【課題】 少なくとも基板の熱洗浄によって表面の不純物および酸化物の除去が可能な程度に表面が清浄なＧａＡｓ半導体基板を提供する。
【解決手段】 本ＧａＡｓ半導体基板１０は、Ｘ線光電子分光法により、光電子取り出し角θが１０°の条件で測定されるＧａ原子およびＡｓ原子の３ｄ電子スペクトルを用いて算出される、ＧａＡｓ半導体基板１０の表面層１０ａにおける全Ａｓ原子に対する全Ｇａ原子の構成原子比Ｇａ／Ａｓが０．５以上０．９以下であり、表面層１０ａにおける全Ｇａ原子および全Ａｓ原子に対するＯ原子と結合しているＡｓ原子の比（Ａｓ−Ｏ）／｛（Ｇａ）＋（Ａｓ）｝が０．１５以上０．３５以下であり、表面層１０ａにおける全Ｇａ原子および全Ａｓ原子に対するＯ原子と結合しているＧａ原子の比（Ｇａ−Ｏ）／｛（Ｇａ）＋（Ａｓ）｝が０．１５以上０．３５以下である。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの製造時においてニッケル等の金属不純物が内方拡散された場合であっても、コストが大きく増加することなく、シリコンウェーハの表面のみならず、ウェーハ内部に含まれるニッケル等の金属不純物の低減を図ることができるシリコンウェーハの清浄化方法及びそれを用いたシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコンウェーハの清浄化方法は、ＣＺ法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハを、不活性ガス雰囲気中、発光波長を１０００ｎｍ以上に制御した光を照射するランプ加熱により、１００℃以上８００℃以下の最高到達温度まで昇温して、前記最高到達温度を１秒以上６０秒以下保持する熱処理を行うことで前記シリコンウェーハの表面に金属不純物を偏析させる工程と、前記偏析させた金属不純物を除去する工程と、を備える （もっと読む）

【課題】被洗浄体を表裏両側から同時にスクラブ洗浄する洗浄工程において、被洗浄体に与えるダメージを低減させる。
【課題手段】１対のブラシローラ１Ａ，１Ｂがそれぞれ挿着された２つの回転軸の回転方向と略直交してこれら２つの回転軸の軸心を含む断面において、第１の被洗浄面１１Ａと接触する複数の第１の突起５Ａの各基端部分を第１の被洗浄面１１Ａの略垂直方向から被洗浄体１０に投影した複数の第１領域Ｌａと、第２の被洗浄面１１Ｂと接触する複数の第２の突起５Ｂの各基端部分を第２の被洗浄面１１Ｂの略垂直方向から被洗浄体１０に投影した複数の第２領域Ｌｂとが重なる複数の重複範囲Ｌｐは、２つのブラシローラ１Ａ，１Ｂの回転位置に関わらず、当該重複範囲Ｌｐを含む第１領域Ｌａ及び第２領域Ｌｂの何れに対しても８０％以下の範囲に制限される。 （もっと読む）

【課題】ミストを発生しやすい処理室のメンテナンス性を確保しつつ、室内の排気効率および排気能力の均一性を向上させること。
【解決手段】ブロー洗浄室Ｒ2の室内排気機構１１２において、第１の仕切板１１４は、上部２流体ノズル１０４Ｕより高くて排気ポート１０６，１０８より低い位置に配置され、ブロー洗浄室Ｒ2の室内空間を縦方向で上部空間ＵＲ2と下部空間ＬＲ2とに分割する。ここで、第１の仕切板１１４と上流側隔壁８６との間には、チャンバ幅方向（Ｙ方向）に一列に延びる２つのスリット開口１１６，１１８が形成される。また、第２の仕切板１２４は、第１の仕切板１１４の上に拡がる上部空間ＵＲ2を、横方向で、第１の開口１１６と第１の排気ポート１０６との間に延在する第１の排気空間１２０と、第２の開口１１８と第２の排気ポート１０８との間に延在する第２の排気空間１２２とに分割する。 （もっと読む）

【課題】クーラント、砥粒、あるいはシリコン粉に対する優れた洗浄性能を有し、かつ、その後のエッチング工程において良好なテクスチャーを形成することができるウェハ表面を作り上げることができるシリコンウェハ用表面処理剤組成物を提供する。
【解決手段】次の成分（ａ）〜（ｄ）からなる；（ａ）エーテル型非イオン界面活性剤０．１〜４０重量％、Ｒ−Ｏ−（ＡＯ）ｎ−Ｈ、Ｒ：炭素数８〜２４の直鎖又は分岐の脂肪族炭化水素基、ＡＯ：炭素数２〜４のオキシアルキレン基、ｎ：１〜１００（ｂ）アルキルポリグルコシド５〜４０重量％、Ｒ−Ｏ−（Ｇ）ｎ−Ｈ、Ｒ：炭素数１〜２２の直鎖又は分岐のアルキル基、Ｇ：炭素数５〜６の還元糖、ｎ：１〜５（ｃ）アルカリ剤１〜３０重量％（ｄ）水、前記成分（ａ）、（ｂ）、（ｃ）との合計量１００重量％中の残部。 （もっと読む）

【課題】 ドナーウェーハの異物を低減化することで、貼り合わせ強度の低下を抑え、デバイスの特性を一定化させることができる半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウェーハの製造方法であって、洗浄工程が、ドナーウェーハの表面を洗浄液に接触させて洗浄する洗浄段階を少なくとも含み、洗浄液が、ＮＨ_４ＯＨとＨ_２Ｏ_２と水を含んでおり、２９質量％ＮＨ_４ＯＨ水溶液と３０質量％Ｈ_２Ｏ_２水溶液に換算すると、体積比でＮＨ_４ＯＨ水溶液（２９質量％）：Ｈ_２Ｏ_２水溶液（３０質量％）：水＝０．５〜２：０．０１〜０．５：１０となる、半導体ウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】超音波の減衰や洗浄槽内での不均一な液流の影響を受けることなくウェーハ面内をムラ無く均一に洗浄することが可能なウェーハ洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄液２で満たされた洗浄槽１１と、洗浄槽１１内でウェーハ１を揺動可能に保持する受け台１２と、ウェーハ１を保持して上下方向に移動させるウェーハチャック１３とを備えている。ウェーハ１の回転動作時には、受け台１２の揺動角度が−θ度の位置でウェーハ１が受け台１２から浮いた状態となるようにウェーハチャック１３でウェーハ１を持ち上げる。次に、受け台１２だけを回動させて＋θの角度まで傾けた後、ウェーハチャック１３を開放してウェーハ１を再び受け台１２に載せることによって、ウェーハ１を周方向に回転させる。 （もっと読む）

【課題】シリコンインゴットから切り出された基板からパーティクルを除去し、また基板への金属不純物の付着を抑えることのできる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】シリコンインゴットから切り出された基板を、グルカミン基を有する化合物を含む高濃度例えば４８重量％のアルカリ溶液に浸漬させることによりエッチング処理を行う。これにより、基板の表面からパーティクルを取り除くことができるだけでなく、基板の表面部のエッチングによりアルカリ溶液中に分散した金属不純物及びアルカリ溶液中にもともと含まれる金属不純物が、アルカリ溶液中のグルカミン基を有する化合物に捕獲される。このため、アルカリ溶液中の金属不純物が基板に付着するのを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】化学機械研磨のプロセス後、シリコンからなる半導体ウェハから研磨された表面および裏面の研磨プロセスの残渣を取除く。
【解決手段】シリコンからなる半導体ウェハを半導体ウェハの化学機械研磨のプロセス直後に洗浄するための方法であって、ａ）半導体ウェハを研磨板から第１の洗浄モジュールに搬送し、搬送中、半導体ウェハの両側面に、少なくとも１回、１０００Ｐａ以下の圧力で水を吹付ける工程と、ｂ）回転ローラに挟まれた半導体ウェハを、水を供給しながら洗浄する工程と、ｃ）半導体ウェハの側面に、７００００Ｐａ以下の圧力でフッ化水素および界面活性剤を含有する水溶液を吹付ける工程と、ｄ）半導体ウェハの側面に、２００００Ｐａ以下の圧力で水を吹付ける工程と、ｅ）半導体ウェハをアルカリ性洗浄水溶液に浸漬する工程と、ｆ）回転ローラに挟まれた半導体ウェハを、水を供給しながら洗浄する工程と、ｇ）半導体ウェハに水を吹付ける工程と、ｈ）半導体ウェハを乾燥する工程とを、示す順に含む方法。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ単結晶ウェハに対して十分なパーティクル除去能力を得て、且つ、表面荒れを起こさないアルカリ性の薬液の種類、濃度及び洗浄条件を規定したＧａＮ単結晶ウェハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ単結晶ウェハの洗浄方法において、ＧａＮ単結晶ウェハの表面を有機アルカリ系洗浄液で洗浄した後、有機溶剤で洗浄する方法である。 （もっと読む）

【課題】ＯＨ基を含有するシリコン酸化膜から、ＴＦＴの性能である界面特性や絶縁性のため、及び基板を安価なものにするため低温で作製するため、低温で簡便な方法でＯＨ基を減少させる方法を提供する。
【解決手段】基板上に低温形成された、ＯＨ基を含有するシリコン酸化膜を有機溶媒に接触・浸漬させる工程と、その後、前記シリコン酸化膜を低温加熱する熱アニール処理を加える工程と、を有することを特徴とするシリコン酸化膜からのＯＨ基除去法。 （もっと読む）

【課題】半導体インゴットをスライスする際に油性スラリーおよび水溶性スラリーのいずれを使用したかに関わらず、太陽電池のテクスチャ構造形成においてほぼ同一のアルカリエッチング条件を適用することを可能とする。
【解決手段】加工用スラリーを用いて半導体インゴットをスライス加工して半導体ウェーハを切り出し（ステップＳ１）、半導体ウェーハの表面に付着した加工用スラリーを洗浄除去して（ステップＳ２）得た太陽電池基板用半導体ウェーハの表面を、酸化作用のみを有する酸化性薬液を用いて洗浄する（ステップＳ３）。この酸化性薬液を用いた洗浄は、半導体インゴットをスライスする際に、油性スラリーおよび水溶性スラリーのいずれを使用したかに関わらず、所定の条件により行う。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体に対する洗浄効果を発現できるＳｉＣ半導体の洗浄方法を提供する。特性を向上できるＳｉＣ半導体およびＳｉＣ半導体装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体の洗浄方法は、ＳｉＣ半導体の表面に酸化膜を形成する工程（ステップＳ２）と、酸化膜を除去する工程（ステップＳ３）とを備え、形成する工程（ステップＳ２）では、７００℃以上の温度で、かつＯ元素を含むドライ雰囲気で酸化膜を形成する。ＳｉＣ半導体は、表面を有するＳｉＣ半導体において、表面の金属面密度は、１×１０¹²ｃｍ^-2以下である。ＳｉＣ半導体装置は、ＳｉＣ半導体と、ＳｉＣ半導体の表面上に形成された酸化膜とを備える。 （もっと読む）

【課題】光起電力素子などの入射光を低減させるのに適したテクスチャ構造を形成するための、改善された製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基体をケイ素エッチングアルカリもしくは酸溶液で清浄化し、清浄化された半導体基体の表面を、１種以上の酸化剤を含み、７を超えるｐＨを有する酸化性組成物で酸化し、酸化された半導体基体をテクスチャ化組成物でテクスチャ化する。 （もっと読む）

【課題】大口径高重量シリコン単結晶ブロックを自動で洗浄する装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】単結晶インゴットをブロック状に切断した単結晶ブロックの表面を洗浄する洗浄装置であって、少なくとも、
前記単結晶ブロックを洗浄するための洗浄槽部と、
前記単結晶ブロックを洗浄前工程部から洗浄工程部、更には洗浄後工程部へと搬送する搬送手段と、
前記単結晶ブロックの端面を把持して、前記搬送手段から前記洗浄槽部内へロードし、前記洗浄槽部内の洗浄槽に浸漬して前記単結晶ブロックを洗浄し、洗浄工程終了後に前記洗浄槽部から前記搬送手段へアンロードする把持ロボットと、
洗浄後の前記単結晶ブロックの表面を乾燥させる乾燥手段と
を具備するものであることを特徴とする単結晶ブロックの洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】有機および無機汚染物質を半導体ウェハから清浄化すると同時に、半導体ウェハをマイクロエッチングする方法の提供。
【解決手段】半導体ウェハをインゴットから薄く切り出した後に、切断流体、並びに切断プロセスにおいて使用されるソウから汚染される金属および金属酸化物を、１種以上の水酸化第四級アンモニウムと、１種以上の水酸化アルカリと、１種以上のミッドレンジアルコキシラートとを、含むアルカリ水溶液により清浄化し、同時にマイクロエッチングする。 （もっと読む）

【課題】Ｈａｚｅレベルの悪化を抑制することができるシリコンウェーハの洗浄溶液、およびそれを使用したシリコンウェーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】この洗浄溶液は無機アンモニウム塩（塩化アンモニウム、炭酸アンモニウム等）、過酸化水素および水からなる洗浄溶液である。さらに、ｐＨ調整のための水酸化アンモニウムを含有させることにより洗浄効果を高めることができる。無機アンモニウム塩にはＯＨ^-が含まれていないので、ウェーハ表面のＳｉが直接エッチング作用を受けることがない。アンモニウム塩の濃度を０．０１〜４質量％、過酸化水素の濃度を０．１〜８質量％とすれば、洗浄効果が得られるとともに、Ｈａｚｅレベルの悪化が抑制される。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、良好な平坦度及び膜厚均一性を有し、さらに品質の高いエピタキシャルシリコンウェーハを提供することにある。
【解決手段】鏡面研磨されたシリコンウェーハ１０（図１(ａ)）の表面上に、エピタキシャル膜２０を形成した後（図１(ｂ)）、前記シリコンウェーハの裏面のみに対し、研削加工処理、研磨加工処理あるいは化学エッチング処理を施し、エピタキシャル膜２０の形成時に前記シリコンウェーハ１０の裏面端部に付着したシリコン析出物２１を除去する（図１(ｃ)）ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】湿潤、浸透効果に優れて太陽電池用基板上に存在する汚染物質に対する洗浄効果に優れるとともに、後工程のテクスチャリングに悪影響を及ぼさず、太陽電池の製造収率を向上させる洗浄液組成物を提供する。
【解決手段】本発明は太陽電池用洗浄液組成物であって、有機アルカリ化合物、水溶性グリコールエーテル化合物、過炭酸塩、有機リン酸またはその塩、及び水を含むことを特徴とする洗浄液組成物に関する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の表面に付着した研磨剤や不純物を除去する洗浄工程において、ガラス基板の表面にキズをつけてしまうのを防止可能な洗浄用ブラシを提供すること。
【解決手段】この洗浄用ブラシ１は、被洗浄体を洗浄するための洗浄用ブラシであり、回転軸４を中心に回転する円筒形状のブラシ本体２と、ブラシ本体２の外周面上に配列された複数のブラシ片３とを具備する。各ブラシ片３は、短辺３ａと長辺３ｂとからなる長方形の先端面３ｄを有し、短辺３ａは、回転軸４に対して垂直な辺であり、長辺３ｂは、回転軸４に対して平行な辺であることを特徴とする。 （もっと読む）