張によって生じる損傷及びウイック構造の損傷、などの問題を解決する放熱モジュール及びその支持部材を提供する。
【解決手段】放熱モジュール２は、ヒートシンク２３、二相熱交換装置２１、及び支持部材２０を有する。二相熱交換装置２１は、支持部材２０とヒートシンク２３との間に配置される。支持部材２０は、二相熱交換装置２１を収容し、支持部材２０は、底面部２０２、及び少なくとも２つの側壁部２０３を備えた本体２０１を有する。二相熱交換装置２１を収納するために、支持部材２０の本体２０１の底面部２０２、及び側壁部２０３によって形成され、収納された二相熱交換装置２１は、支持部材２０の本体２０１の底面部２０２に取り付けられる。二相熱交換装置２１は、支持部材２０とヒートシンク２３との間に設置されてその間に差し込まれる。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブシート、その製造方法、及び、電子装置に関し、配向方向の揃ったカーボンナノチューブシートと被放熱部材或いは発熱部材との接触界面の熱抵抗を低減する。
【解決手段】 カーボンナノチューブ束の群とめっき金属からなり、カーボンナノチューブ束の配向方向がシートの垂直方向に保持されているとともに、カーボンナノチューブ束の少なくとも先端部が前記めっき金属により結合されており、且つ、カーボンナノチューブ束の先端部と反対側に空洞を設ける。 （もっと読む）