【課題】装置の大型化を抑制しつつ、複数の供給対象に対して安定した流量で液体を供給することができる液体供給装置およびこれを備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】処理液供給装置８は、液体がそれぞれ収容された第１タンク２９および第２タンク３０を備えている。第１タンク２９内の液体は、第１連結配管３３、第１バルブ３９、送液室３１を介して、複数の送液配管３２から複数の供給対象に供給される。また、第２タンク３０内の液体は、第２連結配管３４、第２バルブ４０、送液室３１を介して、複数の送液配管３２から複数の供給対象に供給される。第１タンク２９から各送液配管３２に至るまでの経路、および第２タンク３０から各送液排気管３２に至るまでの経路における流路断面積は、複数の送液配管３２の流路断面積の総和よりも大きくされている。 （もっと読む）

【目的】基板への金属汚染を低減させる研磨装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の研磨装置５００は、基板３００を研磨する研磨パッド５２５が配置される研磨テーブル５２０と、研磨パッド５２５と相対的に移動可能に配置され、研磨パッド５２５の表面と相対的に摺動する、イオン交換樹脂とキレート樹脂とのうち少なくとも１つの樹脂を用いた樹脂部材５５４，５５６と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、基板への金属汚染を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】バンプショートの発生を防止して半導体素子の歩留まりを向上させるフラックスの洗浄方法を提供すること。
【解決手段】フラックス洗浄剤によりウェーハ１を洗浄する洗浄処理工程（Ａ）と、前記洗浄処理後、連続して、液温４０℃以上の脱イオン水によりウェーハ１をリンスする第１リンス処理工程（Ｂ）と、前記第１リンス処理後、連続して、液温２５℃以下の脱イオン水によりウェーハ１をリンスする第２リンス処理工程（Ｃ）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】洗浄液のランニングコストを低減する洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄液を循環させながら基板を洗浄する洗浄槽と、洗浄槽の排気中に含まれる気化している洗浄液を液化する凝縮器と、凝縮器により液化された洗浄液を洗浄槽に還流する還流手段とを備える。前記洗浄液は炭酸エチレンを含み、凝縮器は空気を冷媒としてもよく、気化している洗浄液の液化に伴って熱気として排出する。前記洗浄装置は、さらに、前記凝縮器から排出される熱気を、洗浄液の固化防止用熱源として洗浄装置の所定箇所に供給する。 （もっと読む）

【課題】水を含む高沸点、高蒸発潜熱の洗浄剤においても、再付着がなく、洗浄後の乾燥効率が高く、洗浄、乾燥時間を短縮でき、複雑な形状の被洗浄物でも乾燥シミを作ることなく乾燥させることができるベーパー洗浄を可能にする。
【解決手段】被洗浄物をベーパー洗浄するためのベーパー洗浄槽６と、ベーパー洗浄槽６内における下方部分に蓄えた洗浄剤１６と、ベーパー洗浄槽６に連通した乾燥槽５と、ベーパー洗浄槽６と乾燥槽５間を遮断又は開放可能とした遮断蓋１３と、被洗浄物を載置可能であるとともにベーパー洗浄槽６と乾燥槽５間を移動可能なキャリアと、を具備した装置本体２と、装置本体２に連結された、装置本体２の内部を加減圧する圧力調整手段３と、被洗浄物に付着した洗浄剤等を排液するための排液弁１７と、洗浄剤１６を加熱するための加熱システム１９と、を具備した。 （もっと読む）

【課題】容器内の複数の基板を取り出して所定の処理を行い、処理後の基板を容器内に戻す一連の処理を繰り返し行う際に、スループットを向上させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】洗浄処理装置は、一連の搬送動作を制御する制御部４０を有し、制御部４０は、一のウエハの基板を処理装置内に投入している状態において、フープ搬送装置１２およびウエハ出し入れステージ１５が空いているタイミングで、次のロットの未処理基板を収容したフープをウエハ出し入れステージ１５に搬送し、トータルの搬送時間が適切になるように、フープ搬送装置１２の動作タイミング、ウエハ出し入れステージ１５での操作のタイミング、およびウエハ移載装置１９の動作タイミングを個別に調整した搬送スケジュールを作成するスケジュール作成部５４を有する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム合金配線層にエッチングなどのダメージを与えることなく、側壁堆積物やレジスト残渣を洗浄除去できる半導体洗浄用組成物並びに、その半導体洗浄用組成物を用いた半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】有機酸とアンモニアとフッ素化合物の混合水溶液からなることを特徴とする半導体洗浄用組成物を用いる。また、無機酸とフッ素化合物の混合水溶液からなることを特徴とする半導体洗浄用組成物を用いる。さらにこれらの半導体洗浄用組成物を用いてアルミニウム合金から構成される金属配線層３の側壁堆積物６やレジスト残渣を洗浄除去する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】基板の乾燥時間の短縮化を図り、基板乾燥装置のチャンバに与える影響を回避することを目的とする。
【解決手段】基板Ｗを水平又は所定角度傾斜した状態で搬送する搬送手段１０と、表面に液が形成された状態で搬送手段１０により搬送される基板Ｗに対してエアＡを吹き付けて、基板上の液を除去するエアナイフノズル２３と、搬送手段１０のエアナイフノズル２３よりも上流側に配置され、基板Ｗに対して所定温度に加熱されたスチームＳを供給するスチーム供給手段２２と、を有している。基板Ｗの加熱にスチームＳを用いていることにより、基板Ｗを短時間で加熱することが可能になり、処理効率が向上する。同時に、スチームＳが基板Ｗに熱エネルギーを与えた後に、急激に温度が低下するため、チャンバに与える影響を回避することができる。 （もっと読む）

【課題】ダングリングボンド密度が１４．０ｎｍ^-2よりも大きくて平坦な面を有するIII族窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体基板を構成するダングリングボンド密度が１４．０ｎｍ^-2より大きい面を、アンモニウム塩を含む洗浄剤で洗浄する。 （もっと読む）

【課題】 大型基板(少なくとも０.２５ｍ^２)のさらされた表面から有機含有材料を除去する方法を提供する。
【解決手段】 基板は、電子デバイスを備えていてもよい。さらされた表面は、溶媒にオゾン（Ｏ_３）を含むストリッピング溶液で処理され、ここで、溶媒は酢酸無水物を含む。ストリッピング溶液を形成するのに用いられるストリッピング溶媒は、酢酸無水物と、２-４個の炭素原子を含有するカーボネート、エチレングリコールジアセテート、及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる共溶媒との混合物を含んでいてもよい。一定の場合、ストリッピング溶液は、酢酸無水物とオゾンだけを含んでいてもよいが、オゾンの濃度は、典型的には約３００ｐｐｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】純水内に浸積され洗浄処理が行われた基板を乾燥させる基板乾燥において、上記基板に微細化されたパターンが存在するような場合であっても、確実に上記基板に付着した純水を除去して基板を乾燥させる基板乾燥装置及び方法を提供する。
【解決手段】純水内に浸積された基板を取り出した後、上記基板の表面に液状のイソプロピルアルコールを供給して、上記基板の表面に付着している上記純水を上記イソプロピルアルコールに置き換え、その後、上記基板の表面から上記イソプロピルアルコールを蒸発させることにより上記基板を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】少なくとも基板の熱洗浄によって表面の不純物および酸化物の除去が可能な程度に表面が清浄なＧａＡｓ半導体基板を提供する。
【解決手段】本ＧａＡｓ半導体基板１０は、Ｘ線光電子分光法により、光電子取り出し角θが１０°の条件で測定されるＧａ原子およびＡｓ原子の３ｄ電子スペクトルを用いて算出される、ＧａＡｓ半導体基板１０の表面層１０ａにおける全Ａｓ原子に対する全Ｇａ原子の構成原子比Ｇａ／Ａｓが０．５以上０．９以下であり、表面層１０ａにおける全Ｇａ原子および全Ａｓ原子に対するＯ原子と結合しているＡｓ原子の比（Ａｓ−Ｏ）／｛（Ｇａ）＋（Ａｓ）｝が０．１５以上０．３５以下であり、表面層１０ａにおける全Ｇａ原子および全Ａｓ原子に対するＯ原子と結合しているＧａ原子の比（Ｇａ−Ｏ）／｛（Ｇａ）＋（Ａｓ）｝が０．１５以上０．３５以下である。 （もっと読む）

【課題】過酸化水素水の濃度の測定精度が高く、測定方法及び測定構造が簡単である。更に、半導体洗浄装置の構造が簡単である。
【解決手段】薬液槽１０内に取り付けられた過酸化水素水の濃度測定装置２０は、薬液２中の過酸化水素水２ａが分解する際に発生する酸素Ｏ２の気泡２ｂの発生量を、気泡２ｂが付着し易い棒状部材２１により捕獲し、付着した気泡量の浮力により棒状部材２１が上昇するので、この上昇量を測定することにより、過酸化水素水２ａの濃度を測定する。そのため、過酸化水素水２ａの気泡２ｂによる液面変動や液面定義が検出精度を劣悪にすることが無く、過酸化水素水２ａを直接計測することができて測定精度が高く、測定方法及び測定構造が簡単である。従って、半導体洗浄装置の構造を簡単化できる。 （もっと読む）

【課題】酸化膜を湿式エッチング処理する際に、レジスト変質物が残ることのない良好なエッチングが行える半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に酸化膜１を形成する工程と、上記酸化膜１上にレジストパターン２を形成する工程と、上記基板を薬液に浸漬することにより上記レジストパターン２をマスクとして上記酸化膜１をエッチングする工程と、上記基板を水洗および乾燥する工程と、上記レジストパターン２を除去する工程と、を備えた半導体装置の製造方法において、上記レジストパターン２を除去する工程は、上記基板を水洗する工程の後、乾燥することなく直ぐに、基板を硫酸と過酸化水素水との混合液に浸漬する工程であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】一括処理される基板群中の基板間における処理のバラツキを抑制する。
【解決手段】加熱された処理液中に基板Ｗ群を保持したリフター２０を浸漬する前に、リフター２０を加熱された燐酸溶液中に浸漬して燐酸溶液と略同じ温度にまで予め加熱しておくことにより、このリフター２０に基板Ｗ群を保持して燐酸溶液中に浸漬したときに、リフター２０の影響で燐酸溶液の温度が低下するのを阻止することができる。その結果、一括処理される基板Ｗ群中の基板間における処理のバラツキを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の周辺の雰囲気の露点を低い状態に維持することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】ダクト２０の内部に処理槽４が設けられている。処理槽４内で処理液により基板Ｗの洗浄処理が行われる。また、ダクト２０にはドライエア供給ダクト６２および排気ダクト６３，９１，９２が取り付けられている。ドライエア供給ダクト６２および排気ダクト６３は処理槽４の上端部近傍においてほぼ同じ高さに配置される。排気ダクト９１，９２は、ドライエア供給ダクト６２および排気ダクト６３の上方でほぼ同じ高さに配置される。ドライエア供給ダクト６２を通して基板ＷにドライエアＤＦが供給される。基板Ｗに供給されたドライエアＤＦは排気ダクト６３，９１，９２から排気される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の大口径化が進んでも高い洗浄能力が維持できる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１０上に被研磨膜１３を形成する工程と、被研磨膜１３を研磨する工程と、研磨により形成された研磨面S1の少なくとも一部領域Iをエッチングする作用のある酸性の第１洗浄液に研磨面S1を曝す第１のステップと、該第１のステップの後、アルカリ性の第２洗浄液に研磨面S1を曝す第２のステップとを行うことにより、研磨面S1を洗浄する工程とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク用途に使用することもできる、水晶のような基材表面の前処理ステップにおいて使用する、様々なｐＨ領域と伝導度を持つアルカリ性ベースの組成物を用いる方法を提供する。
【解決手段】ＮＨ_４ＯＨ：Ｈ_２Ｏ_２：Ｈ_２Ｏが、容積比で１：２：２００〜１：１：１００となる希釈比で、水酸化アンモニウム、過酸化水素及び脱イオン水を含有する、ｐＨが８〜１２の_ｕｄＳＣ１組成物を用いて基材表面を処理し、次いで、ノニオン系洗浄剤と脱イオン水を容積比で１〜１００となる希釈比で含有し、ｐＨが８〜１１のノニオン系洗浄剤組成物を用いて前記基材の表面を処理する基材表面の洗浄方法。前記_ｕｄＳＣ１のｐＨが、前記ノニオン系洗浄剤組成物のｐＨより高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリサイドゲート上の微小突起物を除去することにより、ゲート電極とコンタクトプラグとのショート不良の発生を抑制した洗浄方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、ゲート電極３上及びソース／ドレイン領域の拡散層６，７上にＴｉ膜を形成する工程と、このＴｉ膜に熱処理を施すことにより、ゲート電極上及びソース/ドレイン領域の拡散層上にＴｉシリサイド膜９ａ〜９ｃを形成するシリサイド化工程と、このシリサイド化工程でシリサイド化されずに残留するＴｉ膜を除去する洗浄工程であって、アンモニア水及び過酸化水素水を含む洗浄液に超音波を加えながら洗浄する工程と、Ｔｉシリサイド膜上に層間絶縁膜１０を形成する工程と、この層間絶縁膜をエッチングすることにより第１の接続孔及び第２の接続孔を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】キャッピング層及び絶縁層のマイクロ電子デバイスからの除去に関する改良された組成物を提供する。
【解決手段】シリコン含有層を、かかる層をその上に有するマイクロ電子デバイスから除去する除去組成物及び方法を開示する。除去組成物は、次のものに限定されないが、シリコン酸化物、プラズマエンハンスド・テトラエチルオルソシリケート（Ｐ−ＴＥＯＳ）、ボロホスホシリケートガラス（ＢＰＳＧ）、プラズマエンハンスド酸化物（ＰＥＯＸ）、高密度プラズマ酸化物（ＨＤＰ）、ホスホシリケートガラス（ＰＳＧ）、スピンオン誘電体（ＳＯＤ）、熱酸化物、アップドープされたシリケートガラス、犠牲酸化物類、シリコン含有有機ポリマー類、シリコン含有ハイブリッド有機／無機材料類、有機シリケートガラス（ＯＳＧ）、ＴＥＯＳ、フッ素化シリケートガラス（ＦＳＧ）、半球状グレイン（ＨＳＱ）、炭素ドープされた酸化物（ＣＤＯ）ガラス、及びこれらの組み合わせを含む総を、下部電極、デバイス基板、及び／又はエッチストップ層の材料に対して、選択的に除去する。 （もっと読む）