【課題】基板ケースをドライ洗浄で実施するにあたり、被洗浄物が複雑な形状を含む場合であっても洗浄可能な基板ケース洗浄装置を提供する。
【解決手段】シリコンウェハやフォトマスクなどの異物の付着を嫌う基板を保持するドア部２と、前記ドア部２を周囲の雰囲気と遮断することによって保持された基板に異物が付着するのを防止するためのカバー部と、前記ドア部２に設けられたパッキン５であって、前記ドア部２と前記カバー部を密封するためのパッキン５と、を備えている基板ケースの前記ドア部２の洗浄装置１であって、少なくとも前記ドア部を載置し回転させるためのターンユニット３と、前記ドア部２に向って洗浄用ガスを噴出するガス噴出ノズル４と、を備えていることを特徴とする基板ケース洗浄装置１。 （もっと読む）

【課題】洗浄後の反応炉部品上の残留反応生成物（不可視膜）の有無を、簡単な方法で検知できる反応生成物の検知方法を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を気相成長させた後の反応炉部品１１上に付着した反応生成物を洗浄した後、反応炉部品１１に特定の波長の光、例えば、ブラックライト１６を照射して反応炉部品１１上に残留する反応生成物の発光状態を検出することにより、反応炉部品１１上の反応生成物の残留状態を検知する。 （もっと読む）

【課題】キャピラリ内でのパーティクルの発生を防止できるドライアイススノー洗浄装置を提供する。
【解決手段】供給源から供給された液化炭酸ガスを膨張させ冷却させるオリフィス３と、上記オリフィス３から噴射ノズル１に至るキャピラリ２と、上記キャピラリ２が接続されてドライアイススノーを噴射する噴射ノズル１と、上記噴射ノズル１に対してドライアイススノーの噴射ガスを供給する噴射ガス供給管４とを備え、上記キャピラリ２における噴射ガス供給管４の合流部よりも上流側の部分に、キャピラリ２を外側から加温する加温手段を設けたことにより、キャピラリ２内面をドライアイスの温度よりも高い温度に保ってキャピラリ２内面に薄いガス層を形成し、固体のドライアイスがキャピラリ２内面に衝突することを防止してパーティクルの発生を防止する。 （もっと読む）

【課題】球状突起の発生を抑制することができ、製品の品質および良品率の向上によるコストの低減をすることができる、基板保持部材、基板処理方法、及び基板保持部材のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】基板保持部材１０１は、上下に開口した円筒状をしている。また、基板保持部材１０１には、基板を保持する基板配置部１０７と、搬送機構の把持部材が挿入される把持部材挿入部１０２とが設けられている。さらに、把持部材挿入部１０２の上部に設けられた把持部材挿入用の開口部１０８を閉鎖することができる開口部閉鎖部材１０３をも有している。 （もっと読む）

【課題】洗浄時において微細化したパーティクルや有機物の洗浄力に優れ、製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にする電子材料用洗浄剤を提供する
【解決手段】 炭素数２〜８の脂肪族第１級アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ａ）を含有してなり、前記（Ａ）の２級アミン価と３級アミン価の合計（Ｙ）に対する２級アミン価（Ｘ）の比率［（Ｘ）／（Ｙ）］が、０．５以下であることを特徴とする電子材料用洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れを生じることのない基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷの表面に付着したパーティクルＰを洗浄、除去する基板洗浄方法において、ウエハＷを加熱してウエハＷの表面に付着するパーティクルＰを熱応力によってウエハＷの表面から剥離させる加熱ステップと、ウエハＷ表面の近傍に生じた温度勾配によりパーティクルＰをウエハＷの表面から脱離させる脱離ステップと、ウエハＷの表面から脱離したパーティクルＰを、ウエハＷに対向配置された捕集板１３によって捕集するパーティクルＰの捕集ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハのエッジ部に形成された膜を除去することによりパーティクルの発生を抑制した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るの半導体装置の製造方法は、半導体ウエハ１０の表面に熱酸化法又はＣＶＤ法により膜を成膜することにより、前記半導体ウエハのエッジ部１０ａにも前記膜が成膜される工程と、前記半導体ウエハのエッジ部に研磨材１２を吹き付けることにより、前記エッジ部に成膜された膜を研磨して除去する工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて基板へのパーティクルの付着可能性を低減することができ、清浄に基板を洗浄することのできる基板洗浄方法及び基板洗浄装置並びに基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、半導体ウエハＷの周縁部を支持する基板支持機構２を具備している。半導体ウエハＷの表面側に設けられた噴射機構４は、常温常圧で気体の洗浄体、例えば、二酸化炭素の少なくとも一部を、固体又は液体の微粒子として噴射ノズル３から半導体ウエハＷの表面に噴射する。半導体ウエハＷの裏面側の加熱機構６は、加熱された気体を気体ノズル５から半導体ウエハＷの裏面に向けて供給し、噴射ノズル３の噴射位置に対応する部位を局所的に加熱する。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部から汚染物質を良好に除去することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）製のスポンジブラシ１６を備えている。スポンジブラシ１６の外表面を含む範囲には、多数の砥粒が保持されている。基板処理装置１は、スピンチャック３により回転されるウエハＷの周縁部にスポンジブラシ１６を当接させることにより当該周縁部を洗浄することができる。スポンジブラシ１６は、ウエハＷの周縁部に強固に付着した汚染物資を砥粒によって剥離させることにより、ウエハＷの周縁部から当該汚染物質を良好に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】 酸化セリウムが表面に付着した被洗浄物に対し、酸化セリウムをセリウムイオンとして溶解させて洗浄除去することが可能な洗浄液及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る洗浄液は、酸化セリウムを除去する洗浄液であって、フッ化水素と、塩酸、硝酸、硫酸、酢酸、リン酸、ヨウ素酸及び臭化水素酸からなる群より選択される少なくとも何れか１種の酸と、水とが含み構成され、前記酸化セリウムをセリウムイオンとして溶解させて除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理と洗浄処理を行うだけでなく、さらに半導体ウェハー表面の有機物質の洗浄または改質処理をも一つの装置で行える回路基板の製造装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハー２０の処理面に各種薬液または洗浄液を窒素ガスと共に噴射する流体噴射機構２４と、処理面に紫外線を放射する紫外線照射ランプ３０と、上部が上下に分離可能で下部がロータ１２に固定され、さらに側部に流体抜き隙間３８を有する内側タンク３２と、上部が上下に分離可能な外側タンク４０と、内側タンク３２および外側タンク４０の各上部とを上方に持ち上げる昇降機構５６と、内側タンク３２と外側タンク４０との間の空間を減圧化する真空ポンプ５８とを備えている。流体噴射機構２４と紫外線照射ランプ３０は、中空回転軸１４の回転軸心とは異なる位置に回転軸心を有する切替用中空回転軸６２に連結されている。 （もっと読む）

（ａ）１以上の金属イオンを含まない塩基；（ｂ）水溶性の金属イオンを含まない多面体シルセスキオキサン；（ｃ）酸化剤；および（ｄ）金属イオンを含まない水を含む、集積回路基板から粒子状物質を除去するための組成物、ならびに（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）を含む成分を組み合わせることよって得られる組成物。（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）を含む組成物を表面に付与する工程、または（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）を含む成分を組み合わせることによって得られる組成物を表面に付与する工程を含む、集積回路デバイスの表面から粒子状物質を除去するための方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、低コストで、ドライアイススノーを洗浄ポイントに集中させて吹き付けることができる洗浄装置を提供する。
【解決手段】 ノズル３の噴射口３２からドライアイススノーを噴出して被洗浄物を洗浄する洗浄装置において、前記ノズル３に、円筒内周面７ａを有する拡散抑制管部７が設けられており、前記拡散抑制管部７は、その円筒内周面７ａが前記ノズル３の噴射口３２の軸線Ｘ周りに配され、且つ、前記噴射口３２の軸線Ｘ方向に延出されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】物体を良好にクリーニングできるクリーニング装置を提供する。
【解決手段】クリーニング装置は、物体に向けて、物体と異なる温度のクリーニング材を噴射する第１供給口と、第１供給口から噴射されたクリーニング材の周囲の少なくとも一部を取り囲むようにクリーニング材と異なる流体を供給する第２供給口とを備えている。 （もっと読む）

【課題】粒子状物質が付着した半導体ウエハーの両面を洗浄するための方法およびシステムを提供する。
【解決手段】洗浄方法は、流体と基板との間に相対運動を生じさせる。この相対運動は、基板両面のうちの１つの表面の法線を横断する方向に生じ、分離した２つの流れを発生させる。２つの流れのうちの一方の流れが基板両面のうちの１つの表面に隣接し、他方の流れが、１つの表面とは異なる別の表面に隣接する。流体は、その内部に結合要素を混入（エントレインメント）している。流体の相対運動により、結合要素の一部に十分な抗力が加えられ、流体内部で結合要素の一部に動きが生じる。このようにして、所定量の抗力を粒子状物質に加えることにより、基板に対して粒子状物質を動かすことができる。 （もっと読む）

【課題】 酸化シリコン系や窒化シリコン系の高硬度膜を含む不要膜や凹凸面を高効率で除去し、研磨面精度を向上させる。
【解決手段】 半導体基板１０の周縁部に、酸化シリコン系或いは窒化シリコン系の膜１１，１２に対してケミカル効果を有する粒子を主成分とする砥粒を固定した第１研磨面を接触させて基板１０を研磨する工程と、基板１０の周縁部に、メカニカル効果を有する粒子を主成分とする砥粒を固定した第２研磨面を接触させて基板１０を研磨する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】低コスト化を図る半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、半導体ウエハの主面に、回路および複数の第１の電極パッド４を有する複数の製品形成領域を形成する工程と、前記各製品形成領域に、前記第１の電極パッド４よりも配列ピッチが広い複数の第２の電極パッド７ａを再配置する工程と、前記半導体ウエハの複数の製品形成領域を個片化して、第１の面側に、前記回路、前記複数の第１の電極パッド４、前記複数の第２の電極パッド７ａを有する複数の半導体装置を形成する工程と、前記半導体装置の形成工程の後、前記半導体装置の第１の面に付着する異物２８を洗浄にて除去する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】二相の基板洗浄化合物を使用するための方法およびシステム
【解決手段】基板表面から汚染物質を除去するための洗浄化合物、装置、および方法が提供される。半導体基板の表面から粒子状汚染物質を除去するための代表的な洗浄化合物が提供される。洗浄化合物は、約１ｃＰから約１０，０００ｃＰまでの間の粘度を有する粘性液体を含む。洗浄化合物は、また、粘性液体の中に分散された複数の固体成分を含み、複数の固体成分は、基板表面から粒子状汚染物質を除去するために、基板表面上の粒子状汚染物質と相互作用する。 （もっと読む）

【解決手段】基板を洗浄するための方法が提供される。方法は、中に固体成分を有する流体層を、基板の表面に配することから開始する。次いで、基板の表面に実質的に平行にかつ基板の外縁に向くように方向付けられたせん断力が形成される。せん断力は、一実施形態では、流体層に接触する固体物に加えられる力の法線成分または接線成分に起因することが可能である。基板の表面は、流体層を除去するためにすすがれる。洗浄システムおよび洗浄装置もまた、提供される。 （もっと読む）

水性清浄化媒体が前記半導体表面に供給され、清浄化媒体がコロイド状の形状で懸濁されている清浄化粒子を含んでなり、そして機械的振盪が粒子に印加されて、清浄化段階の間の少なくとも一部の時間除去される清浄化段階を含んでなる、表面を清浄化する方法が開示されている。 （もっと読む）