【課題】本発明は、高度に架橋されたレジストおよびエッチング残渣を取り除くための、半水溶性組成物およびその使用方法を提供する。
【解決手段】本発明の組成物は、アミノベンゼンスルホン酸、水混和性有機溶剤および水を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】銀及び／又は銀合金を含む基板に適用できるフォトレジスト剥離液組成物を提供する。
【解決手段】銀および／または銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物であって、−式（Ｉ）ＮＨ_２−Ａ−Ｙ−Ｂ−Ｚ式中、Ａ、Ｂは、それぞれ相互に独立して、直鎖状または分枝鎖状の炭素数１〜５のアルキレン基であり、Ｙは、ＮＨまたはＯのいずれかであり、Ｚは、ＮＨ_２、ＯＨ、ＮＨ−Ｄ−ＮＨ_２（ここでＤは直鎖状または分枝鎖状の、炭素数１〜５のアルキレン基である、）で表される化合物、−式（ＩＩ）ＮＨ_２−Ａ−Ｎ(−Ｂ−ＯＨ)_２式中、Ａ，Ｂは式（Ｉ）と同じで表される化合物、−モルホリン、−Ｎ−置換モルホリン、−ピロカテコール、−ハイドロキノン、−ピロガロール、−没食子酸、及び−没食子酸エステルからなる群から選択される１種または２種以上と、１種または２種以上の極性有機溶剤とを含有する、前記フォトレジスト剥離液組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの表面からフォトレジスト、エッチング残留物又はアッシング残留物を除去するためのフォトレジスト剥離剤配合物及び方法を提供する。
【解決手段】ヒドロキシルアミンと、水と、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリジン、ジメチルアセトアミド、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、モノエタノールアミン及びそれらの混合物からなる群より選択される溶媒と、水酸化コリン、モノエタノールアミン、水酸化テトラメチルアンモニウム、アミノエチルエタノールアミン及びそれらの混合物からなる群より選択される塩基と、カテコール、没食子酸、乳酸、ベンゾトリアゾール及びそれらの混合物からなる群より選択される金属腐食防止剤と、グリセリン、プロピレングリコール及びそれらの混合物からなる群より選択される浴寿命延長剤とを含むフォトレジスト剥離剤配合物が提供される。さらに、上記配合物を使用する方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】従来の洗浄剤組成物は、枚葉処理装置に用いるには除去能力は必ずしも十分ではない。ＨＳＱ、ＭＳＱ等のシロキサン膜からなる低誘電率膜のドライエッチングにおいてはＨＳＱ、ＭＳＱのエッチング表面に変質層が生成されるが、従来の洗浄剤組成物は、この変質層に対するエッチング速度が極めて速く、このため、この組成物を用いたドライエッチングの後処理洗浄においては意図するエッチング寸法よりも実際のエッチング寸法が拡大してしまう問題がある。
【解決手段】半導体回路の製造工程においてドライエッチング後及び／又はアッシング後の半導体基板からフォトレジスト残渣及び／又はポリマー残渣を除去する洗浄剤組成物であって、残渣除去成分（Ａ）、半導体基板の配線材料に用いる金属の腐食防止成分（Ｂ）、半導体基板の層間絶縁膜材料の保護成分（Ｃ）及び水を含有し、（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）が下記化合物であることを特徴とする洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】従来の銅配線半導体用洗浄剤は、銅配線に付着する研磨剤由来の有機残渣を除去する効果が不十分であるばかりか、金属配線材料（銅、タングステン等）が腐食するという問題がある。
【解決手段】有機アミン（Ａ）、下記（Ｉ）〜（ＩＶ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の多価水酸基含有化合物（Ｂ）及び水（Ｗ）を含有してなり、２５℃でのｐＨが２〜１４であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤。
（Ｉ）分子量が１，０００未満の多価水酸基含有炭化水素
（ＩＩ）エーテル基、エステル基、ホルミル基、スルホ基、スルホニル基、ホスホノ基、チオール基、ニトロ基及びアミド基からなる群から選ばれる少なくとも１種の官能基を有する分子量が１，０００未満の多価水酸基含有炭化水素
（ＩＩＩ）上記（Ｉ）、（ＩＩ）を脱水縮合した分子構造を有する多価水酸基含有化合物
（ＩＶ）糖類
（Ｖ）変性されていてもよいポリビニルアルコール （もっと読む）

【解決手段】本発明の一つの実施形態は、集積回路の製造方法である。製造方法は、まず、金属-誘電体ダマシン・メタライゼーション（金属化）層を備える基板を準備し、金属上にキャップを析出させる。キャップの析出後、アミンを加えてｐＨを約７から１３に調節した洗浄溶液で基板を洗浄する。本発明の別の実施形態は、基板の洗浄方法である。本発明のさらに別の実施形態は、洗浄溶液の組成である。 （もっと読む）

【課題】重大な金属腐食を伴わずにマイクロエレクトロニクスのデバイスを洗浄するのに有用であり、ＩＬＤに適合する洗浄製剤を提供する。
【解決手段】（ａ）アルファ−ヒドロキシカルボニル化合物のアミンまたはアンモニウム化合物とのオリゴマー型またはポリマー型結合体である、少なくとも１種の「黄変」または「褐変」アルファ−ヒドロキシカルボニル化合物、（ｂ）少なくとも１種の遊離アミン、および、（ｃ）少なくとも１種の有機溶媒または少なくとも１種の有機溶媒および水を含有する、フッ化物不含の有機溶媒をベースとする洗浄製剤を提供する。かかる製剤は、（ｄ）ｐＨ７以上、好ましくはｐＨ約９.５ないし約１０.８の最終生成物を産生するのに十分な量の、少なくとも１種の金属イオン不含塩基、および、（ｅ）多価アルコール、（ｆ）金属キレート化剤および（ｇ）界面活性剤を含む他の任意成分も含み得る。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明の実施形態は、微細なフィーチャを備えたパターニング済み基板を洗浄剤で洗浄するための装置を提供する。この洗浄剤を用いる装置は、フィーチャを実質的に損傷することなく微細なフィーチャを備えたパターニング済みウエハを洗浄するのに有効である。洗浄剤は、液相または液／気相の流体であり、デバイスのフィーチャの周りで変形するため、実質的にデバイスのフィーチャを損傷することも損傷をまとめて低減することもない。分子量の大きい高分子化合物のポリマを含む洗浄剤は、基板上の汚染物質を捉える。さらに、洗浄剤は、汚染物質を取り込み、基板表面に汚染物質を戻さない。分子量の大きい１または複数の高分子化合物のポリマは、長いポリマ鎖を形成しており、ポリマ鎖は、さらに、架橋されて網目（すなわちポリマ網目）を形成しうる。長いポリマ鎖および／またはポリマ網目は、従来の洗浄剤と比較して、汚染物質を捉えて取り込む能力が高い。 （もっと読む）

【課題】液状被膜中へのガス成分の改善された拡散で半導体ウェーハを湿式化学的処理するのに特に効果的な方法を提供する。
【解決手段】ａ）半導体ウェーハを回転させ；ｂ）１００μｍまたはそれ以下の直径を有する気泡を有する清浄化液体を、回転する半導体ウェーハに適用し、こうして液状被膜を半導体ウェーハ上に形成させ；ｃ）回転する半導体ウェーハを、反応性ガスを有するガス雰囲気に晒し；ｄ）液状被膜を除去する。
【効果】改善された粒子の清浄化がマイクロバブルとシリコン表面を腐蝕する清浄化化学薬品との組合せによって達成され、清浄化液体中への反応性ガスの改善されたガス輸送（拡散）は、有機汚染物質および金属含有汚染物質の酸化および除去を簡易化し、ウェーハの中心での液状被膜の隆起は、マイクロバブルの使用によって減少される。 （もっと読む）

【課題】重大な金属腐食を伴わずにマイクロエレクトロニクスのデバイスを洗浄するのに有用であり、ＩＬＤに適合する洗浄製剤を提供する。
【解決手段】（ａ）フッ化物イオンを提供する少なくとも１種のフッ化物化合物、（ｂ）アルファ−ヒドロキシカルボニル化合物のアミンまたはアンモニウム化合物とのオリゴマー型またはポリマー型結合体である少なくとも１種の「褐変」アルファ−ヒドロキシカルボニル化合物、および（ｃ）水を含有する、半水性洗浄製剤を提供する。かかる製剤は、（ｄ）少なくとも１種の極性、水混和性有機溶媒、（ｅ）ｐＨ７以上、好ましくはｐＨ約９.５ないし約１０.８の最終組成物を産生するのに十分な量の、少なくとも１種の金属イオン不含塩基、および、１種またはそれ以上の（ｆ）多価アルコール、および（ｇ）界面活性剤を含む他の任意成分も含み得る。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明の実施形態は、微細なフィーチャを備えたパターニング済み基板を洗浄するための方法を提供する。パターニング済み基板を洗浄するための方法は、記載の洗浄剤を用いて、フィーチャに対して実質的に損傷を与えることなく、微細なフィーチャを備えたパターニング済み基板を洗浄できる利点を有する。洗浄剤は、液相または液／気相の流体であり、デバイスのフィーチャの周りで変形するため、実質的にデバイスのフィーチャを損傷することも損傷をまとめて低減することもない。分子量の大きい高分子化合物のポリマを含む洗浄剤は、基板上の汚染物質を捉える。さらに、洗浄剤は、汚染物質を取り込み、基板表面に汚染物質を戻さない。分子量の大きい１または複数の高分子化合物のポリマは、長いポリマ鎖を形成しており、ポリマ鎖は、さらに、架橋されて網目（すなわちポリマ網目）を形成しうる。長いポリマ鎖および／またはポリマ網目は、従来の洗浄剤と比較して、汚染物質を捉えて取り込む能力が高い。 （もっと読む）

例えばハードディスク媒体基板などの電子基板、当該ハードディスク媒体の製造に用いられるインプリント型（imprint mold）、または読取り／書込みヘッド組立部品（read/write head assembly part）の表面および／または斜面からサブミクロン粒子を除去するための洗浄溶液ならびに方法。当該洗浄溶液は、ポリカルボキシレートポリマーまたはエトキシル化ポリアミンを含む。当該方法は、ポリカルボキシレートポリマーまたはエトキシル化ポリアミンを含む洗浄溶液と当該基板の表面を接触させる工程を含む。当該方法における任意の付加的な工程は、音波エネルギーを当該洗浄溶液に適用することおよび／または当該表面をすすぎ溶液に音波エネルギーを適用するか、あるいは適用することなく、当該すすぎ溶液により当該表面をすすぐことを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体の基板から有機及び無機のポストエッチ残渣ならびにポリマー残渣及び汚染物質を除去するために使用される水性組成物を提供すること。
【解決手段】組成物が、水溶性有機溶媒、スルホン酸及び水から構成される。 （もっと読む）

基板から望ましくない物質を除去するための組成物であって、ヒドロキシルアミンまたはヒドロキシルアミン誘導体、第４級アンモニウム化合物、および少なくとも１つの極性有機溶媒を含む、組成物。この組成物は、ウェハレベルパッケージングの適用およびはんだバンプ形成の適用からフォトレジストを除去することができる。
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【課題】マイクロエレクトロニクス基板洗浄のためのアンモニア不含洗浄組成物、特に高感度多孔性誘電体、低κまたは高κの誘電体並びに銅金属被覆を特徴とするマイクロエレクトロニクス基板の洗浄方法を提供すること。フォトレジストのストリッピング、プラズマ生成有機、有機金属および無機化合物由来の残渣の洗浄方法、および平坦化工程由来の残渣の洗浄方法を提供すること。
【解決手段】非求核性、正荷電対イオンを含有する１種またはそれ以上の非アンモニア産生強塩基および１種またはそれ以上の腐食阻害溶媒化合物（該腐食阻害溶媒化合物は、金属と錯体形成できる少なくとも２つの部位を有する）を含有する洗浄組成物の使用により、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】剥離対象物の層間絶縁膜、金属、窒化金属、及び、合金を腐食することなく、短時間、低温度でフォトレジスト、反射防止膜、及び、エッチング残渣よりなる群から選ばれた少なくとも１つの付着物を除去できる剥離液とその剥離方法を提供すること。
【解決手段】第４級アンモニウム水酸化物、酸化剤、アルカノールアミン、及び、アルカリ金属水酸化物を含む水溶液からなることを特徴とする半導体デバイスの剥離液、並びに、前記剥離液を調製する剥離液調製工程、及び、前記剥離液調製工程により得られた剥離液により、フォトレジスト、反射防止膜、及び、エッチング残渣よりなる群から選ばれた少なくとも１つの付着物を除去する剥離工程を含むことを特徴とする剥離方法。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウムを腐食させることなく、レジスト除去ができる洗浄液を提供する。
【解決手段】 苛性ソーダ等の塩基性物質、塩化カルシウム等のアルカリ土類金属塩、ポリアクリル酸類及び水を含んでなる成分の組合せによる洗浄液ではアルミニウムを腐食させることなく、さらにアルミニウムの腐食を防止するアルカリ土類金属塩の水酸化物が沈殿として析出することなく用いることができる。さらに必要に応じてアルコール系、エーテル系、アミド系、含硫黄系、イミダゾリジノン系、ラクトン系の水溶性有機溶媒を用いることができる。洗浄液全体に対して、塩基性物質が０．０１〜２０重量％の範囲、アルカリ土類金属塩が０．００１〜５重量％の範囲、ポリアクリル酸類が０．００１〜５重量％の範囲、水が５０〜９９．９９重量％の範囲、水溶性有機溶媒が５０重量％以下の範囲であることが好ましい。 （もっと読む）

半導体集積回路及び／又は液晶のための半導体デバイス上に回路を作製し、及び／又は電極を形成するために有用な、金属及び合金エッチレート（特に銅エッチレート及びＴｉＷエッチレート）の低下したレジスト剥離剤を、その使用方法とともに提供する。好ましい剥離剤は、添加された銅塩とともに、又は銅塩無しで、及び銅塩の可溶性を改善するための添加されたアミンとともに、又はアミン無しで、低い濃度のレゾルシノール又はレゾルシノール誘導体を含有する。更に、これらの方法によって製造された集積回路デバイス及び電気的相互接続構造を提供する。 （もっと読む）

半導体集積回路用の半導体デバイス上に回路を製作及び／又は電極を形成するのに有用な、低減された金属エッチレート、特に低減された銅エッチレートを有するレジスト剥離剤を、それらの使用法とともに提供する。好適な剥離剤は、低濃度の銅塩又はコバルト塩を、銅塩又はコバルト塩の溶解度を改良するためのアミンと共に又はアミンなしで含有する。さらに、これらの方法に従って製造された集積回路デバイス及び電子相互接続構造も提供する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング後のフォトレジスト残渣、及びポリマーの除去が容易で、しかも低誘電率絶縁膜を浸食、酸化しない成分組成のレジスト用剥離剤組成物を提供する。
【解決手段】少なくともホスホン酸（Ｈ_２ＰＨＯ_３）と水溶性有機溶媒とを含有する水溶液であるレジスト用剥離剤組成物を提供する。そして、（ａ）このレジスト用剥離剤組成物を用いて、灰化処理を施してレジストマスク２２を除去した後に、（ｂ）前記レジストマスクの残渣及び副生ポリマーの少なくともいずれかを剥離、除去する。 （もっと読む）