【課題】金属板とセラミックス基板とが確実に接合され、熱サイクル信頼性の高いパワーモジュール用基板、このパワーモジュール用基板を備えたパワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＮ又はＳｉ_３Ｎ_４からなるセラミックス基板１１の表面に純アルミニウムからなる金属板１２、１３が接合されたパワーモジュール用基板であって、金属板１２、１３とセラミックス基板１１との接合界面には、Ｃｕ濃度が金属板１２、１３中のＣｕ濃度の２倍以上とされたＣｕ高濃度部３２が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】メタライズ膜とセラミック枠体の接合強度が高いと共に、セラミック枠体の反りの発生を防止でき、メタライズ膜とＮｉめっき被膜の界面強度が高く、接合体の接合信頼性の高い高放熱型電子部品収納用パッケージを提供する。
【解決手段】ヒートシンク板１１と、セラミック枠体１２と、外部接続端子１３を有する高放熱型電子部品収納用パッケージ１０において、ヒートシンク板１１と外部接続端子１３に接合するセラミック枠体１２の当接部分に設けられるメタライズ膜１４が第１と第２のメタライズ膜１４ａ、１４ｂの２層構造からなり、セラミック枠体１２に設けられる第１のメタライズ膜１４ａがＷ、Ｍｏ、又はこれらの両方を含む高融点金属にセラミック枠体１２を構成するセラミック粉末を含有してなり、この上面に設けられる第２のメタライズ膜１４ｂがセラミック粉末を含有しない高融点金属からなる。 （もっと読む）

【課題】レーザー光による熱的ダメージを半導体素子に与えないようにする。
【解決手段】基材４１上に形成された絶縁膜１１にレーザー光を照射することによってビアホール１２を形成し、半導体素子３に形成された電極４をビアホール１２に位置合わせして、半導体素子３及び電極４を接着剤層１３によって絶縁膜１１に接着し、基材４１を絶縁膜１１から除去し、ビアホール１２に向けてレーザー光を照射することによって、電極４まで通じる第２ビアホール１４を接着剤層１３に形成し、絶縁膜１１に配線１５をパターニングして、配線１５の一部をビアホール１２及び第２ビアホール１４に埋めて電極４に接触させる。 （もっと読む）

【課題】強度を保ちながらも、熱源の熱を熱伝導素子の厚み方向に効率的に伝導させることができる異方性熱伝導素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】熱源Ｈから熱を移動させる異方性熱伝導素子１であって、熱源Ｈとの接触面と交差する面に沿ってグラフェンシート２が積層された構造体３と、前記構造体３の周部を被覆する支持部材４を備え、グラフェンシートが積層された構造体を支持部材で被覆する被覆工程と、被覆工程の後にグラフェンシートの積層方向と交差する面に沿って切断する切断工程と、切断工程の後に切断面に表面処理を行なう表面処理工程により製造される。 （もっと読む）

【課題】厚みを薄くすることができるとともに効率的に製造することが可能な金属積層構造体を提供する。
【解決手段】第１の金属層と、第２の金属層と、第３の金属層と、を備え、第１の金属層は第２の金属層の一方の表面上に設置され、第３の金属層は第２の金属層の他方の表面上に設置されており、第１の金属層はタングステンを含み、第２の金属層は銅を含み、第３の金属層はタングステンを含む金属積層構造体である。 （もっと読む）

【課題】安価に製造することができると共に、放熱性に優れ、且つ高温高湿環境下で高電圧が長時間印加されても電気絶縁性が低下することがないパワーモジュールを提供する。
【解決手段】Ｃｕベース基板１とＣｕ基板４との間に有機絶縁層２を備えるパワーモジュールであって、正電圧が印加されるＣｕベース基板及び／又はＣｕ基板の有機絶縁層と接する面にＣｕマイグレーション防止層が形成されていることを特徴とするパワーモジュールである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属支持板と冷却フィンの接合が高い機械的特性・放熱性が得られる配線基板冷却機構及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、半導体チップや電子部品等の発熱体を搭載する配線基板と、前記配線基板を支持する金属支持板と、前記金属支持板に設けられ、前記発熱体が発生した熱を放熱する冷却フィンを有する冷却装置、ないし冷却ユニットを含む冷却機構が備わる配線基板冷却機構において、前記金属支持板と前記冷却フィンを接合する接合部位に介在する接合材料としての金属焼結体は１０〜１０００ｎｍの結晶粒からなる銀および／または銅を主体とし、かつ金属焼結体の内部粒界が酸化皮膜層を介さずに金属接合していることを特徴とする配線基板冷却機構および配線基板冷却機構の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】配線基板上にフリップチップ実装された半導体チップ上に放熱体を半田付けする際に、飛散した溶融半田液滴を捕獲して固定する手段を提供する。
【解決手段】半導体装置２０は、基板２１と、前記基板の主面上にフリップチップ状態で配設された半導体素子２２と、前記基板の主面上の前記半導体素子周囲に配設された受動部品２６と、前記基板の主面上の前記半導体素子及び前記受動素子上に配設された放熱部材２４と、を含み、前記基板の主面２１ａの表出部には、熱可塑性樹脂、または熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂よりなる樹脂層２７が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】はんだを使用せずに、より高温の環境においても、積層される上下の部材の熱応力を効果的に緩和することのできる実装構造を提供する。
【解決手段】本発明によれば、材料Ａと、材料Ｂと、材料Ａと材料Ｂとの間に挟まれた材料Ｃとからなり、材料Ａおよび材料Ｂの線膨張係数が、α_ａ＜α_ｂの関係を満たし（ここで、α_ａは材料Ａの線膨張係数を表し、α_ｂは材料Ｂの線膨張係数を表わす）、材料Ｃが導電性を有し、多孔質体であることを特徴とする積層構造体が提供される。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュールのヒートサイクル耐量、パワーサイクル耐量を向上させる。
【解決手段】ＩＧＢＴ１０のエミッタ電極が形成されている面側に、セラミックス材の支持体３１に設けた複数の貫通孔３１ａに銅ポスト３２を形成した電極用部材３０を半田接合する。電極に複数の銅ポスト３２を半田接合することにより、ＩＧＢＴ１０に発生する熱が電極用部材３０へと移動して放熱されるとともに、ＩＧＢＴ１０の構成材料と銅との間に熱膨張率差があっても、半田接合界面に加わる応力を低減して歪を小さく抑え、クラックの発生を減少させることが可能になる。それにより、パワーモジュールのヒートサイクル耐量、パワーサイクル耐量を向上させることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 高い排熱効率を有する熱輸送体を低コストで提供する。
【解決手段】 発熱部１と発熱部１で生じた熱を放熱する放熱部２との間に介在する熱輸送体１０であって、基盤部１１と、基盤部１１の発熱体１及び／又は放熱部２に対向する面上に略垂直に設けられた、中空部Ｈを有する複数の毛状体１２とを有し、基盤部１１及び複数の毛状体１２は主成分がＣｕからなり且つメッキにより形成され、発熱体１及び放熱部２には基盤部１１又は複数の毛状体１２の先端部が直接当接しており、発熱体１及び放熱部２の少なくともいずれかに当接する基盤部１１又は複数の毛状体１２は、基盤部１１が有する空隙部又は複数の毛状体１２間の空隙部に高熱伝導フィラーを含有する樹脂、はんだ又はロウ材からなる充填材１３が埋められている。 （もっと読む）

【課題】回路層上に半導体素子を容易に、かつ、確実に接合することが可能なパワーモジュール用基板及びヒートシンク付パワーモジュール用基板と、このパワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一方の面に、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層１２が配設され、この回路層１２上にはんだ材を介して半導体素子が配設されるパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２の一方の面には、前記はんだ材との接合性が良好な金属からなる金属膜３２と、この金属膜３２を被覆して保護する保護膜３３と、が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の放熱性及び加工性に優れるとともに、製造工程において半導体層にクラック等の損傷が生じるのを防止でき、高電流の印加が可能で高い発光効率を有し、歩留まりに優れる発光ダイオード及びその製造方法、並びにランプを提供する。
【解決手段】ヒートシンク基板（基板）１上に少なくとも発光層７を含む化合物半導体層１１が積層され、該化合物半導体層１１の上面側が発光面とされたチップ構造を有する発光ダイオードＡであり、ヒートシンク基板１は、基材部２と、該基材部２に囲まれた埋設部３とからなり、基材部２が、埋設部３よりも熱膨張係数が小さな材料からなる。 （もっと読む）

【課題】繰り返し冷熱サイクルを経てもなお回路側金属板と半導体素子とを接合する第一のはんだ層と放熱側金属板と放熱ベース板とを接合する第二のはんだ層に高い接合信頼性を提供する。
【解決手段】窒化珪素基板４の一面に銅または銅合金からなる回路側金属板３が接合され、他面に銅または銅合金からなる放熱側金属板５が接合され、前記回路側金属板および放熱側金属板の表面にめっき層６を形成し、前記回路側金属板には半導体素子１を無鉛はんだ２により接合し、前記放熱側金属板には無鉛はんだ８により放熱ベース板７を接合してなる窒化珪素配線基板１０であって、前記回路側金属板とおよび放熱側金属板と当該めっき層の硬さの差をビッカース硬さでＨｖ＝３３０〜５００とし、且つ前記回路側金属板および放熱側金属板と当該めっき層のヤング率の差を０〜７０ＧＰａとしたことを特徴とする窒化珪素配線基板。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウムなどの金属からなる導電性基板を用いて絶縁性と熱伝導性という相反する２つの要求を満たす、金属をベースとする電子回路基板を提供する。
【解決手段】 熱伝導性電子回路基板１００は、電子回路を形成する基板となるとともに、電子回路素子において発生した熱を拡散させる熱伝導体となる導電性基板１１０と、導電性基板１１０の表面に絶縁・熱伝導性塗料を塗布・乾燥して形成した絶縁性と熱伝導性を備えた熱伝導性絶縁膜１２０と、前記熱伝導性絶縁膜１２０の表面に形成した電子回路パターン１３０および電子回路素子１４０を備える。熱伝導性絶縁膜１２０は優れた絶縁性と熱伝導性を備えており、薄い膜厚でも電子回路パターン１３０に対して十分に絶縁性を与えることができ、熱伝導性が良く膜厚が薄いため熱抵抗体とはならず、電子回路素子で発生した熱を効率的に電子回路パターン１３０から導電性基板１１０に伝導して系外に放熱する。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く、放熱性能に優れた放熱部品を安価に提供すること。
【解決手段】本発明の放熱部品は、基板と、基板の少なくとも一表面に形成された、金属層および該金属層の表面に形成された髭状構造体からなる複合層とを有し、該髭状構造体の一方の端部が前記金属層に埋没していると共に、空間に露出している該髭状構造体の表面の一部または全面が前記金属層を構成する金属で被覆されていることを特徴とする。前記金属層を構成する金属の融点は、前記基板の融点よりも低いことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】電気特性、熱伝導特性に優れ、長寿命および低コストの半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１と、半導体チップ１のエミッタ側に接合されるエミッタ電極２と、半導体チップ１のコレクタ側に接合されるコレクタ電極３と、エミッタ電極２の半導体チップ１と反対側に接合される第１放熱体４と、コレクタ電極３の半導体チップ１と反対側に接合される第２放熱体５と、半導体チップ１とエミッタ電極２と第１放熱体４、半導体チップ１とコレクタ電極３と第２放熱体５を接合する接合材料（２ａ、２ｂ、２ｃ、３ａ、３ｂ、３ｃ）とを具備するモジュール半導体装置において、接合材料（２ａ、２ｂ、２ｃ、３ａ、３ｂ、３ｃ）をエミッタ電極２、コレクタ電極３および第１放熱体４および第２放熱体５の表面に予め形成したことを特徴とする半導体装置およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュール用ベース板として好適なアルミニウム−炭化珪素質複合体を提供すること。
【解決手段】平均粒子径０．５〜３０μｍの炭化珪素粉末１０〜５０体積％、並びに、コークス系炭素を黒鉛化した平均粒子径１〜１０００μｍの黒鉛粉末５〜３５体積％、平均粒子径１〜３０μmで結晶化度（ＧＩ値）が３以下の窒化硼素粉末５〜３５体積％を混合し、成形体の充填率が６０〜８５体積％になるように５ＭＰａ以上の圧力でプレス成形を施した後、温度６００〜７５０℃に加熱して、溶湯鍛造法により２０ＭＰａ以上の圧力でアルミニウム又はアルミニウム合金を加圧含浸し、さらに切断及び／又は面加工を行って板厚を２〜６ｍｍにすることを特徴とする、板状アルミニウム−炭化珪素質複合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの一方の板面にヒートシンクを熱的に接続し、半導体チップの他方の板面にて半導体チップを基板に接続してなる半導体装置において、放熱性の向上を図る。
【解決手段】ダイシングライン２で区画されるチップ形成領域１を一面に複数個有する半導体ウェハ２００を用意し、チップ形成領域１と同じ平面形状をなし、外周端部にて板面直交方向に突起部２１を有する板状のヒートシンク２０を用意し、半導体ウェハ２００におけるダイシングライン２を跨ぐ位置に穴部１１を形成し、各チップ形成領域１および穴部１１の内面に、同時にはんだ濡れ性を有する金属膜１０ａを配置し、その上に、はんだ６０を配置し、各チップ形成領域１に対して、突起部２１を穴部１１に挿入した状態でヒートシンク２０を搭載した後、はんだ６０を溶融させてヒートシンク２０をはんだ付けし、次に、半導体ウェハ２００をダイシングする。 （もっと読む）

【課題】発熱性デバイスが発生する熱を効率よく放散することが可能であるとともに、発熱性デバイスの電気的特性に悪影響を与える炭素粉等の塵の発生及び金属繊維の突起がない。
【解決手段】放熱構造体54は、主表面50aに発熱性デバイス60が搭載されたガラスエポキシ製の基板50と、ポリピロール浸潤シートを具えて構成された放熱シート52とを具えて構成されている。基板の主表面には導電材料からなる表面回路パターン層62が形成されており、裏面50bには導電材料からなる裏面回路パターン層66が形成されている。そして、表面回路パターン層62と裏面回路パターン層66とはスルーホール64を介して導通されている。発熱性デバイスは絶縁層68を挟んで、表面回路パターン層に密着される関係で搭載されている。放熱シートは、基板の裏面に密着されており、かつヒートシンク56がこの放熱シートに密着されている。 （もっと読む）