【課題】稼動中に装置が使用する電力、エア、純水の消費量を、待機中のとき大幅削減し、且つ、再稼動において、直ちに洗浄を開始することができる液晶枚葉洗浄装置を提供する。
【解決手段】搬送手段１５を具備するロードバッファ部１０とアンロードバッファ部５０と、ブラシ洗浄手段２５を具備するロールブラシ部２０と、バブルジェット手段３５を具備するバブルジェットアクアナイフ部３０と、エア噴射手段４５を具備するエアナイフ部４０と、純水供給制御手段６４を具備する純水供給部６０と、装置コントロール手段７５を具備する装置制御部７０とを有し、装置コントロール手段７５は、待機のとき、待機信号により純水供給機能以外の全ての機能を停止させ、純水供給制御手段６４は、待機信号を受けて純水供給手段６２の純水の供給を制御する。 （もっと読む）

【課題】第１ロール及び第２ロールが基板に接触する位置を正確に検知し、第１ロール及び第２ロールの押し付け量を適正に設置できる基板処理装置のロール間隙調整方法を提供すること。
【解決手段】基板治具５０と、第１ロール治具４０−１と、第２ロール治具４０−２を用意し、基板治具５０の外周部をコマ１２の円周溝１２ａに挿入して支持し、基板治具５０の裏面と第２ロール治具４０−２の間の間隙が所定値になるように調整して位置決めし、該位置決めして第２ロール治具４０−２に第１ロール治具４０−１を対向させ、第２ロール治具と該第１ロール治具の間の間隙が所定値になるよう調整して位置決めし、しかる後、第１ロール治具４０−１を保持する第１ロール回転機構１７に第１ロールを、第２ロール治具４０−２を保持する第２ロール回転機構１８に第２ロールを保持させる。 （もっと読む）

【課題】コロイダルシリカを研磨材として用いたとしても洗浄性に優れ、砥粒や研磨カスを十分に除去できる電子デバイス基板用洗浄剤組成物、および電子デバイス基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）成分：アルカリ金属の水酸化物を０．０１〜５．００質量％、（Ｂ）成分：ヒドロキシカルボン酸および／またはその塩を０．１０〜１０．００質量％含有し、界面活性剤の含有量が１．００質量％未満であることを特徴する電子デバイス基板用洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの裏面研削時に吸着パッドに詰まったスラッジを確実に排出する。
【解決手段】被加工物を吸着する吸着パッド（５１ａ）を洗浄する吸着パッド洗浄装置（３０）が、吸着パッドの内部から吸着パッドの吸着面（５２ａ）に向かって洗浄流体を供給する洗浄流体供給手段（５８）と、吸着パッドの吸着面を研削する研削砥石（３１）と、前記吸着パッドの吸着面からスラッジを前記吸着パッドの外部に吸引する吸引手段（３９）とを具備する。研削砥石の研削面には凹部が形成されており、吸引手段は該凹部を通じてスラッジを吸引するのが好ましい。あるいは、吸引手段は研削砥石の研削面に隣接して配置されており、吸引手段は研削砥石の外周部付近からスラッジを吸引するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】基板洗浄プロセスにおける金属汚染物質を除去する方法を提供する。
【解決手段】ウェット・センド・インデクサ・ステーション１１０では、基板の表面状態が、疎水性から親水性に変化させられる。このプロセス・ステップにおいて表面金属汚染の増加なしに基板の表面状態を変化させるよう、本発明を使用する。これを行うには、クエン酸・過酸化水素溶液に基板を浸漬させる。前記溶液のｐＨレベルは、水酸化アンモニウムとコリンおよびテトラメチル水酸化アンモニウムから選択された塩基混合物の添加により約６．５ないし１４に調整される。両面ブラシスクラバに関して説明される。 （もっと読む）

【課題】基板を良好に洗浄することができる基板洗浄ブラシ及び同基板洗浄ブラシを用いた基板処理装置並びに基板洗浄方法を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板洗浄ブラシ（３２）を用いて基板（２）の洗浄を行う基板処理装置（１）において、基板洗浄ブラシ（３２）は、弾性を有するブラシベース部（３３）と、ブラシベース部（３３）の表面に形成した疎水性を有するベース表層部（３４）と、ベース表層部（３４）に間隔をあけて植毛した洗浄刷毛部（３５）とを有することにした。また、前記ブラシベース部（３３）を吸水素材で形成するとともに、前記ブラシベース部（３３）に洗浄液を供給する洗浄液供給手段（３９）を設けることにした。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面に洗浄液を供給しながら当該表面をブラシを用いて洗浄する際に、基板表面にスクラッチが形成されてしまうことを防止しつつ、基板上の異物を十分に除去できるようにする。
【解決手段】半導体基板１００の表面に洗浄液４０２を供給しながら当該表面をブラシ３００を用いて洗浄する際に、半導体基板１００の表面におけるブラシ３００と最初に接触する箇所に予め洗浄液４０２を供給しておく。 （もっと読む）

【課題】保持ローラから異物が移って基板が汚染されることを抑制または防止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、ほぼ円形の基板Ｗの周端面にその外周面を当接させることにより当該基板Ｗを挟持して保持する複数の保持ローラ２と、複数の保持ローラ２を回転させることによって、当該保持ローラ２に保持された基板Ｗを回転させる基板回転機構１５と、保持ローラ２を洗浄するためのローラ洗浄ブラシ４９と、複数の保持ローラ６に保持された基板Ｗの周縁部に複数の保持ローラ６とは異なる位置で当接し、当該基板Ｗの周縁部を洗浄するための周縁洗浄ブラシ３９とを含む。 （もっと読む）

【課題】
半導体基板やガラス基板の洗浄液やエッチング液として、アンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウムおよび水酸化ナトリウムなどの水溶液が用いられるが、アルカリ成分中の金属不純物が処理中に基板表面に吸着してしまうため、次工程として吸着した金属不純物を除去する工程が必要となる。また洗浄液の場合には、微粒子の除去には効果があるが、金属不純物は洗浄出来ないために酸洗浄を行う必要があり、工程が複雑となる。本発明では、アルカリ性水溶液で金属不純物の吸着がない、さらには洗浄能力を持つ基板処理用水溶液組成物を提供する。
【解決手段】
アルカリ成分と、特定のキレート剤とを組み合わせた基板処理用アルカリ性水溶液により、金属不純物の基板への吸着を防止し、さらには基板に付着した金属を洗浄除去する。必要に応じて、金属防食剤および界面活性剤を加えて、金属材料の腐食を抑え、あるいは基板への親和性および微粒子除去能力を高めることも可能である。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、半導体デバイス表面、特に、表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面を、銅配線の腐食を引き起こすことなく、有機物汚染、パーティクル汚染を、短時間で除去することができ、基板表面を高清浄化しうる洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面に銅配線が施された半導体デバイスの製造工程における化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、特定のトリアゾール化合物またはテトラゾール化合物を腐食防止剤化合物として含有する半導体基板表面用洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】ウエハを回転させて、遠心力によりウエハ上の水分を除去する構成において、ウエハ上の水分に対して、ウエハ外へ運ぶ力を均一に作用させる。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造装置１は、ウエハ８を保持する第１の回転部材３を第１の軸２を回転中心として回転可能に設け、第１の回転部材３を回転駆動する第１のモータ４を備え、第１のモータ４及び第１の回転部材３を配設した第２の回転部材６第１の軸２と異なる第２の軸５を回転中心として回転可能に設け、第２の回転部材６を回転駆動する第２のモータ７を備え、第１の回転部材３の回転方向と第２の回転部材６の回転方向とを逆方向としたものである。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ−ＣＭＰ後洗浄におけるパーティクルのウェハへの再付着によるポイゾニング不良発生の課題に対して、その不良を抑制し効率よくＣｕ配線構造を形成することにある。
【解決手段】上層配線と、下層配線と、上層配線と下層配線とを接続するビアとを含む多層配線構造の半導体装置の製造方法において、トレンチの形成後に、低誘電率膜の上面に銅を含む導電性膜を成膜する工程と、上記導電性膜を化学的機械的研磨して上記トレンチに下層配線を形成する工程と、上記化学的機械的研磨後に、上記基板を洗浄する工程と、上記低誘電率膜の上面にアンモニアプラズマによる還元処理を実行し、その上に拡散防止膜を形成する工程とを含み、上記洗浄工程は、少なくとも２段階の洗浄を行ない、第１段目は、有機酸洗浄薬液を用いてブラシスクラブ洗浄を行ない、第２段目は、有機アルカリ洗浄薬液を用いて洗浄を行なう。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、半導体デバイス表面、特に、表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面に存在する有機物汚染やパーティクル汚染を、銅配線の腐蝕を引き起こすことなく効果的に除去しうる洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法を提供すること。
【解決手段】１分子中にカルボキシル基を２つ有する有機酸と１分子中にカルボキシル基を３つ以上有する有機酸を洗浄剤成分として用い、更に特定のアミノポリカルボン酸を用いることにより、銅配線の腐蝕を引き起こすことなく、半導体デバイスの表面に存在する有機物汚染やパーティクル汚染を効果的に除去しうる効果を達成しうる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エレクトロニクス材料等の洗浄工程で要求される製品表面の高清浄度を実現することができ、かつ、リンス時に洗浄剤成分が素早く除去できる水溶性洗浄剤組成物を提供する
【解決手段】
（Ａ）１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、
（Ｂ）式：Ｒ−（ＰＯ）_ｎ−（ＥＯ）_ｍ−ＯＨ
で表される非イオン性界面活性剤、
（Ｃ）式：Ｒ−（ＥＯ）_ｌ−ＯＨ
で表される非イオン性界面活性剤、及び
（Ｄ）有機酸
を含有する水溶性洗浄剤組成物であって、以下の（１）及び（２）の関係式を同時に満たす水溶性洗浄剤組成物。


［式中の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）は各々の成分の重量％を示す。］ （もっと読む）

【課題】微細パターン基材にダメージを与えることなく、基材表面のゴミ、異物を除去することを可能にする。
【解決手段】微細パターンを有する微細パターン基材１の微細パターンの表面を洗浄保護膜３で被膜する工程と、洗浄保護膜の洗浄を行う工程と、洗浄保護膜を除去する工程と、を備えている。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、基板を、スクラバーブラシを使用して洗浄する装置及び方法に関するものである。本発明の１つの実施形態は、基板洗浄装置を提供し、この基板洗浄装置は、処理容積部内に移動可能に配置される２つのスクラバーブラシアセンブリを備える。これらの２つのスクラバーブラシアセンブリは、前記処理容積部内に配置される基板の両面に接触し、そして両面を洗浄するように構成される。前記基板洗浄装置は更に、これらの２つのスクラバーブラシアセンブリの位置を同時に調整するように構成される位置決めアセンブリを備え、前記位置決めアセンブリは、略同じ量の調整を前記第１及び第２スクラバーブラシアセンブリに対して鏡面対称に行なう。
（もっと読む）

【課題】最外周誘導壁によって容器の開口部を開閉することにより、占有面積の小型化、及び処理の短時間化を実現する。
【解決手段】回転式処理装置１に、容器１Ａ、回転保持機構７、処理液吐出アーム３０、誘導壁１６，１７、及びエアシリンダ２２，２３を設けた。回転保持機構７は、容器１Ａの開口部３７から搬入された被処理基板３を水平に保持して回転させる。誘導壁１６，１７は、回転保持機構７の外周側に同心状に配置され、処理液吐出アーム３０から吐出された処理液の廃液を分別して排液する。エアシリンダ２２，２３は、誘導壁１６，１７のそれぞれを上端部が回転保持機構に保持された被処理基板３よりも上方に位置する回収位置と下方に位置する退避位置との間で昇降させる。誘導壁１６，１７のうち最外周誘導壁１７は、回収位置で開口部３７を閉鎖し、退避位置で開口部３７を開放する。 （もっと読む）

【課題】洗浄部材の摩耗・汚染の状態をモニターすることで、その交換時期を判断して、常に洗浄部材を清浄で摩耗していない状態に保つ基板洗浄装置の洗浄部材交換時期判定方法及び基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄部材と基板の少なくとも一方を回転させた状態でこれらを当接させて洗浄部材と基板の相対運動により基板をスクラブ洗浄する際に、回転測定手段により洗浄部材の回転状態又は基板の回転状態を測定し、回転状態の変化から洗浄部材の表面状態を検知し、検知した表面状態の変化から洗浄部材の交換時期を判定する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明の一実施形態によると、腐食防止剤と、可溶化剤と、脱酸素剤と、ｐＨ調整剤としても機能する錯化剤とを含む洗浄溶液が提供されている。本発明の別の実施形態では、ｐＨ調整剤と、随意的な錯化剤と、腐食防止剤とを含む洗浄溶液が提供されている。洗浄溶液は、可溶化剤を随意的に有してもよく、界面活性剤を随意的に有してもよく、誘電体エッチャントを随意的に有してもよい。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、半導体デバイス表面、特に、表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面を、銅配線の腐食を引き起こすことなく、有機物汚染、パーティクル汚染を、短時間で除去することができ、基板表面を高清浄化しうる洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面に銅配線が施された半導体デバイスの製造工程における化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、シクロヘキシル基を有する化合物を含有する半導体表面用洗浄剤。 （もっと読む）