【課題】基板の表面のデバイス形成領域に処理液による悪影響を与えることなく、基板の周縁部から汚染を良好に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】ブラシ１１に関連して、処理液を吸引するための吸引ノズル７０が設けられている。吸引ノズル７０の先端部は、第１接触面３２と第２接触面３３との境界部分３４に対向する先端面７２と、第１接触面３２および第２接触面３３と当接する当接面７３とを有している。先端面７２には、吸引口７４が形成されている。吸引ノズル７０に接続された吸引管７６は、処理室２の外部へ延びており、その先端は、真空発生装置６０に接続されている。真空発生装置６０が駆動されると、ブラシ１１の内部に含まれる処理液は吸引口７４に吸引され、ブラシ１１の内部に吸引口７４に向かう処理液の流れが形成される。 （もっと読む）

例えばハードディスク媒体基板などの電子基板、当該ハードディスク媒体の製造に用いられるインプリント型（imprint mold）、または読取り／書込みヘッド組立部品（read/write head assembly part）の表面および／または斜面からサブミクロン粒子を除去するための洗浄溶液ならびに方法。当該洗浄溶液は、ポリカルボキシレートポリマーまたはエトキシル化ポリアミンを含む。当該方法は、ポリカルボキシレートポリマーまたはエトキシル化ポリアミンを含む洗浄溶液と当該基板の表面を接触させる工程を含む。当該方法における任意の付加的な工程は、音波エネルギーを当該洗浄溶液に適用することおよび／または当該表面をすすぎ溶液に音波エネルギーを適用するか、あるいは適用することなく、当該すすぎ溶液により当該表面をすすぐことを含む。 （もっと読む）

半導体ウェーハのような電子基板の表面および／または斜面からサブミクロンの微粒子を除去するための洗浄溶液および方法。前記洗浄溶液は、ポリカルボキシレートポリマーまたはエトキシル化ポリアミンを含んでなる。前記方法は、基板の表面をポリカルボキシレートポリマーまたはエトキシル化ポリアミンで構成される洗浄溶液と接触させる工程を具備する。前記方法における付加的な任意の工程は、前記洗浄溶液に音響エネルギーを適用すること、および／またはすすぎ溶液に音響エネルギーを適用して、もしくは適用せずに、すすぎ溶液で表面をすすぐことを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの表面に貼り付けられた保護テープをウエハ外形に沿って切り抜く半導体ウエハの保護テープ切断方法において、保護テープ切断処理によって発生した塵埃を適切に除去する。
【解決手段】半導体ウエハＷの外周に沿ってカッタ刃１２を相対移動させるとともに、カッタ刃１２によるテープ切断部位に発生して保護テープＴの上面に付着した塵埃を、半導体ウエハＷに対してカッタ刃１２とともに相対移動する集塵部材５６で掃き集め、テープ切断終了後に、所定箇所に掃き集めた塵埃を吸引ノズル６１で吸引除去する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の一方の面と他方の面とで除去する対象物が異なる場合であっても各対象物を確実に除去することができ、また、被処理基板を浸食することなく、被処理基板に付着したポリマーを確実に除去すること。
【解決手段】略鉛直方向に保持された複数の被処理基板Ｗの周縁部を洗浄する。洗浄液ＣＦを収容する収容槽１と、収容槽１内に配置され、被処理基板Ｗの表面Ｗａの周縁部に当接し、当該被処理基板Ｗの面内方向で回転駆動される第一洗浄部１１と、裏面Ｗｂの周縁部に当接し、当該被処理基板Ｗの面内方向で回転駆動される第二洗浄部２１と、を備えている。第一洗浄部１１または第二洗浄部２１の少なくとも一方は、収容槽１内に複数配置されている。第二洗浄部２１から被処理基板Ｗの裏面Ｗｂに加わる摩擦力は、第一洗浄部１１から被処理基板Ｗの表面Ｗａに加わる摩擦力よりも大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】基板の表面のデバイス形成領域に影響を与えることなく、基板の周縁部から汚染を良好に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】ブラシ１１に関連して、ウエハＷの表面のブラシ接触領域Ｐに向けてＮ₂ガスを供給するためのＮ₂ノズル４４が設けられている。ブラシ接触領域Ｐには、ウエハＷの回転半径方向に沿ってその内側から外側に向かうＮ₂ガスが吹き付けられる。ブラシ１１は、カバー体４９の内部に収容されている。カバー体４９は、ブラシ１１の側方を取り囲む側壁５１と、この側壁５１を下方から閉鎖する底壁５２とを有している。カバー体４９には側壁５１の下端に、吸引口５４が形成されている。カバー体４９の内部の処理液を含む処理液を含む雰囲気が、吸引口５４を介して吸引されて排除される。 （もっと読む）

【課題】基板洗浄装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板洗浄装置及び方法を開示したものであり、基板の移動方向と直交する方向に対して傾斜してブラシを配置し基板を洗浄処理することを特徴とする。
前記特徴によると、基板の洗浄效率を向上させ、基板の移動安全性を向上させ、洗浄液のチャンバ外部への漏出を抑制する基板洗浄装置及び方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＢＳＰをより確実に除去することが可能なＢＳＰ除去方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板のベベル面、及び裏面に付着した無機層、及び有機層を含む多層ベベル／バックサイドポリマー（ＢＳＰ）を除去するＢＳＰ除去方法であって、多層ＢＳＰを機械的に破壊する第１工程（ステップ２）と、機械的に破壊された多層ＢＳＰの残渣を加熱する第２工程（ステップ３）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板の外周端部の全体を洗浄することが可能な基板保持回転装置、それを備えた基板洗浄装置および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗのベベル洗浄処理時には、マグネットプレート６１４ａが下方位置に配置され、マグネットプレート６１４ｂが上方位置に配置される。この場合、マグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１においては各チャックピン６１５が閉状態となり、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２においては各チャックピン６１５が開状態となる。すなわち、各チャックピン６１５の保持部６１５ｃは、マグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１を通過する際に基板Ｗの外周端部に接触した状態で維持され、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２を通過する際に基板Ｗの外周端部から離間する。 （もっと読む）

【課題】金属（特にアルミニウムおよびモリブデン）の腐食を抑えつつ、優れた洗浄性を有するポリイミド用剥離剤を提供する。
【解決の手段】水、アルカリ剤［Ｂ］、多価アルコールを除く水溶性有機溶剤［Ｃ］、多価アルコール［Ｄ］、下記一般式（１）で表わされるシラン系化合物［Ａ］を含有し、前記［Ｃ］成分の含有量が３０〜９５重量％であるポリイミド用剥離剤。
[（Ｘ_２Ｎ−（ＣＨ_２）_ｌ−）_ｍＮＨ_２−ｍ−（ＣＨ_２）_ｋ−]_ｎＳｉ（ＯＲ）_４−ｎ （１）
［但し、式中ｋ、ｌは１〜４の整数、ｍは０〜２の整数、ｎは１〜３の整数を表す。Ｒは水素又は炭素数１〜４のアルキル基、Ｘは水素又は炭素１〜４のアルキル基である。］ （もっと読む）

【課題】ウエーハの上面に形成された絶縁膜やメタル膜の多層配線のエッジ部分を同時に効率よくエッチングし、成分や配合の異なるエッチング液を再利用できるようにしたウエーハエッジのエッチング方法及び装置を提供する。
【解決手段】ウエーハ１の周囲に複数のエッチングユニット６を配置する。このエッチングユニット６内に設けられたエッチングローラー１０には、各エッチングユニット６ごとにエッチングしようとする絶縁膜やメタル膜に最適のエッチング液が供給される。ウエーハの上下にはリングブロー２０，２１が設けられ、ホットエアーをウエーハの半径方向の環状に噴き出し、エッチング液のガスをエッチングユニット内に吹き戻すと共にウエーハを加温している。エッチングユニットの中心軸８部分の排気口から上記エッチング液はエッチング液ごとに回収され、再利用することができる。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクルや有機物の汚染、金属汚染及び有機物と金属による複合汚染の除去性と再付着防止性に優れ、基板表面を腐食することなく、高度に清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄液を提供する。特に、疎水性のため薬液をはじき易く、パーティクル除去性が悪い低誘電率（Ｌｏｗ−ｋ）材料の洗浄性に優れた洗浄液を提供する。
【解決手段】（Ａ）有機酸、（Ｂ）界面活性剤、及び（Ｃ）無機酸を含有することを特徴とする半導体デバイス用の基板の洗浄液。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、特に、表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面に存在する不純物を、銅配線の腐蝕や酸化を引き起こすことなく、有効に除去するできる半導体デバイス用洗浄剤を提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造工程において、表面に銅配線を有する半導体デバイスの化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有することを特徴とする。さらに、ポリカルボン酸を含有することが好ましい。下記一般式（Ｉ）中、Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立に、少なくとも一つの窒素原子を含有するヘテロ環から水素原子１つを除いて形成される一価の置換基を表し、Ｌは二価の連結基を表す。
（もっと読む）

【課題】 ブラシアセンブリ及びこれを有する基板洗浄装置が開示される。
【解決手段】 ブラシを用いて基板を洗浄するための装置において、ブラシアセンブリは工程チャンバー内で回転可能に配置されるシャフトと、前記シャフトの中央部位に配置され、基板を洗浄するための洗浄液の供給を受け、基板の表面と接触して前記基板の洗浄を行うブラシと、前記基板を洗浄する間、前記ブラシに供給された洗浄液が前記シャフトに沿って前記シャフトの端部に向かって流れることを防止するために気流を発生させる送風ユニットを含む。従って、前記ブラシに供給された洗浄液が前記工程チャンバーの外部に漏洩することが防止されることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部から銅膜を良好に洗浄できる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】銅膜が形成されているウエハＷの表面の周縁部に、第２洗浄液供給ノズル３３１からエッチング液が供給される。 （もっと読む）

【課題】基板搬送に要する時間を短くすることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ＦＯＵＰ搬送ロボット２０は、複数枚の基板が収納されたＦＯＵＰ８０をロードポート１０とＦＯＵＰ載置台３０との間で搬送する。インデクサロボット４０は、ＦＯＵＰ載置台３０に載置されたＦＯＵＰ８０に収納された基板Ｗ（未処理基板）を基板受渡部５０を介して洗浄処理部６０に渡すとともに、洗浄処理部６０でスクラブ洗浄処理された基板Ｗ（処理済み基板）を基板受渡部５０を介して受け取ってＦＯＵＰ８０に収納する。ＦＯＵＰ載置台３０は、インデクサロボット４０の周囲に複数個設けられる。したがって、インデクサロボット４０は基板Ｗを搬送するにあたって水平方向に沿って移動する必要がない。これによって基板搬送に要する時間を短くすることができる。 （もっと読む）

【課題】金属配線における腐食の発生を抑制するとともに、ウェハ上に付着した砥粒や研磨された配線材料などの汚染物質を除去することができる基板洗浄方法、およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明に係る基板洗浄方法は、半導体基板を化学機械研磨した後、洗浄液を用いて前記基板を洗浄する方法であって、前記洗浄液は、水と、アルカリ金属を含有する化合物を含み、前記洗浄液の電気伝導度は、６００〜１５０００ｍＳ／ｍである。 （もっと読む）

【課題】装置の省スペースを実現しつつ、基板の端面の汚染に起因した問題（欠陥の発生、トラックや露光装置へのクロスコンタミネーション等）を回避できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板の端面を洗浄する端面洗浄処理ユニットＥＣを備える洗浄処理部９３を、インデクサブロック９に配置する。インデクサブロック９に設けられたインデクサロボットＩＲは、カセットＣから取り出した未処理基板Ｗを、処理部である反射防止膜用処理ブロック１０に搬送する前に洗浄処理部９３に搬送する。洗浄処理部９３においては、基板Ｗの端面および裏面を洗浄する。すなわち、端面および裏面が汚れた基板Ｗが処理部に搬入されることがないので、基板の端面や裏面の汚染に起因した問題を回避できる。 （もっと読む）

【課題】基板洗浄工程を中断することなく、スクラブブラシを毎回クリーニングすることを可能にする。
【解決手段】回転台３１２に取付けた被洗浄基板１１０にスクラブブラシ３２０ａを接触させ、このスクラブブラシ３２０ａを被洗浄基板１１０の中心から外縁方向へ揺動させることで被洗浄基板１１０の表面を洗浄するに際し、回転台３１２の外周にスクラブブラシ３２０ａをクリーニングするクリーニングディスク３４１を配設し、スクラブブラシ３２０ａをクリーニングディスク３４１まで揺動させてクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】表面欠陥（Divot）が拡大しないようなエッチング条件を提供する。
【解決手段】ＢＯＸ層Ｗ４を形成するための酸素注入工程Ｓ０１および高温アニール処理工程Ｓ０４と、酸素注入をおこなう側のウェーハ表面ＷＳ１を処理する表面酸化膜剥離工程Ｓ１６と、ウェーハ裏面ＷＳ２を処理する裏面酸化膜剥離工程Ｓ１５とを有し、表裏面酸化膜剥離工程において、それぞれの酸化膜剥離条件が異なる条件として制御される。 （もっと読む）