【課題】基板洗浄プロセスにおける金属汚染物質を除去する方法を提供する。
【解決手段】ウェット・センド・インデクサ・ステーション１１０では、基板の表面状態が、疎水性から親水性に変化させられる。このプロセス・ステップにおいて表面金属汚染の増加なしに基板の表面状態を変化させるよう、本発明を使用する。これを行うには、クエン酸・過酸化水素溶液に基板を浸漬させる。前記溶液のｐＨレベルは、水酸化アンモニウムとコリンおよびテトラメチル水酸化アンモニウムから選択された塩基混合物の添加により約６．５ないし１４に調整される。両面ブラシスクラバに関して説明される。 （もっと読む）

【課題】基板を良好に洗浄することができる基板洗浄ブラシ及び同基板洗浄ブラシを用いた基板処理装置並びに基板洗浄方法を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板洗浄ブラシ（３２）を用いて基板（２）の洗浄を行う基板処理装置（１）において、基板洗浄ブラシ（３２）は、弾性を有するブラシベース部（３３）と、ブラシベース部（３３）の表面に形成した疎水性を有するベース表層部（３４）と、ベース表層部（３４）に間隔をあけて植毛した洗浄刷毛部（３５）とを有することにした。また、前記ブラシベース部（３３）を吸水素材で形成するとともに、前記ブラシベース部（３３）に洗浄液を供給する洗浄液供給手段（３９）を設けることにした。 （もっと読む）

【課題】 貼り合せた電子本体と基板を分離するための分離装置及びその方法を提供する。
【解決手段】 平台、伝動部、溶解部、洗浄部及び第１仕切板を含む分離装置において、伝動部は平台上に配置し、電子本体と基板を移動するに用いる。溶解部は、平台上に配置し、溶剤を電子本体と基板に噴射する。洗浄部は平台上に配置し、電子本体を洗浄する。第１仕切板は、溶解部と洗浄部との間に設け、この第１仕切板は少なくとも一つ以上の第１貫通孔を有し、電子本体のみが通過できるように設定する。電子本体は第１貫通孔を通過できるように、一方、基板は第１貫通孔を通過できないようにすることにより、電子本体と基板を分離する。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたパターンの倒壊を抑制することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数のパターンが隣接して形成された基板を処理する基板処理装置であって、薬液に対する耐性を有し、前記基板を前記薬液により洗浄するための第１のチャンバと、前記第１のチャンバの上方または下方に配置され、前記第１のチャンバよりも高い耐圧性を有し、前記基板を超臨界乾燥するための第２のチャンバと、前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとの間に設けられ、開閉可能なゲート部と、を備える。 （もっと読む）

シリコンから成る太陽電池のための基板（１３）を処理する方法において、複数回のエッチング後に、脱イオン水で該基板を洗浄する（１８）。その後、複数の乾燥場（２２，２５）内で該基板（１３を加熱乾燥する。その後に、酸化場（３０）内で、或る量のオゾンを有する酸化ガス（３４）により該加熱された基板（１３）を酸化する。 （もっと読む）

【課題】 ベースから基板が落下することを低減し、十分な洗浄ができる基板の製造方法、を提供することを目的とする。
【解決手段】 ベース２に接着されたブロック１と、アルカリ液４と、を準備する工程と、ベース２に接着されたブロック１をスライスし、ベース２に接着された基板列とする工程と、基板列をアルカリ液４により洗浄する工程と、基板列をベース２から剥離し複数の基板１ａとする工程と、を有し、アルカリ液はＢｒｉｘ値で管理される。 （もっと読む）

【課題】リソースの使用が延長されたことを判別できるようにすることにより、スケジュールに起因して処理が停止するのを防止して、装置の稼働率が低下するのを防止できる。
【解決手段】制御部２５は、単バッチのスケジュールにて、温水ユニットＨＤＩＷを使用する処理工程からロットが払い出されるタイミングに合わせて、温水ユニットＨＤＩＷの仮想リソースの使用終了時を表す仮想終了マークを付加しておく。全体スケジュールを作成する際に、払出が時間的に後ろにずれる場合には仮想リソースの仮想終了マークも時間的に後ろにずらし、仮想リソースの使用を仮想終了マークまで延長しておく。その結果、その後に配置される単バッチのスケジュールは、温水ユニットＨＤＩＷの仮想リソースによって排他される。リソースの競合によりアラームが発生して処理が停止するのを防止でき、装置稼働率の低下を防止できる。 （もっと読む）

【課題】縦向きの半導体基板を処理するモジュール式半導体基板洗浄システムを提供する。
【解決手段】このシステム１１は、メガソニックタンク式洗浄機１５および後続のスクラバ１７，１９を含むことができる複数の洗浄モジュールを特徴としている。入力モジュール１３は、横向きの基板を受け取って縦向きに回転させ、出力モジュール２３は、縦向きの基板を受け取って横向きに回転させる。各モジュール（入力、洗浄および出力）は、基板支持体２５を有し、隣接するモジュールの基板支持体が等間隔で離間するように配置されている。これらのモジュールは、複数の基板ハンドラ３３を有するオーバヘッド搬送機構３１によって連結されている。これらの基板ハンドラは、その下方にあるモジュールの基板支持体と同じ距離（Ｘ）で離間されている。 （もっと読む）

【課題】必要な排気を確保しつつも、排気量を低減することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部５１は、ロットが搬送されて薬液処理部ＣＨＢ１，ＣＨＢ２や純水洗浄処理部ＯＮＢ１，ＯＮＢ２にて処理されるタイミングがスケジュールにより予め判断できるので、薬液処理部ＣＨＢ１，ＣＨＢ２や純水洗浄処理部ＯＮＢ１，ＯＮＢ２の状態に応じて各ダンパー３７，４１，４５，４９を操作し、薬液処理部ＣＨＢ１，ＣＨＢ２や純水洗浄処理部ＯＮＢ１，ＯＮＢ２の排出口３５，３９，４３，４７から排出される排気流量を調整できる。その結果、処理に必要な排気を確保しつつも装置全体の排気量を低減できる。 （もっと読む）

【課題】アンモニア過水処理以降に、硫酸過酸化水素水のミストが基板に付着することを防止できる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理部ＰＣは、４つの硫酸過水処理チャンバ１と、４つのアンモニア過水処理チャンバ２とを備えている。硫酸過水処理チャンバ１内において、ウエハＷに対して、ＳＰＭを用いた硫酸過水処理が行われる。硫酸過水処理後のウエハＷは、硫酸過水処理チャンバ１からアンモニア過水処理チャンバ２へ移送され、アンモニア過水処理チャンバ２内において、ＳＣ１を用いたアンモニア過水処理を受ける。アンモニア過水処理チャンバ２は、硫酸過水処理チャンバ１から隔離されているので、アンモニア過水処理チャンバ２内には、ＳＰＭのミストが存在しない。 （もっと読む）

【課題】膜厚を考慮して部分液交換を行うことにより、処理レートを一定の範囲に保持することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部２５は、カウンタ３７で計数された基板Ｗの枚数のうち、厚膜のものに相当する基板Ｗの枚数が通常ライフカウントに達したことに基づき、部分液交換を実施しながら基板Ｗを処理させる。つまり、燐酸溶液の劣化度合いが大きな厚膜のものに相当する基板Ｗの処理枚数を基準にして部分液交換を実施するので、燐酸溶液のエッチングレートを一定の範囲に保持することができる。 （もっと読む）

【課題】 III-V族化合物半導体の結晶成長方法において、半導体下地層と半導体層の界面に高濃度なｎ型領域が形成されることを抑制する技術を提供すること。
【解決手段】 シリコンをエッチング可能なエッチング材を利用して半導体下地層の表面を洗浄する工程と、洗浄後の半導体下地層をアルコールに浸漬する工程と、浸漬された状態で半導体下地層をガス置換室に搬入する工程と、ガス置換室内を大気から置換ガスに置換する工程と、ガス置換室に連結する反応室に液体から取り出した半導体下地層を搬入する工程と、反応室内で半導体下地層の表面に前記半導体層を結晶成長させる工程を備えている。置換ガスは、シリコン濃度が０．２ppm以下である。 （もっと読む）

【課題】安全処理部において異常が生じてもロットに対して過剰処理が行われることを防止できる。
【解決手段】第１のロットがペア内処理であるので、第２処理部の仮想リソースＰＢ２を使用する。また、第２のロットの処理が非ペア内処理であるので、第１処理部の仮想リソースＰＢ１を薬液処理部ＣＨＢ１における処理期間にわたって使用し、第２処理部をまたいだ処理期間にわたって、第２処理部の仮想リソースＰＢ２を使用する。仮想リソースＰＢ１，ＰＢ２の重複を排除して各リソースａ〜ｉの使用タイミングを決定すると、純水洗浄処理部ＯＮＢ２で異常が発生しても第２のロットに対して過剰処理が行われることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】枚葉方式で基板を薬液処理した後にリンス処理し乾燥処理する場合に、スループットおよびメンテナンス性を向上させることができるシステムを提供する。
【解決手段】基板Ｗを１枚ずつ薬液およびリンス液で処理する薬液処理部３８およびリンス処理部４０を連接して処理ユニット１４ａ〜１４ｃを構成し、１つの装置ベース上に複数の処理ユニット、基板搬送部２２および乾燥ユニット１６を設ける。処理ユニット１４ａ〜１４ｃにおいて基板Ｗを薬液処理部３８で薬液処理した後にリンス処理部４０でリンス処理する一連の処理を処理単位とし、１枚の基板に対し一連の処理を複数回行うときは、１つの処理ユニットから別の処理ユニットへ基板を順次搬送して、処理ユニットの設置数に対応する回数以内で適宜必要とする回数だけ処理単位を繰り返してから、基板を乾燥ユニット１６へ搬送して乾燥処理する （もっと読む）

【課題】安全処理部におけるメンテナンスを考慮してスケジューリングすることにより、ロットに対する過剰処理を防止することができる。
【解決手段】乾燥処理部ＬＰＤにてメンテナンスＭ１が行われる場合には、仮想リソースＶＩＬの使用を一連の処理工程Ｐ２〜Ｐ５に対して排他することができるので、乾燥処理部ＬＰＤのメンテナンスＭ１に並行して薬液処理部ＣＨＢ１のリソースが使用されることを防止できる。その結果、乾燥処理部ＬＰＤにおけるメンテナンスＭ１が時間的に後ろに延びた場合であっても、ロットに対する過剰処理を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】処理液の再利用を好適に図ることができ，しかも排気量を低減させることができる，基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウェハＷを洗浄するウェハ洗浄装置５であって，ＡＰＭ及び純水を供給する供給ノズル３４と，ウェハＷを保持するスピンチャック３１と，スピンチャック３１を収納する容器３０とを備え，容器３０は内処理室４２と外処理室４３を備え，スピンチャック３１に対して容器３０を昇降自在に構成し，内処理室４２にＡＰＭ及び室内雰囲気を排出する第１の排出回路５０を接続し，外処理室４３に純水及び室内雰囲気を排出する第２の排出回路５１を接続し，ＡＰＭを供給ノズル３４から再びウェハＷの表面に供給するように構成した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体製造工程で高濃度かつ高エネルギーのイオンを注入したことにより硬化したレジスト膜を容易に剥離することのできる高ドーズインプラ工程のレジスト除去方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、基板への高濃度かつ高エネルギーのイオン注入によりレジスト膜に形成された硬化層を常温真空圧下で発生させたプラズマを緩やかに照射してポッピングしないように剥離するプラズマ処理工程と、前記硬化層が除去され非硬化層が残っている状態で常圧下において薬液で洗浄した後に純水で前記薬液を洗い流す薬液処理工程とからなり、前記非硬化層の残留不純物が基板に固着するのを防止することを特徴とする高ドーズインプラ工程のレジスト除去方法の構成とした。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ法による研磨によりポリシリコン膜等が半導体基板上に表出する場合であっても、信頼性や製造歩留まりの低下を防止し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】化学的機械的研磨法により研磨を行う工程であって、半導体基板上にポリシリコン膜が表出した状態になる工程と；半導体基板を洗浄する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、半導体基板を洗浄する工程は、酸性の第１の洗浄液を用いて洗浄を行う第１の工程Ｓ１０と；第１の工程の後に、第２の洗浄液を用いて超音波洗浄を行う第２の工程Ｓ１２と；第２の工程の後に、アルカリ性の第３の洗浄液を用いて洗浄を行う第３の工程Ｓ１３とを有している。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板を製造する装置に関することで、さらに詳しくは半導体基板を加工するための基板製造方法に関する。
【解決手段】基板製造方法は、まず、フォトレジストが形成される基板を加熱させた後に、１次プラズマアッシング処理する。 続き、基板の温度を大気圧状態で降下させた後、もう一度基板を２次プラズマアッシング処理する。このように、プラズマアッシング処理過程で、基板の温度を大気圧状態でしばらく降下させるので、フォトレジストの化学結合変化を減少させ、ポッピング及び残留物の発生を減少させ、製品の収率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化を抑制しつつ、複数の供給対象に対して安定した流量で液体を供給することができる液体供給装置およびこれを備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】処理液供給装置８は、液体がそれぞれ収容された第１タンク２９および第２タンク３０を備えている。第１タンク２９内の液体は、第１連結配管３３、第１バルブ３９、送液室３１を介して、複数の送液配管３２から複数の供給対象に供給される。また、第２タンク３０内の液体は、第２連結配管３４、第２バルブ４０、送液室３１を介して、複数の送液配管３２から複数の供給対象に供給される。第１タンク２９から各送液配管３２に至るまでの経路、および第２タンク３０から各送液排気管３２に至るまでの経路における流路断面積は、複数の送液配管３２の流路断面積の総和よりも大きくされている。 （もっと読む）