基板処理装置
【課題】基板の周辺の雰囲気の露点を低い状態に維持することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】ダクト２０の内部に処理槽４が設けられている。処理槽４内で処理液により基板Ｗの洗浄処理が行われる。また、ダクト２０にはドライエア供給ダクト６２および排気ダクト６３，９１，９２が取り付けられている。ドライエア供給ダクト６２および排気ダクト６３は処理槽４の上端部近傍においてほぼ同じ高さに配置される。排気ダクト９１，９２は、ドライエア供給ダクト６２および排気ダクト６３の上方でほぼ同じ高さに配置される。ドライエア供給ダクト６２を通して基板ＷにドライエアＤＦが供給される。基板Ｗに供給されたドライエアＤＦは排気ダクト６３，９１，９２から排気される。
【解決手段】ダクト２０の内部に処理槽４が設けられている。処理槽４内で処理液により基板Ｗの洗浄処理が行われる。また、ダクト２０にはドライエア供給ダクト６２および排気ダクト６３，９１，９２が取り付けられている。ドライエア供給ダクト６２および排気ダクト６３は処理槽４の上端部近傍においてほぼ同じ高さに配置される。排気ダクト９１，９２は、ドライエア供給ダクト６２および排気ダクト６３の上方でほぼ同じ高さに配置される。ドライエア供給ダクト６２を通して基板ＷにドライエアＤＦが供給される。基板Ｗに供給されたドライエアＤＦは排気ダクト６３，９１，９２から排気される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に種々の処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
複数の基板を処理槽に貯留された処理液に浸漬し、洗浄処理を行う基板処理装置がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
特許文献１の基板処理装置においては、処理槽内で基板の表面が薬液および純水により洗浄処理される。洗浄処理の施された基板は処理槽内から引き上げられる。
【０００５】
洗浄処理後の基板に純水が付着していると、基板にパーティクルが付着し易くなる。また、基板に付着した純水が自然乾燥すると、基板にウォーターマークが形成される。したがって、特許文献１の基板処理装置においては、処理槽内から引き上げられた基板にドライエアが供給される。これにより、基板に付着した純水がドライエアにより置換され、基板の表面が乾燥される。
【０００６】
なお、特許文献１において、ドライエアとは極めて露点の低い気体をいい、基板に供給されるドライエアの露点は例えば約−７０℃である。
【特許文献１】特開２００６−３１０７５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
処理槽内から引き上げられる基板の乾燥時には、その基板周辺の雰囲気の露点を十分に管理する必要がある。特に、基板にドライエアを供給する場合には、乾燥効率が低下しないように基板周辺の雰囲気の露点を低い状態に保つことが重要である。
【０００８】
通常、基板に供給されたドライエアは、排気ダクトを通して排気される。しかしながら、基板に供給されたドライエアの一部が、処理槽上を旋回して再度基板の周辺に流れ込むことがある。一旦基板に供給されたドライエアは、基板に付着する純水および処理槽内の純水と接触することにより、露点が上昇した状態となる。そのため、ドライエアが処理槽上を旋回して再度基板の周辺に流れ込むことにより、基板の周辺の雰囲気の露点が上昇し、基板の乾燥効率が低下する。
【０００９】
本発明の目的は、基板の周辺の雰囲気の露点を低い状態に維持することが可能な基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（１）本発明に係る基板処理装置は、基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、処理液を貯留する貯留槽と、貯留槽上の空間を取り囲むように設けられる周壁部と、処理槽内の処理液中と処理槽の上方位置との間で基板を昇降させる基板昇降機構と、周壁部内において、基板昇降機構により処理槽から引き上げられる基板に気体を供給する気体供給部と、気体供給部に対向して配置され、基板に供給された気体を周壁部の外部に排出する第１の気体排出部と、基板に供給された気体を第１の気体排出部よりも高い位置から周壁部の外部に排出する第２の気体排出部とを備えるものである。
【００１１】
この基板処理装置においては、処理槽内の処理液中に基板が浸漬されることにより、基板に所定の処理が施される。次いで、基板昇降機構により基板が処理槽から引き上げられる。このとき、気体供給部により基板に気体が供給され、基板が乾燥される。
【００１２】
気体供給部から基板に供給された気体は、基板供給部に対向して配置された第１の気体排出部に向かって流れる。その気体は、基板の表面に付着する処理液および処理槽内の処理液に接触することにより、露点が高くなる。露点が高くなった気体の大部分は、第１の気体排出部により周壁部の外部に排出される。
【００１３】
露点が高くなった気体の一部は、第１の気体排出部に向かう流れから離脱して上昇する。上昇した気体は、第２の気体排出部により周壁部の外部に排出される。この場合、露点が高くなった気体が周壁部内を旋回して再度基板の周辺に流れ込むことが防止される。したがって、基板の周辺の雰囲気の露点を低い状態で維持することができる。
【００１４】
（２）周壁部の内側で気体供給部による気体の供給路および第１および第２の気体排出部による気体の排出路を除いて貯留槽上の空間を取り囲むように設けられる遮蔽部材をさらに備えてもよい。
【００１５】
この場合、基板の周囲の雰囲気が遮蔽部材により外気から遮断されるので、外気の進入によって基板の周囲の雰囲気の露点が高くなることが防止される。それにより、基板の周囲の雰囲気の露点を低い状態に維持することができる。
【００１６】
また、処理液への接触により露点が高くなった気体の一部が遮蔽部材内で上昇しても、その気体は第２の気体排出部により遮蔽部材の外部に排出される。それにより、露点が高くなった気体が遮蔽部材内を旋回することが防止され、基板の周囲の雰囲気の露点を低い状態に確実に維持することができる。
【００１７】
（３）第２の気体排出部は、第１の気体排出部の上方に設けられる第１の気体排出口を有してもよい。この場合、第１の気体排出部に向かう流れから離脱して上昇した気体を第１の気体排出口を通して効率良く確実に外部に排出することができる。
【００１８】
（４）第２の気体排出部は、気体供給部の上方に設けられる第２の気体排出口を有してもよい。この場合、第１の気体排出部に向かう流れから離脱して上昇した気体を第２の気体排出口を通して効率良く確実に外部に排出することができる。
【００１９】
（５）基板処理装置は、第１の気体排出部による気体の排出量を制御する第１の排出量制御手段をさらに有してもよい。この場合、基板昇降機構によって昇降される基板の位置等に応じて第１の気体排出部による気体の排出量を制御することにより、基板の乾燥効率を向上させることが可能となる。
【００２０】
（６）基板処理装置は、第２の気体排出部による気体の排出量を制御する第２の排出量制御手段をさらに有してもよい。この場合、基板昇降機構によって昇降される基板の位置等に応じて第１の気体排出部による気体の排出量を制御することにより、基板の乾燥効率を向上させることが可能となる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、処理液との接触により露点が高くなった気体が周壁部内を旋回して再度基板の周辺に流れ込むことが防止される。それにより、基板の周辺の雰囲気の露点を低い状態で維持することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について説明する。以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等をいう。
【００２３】
（１）基板処理装置の構成および動作
図１は、第１の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的断面図である。図１に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置１００は、処理槽４、ダクト２０、昇降機構３０、処理液ミキシング装置５０、ドライエア発生装置６０、上部開閉部材７０、外気遮蔽部材７５、制御部８０、排気装置９０、搬送駆動部３００、搬送ロボット３１０および開閉駆動部７００を備える。
【００２４】
ダクト２０は、矩形の筒形状を有し、鉛直方向の軸に沿うように立設されている。ダクト２０の上端開口部には、ヒンジ部７３を介して上部開閉部材７０が開閉自在に取り付けられている。
【００２５】
上部開閉部材７０は矩形の平板形状を有し、開閉駆動部７００により駆動される。この場合、上部開閉部材７０がヒンジ部７３を中心として回動する。それにより、ダクト２０の上端開口部が開放または閉塞する。
【００２６】
ダクト２０の内部には、処理槽４が設けられている。処理槽４は複数の基板Ｗを収容可能な内槽４０および内槽４０の上部外周を取り囲むように設けられた外槽４３により形成されている。内槽４０は略直方体形状を有する。
【００２７】
内槽４０の底部には、内槽４０内に処理液を供給するための処理液供給管４１の一端および内槽４０内の処理液を排出するための処理液排出管４２の一端が接続されている。本実施の形態において、内槽４０内では処理液により基板Ｗの洗浄処理が行われる。洗浄処理時に内槽４０内に供給される処理液は、洗浄液またはリンス液である。
【００２８】
すなわち、内槽４０内に洗浄液を供給し、洗浄液の貯留された内槽４０内に基板Ｗを浸漬することにより、基板Ｗの表面を洗浄する。その後、内槽４０内の洗浄液をリンス液に置換する。
【００２９】
洗浄液としては、ＢＨＦ（バッファードフッ酸）、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸またはアンモニア等の薬液が用いられる。リンス液としては、純水、炭酸水、水素水、電解イオン水等が用いられる。
【００３０】
処理液供給管４１の他端は、処理液ミキシング装置５０に接続されている。処理液ミキシング装置５０には、例えば薬液および純水が供給されている。処理液ミキシング装置５０は、供給される薬液および純水を所定の割合で混合することができる。したがって、処理液ミキシング装置５０は、薬液、純水またはそれらの混合液を処理液またはリンス液として処理液供給管４１を介して内槽４０内に供給する。
【００３１】
外槽４３の底部には、内槽４０の上部から溢れ出し（オーバーフロー）、外槽４３内に流れ込む処理液を排出するための処理液排出管４４の一端が接続されている。
【００３２】
ダクト２０の内部とダクト２０の上方位置との間で上下方向に移動可能な昇降機構３０が設けられている。昇降機構３０は、複数の基板Ｗを保持する保持部３１を内槽４０の内部とその上方位置との間で上下方向に移動させる。これにより、複数の基板Ｗを内槽４０内の処理液中に浸漬し、処理液から引き上げることができる。
【００３３】
ダクト２０の互いに対向する２つの側面のうち一方の側面にはドライエア供給ダクト６２および排気ダクト９１が取り付けられ、他方の側面には排気ダクト６３，９２が取り付けられている。ドライエア供給ダクト６２および排気ダクト６３は処理槽４の上端部近傍においてほぼ同じ高さに配置される。排気ダクト９１，９２は、ドライエア供給ダクト６２および排気ダクト６３の上方でほぼ同じ高さに配置される。
【００３４】
ドライエア供給ダクト６２には複数の通気ガイド６２ａが設けられている。また、排気ダクト６３，９１，９２には複数の通気ガイド６３ａ，９１ａ，９２ａが設けられている。ドライエア供給ダクト６２は配管６１を介してドライエア発生装置６０に接続されている。排気ダクト６３，９１，９２は配管９３ａ，９３ｂ，９３ｃを介して排気装置９０に接続されている。なお、配管９３ａ，９３ｂ，９３ｃには、それぞれバルブＣＢ１，ＣＢ２，ＣＢ３が介挿されている。
【００３５】
ドライエア発生装置６０により発生されたドライエアＤＦが、配管６１を通じてドライエア供給ダクト６２に送られる。それにより、昇降機構３０により内槽４０から引き上げられる基板ＷにドライエアＤＦが吹き付けられ、基板Ｗの乾燥処理が行われる。基板Ｗに吹き付けられたドライエアＤＦおよび基板Ｗ周辺の雰囲気が排気ダクト６３，９１，９２から排気される。
【００３６】
なお、本実施の形態において、ドライエアＤＦとは、極めて露点の低い気体をいう。ドライエア供給ダクト６２からダクト２０内に供給されるドライエアＤＦの露点は、例えば約−７０℃である。
【００３７】
ダクト２０内において、外気遮蔽部材７５がドライエア供給ダクト６２および排気ダクト６３，９１，９２に取り付けられている。外気遮蔽部材７５は、ダクト２０よりも小さい矩形の略筒形状を有する。外気遮蔽部材７５の上端開口部は、ダクト２０の上端開口部と同じ高さに位置し、ダクト２０の上端開口部が上部開閉部材７０により閉塞されると、外気遮蔽部材７５の上端開口部も同様に閉塞される。
【００３８】
ドライエア供給ダクト６２および排気ダクト６３，９１，９２が接続される外気遮蔽部材７５の部分には、それぞれ開口部７５ａ，７５ｂ，７５ｃ，７５ｄが形成されている。外気遮蔽部材７５の構造の詳細は後述する。
【００３９】
外気遮蔽部材７５の上方には、搬送エリアＴＥが設けられている。搬送エリアＴＥには、搬送ロボット３１０が移動可能に設けられている。
【００４０】
搬送ロボット３１０は、アームヒンジ部３１１および２本のアーム３１２を備える。搬送ロボット３１０は、搬送駆動部３００により駆動される。この場合、２本のアーム３１２がアームヒンジ部３１１を中心としてそれぞれ対称な方向に回動し、搬送ロボット３１０の下端部が開閉する。これにより、搬送ロボット３１０は、複数の基板Ｗを保持する保持部３１を２本のアーム３１２の間に挟み込んで保持することができる。また、搬送ロボット３１０は、搬送駆動部３００により駆動されることにより、搬送エリアＴＥ内を移動する。
【００４１】
制御部８０は、昇降機構３０、処理液ミキシング装置５０、ドライエア発生装置６０、排気装置９０、バルブＣＢ１，ＣＢ２，ＣＢ３、搬送駆動部３００および開閉駆動部７００と接続されている。制御部８０がこれらの構成部の動作を制御することにより、複数の基板Ｗを保持する保持部３１の昇降動作、基板Ｗの洗浄処理、基板Ｗの乾燥処理、処理槽４に対する基板Ｗの搬入搬出動作、およびダクト２０の上端開口部の開閉動作が制御される。
【００４２】
また、制御部８０が排気装置９０およびバルブＣＢ１，ＣＢ２，ＣＢ３を制御することにより、排気ダクト６３，９１，９２からの排気量が調整される。また、制御部８０がドライエア発生装置６０を制御することにより、空間ＷＵ内へのドライエアＤＦの供給量が調整される。この場合、空間ＷＵ内の圧力を調整することができる。
【００４３】
（２）外気遮蔽部材７５について
ここで、外気遮蔽部材７５の構造の詳細を説明する。図２は、図１の外気遮蔽部材７５の構造の詳細を説明するための斜視図である。なお、図２では、外気遮蔽部材７５の構造を明確に示すために、図１に示した処理槽４の外槽４３およびダクト２０の図示を省略している。
【００４４】
図２に示すように、外気遮蔽部材７５は、第１の遮蔽側板７２ａ、第２の遮蔽側板７２ｂ、第３の遮蔽側板７２ｃおよび第４の遮蔽側板７２ｄを有する。第１の遮蔽側板７２ａおよび第２の遮蔽側板７２ｂが互いに対向し、第３の遮蔽側板７２ｃおよび第４の遮蔽側板７２ｄが互いに対向している。
【００４５】
第１の遮蔽側板７２ａの開口部７５ａにドライエア供給ダクト６２が接続されており、第１の遮蔽側板７２ａの開口部７５ｃに排気ダクト９１が接続されている。また、第２の遮蔽側板７２ｂの開口部７５ｂに排気ダクト６３が接続されており、第２の遮蔽側板７２ｂの開口部７５ｄに排気ダクト９２が接続されている。これにより、ドライエア供給ダクト６２および排気６３，９１，９２は、外気遮蔽部材７５の内部空間ＷＵに連通する。第３の遮蔽側板７２ｃおよび第４の遮蔽側板７２ｄは、ドライエア供給ダクト６２および排気ダクト６３の下端部とほぼ同じ高さまで下方に延びている。
【００４６】
外気遮蔽部材７５の上端開口部が上部開閉部材７０（図１）により閉塞された場合には、外気遮蔽部材７５内の雰囲気が外部の雰囲気から遮断される。この場合、外気の進入によって基板Ｗ周囲の雰囲気の露点が上昇することが防止される。
【００４７】
特に、空間ＷＵ内へのドライエアＤＦの供給量および空間ＷＵ内の雰囲気の排気量を調整し、空間ＷＵ内を外部に対して陽圧とする場合には、空間ＷＵ内の雰囲気を外気から確実に遮断することで、基板Ｗ周辺の雰囲気の露点を低い状態に維持することができる。
【００４８】
（３）基板処理装置１００の一連の動作
図３〜図５は、図１の基板処理装置１００における一連の動作を示す図である。初めに、図３（ａ）に示すように、外気遮蔽部材７０がダクト２０の上端開口部を閉塞した状態で、内槽４０内には純水ＰＷが貯留されている。
【００４９】
次に、図３（ｂ）に示すように、上部開閉部材７０がヒンジ部７３を中心として回動する（矢印Ａ１）。これにより、ダクト２０の上端開口部が開放される。
【００５０】
そして、複数の基板Ｗを保持する保持部３１を搬送する搬送ロボット３１０が搬送エリアＴＥ内でダクト２０の上方位置に移動する（矢印Ａ２）。
【００５１】
さらに、搬送ロボット３１０は、ダクト２０の上方位置から下降し、複数の基板Ｗを保持する保持部３１をダクト２０内に搬入する（矢印Ａ３）。
【００５２】
続いて、昇降機構３０が、ダクト２０内に搬入された保持部３１を下降させる。これにより、保持部３１により保持された複数の基板Ｗが下降し、内槽４０内に収容される。
【００５３】
搬送ロボット３１０がダクト２０から退避した後、上部開閉部材７０が再びヒンジ部７３を中心として回動する（矢印Ａ４）。これにより、ダクト２０の上端開口部が閉塞される。
【００５４】
処理液ミキシング装置５０は、例えば薬液ＣＬと純水ＰＷとの混合液を洗浄液として内槽４０内に供給する。それにより、複数の基板Ｗが内槽４０内で洗浄液に浸漬され、各基板Ｗの表面が洗浄される。
【００５５】
その後、図４（ｃ）に示すように、処理液ミキシング装置５０（図１）は、純水ＰＷをリンス液として内槽４０内に供給し、内槽４０内の洗浄液を純水ＰＷに置換する。これにより、複数の基板Ｗが内槽４０内で純水ＰＷに浸漬される。これにより、各基板Ｗの洗浄処理が完了する。
【００５６】
次に、図４（ｄ）に示すように、昇降機構３０が、保持部３１を上昇させる。これにより、保持部３１により保持された複数の基板Ｗが上昇する。このとき、ドライエア発生装置６０（図１）がドライエア供給ダクト６２を通して内槽４０から引き上げられる複数の基板ＷにドライエアＤＦを供給する。これにより、各基板Ｗに付着した純水ＰＷがドライエアＤＦにより置換され、各基板Ｗの表面が乾燥される（乾燥処理）。なお、乾燥処理時以外において、ドライエア発生装置６０（図１）は、ダクト２０内へのドライエアＤＦの供給量を低減している（スローリーク）。
【００５７】
ドライエアＤＦの供給時には、排気装置９０が排気ダクト６３，９１，９２を通して外気遮蔽部材７５内の排気を行う。
【００５８】
ここで、ドライエア供給ダクト６２から吹き出されるドライエアＤＦは、排気ダクト６３に向かってほぼ水平方向に流れる。この場合、ドライエアＤＦが基板Ｗの表面に付着する純水ＰＷおよび処理槽４内の純水ＰＷに接触することにより、その露点が高くなる。露点が高くなったドライエアＤＦの大部分は、排気ダクト６３を通して排気される。しかしながら、そのドライエアＤＦの一部は、水平方向の流れから離脱して上昇する。
【００５９】
上昇したドライエアＤＦは、外気遮蔽部材７５内を旋回するような流れを形成する。具体的には、ドライエアＤＦは、外気遮蔽部材７５の第２の遮蔽側板７２ｂの内面、上部開閉部材７０の下面および外気遮蔽部材７５の第１の遮蔽側壁７２ａの内面に沿って再び基板Ｗの周辺に流れ込む（図４（ｄ）の点線矢印参照）。この場合、上昇したドライエアＤＦが再度基板Ｗの周辺に流れ込むと、基板Ｗの周辺の雰囲気の露点が高くなり、基板Ｗの乾燥効率が低下する。
【００６０】
本実施の形態では、上昇したドライエアＤＦが排気ダクト９１，９２を通して排気されるため、高い露点を有するドライエアＤＦが、再度基板Ｗの周辺に流れ込むことが防止される。それにより、基板Ｗの周辺の露点を低い状態で維持することができる。
【００６１】
また、排気ダクト９１，９２が外気遮蔽部材７５の第１の遮蔽側板７２ａおよび第２の遮蔽側板７２ｂに接続されていることにより、第１の遮蔽側板７２ａおよび第２の遮蔽側板７２ｂに沿って流れるドライエアＤＦを確実に排気することができる。
【００６２】
なお、乾燥処理時以外においても、排気ダクト６３，９１，９２を通して外気遮蔽部材７５内の排気を行ってもよい。その場合、排気量を乾燥処理時よりも比較的少なくすることが好ましい。
【００６３】
複数の基板Ｗの内槽４０からの引き上げ時において、処理液ミキシング装置５０（図１）は、少量の純水ＰＷを継続して内槽４０内に供給している。したがって、複数の基板Ｗの内槽４０からの引き上げ時には、内槽４０の上部開口から純水ＰＷが溢れ出している。内槽４０から溢れ出した純水ＰＷは図１の外槽４３へ流れ込み、外槽４３に接続された図１の処理液排出管４４から排出される。
【００６４】
最後に、図５（ｅ）に示すように、上部開閉部材７０がヒンジ部７３を中心として回動する（矢印Ｂ１）。これにより、ダクト２０の上端開口部が開放される。
【００６５】
そして、搬送ロボット３１０が複数の基板Ｗを保持する保持部３１を受け取るとともに上昇し、保持部３１をダクト２０から搬出する（矢印Ｂ２）。その後、搬送ロボット３１０は、ダクト２０の上方位置から移動する（矢印Ｂ３）。
【００６６】
搬送ロボット３１０がダクト２０から退避した後、外気遮蔽部材７０がヒンジ部７３を中心として回動する（矢印Ｂ４）。これにより、ダクト２０の上端開口部が閉塞される。
【００６７】
（４）他の実施の形態
上記実施の形態では、外気遮蔽部材７５の第１および第２の遮蔽側板７２ａ，７２ｂの上部に排気ダクト９１，９２が接続されるが、これに加えて、図２の外気遮蔽部材７５の第３および第４の遮蔽側板７２ｃ，７２ｄの上部に排気ダクト９１，９２と同様の排気ダクトを接続してもよい。この場合、上昇したドライエアＤＦをより確実に排気することができる。そのため、高い露点を有するドライエアＤＦが再度基板Ｗの周辺に流れ込むことを確実に防止することができる。
【００６８】
また、上昇したドライエアＤＦを十分に排気することができるのであれば、排気ダクト９１，９２のいずれか一方のみを設けてもよい。
【００６９】
また、乾燥処理時において、基板Ｗの位置等に応じて排気ダクト６３，９１，９２からの排気量を切替えることにより、ドライエアＤＦの気流を制御してもよい。
【００７０】
図６は、ドライエアＤＦの気流制御の一例を示す図である。図６（ａ）に示すように、基板Ｗを処理槽４から引き上げる際には、排気ダクト６３からの排気量が排気ダクト９１，９２からの排気量よりも多くなるようにバルブＣＢ１，ＣＢ２，ＣＢ３を制御する。この場合、上記実施の形態でも示したように、ドライエア供給ダクト６２から吹き出されるドライエアＤＦが排気ダクト６３に向かってほぼ水平方向に流れる。
【００７１】
基板Ｗを処理槽４から引き上げた後、基板Ｗをダクト２０から搬出するまでの期間には、排気ダクト９２からの排気量が排気ダクト６３，９１からの排気量よりも多くなるようにバルブＣＢ１，ＣＢ２，ＣＢ３を制御する。この場合、図６（ｂ）に示すように、ドライエア供給ダクト６２から吹き出されるドライエアＤＦが排気ダクト９１に向かって斜め上方に流れる。この場合、処理槽４から上方に移動する基板Ｗに対して常時ドライエアＤＦが供給される。それにより、基板Ｗの乾燥効率がより向上する。
【００７２】
ドライエアＤＦの気流の制御方法は上記の例に限定されない。バルブＣＢ１，ＣＢ２，ＣＢ３を任意に制御することにより、ドライエアＤＦの気流を任意に制御することができる。
【００７３】
（５） 請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【００７４】
上記実施の形態では、処理槽４が貯留槽の例であり、ダクト２０が周壁部の例であり、昇降機構３０が基板昇降機構の例であり、ドライエア供給ダクト６２が気体供給部の例であり、排気ダクト６３が第１の気体搬出部の例であり、排気ダクト９１，９２が第２の気体搬出部の例であり、外気遮蔽部材７５が遮蔽部材の例であり、排気ダクト９２が第１の気体排出口の例であり、排気ダクト９１が第２の気体排出口の例であり、バルブＣＢ１および制御部８０が第１の排出量制御手段の例であり、バルブＣＢ２，ＣＢ３および制御部８０が第２の排出量制御手段の例である。
【００７５】
なお、請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明に係る基板処理装置は、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板の製造に有効に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】基板処理装置の構成を示す模式的断面図である。
【図２】外気遮蔽部材の構造の詳細を説明するための斜視図である。
【図３】基板処理装置における一連の動作を示す図である。
【図４】基板処理装置における一連の動作を示す図である。
【図５】基板処理装置における一連の動作を示す図である。
【図６】ドライエアの気流制御の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００７８】
４ 処理槽
２０ ダクト
３０ 昇降機構
６０ ドライエア発生装置
６１，９３ａ，９３ｂ，９３ｃ 配管
６２ ドライエア供給ダクト
６３，９１，９２ 排気ダクト
７０ 上部開閉部材
７５ 外気遮蔽部材
７２ａ， 第１の遮蔽側板
７２ｂ， 第２の遮蔽側板
７２ｃ， 第３の遮蔽側板
７２ｄ， 第４の遮蔽側板
８０ 制御部
排気装置 ９０
１００ 基板処理装置
３００ 搬送駆動部
３１０ 搬送ロボット
ＣＢ１，ＣＢ２，ＣＢ３ バルブ
ＤＦ ドライエア
Ｗ 基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に種々の処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
複数の基板を処理槽に貯留された処理液に浸漬し、洗浄処理を行う基板処理装置がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
特許文献１の基板処理装置においては、処理槽内で基板の表面が薬液および純水により洗浄処理される。洗浄処理の施された基板は処理槽内から引き上げられる。
【０００５】
洗浄処理後の基板に純水が付着していると、基板にパーティクルが付着し易くなる。また、基板に付着した純水が自然乾燥すると、基板にウォーターマークが形成される。したがって、特許文献１の基板処理装置においては、処理槽内から引き上げられた基板にドライエアが供給される。これにより、基板に付着した純水がドライエアにより置換され、基板の表面が乾燥される。
【０００６】
なお、特許文献１において、ドライエアとは極めて露点の低い気体をいい、基板に供給されるドライエアの露点は例えば約−７０℃である。
【特許文献１】特開２００６−３１０７５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
処理槽内から引き上げられる基板の乾燥時には、その基板周辺の雰囲気の露点を十分に管理する必要がある。特に、基板にドライエアを供給する場合には、乾燥効率が低下しないように基板周辺の雰囲気の露点を低い状態に保つことが重要である。
【０００８】
通常、基板に供給されたドライエアは、排気ダクトを通して排気される。しかしながら、基板に供給されたドライエアの一部が、処理槽上を旋回して再度基板の周辺に流れ込むことがある。一旦基板に供給されたドライエアは、基板に付着する純水および処理槽内の純水と接触することにより、露点が上昇した状態となる。そのため、ドライエアが処理槽上を旋回して再度基板の周辺に流れ込むことにより、基板の周辺の雰囲気の露点が上昇し、基板の乾燥効率が低下する。
【０００９】
本発明の目的は、基板の周辺の雰囲気の露点を低い状態に維持することが可能な基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（１）本発明に係る基板処理装置は、基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、処理液を貯留する貯留槽と、貯留槽上の空間を取り囲むように設けられる周壁部と、処理槽内の処理液中と処理槽の上方位置との間で基板を昇降させる基板昇降機構と、周壁部内において、基板昇降機構により処理槽から引き上げられる基板に気体を供給する気体供給部と、気体供給部に対向して配置され、基板に供給された気体を周壁部の外部に排出する第１の気体排出部と、基板に供給された気体を第１の気体排出部よりも高い位置から周壁部の外部に排出する第２の気体排出部とを備えるものである。
【００１１】
この基板処理装置においては、処理槽内の処理液中に基板が浸漬されることにより、基板に所定の処理が施される。次いで、基板昇降機構により基板が処理槽から引き上げられる。このとき、気体供給部により基板に気体が供給され、基板が乾燥される。
【００１２】
気体供給部から基板に供給された気体は、基板供給部に対向して配置された第１の気体排出部に向かって流れる。その気体は、基板の表面に付着する処理液および処理槽内の処理液に接触することにより、露点が高くなる。露点が高くなった気体の大部分は、第１の気体排出部により周壁部の外部に排出される。
【００１３】
露点が高くなった気体の一部は、第１の気体排出部に向かう流れから離脱して上昇する。上昇した気体は、第２の気体排出部により周壁部の外部に排出される。この場合、露点が高くなった気体が周壁部内を旋回して再度基板の周辺に流れ込むことが防止される。したがって、基板の周辺の雰囲気の露点を低い状態で維持することができる。
【００１４】
（２）周壁部の内側で気体供給部による気体の供給路および第１および第２の気体排出部による気体の排出路を除いて貯留槽上の空間を取り囲むように設けられる遮蔽部材をさらに備えてもよい。
【００１５】
この場合、基板の周囲の雰囲気が遮蔽部材により外気から遮断されるので、外気の進入によって基板の周囲の雰囲気の露点が高くなることが防止される。それにより、基板の周囲の雰囲気の露点を低い状態に維持することができる。
【００１６】
また、処理液への接触により露点が高くなった気体の一部が遮蔽部材内で上昇しても、その気体は第２の気体排出部により遮蔽部材の外部に排出される。それにより、露点が高くなった気体が遮蔽部材内を旋回することが防止され、基板の周囲の雰囲気の露点を低い状態に確実に維持することができる。
【００１７】
（３）第２の気体排出部は、第１の気体排出部の上方に設けられる第１の気体排出口を有してもよい。この場合、第１の気体排出部に向かう流れから離脱して上昇した気体を第１の気体排出口を通して効率良く確実に外部に排出することができる。
【００１８】
（４）第２の気体排出部は、気体供給部の上方に設けられる第２の気体排出口を有してもよい。この場合、第１の気体排出部に向かう流れから離脱して上昇した気体を第２の気体排出口を通して効率良く確実に外部に排出することができる。
【００１９】
（５）基板処理装置は、第１の気体排出部による気体の排出量を制御する第１の排出量制御手段をさらに有してもよい。この場合、基板昇降機構によって昇降される基板の位置等に応じて第１の気体排出部による気体の排出量を制御することにより、基板の乾燥効率を向上させることが可能となる。
【００２０】
（６）基板処理装置は、第２の気体排出部による気体の排出量を制御する第２の排出量制御手段をさらに有してもよい。この場合、基板昇降機構によって昇降される基板の位置等に応じて第１の気体排出部による気体の排出量を制御することにより、基板の乾燥効率を向上させることが可能となる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、処理液との接触により露点が高くなった気体が周壁部内を旋回して再度基板の周辺に流れ込むことが防止される。それにより、基板の周辺の雰囲気の露点を低い状態で維持することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について説明する。以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等をいう。
【００２３】
（１）基板処理装置の構成および動作
図１は、第１の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的断面図である。図１に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置１００は、処理槽４、ダクト２０、昇降機構３０、処理液ミキシング装置５０、ドライエア発生装置６０、上部開閉部材７０、外気遮蔽部材７５、制御部８０、排気装置９０、搬送駆動部３００、搬送ロボット３１０および開閉駆動部７００を備える。
【００２４】
ダクト２０は、矩形の筒形状を有し、鉛直方向の軸に沿うように立設されている。ダクト２０の上端開口部には、ヒンジ部７３を介して上部開閉部材７０が開閉自在に取り付けられている。
【００２５】
上部開閉部材７０は矩形の平板形状を有し、開閉駆動部７００により駆動される。この場合、上部開閉部材７０がヒンジ部７３を中心として回動する。それにより、ダクト２０の上端開口部が開放または閉塞する。
【００２６】
ダクト２０の内部には、処理槽４が設けられている。処理槽４は複数の基板Ｗを収容可能な内槽４０および内槽４０の上部外周を取り囲むように設けられた外槽４３により形成されている。内槽４０は略直方体形状を有する。
【００２７】
内槽４０の底部には、内槽４０内に処理液を供給するための処理液供給管４１の一端および内槽４０内の処理液を排出するための処理液排出管４２の一端が接続されている。本実施の形態において、内槽４０内では処理液により基板Ｗの洗浄処理が行われる。洗浄処理時に内槽４０内に供給される処理液は、洗浄液またはリンス液である。
【００２８】
すなわち、内槽４０内に洗浄液を供給し、洗浄液の貯留された内槽４０内に基板Ｗを浸漬することにより、基板Ｗの表面を洗浄する。その後、内槽４０内の洗浄液をリンス液に置換する。
【００２９】
洗浄液としては、ＢＨＦ（バッファードフッ酸）、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸またはアンモニア等の薬液が用いられる。リンス液としては、純水、炭酸水、水素水、電解イオン水等が用いられる。
【００３０】
処理液供給管４１の他端は、処理液ミキシング装置５０に接続されている。処理液ミキシング装置５０には、例えば薬液および純水が供給されている。処理液ミキシング装置５０は、供給される薬液および純水を所定の割合で混合することができる。したがって、処理液ミキシング装置５０は、薬液、純水またはそれらの混合液を処理液またはリンス液として処理液供給管４１を介して内槽４０内に供給する。
【００３１】
外槽４３の底部には、内槽４０の上部から溢れ出し（オーバーフロー）、外槽４３内に流れ込む処理液を排出するための処理液排出管４４の一端が接続されている。
【００３２】
ダクト２０の内部とダクト２０の上方位置との間で上下方向に移動可能な昇降機構３０が設けられている。昇降機構３０は、複数の基板Ｗを保持する保持部３１を内槽４０の内部とその上方位置との間で上下方向に移動させる。これにより、複数の基板Ｗを内槽４０内の処理液中に浸漬し、処理液から引き上げることができる。
【００３３】
ダクト２０の互いに対向する２つの側面のうち一方の側面にはドライエア供給ダクト６２および排気ダクト９１が取り付けられ、他方の側面には排気ダクト６３，９２が取り付けられている。ドライエア供給ダクト６２および排気ダクト６３は処理槽４の上端部近傍においてほぼ同じ高さに配置される。排気ダクト９１，９２は、ドライエア供給ダクト６２および排気ダクト６３の上方でほぼ同じ高さに配置される。
【００３４】
ドライエア供給ダクト６２には複数の通気ガイド６２ａが設けられている。また、排気ダクト６３，９１，９２には複数の通気ガイド６３ａ，９１ａ，９２ａが設けられている。ドライエア供給ダクト６２は配管６１を介してドライエア発生装置６０に接続されている。排気ダクト６３，９１，９２は配管９３ａ，９３ｂ，９３ｃを介して排気装置９０に接続されている。なお、配管９３ａ，９３ｂ，９３ｃには、それぞれバルブＣＢ１，ＣＢ２，ＣＢ３が介挿されている。
【００３５】
ドライエア発生装置６０により発生されたドライエアＤＦが、配管６１を通じてドライエア供給ダクト６２に送られる。それにより、昇降機構３０により内槽４０から引き上げられる基板ＷにドライエアＤＦが吹き付けられ、基板Ｗの乾燥処理が行われる。基板Ｗに吹き付けられたドライエアＤＦおよび基板Ｗ周辺の雰囲気が排気ダクト６３，９１，９２から排気される。
【００３６】
なお、本実施の形態において、ドライエアＤＦとは、極めて露点の低い気体をいう。ドライエア供給ダクト６２からダクト２０内に供給されるドライエアＤＦの露点は、例えば約−７０℃である。
【００３７】
ダクト２０内において、外気遮蔽部材７５がドライエア供給ダクト６２および排気ダクト６３，９１，９２に取り付けられている。外気遮蔽部材７５は、ダクト２０よりも小さい矩形の略筒形状を有する。外気遮蔽部材７５の上端開口部は、ダクト２０の上端開口部と同じ高さに位置し、ダクト２０の上端開口部が上部開閉部材７０により閉塞されると、外気遮蔽部材７５の上端開口部も同様に閉塞される。
【００３８】
ドライエア供給ダクト６２および排気ダクト６３，９１，９２が接続される外気遮蔽部材７５の部分には、それぞれ開口部７５ａ，７５ｂ，７５ｃ，７５ｄが形成されている。外気遮蔽部材７５の構造の詳細は後述する。
【００３９】
外気遮蔽部材７５の上方には、搬送エリアＴＥが設けられている。搬送エリアＴＥには、搬送ロボット３１０が移動可能に設けられている。
【００４０】
搬送ロボット３１０は、アームヒンジ部３１１および２本のアーム３１２を備える。搬送ロボット３１０は、搬送駆動部３００により駆動される。この場合、２本のアーム３１２がアームヒンジ部３１１を中心としてそれぞれ対称な方向に回動し、搬送ロボット３１０の下端部が開閉する。これにより、搬送ロボット３１０は、複数の基板Ｗを保持する保持部３１を２本のアーム３１２の間に挟み込んで保持することができる。また、搬送ロボット３１０は、搬送駆動部３００により駆動されることにより、搬送エリアＴＥ内を移動する。
【００４１】
制御部８０は、昇降機構３０、処理液ミキシング装置５０、ドライエア発生装置６０、排気装置９０、バルブＣＢ１，ＣＢ２，ＣＢ３、搬送駆動部３００および開閉駆動部７００と接続されている。制御部８０がこれらの構成部の動作を制御することにより、複数の基板Ｗを保持する保持部３１の昇降動作、基板Ｗの洗浄処理、基板Ｗの乾燥処理、処理槽４に対する基板Ｗの搬入搬出動作、およびダクト２０の上端開口部の開閉動作が制御される。
【００４２】
また、制御部８０が排気装置９０およびバルブＣＢ１，ＣＢ２，ＣＢ３を制御することにより、排気ダクト６３，９１，９２からの排気量が調整される。また、制御部８０がドライエア発生装置６０を制御することにより、空間ＷＵ内へのドライエアＤＦの供給量が調整される。この場合、空間ＷＵ内の圧力を調整することができる。
【００４３】
（２）外気遮蔽部材７５について
ここで、外気遮蔽部材７５の構造の詳細を説明する。図２は、図１の外気遮蔽部材７５の構造の詳細を説明するための斜視図である。なお、図２では、外気遮蔽部材７５の構造を明確に示すために、図１に示した処理槽４の外槽４３およびダクト２０の図示を省略している。
【００４４】
図２に示すように、外気遮蔽部材７５は、第１の遮蔽側板７２ａ、第２の遮蔽側板７２ｂ、第３の遮蔽側板７２ｃおよび第４の遮蔽側板７２ｄを有する。第１の遮蔽側板７２ａおよび第２の遮蔽側板７２ｂが互いに対向し、第３の遮蔽側板７２ｃおよび第４の遮蔽側板７２ｄが互いに対向している。
【００４５】
第１の遮蔽側板７２ａの開口部７５ａにドライエア供給ダクト６２が接続されており、第１の遮蔽側板７２ａの開口部７５ｃに排気ダクト９１が接続されている。また、第２の遮蔽側板７２ｂの開口部７５ｂに排気ダクト６３が接続されており、第２の遮蔽側板７２ｂの開口部７５ｄに排気ダクト９２が接続されている。これにより、ドライエア供給ダクト６２および排気６３，９１，９２は、外気遮蔽部材７５の内部空間ＷＵに連通する。第３の遮蔽側板７２ｃおよび第４の遮蔽側板７２ｄは、ドライエア供給ダクト６２および排気ダクト６３の下端部とほぼ同じ高さまで下方に延びている。
【００４６】
外気遮蔽部材７５の上端開口部が上部開閉部材７０（図１）により閉塞された場合には、外気遮蔽部材７５内の雰囲気が外部の雰囲気から遮断される。この場合、外気の進入によって基板Ｗ周囲の雰囲気の露点が上昇することが防止される。
【００４７】
特に、空間ＷＵ内へのドライエアＤＦの供給量および空間ＷＵ内の雰囲気の排気量を調整し、空間ＷＵ内を外部に対して陽圧とする場合には、空間ＷＵ内の雰囲気を外気から確実に遮断することで、基板Ｗ周辺の雰囲気の露点を低い状態に維持することができる。
【００４８】
（３）基板処理装置１００の一連の動作
図３〜図５は、図１の基板処理装置１００における一連の動作を示す図である。初めに、図３（ａ）に示すように、外気遮蔽部材７０がダクト２０の上端開口部を閉塞した状態で、内槽４０内には純水ＰＷが貯留されている。
【００４９】
次に、図３（ｂ）に示すように、上部開閉部材７０がヒンジ部７３を中心として回動する（矢印Ａ１）。これにより、ダクト２０の上端開口部が開放される。
【００５０】
そして、複数の基板Ｗを保持する保持部３１を搬送する搬送ロボット３１０が搬送エリアＴＥ内でダクト２０の上方位置に移動する（矢印Ａ２）。
【００５１】
さらに、搬送ロボット３１０は、ダクト２０の上方位置から下降し、複数の基板Ｗを保持する保持部３１をダクト２０内に搬入する（矢印Ａ３）。
【００５２】
続いて、昇降機構３０が、ダクト２０内に搬入された保持部３１を下降させる。これにより、保持部３１により保持された複数の基板Ｗが下降し、内槽４０内に収容される。
【００５３】
搬送ロボット３１０がダクト２０から退避した後、上部開閉部材７０が再びヒンジ部７３を中心として回動する（矢印Ａ４）。これにより、ダクト２０の上端開口部が閉塞される。
【００５４】
処理液ミキシング装置５０は、例えば薬液ＣＬと純水ＰＷとの混合液を洗浄液として内槽４０内に供給する。それにより、複数の基板Ｗが内槽４０内で洗浄液に浸漬され、各基板Ｗの表面が洗浄される。
【００５５】
その後、図４（ｃ）に示すように、処理液ミキシング装置５０（図１）は、純水ＰＷをリンス液として内槽４０内に供給し、内槽４０内の洗浄液を純水ＰＷに置換する。これにより、複数の基板Ｗが内槽４０内で純水ＰＷに浸漬される。これにより、各基板Ｗの洗浄処理が完了する。
【００５６】
次に、図４（ｄ）に示すように、昇降機構３０が、保持部３１を上昇させる。これにより、保持部３１により保持された複数の基板Ｗが上昇する。このとき、ドライエア発生装置６０（図１）がドライエア供給ダクト６２を通して内槽４０から引き上げられる複数の基板ＷにドライエアＤＦを供給する。これにより、各基板Ｗに付着した純水ＰＷがドライエアＤＦにより置換され、各基板Ｗの表面が乾燥される（乾燥処理）。なお、乾燥処理時以外において、ドライエア発生装置６０（図１）は、ダクト２０内へのドライエアＤＦの供給量を低減している（スローリーク）。
【００５７】
ドライエアＤＦの供給時には、排気装置９０が排気ダクト６３，９１，９２を通して外気遮蔽部材７５内の排気を行う。
【００５８】
ここで、ドライエア供給ダクト６２から吹き出されるドライエアＤＦは、排気ダクト６３に向かってほぼ水平方向に流れる。この場合、ドライエアＤＦが基板Ｗの表面に付着する純水ＰＷおよび処理槽４内の純水ＰＷに接触することにより、その露点が高くなる。露点が高くなったドライエアＤＦの大部分は、排気ダクト６３を通して排気される。しかしながら、そのドライエアＤＦの一部は、水平方向の流れから離脱して上昇する。
【００５９】
上昇したドライエアＤＦは、外気遮蔽部材７５内を旋回するような流れを形成する。具体的には、ドライエアＤＦは、外気遮蔽部材７５の第２の遮蔽側板７２ｂの内面、上部開閉部材７０の下面および外気遮蔽部材７５の第１の遮蔽側壁７２ａの内面に沿って再び基板Ｗの周辺に流れ込む（図４（ｄ）の点線矢印参照）。この場合、上昇したドライエアＤＦが再度基板Ｗの周辺に流れ込むと、基板Ｗの周辺の雰囲気の露点が高くなり、基板Ｗの乾燥効率が低下する。
【００６０】
本実施の形態では、上昇したドライエアＤＦが排気ダクト９１，９２を通して排気されるため、高い露点を有するドライエアＤＦが、再度基板Ｗの周辺に流れ込むことが防止される。それにより、基板Ｗの周辺の露点を低い状態で維持することができる。
【００６１】
また、排気ダクト９１，９２が外気遮蔽部材７５の第１の遮蔽側板７２ａおよび第２の遮蔽側板７２ｂに接続されていることにより、第１の遮蔽側板７２ａおよび第２の遮蔽側板７２ｂに沿って流れるドライエアＤＦを確実に排気することができる。
【００６２】
なお、乾燥処理時以外においても、排気ダクト６３，９１，９２を通して外気遮蔽部材７５内の排気を行ってもよい。その場合、排気量を乾燥処理時よりも比較的少なくすることが好ましい。
【００６３】
複数の基板Ｗの内槽４０からの引き上げ時において、処理液ミキシング装置５０（図１）は、少量の純水ＰＷを継続して内槽４０内に供給している。したがって、複数の基板Ｗの内槽４０からの引き上げ時には、内槽４０の上部開口から純水ＰＷが溢れ出している。内槽４０から溢れ出した純水ＰＷは図１の外槽４３へ流れ込み、外槽４３に接続された図１の処理液排出管４４から排出される。
【００６４】
最後に、図５（ｅ）に示すように、上部開閉部材７０がヒンジ部７３を中心として回動する（矢印Ｂ１）。これにより、ダクト２０の上端開口部が開放される。
【００６５】
そして、搬送ロボット３１０が複数の基板Ｗを保持する保持部３１を受け取るとともに上昇し、保持部３１をダクト２０から搬出する（矢印Ｂ２）。その後、搬送ロボット３１０は、ダクト２０の上方位置から移動する（矢印Ｂ３）。
【００６６】
搬送ロボット３１０がダクト２０から退避した後、外気遮蔽部材７０がヒンジ部７３を中心として回動する（矢印Ｂ４）。これにより、ダクト２０の上端開口部が閉塞される。
【００６７】
（４）他の実施の形態
上記実施の形態では、外気遮蔽部材７５の第１および第２の遮蔽側板７２ａ，７２ｂの上部に排気ダクト９１，９２が接続されるが、これに加えて、図２の外気遮蔽部材７５の第３および第４の遮蔽側板７２ｃ，７２ｄの上部に排気ダクト９１，９２と同様の排気ダクトを接続してもよい。この場合、上昇したドライエアＤＦをより確実に排気することができる。そのため、高い露点を有するドライエアＤＦが再度基板Ｗの周辺に流れ込むことを確実に防止することができる。
【００６８】
また、上昇したドライエアＤＦを十分に排気することができるのであれば、排気ダクト９１，９２のいずれか一方のみを設けてもよい。
【００６９】
また、乾燥処理時において、基板Ｗの位置等に応じて排気ダクト６３，９１，９２からの排気量を切替えることにより、ドライエアＤＦの気流を制御してもよい。
【００７０】
図６は、ドライエアＤＦの気流制御の一例を示す図である。図６（ａ）に示すように、基板Ｗを処理槽４から引き上げる際には、排気ダクト６３からの排気量が排気ダクト９１，９２からの排気量よりも多くなるようにバルブＣＢ１，ＣＢ２，ＣＢ３を制御する。この場合、上記実施の形態でも示したように、ドライエア供給ダクト６２から吹き出されるドライエアＤＦが排気ダクト６３に向かってほぼ水平方向に流れる。
【００７１】
基板Ｗを処理槽４から引き上げた後、基板Ｗをダクト２０から搬出するまでの期間には、排気ダクト９２からの排気量が排気ダクト６３，９１からの排気量よりも多くなるようにバルブＣＢ１，ＣＢ２，ＣＢ３を制御する。この場合、図６（ｂ）に示すように、ドライエア供給ダクト６２から吹き出されるドライエアＤＦが排気ダクト９１に向かって斜め上方に流れる。この場合、処理槽４から上方に移動する基板Ｗに対して常時ドライエアＤＦが供給される。それにより、基板Ｗの乾燥効率がより向上する。
【００７２】
ドライエアＤＦの気流の制御方法は上記の例に限定されない。バルブＣＢ１，ＣＢ２，ＣＢ３を任意に制御することにより、ドライエアＤＦの気流を任意に制御することができる。
【００７３】
（５） 請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【００７４】
上記実施の形態では、処理槽４が貯留槽の例であり、ダクト２０が周壁部の例であり、昇降機構３０が基板昇降機構の例であり、ドライエア供給ダクト６２が気体供給部の例であり、排気ダクト６３が第１の気体搬出部の例であり、排気ダクト９１，９２が第２の気体搬出部の例であり、外気遮蔽部材７５が遮蔽部材の例であり、排気ダクト９２が第１の気体排出口の例であり、排気ダクト９１が第２の気体排出口の例であり、バルブＣＢ１および制御部８０が第１の排出量制御手段の例であり、バルブＣＢ２，ＣＢ３および制御部８０が第２の排出量制御手段の例である。
【００７５】
なお、請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明に係る基板処理装置は、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板の製造に有効に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】基板処理装置の構成を示す模式的断面図である。
【図２】外気遮蔽部材の構造の詳細を説明するための斜視図である。
【図３】基板処理装置における一連の動作を示す図である。
【図４】基板処理装置における一連の動作を示す図である。
【図５】基板処理装置における一連の動作を示す図である。
【図６】ドライエアの気流制御の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００７８】
４ 処理槽
２０ ダクト
３０ 昇降機構
６０ ドライエア発生装置
６１，９３ａ，９３ｂ，９３ｃ 配管
６２ ドライエア供給ダクト
６３，９１，９２ 排気ダクト
７０ 上部開閉部材
７５ 外気遮蔽部材
７２ａ， 第１の遮蔽側板
７２ｂ， 第２の遮蔽側板
７２ｃ， 第３の遮蔽側板
７２ｄ， 第４の遮蔽側板
８０ 制御部
排気装置 ９０
１００ 基板処理装置
３００ 搬送駆動部
３１０ 搬送ロボット
ＣＢ１，ＣＢ２，ＣＢ３ バルブ
ＤＦ ドライエア
Ｗ 基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
処理液を貯留する貯留槽と、
前記貯留槽上の空間を取り囲むように設けられる周壁部と、
前記処理槽内の処理液中と前記処理槽の上方位置との間で基板を昇降させる基板昇降機構と、
前記周壁部内において、前記基板昇降機構により前記処理槽から引き上げられる基板に気体を供給する気体供給部と、
前記気体供給部に対向して配置され、基板に供給された気体を前記周壁部の外部に排出する第１の気体排出部と、
基板に供給された気体を前記第１の気体排出部よりも高い位置から前記周壁部の外部に排出する第２の気体排出部とを備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記周壁部の内側で前記気体供給部による気体の供給路および前記第１および第２の気体排出部による気体の排出路を除いて前記貯留槽上の空間を取り囲むように設けられる遮蔽部材をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第２の気体排出部は、前記第１の気体排出部の上方に設けられる第１の気体排出口を有することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第２の気体排出部は、前記気体供給部の上方に設けられる第２の気体排出口を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１の気体排出部による気体の排出量を制御する第１の排出量制御手段をさらに有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第２の気体排出部による気体の排出量を制御する第２の排出量制御手段をさらに有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１】
基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
処理液を貯留する貯留槽と、
前記貯留槽上の空間を取り囲むように設けられる周壁部と、
前記処理槽内の処理液中と前記処理槽の上方位置との間で基板を昇降させる基板昇降機構と、
前記周壁部内において、前記基板昇降機構により前記処理槽から引き上げられる基板に気体を供給する気体供給部と、
前記気体供給部に対向して配置され、基板に供給された気体を前記周壁部の外部に排出する第１の気体排出部と、
基板に供給された気体を前記第１の気体排出部よりも高い位置から前記周壁部の外部に排出する第２の気体排出部とを備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記周壁部の内側で前記気体供給部による気体の供給路および前記第１および第２の気体排出部による気体の排出路を除いて前記貯留槽上の空間を取り囲むように設けられる遮蔽部材をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第２の気体排出部は、前記第１の気体排出部の上方に設けられる第１の気体排出口を有することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第２の気体排出部は、前記気体供給部の上方に設けられる第２の気体排出口を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１の気体排出部による気体の排出量を制御する第１の排出量制御手段をさらに有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第２の気体排出部による気体の排出量を制御する第２の排出量制御手段をさらに有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００８−２５１６５７（Ｐ２００８−２５１６５７Ａ）
【公開日】平成２０年１０月１６日（２００８．１０．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−８８３８６（Ｐ２００７−８８３８６）
【出願日】平成１９年３月２９日（２００７．３．２９）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１０月１６日（２００８．１０．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年３月２９日（２００７．３．２９）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
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