【課題】ブラシの回転により残渣を除去する方法において、柔らかい材質で構成されたブラシ用いて残渣を十分に除去できる残渣除去装置及び残渣除去方法を提供する。
【解決手段】基板に残存した異方性導電膜の残渣を除去する残渣除去装置であって、残渣に当接して所定の駆動力を受けて回転し、残渣に当接する部分が植物樹脂で構成されるブラシと、残渣を除去するための圧力を、ブラシと残渣との当接部分に加える加圧手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】一対の回転ブラシを用いた枚葉式洗浄方法において、半導体用基板の表面について洗浄能力を高めるとともに、半導体用基板の回転駆動手段を省略できるようにする。
【解決手段】半導体用基板１をローラ４により回転自在に支持すると共に、半導体用基板１の表裏面に半導体用基板１の半径範囲に渡って各回転ブラシ２、３を接触させ、同一周速度で互いに逆方向に回転する前記２つの回転ブラシ２、３によって半導体用基板１を回転駆動する枚葉式ブラシ洗浄方法において、半導体用基板１の表面側の回転ブラシ２の周速度に対し、半導体用基板１の裏面側の回転ブラシ３の周速度を低下させ、半導体用基板１に与える総合的回転駆動力を低減させて、半導体用基板１を低速回転させ、半導体用基板１の表面に接触する回転ブラシ２と半導体用基板１の表面との間の周速度差を増大させて、半導体用基板１の表面の洗浄能力を上げ、高清浄度の洗浄を行うようにしている。 （もっと読む）

【課題】
ディスクなどの基板を洗浄する装置において、洗浄に要する純水の量を少なくし、且つ、装置を小型化して装置全体の床面積を小さくする。
【解決手段】
基板の両面に純水を供給しながらブラシを回転させて基板の両面をこすって洗浄するスクラブ洗浄ユニットと、スクラブ洗浄処理ユニットで洗浄処理された基板の表面を純水で洗浄するリンスユニットと、リンスユニットで洗浄処理された基板の表面を乾燥させる乾燥ユニットとを備えた洗浄装置において、スクラブ洗浄ユニットは、基板の両面に供給する純水に超音波を印加する超音波印加手段を有し、この超音波印加手段で超音波を印加した純水を基板の両面に供給しながらブラシを回転させて基板の両面をこすって洗浄するようにした。 （もっと読む）

【課題】基板を清浄な状態で露光装置に搬入することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにより裏面洗浄された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１２により保持されて冷却ユニットＣＰに搬送される。冷却ユニットＣＰにより温度調整された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１により保持されて露光装置に搬送される。露光装置により露光処理された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１３により保持されて露光装置から基板載置部ＰＡＳＳ９に搬送される。 （もっと読む）

【課題】配線基板の外部端子取り付け面にストレスを与えずに一括封止後の配線基板を分割する。
【解決手段】主面に複数のデバイス領域が形成された多数個取り基板７を準備し、前記複数のデバイス領域それぞれに半導体チップを固定し、前記半導体チップ固定後、前記複数の半導体チップを一括で樹脂封止して一括封止部８を形成し、一括封止部８および多数個取り基板７をダイシングにより前記デバイス領域ごとに分割し、前記分割後、ブラシによってそれぞれの封止部の表面を擦り、その後、各半導体装置を一旦トレイのポケットに収納し、さらに、前記トレイから各半導体装置を個片搬送することにより、一括封止後の基板分割時に一括封止部８の表面を真空吸着してダイシングすることにより、多数個取り基板７の外部端子取り付け面にストレスを与えずに分割することができる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、ＣＭＰブラシであって、ブラシの内側領域の中央ノジュールおよびブラシの端領域の１つまたは複数のエッジノジュールの組合せを有する、ＣＭＰブラシを含み、中央ノジュールおよびエッジノジュールは、互いに千鳥状または整合した配置構成にあり、ブラシ上の各エッジノジュールの上側表面は、中央ノジュールの上側表面と同じかまたはそれより大きい接触エリアを有する。各エッジノジュールの上側表面と基板エッジ領域との接触エリアは、中央ノジュールの上側表面と基板中央領域との接触エリアと同じかまたはそれより大きい。
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【課題】汚染物質の粒子の除去効率に優れ、洗浄による基板へのダメージも少ない洗浄方法の提供。
【解決手段】汚染物質の粒子の除去のために基板を洗浄液で洗浄する方法であって、前記洗浄液として、電気陰性度が前記汚染物質よりも大きく、分子容積が１３０Å^３以下である鎖状のハイドロフルオロカーボンおよびハイドロフルオロエーテルから選ばれる溶剤を用いることを特徴とする洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板の表面から金属キャッピング層の腐食生成物を洗浄するための方法およびシステムが提供されている。一実施形態によると、処理溶液は、界面活性剤、錯化剤、および、ｐＨ調整剤を含む。界面活性剤は、ウエハ表面を湿潤を改善し、キャッピング層のさらなる腐食を抑制するよう構成される。錯化剤は、基板表面から脱着した金属イオンと結合するよう構成される。ｐＨ調整剤は、基板表面からの腐食生成物の脱着を促進するために、ｐＨを所望のレベルに調整するよう構成される。 （もっと読む）

【解決手段】統合された無電解堆積プロセスを含むプロセスを通して基板を処理する方法およびシステムは、堆積溶液を用いて基板の導電性フィーチャの上に層を堆積させるように、無電解堆積モジュールにおいて基板の表面を処理することを含む。その後、基板表面は、無電解堆積モジュールにおいて洗浄液で洗浄される。この洗浄は、表面の脱湿を防いで、洗浄液から形成される転移膜によって基板表面が被覆されたままとなるように、調節される。基板は、その基板表面に転移膜を保持したまま、無電解堆積モジュールから取り出される。基板表面の転移膜によって基板表面の乾燥を防ぐことで、ウェットな状態で取り出しが行われる。無電解堆積モジュールから取り出された基板は、その基板表面に転移膜を保持したまま、堆積後モジュールの中に移される。 （もっと読む）

【課題】搬送レシピ設定を簡略化することができ、最適な搬送ルートで被処理基板を搬送することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】フープに対するウエハの搬入出を行う搬入出用搬送機構を有する搬入出部と、ウエハに対して所定の処理を行う複数の処理ユニットを有し、これら処理ユニットに対するウエハの搬送を行う主搬送機構を有する処理部と、搬入出部と処理部との間でウエハの受け渡しを行う複数の受け渡しユニットと、搬入出用搬送機構および主搬送機構によるウエハの搬送フローを制御する搬送フロー制御部と、搬入用および搬出用のフープの選択ならびに使用する処理ユニットの選択を行う選択部と、選択部で選択された搬入用および搬出用のフープならびに処理ユニットに応じて、使用する受け渡しユニットを自動的に選択し、ウエハの搬送ルートを自動的に生成する搬送レシピ作成部とを具備する。 （もっと読む）

ブラシボックス内に配置された円柱状ローラの処理表面をコンディショニングするための方法および装置を記載する。一実施形態では、ブラシボックスを記載する。ブラシボックスは、内部容積を有するタンクと、内部容積内に少なくとも部分的に配置された１対の円柱状ローラであって、円柱状ローラの各々が、それぞれの軸の周りを回転可能である、１対の円柱状ローラと、円柱状ローラが近接している第１の位置と円柱状ローラが互いに間隔を空けて離れている第２の位置との間でそれぞれの円柱状ローラを移動させるために円柱状ローラの各々に連結されたアクチュエータアセンブリと、円柱状ローラの各々のためのコンディショニング装置であって、各コンディショニング装置が内部容積内に配置されたコンディショナを含み、ローラが第２の位置にあるときに、コンディショナが円柱状ローラの各々の外側表面と接触する、コンディショニング装置とを含む。
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【課題】 本発明は、研磨工程由来の有機残渣除去性能、銅配線の腐食抑制効果（銅腐食抑制効果）に優れ、かつ腐食防止剤が残留しない銅配線半導体用洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 有機アミン、４級アンモニウム化合物、ウレア基またはチオウレア基を含有する化合物、および水を必須成分とし、ｐＨが７〜１２であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤である。 （もっと読む）

本明細書で説明される諸実施形態は、ブラシ洗浄モジュールに利用できるローラアセンブリに関する装置および方法に関する。一実施形態では、ローラアセンブリが説明される。このローラアセンブリは、基板の周辺部に沿って基板の主要面と接触するように適合された少なくとも２つのほぼ平行に対向する側壁を有する環状溝を含み、対向する側壁のそれぞれは、基板の周辺部の厚さ未満の予圧寸法を有する圧縮性材料を含む。
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【課題】基板処理装置の高さが増大することを抑制しつつ、飛散した処理液を好適に回収することができる基板処理装置、および、カップ外に処理液が漏れることを好適に防止できるカバー部材を提供する。
【解決手段】基板を保持する基板保持部１１と、上部に開口Ａを有する略筒形状を呈して基板保持部１１の周囲を囲むカップ１２と、カップ１２の外側に設けられるカバー本体４１と、を備え、前記開口Ａの縁部は、高さ位置が比較的低い第１縁部ＥＬと高さ位置が比較的高い第２縁部ＥＨとを有する。カバー本体４１は、第２縁部ＥＨの高さ位置より低い範囲で前記第１縁部ＥＬの上方を覆う。これにより、処理液が第１縁部ＥＬの上方からカップの外側に漏れることを防止できる。第１縁部の上端は依然として第２縁部より低いので、基板処理装置の高さが増大することを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化セリウム等の研磨材に由来する微粒子汚れに対する洗浄性に優れる洗浄剤組成物、およびガラス製ハードディスク基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】酸化セリウムを含む研磨材で研磨したガラス製ハードディスク基板の洗浄に用いる洗浄剤組成物において、（Ａ）成分：ホスホン酸系キレート剤を１〜５０質量％、（Ｂ）成分：ヒドロキシカルボン酸および／またはその塩を１〜２０質量％含有し、かつ、前記（Ａ）成分と（Ｂ）成分の質量比が、（Ａ）成分／（Ｂ）成分＝５０／５０〜９０／１０であり、界面活性剤の含有量が１質量％未満であり、純水で２質量％に希釈した希釈液の２５℃におけるｐＨが５．０以下であることを特徴とする洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板よりも外形が大きい支持基板に、光熱変換層と接着剤層を介して被処理基板を貼り合わせ、この貼り合せた面とは反対側の被処理基板の面を処理しても、被処理基板の処理面に外観不良が発生することを防ぐ。
【解決手段】 被処理基板３の一方の面に接着剤層４を形成し、被処理基板の表面よりも外形が大きい表面を有する支持基板１の一方の面に、光熱変換層２を形成し、この被処理基板３を光熱変換層２の表面上に接着剤層４を介して接着して積層体を得る。この積層体をスピンコーター装置のチャンバー８内のスピンチャック９上に載せ、光熱変換層２のうち、被処理基板から露出する部分２ａを、アルカリ性水溶液１１で除去した後、高圧洗浄用ノズル１２で洗浄する。その後、被処理基板３の表面を研削や湿式処理などの処理をして、半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】既存のＣＭＰ装置等で広く採用されているスピン乾燥に対応させて、乾燥用溶剤としてＨＦＥを使用した乾燥を実現できるようにする。
【解決手段】液体が付着した基板Ｗの表面を乾燥させる基板乾燥方法であって、基板Ｗを回転させながら、１２０〜１６０℃に加温され、かつ０．５〜１．０ＭＰａに加圧されたハイドロフルオロエーテルと水溶性アルコールとの混合蒸気２２を基板Ｗの表面に吹付けて基板Ｗの表面の液体を除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハに対してレジスト膜を形成し、露光後のウエハに対して現像を行う、塗布、現像装置において、例えばレジスト膜形成前のウエハに対して疎水化流体により疎水化処理を行うことによりウエハの裏面の周縁部が疎水化状態になる。このウエハの裏面を洗浄液とブラシとを用いて洗浄するとブラシが削れてウエハの裏面が汚染され、露光に不具合が生じる。そこでウエハの裏面を良好に行える手法を提供する。
【解決手段】露光前のウエハＷを水平保持し、鉛直軸周りに回転させるスピンチャック１０と、回転するウエハＷの裏面５１を、自転しながら洗浄する洗浄ブラシ３０と、洗浄時にウエハＷの裏面５１に洗浄液Ｓを供給する洗浄液ノズル１５と、を用い、少なくともウエハＷの周縁部５２を洗浄するときに、ウエハＷの回転数８０ｒｐｍ以下となるように制御する。 （もっと読む）

【課題】 研磨工程由来の有機残渣除去性能と銅の腐食抑制効果に優れ、かつ腐食防止剤が残留しない銅配線半導体用洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 鎖状アミン(Ａ)、水酸基を２〜５個含むポリフェノール系還元剤（Ｂ）、アスコルビン酸および水を必須成分とすることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】この発明は半導体ウエハの上面と下面とを同時に、しかも確実に洗浄することができる基板の処理装置を提供することにある。
【解決手段】一側面に出し入れ口２が形成された処理槽１と、この処理槽内の上記出し入れ口と対向する位置に設けられ処理槽内に搬入された半導体ウエハ１０の搬入方向と交差する径方向の両端部を保持してこの半導体ウエハを回転駆動する保持駆動手段８と、保持駆動手段に保持された半導体ウエハに処理液を供給する洗浄ノズル１２４，１２５と、処理槽内の上記保持駆動手段よりも内方に設けられ先端部に上記半導体ウエハの板面を洗浄する洗浄ブラシ７１，１２２を有するアーム６３，１２１およびこのアームを上下方向に駆動するとともに洗浄ブラシが半導体ウエハの径方向に沿って移動するよう上記アームを揺動駆動する駆動手段を有するツールユニット６１，６２とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）