【課題】窒化チタン被膜を剥離するための窒化チタン剥離液であって、特にタングステン又はタングステン合金を含む層を有する半導体多層積層体においても、この層を浸食することなく、窒化チタン被膜を剥離できる窒化チタン剥離液を提供すること。
【解決手段】フッ酸、過酸化水素、及び水を含有し、更に、フッ酸以外の無機酸を含有する窒化チタン剥離液。本発明によれば、窒化チタン剥離液が、フッ酸以外の無機酸を含むので、半導体多層積層体がタングステン又はタングステン合金を含む層を有する場合においても、窒化チタン剥離液がこの層を浸食することなく、窒化チタン被膜を剥離することができる。 （もっと読む）

ウェハ(1010)又は基板の表面を洗浄する装置であって、ウェハ(1010)又は基板の表面に対して隙間を隔てて配設され且つ該ウェハ(1010)又は基板の表面に垂直な軸周りに回転するプレート(1008)を含む。ウェハ又は基板の表面に対向する回転プレートの表面には、洗浄効率を高めるために、規則的なパターン及び不規則なパターンを有する溝が形成されている。他の実施例では、上記洗浄装置は、洗浄処理中に回転プレートを振動させる超音波変換器又はメガソニック変換器を更に含む。
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【課題】間隙空間内を流通する洗浄液の流速にかかわらず、洗浄液に超音波振動を十分に付与して基板表面を良好に洗浄することができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板表面Ｗｆに対向して近接部材２１の下面２１１が離間配置される。そして、基板表面Ｗｆと下面２１１とで挟まれた間隙空間ＳＰに洗浄液が供給されるとともに、近接部材２１を介して洗浄液に超音波振動が付与される。また、近接部材２１が基板表面Ｗｆに沿って移動するが、基板Ｗに対する近接部材２１の相対移動に応じてノズル３１からの洗浄液の吐出流量が変更されて間隙空間ＳＰを流通する洗浄液の流速が変化する。間隙空間ＳＰへの洗浄液の供給は近接部材２１の側面２１２に向けてノズル３１から洗浄液を吐出することで側面２１２から間隙空間ＳＰに洗浄液を回り込ませることで行われる。 （もっと読む）

【課題】少なくとも基板の熱洗浄によって表面の不純物および酸化物の除去が可能な程度に表面が清浄なＧａＡｓ半導体基板を提供する。
【解決手段】本ＧａＡｓ半導体基板１０は、Ｘ線光電子分光法により、光電子取り出し角θが１０°の条件で測定されるＧａ原子およびＡｓ原子の３ｄ電子スペクトルを用いて算出される、ＧａＡｓ半導体基板１０の表面層１０ａにおける全Ａｓ原子に対する全Ｇａ原子の構成原子比Ｇａ／Ａｓが０．５以上０．９以下であり、表面層１０ａにおける全Ｇａ原子および全Ａｓ原子に対するＯ原子と結合しているＡｓ原子の比（Ａｓ−Ｏ）／｛（Ｇａ）＋（Ａｓ）｝が０．１５以上０．３５以下であり、表面層１０ａにおける全Ｇａ原子および全Ａｓ原子に対するＯ原子と結合しているＧａ原子の比（Ｇａ−Ｏ）／｛（Ｇａ）＋（Ａｓ）｝が０．１５以上０．３５以下である。 （もっと読む）

化学機械研磨（ＣＭＰ）後残渣および汚染物質をその上に有するマイクロエレクトロニクスデバイスから前記残渣および汚染物質を洗浄するための洗浄組成物および方法。この洗浄組成物は、新規な腐食防止剤を含む。この組成物は、ｌｏｗ−ｋ誘電体材料または銅配線材料を損傷することなく、マイクロエレクトロニクスデバイス表面からＣＭＰ後残渣および汚染物質を非常に有効に洗浄する。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチングを要する半導体装置の製造工程において、その安定性を向上させる。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、処理カップＷＣ内で半導体ウェハ１の被処理面Ｓに対し、所望の液体７，９を用いた処理を施す工程であって、はじめに、処理カップＷＣ内に載置した半導体ウェハ１を回転させた状態で、処理カップＷＣの開口部５から、液体供給ノズル６によって半導体ウェハ１に液体７，９を供給し、所望の処理を施す。続いて、半導体ウェハ１に回転を施すことで乾燥させるという、一連の工程からなる。そして、上記の工程中、処理カップＷＣの開口部５を塞ぐようなカバー８を設置することにより、そのカバー８を通じて、処理カップＷＣの外へ飛散しようとする液体７，９を処理容器ＷＣに備えられた液体回収部４に導くことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レジスト、エッチング残渣、平坦化残渣、及び金属酸化物の一種以上をアルミニウム又はアルミニウム銅合金を含む基板から除去するための組成物及び方法を提供すること。
【解決手段】レジスト、エッチング残渣、平坦化残渣、及び金属酸化物の一種以上をアルミニウム又はアルミニウム銅合金を含む基板から除去するための組成物であって、約0.005重量％から約５重量％までのフッ化物を与える成分、約１重量％から約50重量％までのグリコール溶媒、リン含有酸、及び水を含む組成物；該組成物と基板を接触させることを特徴とする方法。 （もっと読む）

本発明は、半導体ウェハの処理のための、特に半導体ウェハの洗浄および化学機械研磨のための組成物中での、過酸から選択された少なくとも１種の酸化剤の使用に関する。本発明はまた、組成物の使用およびそのための組成物に関する。本発明の酸化剤の使用は、基板の腐食を制限／回避しながら良好な効果をもたらす。 （もっと読む）

【課題】残留パーティクル成分を微細化する熱交換装置を提供することにある。
【解決手段】純水が流通する螺旋状の発熱管２１と、発熱管の両端部同士を電気的に短絡させる短絡部材２２と、発熱管及び短絡部材を包囲するように配置し、高周波電力に応じて発熱管に対して電磁誘導電力を発生させる加熱コイル２３とを有し、短絡部材は、発熱管の電磁誘導電力に応じて短絡電流を発生し、短絡電流に応じて発熱管を温度調整すると共に、発熱管は、短絡電流の温度調整作用に応じて、同管内を流通する純水の温度を目標温度になるように、純水を温度調整する熱交換装置８Ａであって、純水が流通する発熱管の流入口２１Ａをアース部２５に接地することで、発熱管を流通する純水に関わる残留パーティクルの帯電電荷を放電し、残留パーティクルを微細化するようにした。 （もっと読む）

【課題】レジストアッシング工程後の残留物を効果的に除去すると同時に、ウエハ上に留めたい緻密構造を侵食したり潜在的に劣化させることがない化学配合物を提供する。
【解決手段】フッ化物源を１〜２１重量％と、有機アミンを２０〜５５重量％と、含窒素成分（例えば含窒素カルボン酸またはイミン）を０．５〜４０重量％と、水を２３〜５０重量％と、金属キレート剤を０〜２１重量％とを含む半導体ウエハ洗浄配合物。 （もっと読む）

【課題】デバイス基板の洗浄において、配線や絶縁膜、容量膜等のデバイス材料の腐食や溶解を防止しつつ、基板上のパーティクル等の汚染を効果的に除去することができるデバイス基板用の洗浄組成物、洗浄方法、洗浄装置の提供。
【解決手段】１分子中に少なくとも１つの水酸基を有し、ＨＬＢが１２以上２０以下の非イオン界面活性剤と、ベンゾトリアゾール又はその誘導体と、を含有し、２５℃における水素電極基準の酸化還元電位が略−１２００ｍＶ以上１００ｍＶ以下または略４００ｍＶ以上１２００ｍＶ以下の塩基性水溶液を用いて基板を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】製造中に生じる半導体デバイスの欠陥、特にパターンのつぶれを、スループットを犠牲にすることなく低減するための方法とそのための処理溶液を提供すること。
【解決手段】１種以上の界面活性剤を含む処理溶液を使用して、半導体デバイス製造時の欠陥数を低減する。この処理溶液は、特定の好ましい態様において、パターニングしたホトレジスト層の現像の際又はその後でリンス液として使用すると、パターンのつぶれのような現像後の欠陥を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】洗浄時において微細化したパーティクルの再付着防止性や指紋などの有機物の洗浄性に優れ、効率的な高度洗浄を可能にする半導体基板用洗浄剤を提供する。
【解決手段】一般式（１）のノニオン性界面活性剤および一般式（２）のノニオン性界面活性剤から選ばれる１種以上のノニオン性界面活性剤（Ａ）、アニオン性界面活性剤（Ｂ）並びに水（Ｃ）を含有してなる半導体基板用洗浄剤。


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【課題】半導体ウェハー基板上に形成されたシリコン含有有機膜を除去するリワークプロセスにおいて、シリコン化合物残渣が発生し、この除去が困難であった。
【解決手段】半導体ウェハー基板上に形成されたシリコン含有有機膜を除去した表面を、アンモニア水溶液により洗浄処理を行う第１のステップと、希釈フッ酸水溶液により洗浄処理を行う第２のステップを少なくとも有する方法で処理する。アンモニア水溶液中のアンモニア濃度は、０．０１重量パーセント以上、３０重量パーセント以下であることが好ましい。希釈フッ酸水溶液中のフッ酸濃度は、０．０１重量パーセント以上、２．０重量パーセント以下であることが好ましい。 （もっと読む）

ＩＣ（集積回路）、液晶ディスプレイおよびフラットパネルディスプレイの製造において使用される半導体ウエハからのイオン性残留物、粒状残留物および水分を含むがこれらに限定されない一般的な混入物または残留物を除去する方法である。該方法は、所定のエステルまたは特定の共溶媒と組合された所定のエステルを使用することを含む。洗浄方法は、種々の洗浄プロセスまたはプロセスステップにおいて利用でき、そして経済的および性能的な利点を与える。 （もっと読む）

プラズマエッチング後残留物をその上に有するマイクロ電子デバイスから前記残留物を洗浄するための洗浄組成物および方法。組成物は、チタン含有、銅含有、タングステン含有、および／またはコバルト含有のエッチング後残留物を含む残留材料の、マイクロ電子デバイスからの非常に有効な洗浄を達成するが、同時に、マイクロ電子デバイス上に同様に存在する層間誘電体、金属相互接続材料、および／またはキャッピング層に損傷を与えない。さらに、組成物は、窒化チタン層をその上に有するマイクロ電子デバイスからそれを除去するためにも有用であり得る。 （もっと読む）

窒化ケイ素材料をその上に有するマイクロ電子デバイスから、ポリシリコン、酸化ケイ素材料および／またはシリサイド材料に対して窒化ケイ素材料を選択的に除去するために有用な組成物。除去組成物は、フルオロケイ酸、ケイ酸、および少なくとも１種の有機溶媒を含む。典型的な工程温度は約１００℃よりも低く、窒化物対酸化物のエッチングの典型的な選択性は、約２００：１〜約２０００：１である。典型的な工程条件下では、ニッケルベースのシリサイドならびに窒化チタンおよびタンタルはあまり影響を受けず、ポリシリコンのエッチング速度は約１Å分^−１未満である。
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【課題】製造中に生じる半導体デバイスの欠陥、特にパターンのつぶれを、スループットを犠牲にすることなく低減するための方法とそのための処理溶液を提供すること。
【解決手段】１種以上の界面活性剤を含む処理溶液を使用して、半導体デバイス製造時の欠陥数を低減する。この処理溶液は、特定の好ましい態様において、パターニングしたホトレジスト層の現像の際又はその後でリンス液として使用すると、パターンのつぶれのような現像後の欠陥を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物表面のパーティクル等の汚染物を効果的に除去することが可能な洗浄方法を提供するものである。
【解決手段】脱気処理した純水に酸素を溶解させて洗浄液を調製し、この洗浄液に超音波振動を付与して被洗浄物を洗浄することを特徴とする。 （もっと読む）

基板から１、２またはそれより多くのフォトレジスト層を除去するための改善された乾性剥離液を提供する。本剥離液は、ジメチルスルホキシド、水酸化第四級アンモニウム、および、アルカノールアミン、任意の第二の溶媒を含み、含水量は約３重量％未満であり、および／または、乾燥係数が少なくとも約１である。さらに、改善された乾性剥離液の製造および使用方法も提供する。複数のレジスト層を、その下に存在する構造のどれにもダメージを与えることなく除去し、その下に存在する誘電性の関連基板を露出させることによって、電気的相互接続構造を製造するためのこのような新規の剥離液を使用した有利な溶液方法を提供する。 （もっと読む）