【課題】シリサイド層とＳｉ層との界面における抵抗が低いＭＯＳＦＥＴを備える半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置１００は、半導体基板２上にゲート絶縁膜１１を介して形成されたゲート電極１２と、半導体基板２上のゲート電極１２の両側に形成された、チャネル移動度に実質的な影響を与えないＳｉＧｅ層１５と、ＳｉＧｅ層１５上に形成されたＳｉ層１６と、半導体基板２、ＳｉＧｅ層１５、およびＳｉ層１６内のゲート電極１２の両側に形成されたｎ型ソース・ドレイン領域１９と、Ｓｉ層１６上に形成されたシリサイド層１７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＭＩＰＳ構造等のゲート電極と同時形成が可能であり且つ抵抗が高い抵抗素子を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に金属含有膜１０８及びポリシリコン膜１０９を順次形成する工程と、前記金属含有膜及び前記ポリシリコン膜を抵抗素子形状にパターニングする工程と、前記金属含有膜の少なくとも一部分を除去することにより、前記ポリシリコン膜の下に中空領域１１９を形成する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】高耐圧で、特性の優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】素子分離領域ＳＴＩと、ウェルＰＷと、活性領域を横断するゲート電極Ｇと、ゲート電極の一方の側からゲート電極下方に入り込んで形成された低濃度ドレイン領域ＬＤＤと、ゲート電極の他方の側からゲート電極下方に入り込み、低濃度ドレイン領域とオーバーラップし、低濃度ドレイン領域より浅い、チャネル領域ＣＨと、ゲート電極の他方の側に形成されたソース領域Ｓｎと、ゲート領域の一方の側に、ゲート電極から離間したドレイン領域Ｄｎと、を有し、ゲート電極と高濃度ドレイン領域Ｄｎとの間の中間領域の実効不純物濃度は、オーバーラップ領域の不純物濃度より高い。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極とプラグとの接続信頼性を向上することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明では、ＭＩＳＦＥＴのゲート電極Ｇ１を金属膜ＭＦ２とポリシリコン膜ＰＦ１の積層膜から構成するＭＩＰＳ電極を前提とする。そして、このＭＩＰＳ電極から構成されるゲート電極Ｇ１のゲート長に比べて、ゲートコンタクトホールＧＣＮＴ１の開口径を大きく形成する第１特徴点と、ゲート電極Ｇ１を構成する金属膜ＭＦ２の側面に凹部ＣＰ１を形成する第２特徴点により、さらなるゲート抵抗（寄生抵抗）の低減と、ゲート電極Ｇ１とゲートプラグＧＰＬＧ１との接続信頼性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】 所望の極浅拡散層を形成することが可能な半導体製造方法を提供する。
【解決手段】
シリコン基板１にイオン注入するイオン注入工程と、イオン注入工程の後に、シリコン
基板１にマイクロ波を照射するマイクロ波照射工程と、マイクロ波照射工程の後に、シリ
コン基板１を熱処理装置に移し、シリコン基板に０．１ミリ以上１００ｍ秒以下のパルス
幅の光を照射することにより、シリコン基板１を熱処理する熱処理工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 ゲートとドレインの間で生じる電界集中を緩和する半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明によれば，半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成された第１のゲート電極と、前記半導体基板上に前記ゲート絶縁膜を介して形成され、かつ、第１のゲート電極の側面に絶縁性のスペーサを介して配置された第２のゲート電極と、第１及び第２のゲート電極を挟むように前記半導体基板上に形成されたソース領域及びドレイン領域と、第１のゲート電極下方における前記半導体基板の一部の領域を挟むように形成され、第２のゲート電極及び前記ソース領域及びドレイン領域と重なるように形成された電界緩和領域と、を備える半導体装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】
高温、長時間のアニールを必要とすることなく、低いオン抵抗を実現可能な高耐圧ＭＯＳトランジスタを含む半導体装置を提供する。
【解決手段】
半導体基板の高耐圧トランジスタ用第１導電型領域上にゲート電極を形成し、ゲート電極のドレイン側部分及びドレイン領域を覆う第１のマスクをイオン注入マスクとして、ゲート電極を貫通する加速エネルギで第１導電型の不純物イオンを注入して、ソース領域で深く、ゲート電極下方で浅いチャネルドーズ領域を形成し、ゲート電極のドレイン側部分及びドレイン領域を覆う第２のマスク及びゲート電極をイオン注入マスクとして第２導電型の不純物をイオン注入してソースエクステンション領域を形成し、半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】駆動電力の高いフィン型のトランジスタを提供する。
【解決手段】所定の間隔で配置され、それぞれの中央部がチャネル領域、その両側部がソース／ドレイン領域となるフィン状の第１の半導体１１層及び第２の半導体層１１と、第１の半導体層１１及び第２の半導体層１１それぞれのチャネル領域の両側面にゲート絶縁膜１２を介して形成されたゲート電極１３と、第１の半導体層１１のソース／ドレイン領域と第２の半導体層１１のソース／ドレイン領域との間の溝を埋め込むように形成された絶縁膜１９と、第１の半導体層１１のソース／ドレイン領域及び第２の半導体層１１のソース／ドレイン領域の絶縁膜１９で覆われていない側面にそれぞれ形成されたシリサイド１６とを備える。 （もっと読む）

トレンチＤＭＯＳトランジスタの製造方法であって、半導体基板上に酸化物層及びバリア層を形成するステップと、トレンチを形成するために、酸化物層及び半導体基板をエッチングするステップと、トレンチの内壁にゲート酸化物層を形成するステップと、バリア層上にポリシリコン層を形成し、トレンチを充填するステップと、トレンチゲートを形成するために、ポリシリコン層をエッチバックするステップと、バリア層及び酸化物層を除去するステップと、拡散層を形成するために、トレンチゲートの両側の半導体基板内にイオンを注入するステップと、拡散層上をフォトレジスト層で覆い、ソース／ドレイン配置を定義するステップと、拡散層内にイオンを注入するステップと、トレンチゲートの両側に側壁を形成するステップと、拡散層及びトレンチゲート上に金属シリサイド層を形成するステップとを含む。低コスト及び改善された製造効率を伴う効果的な結果が達成される。
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【課題】ゲート電極の下部からゲート電極の形成されていない基板上の領域に斜め方向のイオン注入を行って形成される不純物拡散領域を有する半導体装置において、半導体装置のサイズを従来に比して縮小化することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｎ型半導体層１３の表面に形成されるＰ型のベース領域２１と、ベース領域２１内に形成されるＰ＋型ソース領域２２およびＮ＋型ソース領域２３を有するソース領域と、Ｎ型半導体層１３の表面にベース領域２１から離れて形成されるＮ＋型のドレイン領域２６と、ソース領域とドレイン領域２６との間にゲート絶縁膜４１を介して形成されるゲート電極４２と、ドレイン領域２６からゲート電極４２の下部にかけて、ドレイン領域２６に隣接して形成されるＮ型のドリフト領域と、を備え、ゲート電極４２とゲート絶縁膜４１との積層体のソース領域側側面の高さが、ドレイン領域側側面の高さよりも高く形成される。 （もっと読む）

【課題】 高性能の半導体構造およびかかる構造を製造する方法を提供する。
【解決手段】 半導体構造は、半導体基板１２の上面１４上に位置する、例えばＦＥＴのような少なくとも１つのゲート・スタック１８を含む。構造は更に、少なくとも１つのゲート・スタックのチャネル４０上にひずみを誘発する第１のエピタキシ半導体材料３４を含む。第１のエピタキシ半導体材料は、少なくとも１つのゲート・スタックの対向側に存在する基板内の１対のくぼみ領域２８の実質的に内部で少なくとも１つのゲート・スタックの設置場所に位置する。くぼみ領域の各々において第１のエピタキシ半導体材料の上面内に拡散拡張領域３８が位置する。構造は更に、拡散拡張領域の上面上に位置する第２のエピタキシ半導体材料３６を含む。第２のエピタキシ半導体材料は、第１のエピタキシ半導体材料よりも高いドーパント濃度を有する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置に関し、ソース・ドレイン領域を実効的に埋込Ｓｉ混晶層で構成する際の電気的特性を向上する
【解決手段】 一導電型シリコン基体と、一導電型シリコン基体上に設けたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の上に設けたゲート電極とゲート電極の両側の一導電型シリコン基体に設けた逆導電型エクステンション領域と、逆導電型エクステンション領域に接するとともに、一導電型シリコン基体に形成された凹部に埋め込まれた逆導電型Ｓｉ混晶層とを備えた半導体装置であって、逆導電型Ｓｉ混晶層が、第１不純物濃度Ｓｉ混晶層／第２不純物濃度Ｓｉ混晶層／第３不純物濃度Ｓｉ混晶層を有し、第２不純物濃度を第１不純物濃度及び第３不純物濃度よりも高くする。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗が低いＩＩＩ族窒化物系電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＩＩＩ族窒化物系電界効果トランジスタは、下地半導体層と、下地半導体層上に第１窒化物半導体層、第２窒化物半導体層、および第３窒化物半導体層が順次積層された窒化物半導体積層体と、ソース電極およびドレイン電極と、第２窒化物半導体層および第３窒化物半導体層が形成されていない領域であるリセス領域と、リセス領域の内面および窒化物半導体積層体の上面に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成されたゲート電極とを含み、絶縁膜に接する第１窒化物半導体層の上面と、第２窒化物半導体層に接する第１窒化物半導体層の上面とに段差がないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ｐ型ＭＩＳトランジスタのゲート絶縁膜の酸化膜換算膜厚の厚膜化を抑制しつつ、ｐ型ＭＩＳトランジスタの実効仕事関数を増加させて、低閾値電圧を有するｎ型，ｐ型ＭＩＳトランジスタを実現する。
【解決手段】半導体装置は、第１，第２のＭＩＳトランジスタｎＴｒ，ｐＴｒを備えている。第１のＭＩＳトランジスタｎＴｒは、第１の活性領域１０ａ上に形成され、第１の高誘電率膜１４Ｘａを有する第１のゲート絶縁膜１４Ａと、第１のゲート電極１８Ａとを備えている。第２のＭＩＳトランジスタｐＴｒは、第２の活性領域１０ｂ上に形成され、第２の高誘電率膜１４ｘを有する第２のゲート絶縁膜１４Ｂと、第２のゲート電極１８Ｂとを備えている。第２の高誘電率膜１４ｘは、第１の調整用金属を含む。第１の高誘電率膜１４Ｘａは、第２の高誘電率膜１４ｘよりも窒素濃度が高く、且つ、第１の調整用金属を含まない。 （もっと読む）

【課題】例えば大きな電荷キャリア移動度を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、複数の積層された層群を有する超格子を有する。また装置は、電荷キャリアが積層された層群と平行な方向に超格子を通って輸送される領域を有する。超格子の各層群は、基本半導体部分を定形する複数の積層された基本半導体分子層と、該基本半導体部分上のエネルギーバンド調整層と、を有する。さらにエネルギーバンド調整層は、少なくとも一つの非半導体分子層を有し、この層は、連接する基本半導体部分の結晶格子内に閉じ込められる。従って超格子は、平行な方向において、エネルギーバンド調整層がない場合に比べて大きな電荷キャリア移動度を有する。 （もっと読む）

【課題】ソース／ドレイン領域のＰＮ接合部とコンタクト間のリーク電流を抑制する。
【解決手段】半導体基板（１）と、半導体基板（１）に形成されたＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）構造（２）と、半導体基板（１）に形成され、ＳＴＩ構造（２）に隣接する拡散領域（１２）と、層間絶縁膜（１５）を貫通して拡散領域（１２）とＳＴＩ構造（２）とに到達する接続コンタクト（２０）と、拡散領域（１２）の側面と拡散領域（１２）の下の半導体基板（１）の側面に形成され、接続コンタクト（２０）と拡散領域（１２）の側面とを電気的に絶縁し、かつ、接続コンタクト（２０）と半導体基板（１）の側面とを電気的に絶縁する酸化膜（１９）とを具備する半導体装置を構成する。その半導体装置では、ＳＴＩ素子分離とソース／ドレイン領域のＰＮ接合部分の間のみに選択的に絶縁膜（酸化膜）を形成している。 （もっと読む）

【課題】縦型トランジスタにおいて、柱状半導体層上のコンタクトと柱状半導体層の周囲に形成されるゲート電極のショートの抑制。
【解決手段】上方に平面状半導体層及び該平面状半導体層上の柱状半導体層が形成された基板に対して、柱状半導体層の上部に第２のドレイン／ソース領域を形成し、コンタクトストッパー膜を成膜し、コンタクト層間膜を成膜し、第２のドレイン／ソース領域上にコンタクトを形成し、ここでコンタクトの形成は、コンタクトのパターンを形成し、コンタクトのパターンを用いてコンタクト層間膜をコンタクトストッパー膜までエッチングすることにより、コンタクト用のコンタクト孔を形成し、コンタクト用のコンタクト孔の底部に残存するコンタクトストッパー膜をエッチングにより除去することを含み、コンタクト用のコンタクト孔の底面の基板への投影面は、柱状半導体層の上面及び側面に形成されたコンタクトストッパー膜の基板への投影形状の外周内に位置する。 （もっと読む）

【目的】拡散層とゲート電極との少なくとも１つの上に耐熱性が向上したＮｉＳｉ膜が形成された半導体装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置は、Ｓｉ基板２００と、Ｓｉ基板２００内に形成された拡散層１０と、Ｓｉ基板２００上にＳｉを用いて形成されたゲート電極２０との少なくとも１つと、前記拡散層１０と前記ゲート電極２０との少なくとも１つ上に接触して形成されたＰ元素を含有したＮｉＳｉ膜４０，４２と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、高誘電率膜を用いた相補型トランジスタの実効仕事関数を調整して適切なしきい値電圧を実現する際に、エッチング工程数を低減するとともに、エッチングダメージの発生を回避する。
【解決手段】 ｎチャネル絶縁ゲートトランジスタのＳｉＯ_２より誘電率の高い第１のゲート絶縁膜と第１金属ゲート電極との間にアルミニウム膜を設けるとともに、ｐチャネル絶縁ゲートトランジスタのＳｉＯ_２より誘電率の高い第２ゲート絶縁膜と第２金属ゲート電極との間に酸化アルミニウム膜を設ける。 （もっと読む）

【課題】微細化されても、ｐチャネルトランジスタのチャネル領域には圧縮歪を、ｎチャネルトランジスタのチャネル領域には引っ張り歪をそれぞれ効果的に印加できる新しい歪技術を提供する。
【解決手段】ｐチャネルトランジスタ１０５のゲート電極は、引っ張り内部応力を持つｐチャネルメタル電極１１０を有する。ｎチャネルトランジスタ１０６のゲート電極は、圧縮内部応力を持つｎチャネルメタル電極１１６を有する。 （もっと読む）