【課題】高スループットを実現することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の基板処理装置は、基板Ｗを研磨する研磨部３と、基板Ｗを搬送する搬送機構５，６と、研磨された基板Ｗを洗浄し乾燥する洗浄部４とを備えている。洗浄部４は、複数の基板を洗浄するための複数の洗浄ラインを有する。この洗浄ラインは、複数の洗浄モジュール２０１Ａ，２０１Ｂ，２０２Ａ，２０２Ｂを備えており、基板は複数の搬送ロボット２０９，２１０によって搬送される。 （もっと読む）

【課題】縦向きの半導体基板を処理するモジュール式半導体基板洗浄システムを提供する。
【解決手段】このシステム１１は、メガソニックタンク式洗浄機１５および後続のスクラバ１７，１９を含むことができる複数の洗浄モジュールを特徴としている。入力モジュール１３は、横向きの基板を受け取って縦向きに回転させ、出力モジュール２３は、縦向きの基板を受け取って横向きに回転させる。各モジュール（入力、洗浄および出力）は、基板支持体２５を有し、隣接するモジュールの基板支持体が等間隔で離間するように配置されている。これらのモジュールは、複数の基板ハンドラ３３を有するオーバヘッド搬送機構３１によって連結されている。これらの基板ハンドラは、その下方にあるモジュールの基板支持体と同じ距離（Ｘ）で離間されている。 （もっと読む）

【課題】少なくとも基板端面に付着した付着物をスポンジ状ブラシにより効果的に除去することができる基板洗浄装置を提供すること。
【解決手段】基板洗浄装置１は、基板Ｗを回転可能に保持するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持されている基板Ｗを回転するモーター４と、スピンチャック３に保持されている基板Ｗに洗浄液を供給する洗浄液供給機構１０と、洗浄時に基板Ｗの少なくとも端面に当接される、スポンジ状樹脂からなるブラシ２１と、ブラシ２１を圧縮するブラシ圧縮機構２３ａ，２３ｂ，２４と、ブラシ圧縮機構２３ａ，２３ｂ，２４によるブラシ２１の圧縮力を変化させてブラシ２１による洗浄を制御する制御部３０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】表面に施されたパターニングを剥がすことなく、裏面に付着したポリマーやパーティクルを確実に除去したり、それぞれの面に応じた押圧力でそれぞれの面に付着したパーティクルを確実に除去したりすること。
【解決手段】処理装置は、被処理体を保持する保持部１と、保持部１によって保持された被処理体Ｗを回転させる回転駆動部６０と、被処理体Ｗの周縁部の一方の面に当接して洗浄する第一洗浄機構３０と、被処理体Ｗの周縁部の他方の面に当接して洗浄する第二洗浄機構４０と、を備えている。処理装置は、第一洗浄機構３０から周縁部の一方の面に加わる押圧力を調整する第一調整機構１０と、第二洗浄機構４０から周縁部の他方の面に加わる押圧力を調整する第二調整機構２１，２５と、をさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】
本発明は擦動部材による基板の洗浄をより効率的かつ高精度に行うことができる基板洗浄装置及び、基板洗浄方法を提供する。また、本発明は擦動部材の高密度なセルフクリーニングが可能な基板洗浄装置及び、基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】
本発明は、基板搬送手段により搬送される基板面を洗浄するために、前記基板面に接触し擦動部材が回転する擦動部材ユニットと、前記擦動部材の洗浄する洗浄液の受皿となる洗浄液受皿と、前記洗浄液受皿を移動させて前記擦動部材に接触させる洗浄液受皿駆動部を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法において、簡便な手法で半導体基板の端面と裏面側の周縁部とをクリーニングすること。
【解決手段】シリコン基板５０の縁部を保持する工程と、シリコン基板５０の裏面Aの周縁部Rにブラシ１２を摺接させることにより、シリコン基板５０の裏面Aに付着している堆積物を除去する工程とを有し、上記の堆積物を除去する工程において、ブラシ１２の一部をシリコン基板５０の裏面Aからはみ出させる半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】ブラシの寿命を長くした洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを保持する保持機構１０と、基板Ｗを洗浄可能な洗浄ブラシ２１とを備え、保持機構１０に保持された基板Ｗに洗浄ブラシ２１を当接させながら相対回転させて基板Ｗを洗浄するように構成された洗浄装置１において、洗浄ブラシ２１を洗浄するブラシ洗浄器５０を有し、このブラシ洗浄器５０は、洗浄ブラシ２１の表面電位を変化させて、洗浄ブラシ２１の表面電位および当該洗浄ブラシ２１に付着した異物の表面電位を互いに正負が同じ表面電位にすることにより、洗浄ブラシ２１から異物を分離して除去するようになっている。 （もっと読む）

【課題】研削後のウェーハの保護フィルムを洗浄する洗浄ユニットと、搬送ユニットの吸引部を洗浄する他の洗浄ユニットとを備えた比較的小型のクリーニング装置を提供する。
【解決手段】搬送ユニット（３５）の吸引部（３６）によりウェーハ（２０）の裏面（２２）が吸引されるときに、ウェーハの表面（２１）に貼付けられた保護フィルム（３）を洗浄する第一洗浄手段（５０）と、ウェーハを吸引していないときの搬送ユニットの吸引部を洗浄する第二洗浄手段（６０）と、第一洗浄手段を第二洗浄手段に対して相対的に昇降させる昇降手段（４６）とを具備するクリーニング装置（４０）が提供される。第一洗浄手段の第一洗浄部材（５５）はスポンジまたはブラシであり、第二洗浄手段の第二洗浄部材（６５）は砥石であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】低起泡性で泡切れ性にも優れ、かつ優れたパーティクルの除去性及びリンス性を実現する電子材料用洗浄剤を提供する。
【解決手段】式（１）で表されるアニオン性界面活性剤を含有する電子材料用洗浄剤で、０．２重量％水溶液の２０℃におけるロス・マイルス試験による起泡力が５０ｍｍ以下で、泡の安定度が５ｍｍ以下である電子材料用洗浄剤。


［Ｒ¹及びＲ²は炭素数１〜６のアルキル基で、Ｒ¹とＲ²の炭素数の合計は２〜７；Ｒ³は炭素数１〜３のアルキレン基；Ｒ⁴は炭素数２〜４のアルキレン基；Ｘ^-は−ＣＯＯ^-、−ＯＣＨ₂ＣＯＯ^-、−ＯＳＯ₃^-、−ＳＯ₃^-又は−ＯＰＯ₂（ＯＲ⁵）^-であって、Ｒ⁵は水素原子又はＲ¹（Ｃ＝Ｏ）_a−Ｎ（Ｒ²）−Ｒ³−（ＯＲ⁴）^b−で表される基；Ｍ⁺はカチオン；ａは０又は１；ｂは平均値であって０〜１０を表す。］ （もっと読む）

【課題】基板の表面に液体が付着することを防止しつつ基板の裏面を十分に洗浄することが可能な基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗの裏面洗浄処理時には、スピンチャック６００により基板Ｗが回転するとともに、気体供給管４２０を通して遮断板５２５と基板Ｗとの間にＮ_２ガスが供給される。その状態で、洗浄ブラシ６３０がモータ６３５によって回転しながら基板Ｗの裏面に接触する。基板Ｗと洗浄ブラシ６３０との接触部分には、洗浄ノズル６３３から純水が供給される。これにより、基板Ｗの裏面の全体が洗浄ブラシ６３０により洗浄され、基板Ｗの裏面に付着する汚染物が取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、半導体デバイス表面、特に、表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面に存在する有機物汚染、パーティクル汚染を、銅配線の腐蝕を引き起こすことなく、短時間で除去することができ、基板表面を高清浄化しうる洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造工程において、表面に銅配線を有する半導体デバイスの化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、式（1）：ＨＯＯＣ−Ｒ_１−Ｃ（Ｒ_２）＝Ｃ（Ｒ_３）ＣＯＯＨ（式中Ｒ_１は単結合またはアルキレン基を表し、Ｒ_２、Ｒ_３はそれぞれ独立に、水素原子または有機基を表し、−Ｒ_１ＣＯＯＨ基と−ＣＯＯＨ基は二重結合に対してシスの配置を有する）であることを特徴とするポリカルボン酸化合物と、キレート剤と、アニオン系界面活性剤とを含むこと洗浄剤である。 （もっと読む）

【課題】１３０ｎｍ、９０ｎｍおよび６５ｎｍテクニカル・ノードのプロセス等に適用されるＣｕ-ＣＭＰ工程においては、Ｃｕ配線の腐食を防止する目的で防食剤を添加したスラリが主流となっている。ところが、防食剤を添加したスラリを用いたＣｕ-ＣＭＰ工程について、本願発明者らが検討したところによると、防食剤はＣｕと錯体を形成する場合が多く、異物としてウェハ上に多量に残留し歩留の低下や、Ｃｕ配線におけるＴＤＤＢ特性といった信頼度を劣化させる要因となることが明らかとなった。
【解決手段】本願発明は、ポストＣＭＰ洗浄において、ウエハのデバイス面をほぼ水平上向きで、当該面に薬液又は純水等の洗浄液体を供給するとともに、ウエハを水平面内で、ほぼその中心の周りで自転させながらウエット洗浄するときに、その自転速度をデバイス面上における洗浄液体の厚さがほぼ均一になる程度に低速にするものである。 （もっと読む）

【課題】ウエハの周縁部に付着している汚染物質を確実に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハＷを保持して回転させるスピンチャックと、ウエハＷの周縁部を洗浄するためのブラシ１８と、このブラシ１８を回転させるブラシ自転機構とを備えている。ブラシ１８は、ブラシ自転機構により回転させられながらウエハＷの周縁部に当接される。ウエハＷは、回転中のブラシ１８が当接された状態で、その回転方向が時計回りおよび反時計回りに交互に切り換えられる。これにより、ウエハＷの周縁部に付着している汚染物質に互いに逆方向となる二方向の力が与えられるので、当該汚染物質を当該周縁部から確実に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部から汚染物質を良好に除去することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）製のスポンジブラシ１６を備えている。スポンジブラシ１６の外表面を含む範囲には、多数の砥粒が保持されている。基板処理装置１は、スピンチャック３により回転されるウエハＷの周縁部にスポンジブラシ１６を当接させることにより当該周縁部を洗浄することができる。スポンジブラシ１６は、ウエハＷの周縁部に強固に付着した汚染物資を砥粒によって剥離させることにより、ウエハＷの周縁部から当該汚染物質を良好に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部から汚染物質を良好に除去することができ、処理時間を短縮することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、互いに硬さの異なる第１ブラシ１７および第２ブラシ１８を備えている。基板処理装置１は、スピンチャック３により回転されるウエハＷの周縁部に第１および第２ブラシ１７，１８を当接させることにより当該周縁部を洗浄することができる。硬質の第１ブラシ１７は、ウエハＷの周縁部に強固に付着した汚染物資を比較的短時間で良好に剥離させて除去することができる。また、軟質の第２ブラシ１８は、弾性変形することによりウエハＷの周縁部に密着され、第１ブラシ１７によって除去できない細かな汚染物質を良好に除去することできる。 （もっと読む）

【課題】 酸化セリウムが表面に付着した被洗浄物に対し、酸化セリウムをセリウムイオンとして溶解させて洗浄除去することが可能な洗浄液及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る洗浄液は、酸化セリウムを除去する洗浄液であって、フッ化水素と、塩酸、硝酸、硫酸、酢酸、リン酸、ヨウ素酸及び臭化水素酸からなる群より選択される少なくとも何れか１種の酸と、水とが含み構成され、前記酸化セリウムをセリウムイオンとして溶解させて除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の端部の必要な部分を効果的に清浄にすることが可能な基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置を提供することである。
【解決手段】洗浄ブラシ５３１は、鉛直方向に延びるブラシ軸５４０を有する。ブラシ軸５４０の外周面を覆うように円筒状の緩衝部材５４２が取り付けられ、緩衝部材５４２の外周面を覆うように円筒状の洗浄部材５４３が取り付けられている。緩衝部材５４２および洗浄部材５４３の下端部はブラシプレート５４１に固定されている。ブラシプレート５４１上における洗浄部材５４３の外側の領域には、環状の洗浄部材５４４が取り付けられている。本実施の形態では、洗浄部材５４３として比較的硬質で柔軟性が低い材料が用いられ、緩衝部材５４２および洗浄部材５４４として比較的軟質で柔軟性が高い材料が用いられる。 （もっと読む）

【課題】装置構成を簡略化しつつ、洗浄性能を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを水平姿勢で保持する基板保持部１と、基板Ｗに接触して基板Ｗを洗浄する洗浄ブラシ７と、洗浄ブラシ７の側方に設けられ、処理液の液滴をキャリアガスとともに基板に噴射して基板を洗浄する二流体ノズル９と、洗浄ブラシ７と二流体ノズル９とを保持する保持アーム５と、この保持アーム５に連結して設けられ、基板Ｗ面に沿って洗浄ブラシ７と二流体ノズル９とを移動させる単一のアーム移動機構と、を備えている。このように構成される基板処理装置によれば、洗浄ブラシ７と二流体ノズル９を移動させる単一のアーム移動機構を備えているので、装置構成を簡略化しつつ、洗浄性能が一層向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板洗浄装置において基板の生産性を向上させること。
【解決手段】基板洗浄装置２は、洗浄部材５０により基板６を洗浄する位置から離れて設けられ、その下面がブラシ部と接触して当該ブラシ部を洗浄する洗浄面として形成されたブラシ洗浄体５と、洗浄部材を、基板を洗浄する領域とブラシ洗浄体によりブラシ部が洗浄される領域との間で移動させる移動手段と、ブラシ洗浄体の下面に洗浄部材のブラシ部を押し当て、ブラシ洗浄体と洗浄部材とを相対的に回転させるための手段と、ブラシ洗浄体とブラシ部材とを相対的に回転させているときにブラシ洗浄体の下面とブラシ部との間に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】特に表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面に存在する有機物汚染やパーティクル汚染を銅配線の腐蝕を引き起こすことなく効果的に除去しうる洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造工程において、表面に銅配線を有する半導体デバイスの化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、下記一般式（Ｉ）〜一般式（ＩＶ）から選ばれる少なくとも１種のアミノポリカルボン酸を含有することを特徴とする洗浄剤、及びこれを用いた洗浄方法。
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