【課題】金属を電気科学的腐食から保護しながら、良好な洗浄結果を生じる、多金属マイクロエレクトロニックデバイスのための良好な洗浄組成物を提供すること。
【解決手段】本発明は、多金属マイクロエレクトロニックデバイスを洗浄するために適切なマイクロエレクトロニックフォトレジスト洗浄組成物、および引き続いて水を使用するすすぎ工程が存在する場合に、実質的または有意なあらゆる電気化学的腐食を起こさずに、多金属マイクロエレクトロニックデバイスを洗浄することに関する。本発明はまた、このような多金属マイクロエレクトロニックデバイスを、本発明の組成物を用いて洗浄するための方法に関する。 （もっと読む）

【課題】アミン系剥離液使用により蓄積するレジスト樹脂、炭酸アンモニウム塩、溶解金属を連続的に除去し、剥離液の再生装置、方法を提供する。
【解決手段】剥離装置１内で循環する使用済み剥離液２を配管経路３を通じて電解槽４の陽極ドラム５およびカチオン交換膜６間に導入する。一方で電解槽４には陽極ドラム５に対向する陰極７が、カチオン交換膜６を介して設置されており、陰極７は再生済みの剥離液８によって満たされている。陽極と陰極間の電気伝導は陽イオンの移動による電気伝導が可能となっているので電気的には隔離されていない。陽極ドラム５及び陰極には、電気給手段として電源９が接続されている。陰極及び陽極間に直流電流を通電することで、使用済み剥離液に含まれるレジスト樹脂を陽極ドラム５の表面上に電着でき、剥離液中からレジスト樹脂を除去できる。 （もっと読む）

【課題】実質的に中性に調整されたヒドロキシルアミン化合物を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層、特に窒化チタンの腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】水と、洗浄剤と、塩基性有機化合物と、酸性有機化合物と、特定の含窒素非芳香族環状化合物とを含有し、実質的に中性に調整された半導体基板用洗浄組成物。 （もっと読む）

【課題】実質的に中性に調整された特定の洗浄剤を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層、特に窒化チタンの腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】水と、洗浄剤と、塩基性有機化合物と、酸性有機化合物と、特定の含窒素芳香族環状化合物とを含有させ、実質的に中性に調整された、半導体用基板用の洗浄組成物。 （もっと読む）

【課題】表面に微細な凹凸パターンを有し該凹凸パターンの少なくとも一部がシリコン元素を含むウェハの製造方法において、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するための、撥水性保護膜形成用薬液を提供することを課題とする。
【解決手段】表面に微細な凹凸パターンを有し該凹凸パターンの少なくとも一部がシリコン元素を含むウェハの洗浄時に、該凹凸パターンの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための薬液であり、一般式Ｒ^１_ａＳｉ（Ｈ）_ｂ（Ｘ）_{４−ａ−ｂ}で表されるケイ素化合物Ａ及び酸、または、一般式Ｒ^７_ｇＳｉ（Ｈ）_ｈ（ＣＨ_３）_ｗ（Ｚ）_{４−ｇ−ｈ−ｗ}で表されるケイ素化合物Ｃ及び水の含有量が３５質量％以下の塩基を含み、前記薬液の出発原料中の水分の総量が、該原料の総量に対し５０００質量ｐｐｍ以下である、撥水性保護膜形成用薬液。 （もっと読む）

【課題】 優れたレジスト剥離性を示すとともに、アルミ及び銅を腐食しない安価なレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】 エチレンアミンと芳香族有機酸を含むレジスト剥離剤を用いて銅配線用レジスト又はアルミ配線用レジストを剥離する。 （もっと読む）

【課題】実質的に中性に調整された特定の洗浄剤を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層のみならず、シリコンの洗浄により腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】水に、洗浄剤と、塩基性化合物と、酸性有機化合物とを含有させ、実質的に中性に調整された洗浄組成物であって、さらに高分子化合物を含有させた洗浄組成物。 （もっと読む）

【課題】 研磨剤由来の砥粒の除去性、絶縁膜上の金属残渣と有機残渣の除去性に優れ、かつ銅配線の耐腐食性に優れる銅配線半導体用洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 銅または銅合金配線を形成する半導体製造工程中の化学的機械的研磨の後に続く工程において使用される洗浄剤であって、アミン（Ａ）、グアニジンの塩またはグアニジン誘導体の塩（Ｂ）、および水を必須成分とし、使用時のｐＨが８．０〜１３．０であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】優れたレジスト剥離性を示すとともに、アルミ及び銅をほとんど腐食しない安価なレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】アルカノールアミンと芳香族有機酸を含むレジスト剥離剤を用いて銅配線用レジスト又はアルミ配線用レジストを剥離する。アルカノールアミンは、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルエタノールアミン、アミノエトキシエタノール、及びＮ，Ｎ−ジメチルアミノエトキシエタノール、プロパノールアミンからなる群より選ばれる少なくとも一種である。芳香族有機酸が、芳香族スルホン酸及び芳香族カルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも一種である。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ単結晶ウェハに対して十分なパーティクル除去能力を得て、且つ、表面荒れを起こさないアルカリ性の薬液の種類、濃度及び洗浄条件を規定したＧａＮ単結晶ウェハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ単結晶ウェハの洗浄方法において、ＧａＮ単結晶ウェハの表面を有機アルカリ系洗浄液で洗浄した後、有機溶剤で洗浄する方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のタングステンの腐食を抑制でき、かつ、半導体基板上のプラズマエッチング残渣及び／又はアッシング残渣の除去性に優れた洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物を用いた半導体装置の製造方法及び洗浄方法を提供すること。
【解決手段】（成分ａ）水、（成分ｂ）糖、（成分ｃ）ヒドロキシルアミン及び／又はその塩、（成分ｄ）第４級アンモニウム化合物、並びに、（成分ｅ）有機酸、を含み、ｐＨが６〜９であることを特徴とする半導体基板洗浄用の洗浄組成物。前記洗浄組成物を用いた洗浄方法、及び、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のタングステンの腐食を抑制でき、かつ、半導体基板上のプラズマエッチング残渣及び／又はアッシング残渣の除去性に優れた洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物を用いた半導体装置の製造方法及び洗浄方法を提供すること。
【解決手段】（成分ａ）水、（成分ｂ）アミン化合物、（成分ｃ）ヒドロキシルアミン及び／又はその塩、（成分ｄ）第４級アンモニウム化合物、（成分ｅ）有機酸、並びに、（成分ｆ）水溶性有機溶剤、を含み、ｐＨが６〜９であることを特徴とする、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣及び／又はアッシング残渣除去用の洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物を用いた半導体装置の製造方法及び洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】配線構造や層間絶縁構造を損傷することなく、半導体基板上のプラズマエッチング残渣を十分に除去しうる洗浄組成物、及び前記洗浄組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】５７〜９５重量％の（成分ａ）水、１〜４０重量％の（成分ｂ）第２級水酸基及び／又は第３級水酸基を有するヒドロキシ化合物、（成分ｃ）有機酸、並びに、（成分ｄ）第４級アンモニウム化合物、を含有し、ｐＨが５〜１０であることを特徴とする、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣除去用の洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物により、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣を洗浄する工程を含む、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】配線構造や層間絶縁構造を損傷することなく、半導体基板上のプラズマエッチング残渣を十分に除去しうる洗浄組成物、及び前記洗浄組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】（成分ａ）水、（成分ｂ）ヒドロキシルアミン及び／又はその塩、（成分ｃ）塩基性化合物、（成分ｄ）有機酸、並びに、０．１重量％以上、０．５重量％未満の（成分ｅ）無機酸及び／又はその塩、を含み、ｐＨが６〜８であることを特徴とする、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣除去用の洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物により、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣を洗浄する工程を含む、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【解決手段】ウエハ上の低誘電率材料及び相互接続材料に損傷を与えることなく、ウエハ上のダマシン処理によるサイドウォールポリマーを除去するための水性洗浄溶液及び洗浄溶液を用いる方法を記載する。 （もっと読む）

【課題】ポストアッシュ及び／又はポストエッチフォトレジストに限定されないが、これらのような残渣を基材から除去するための水系組成物、及びそれを含む方法を提供すること。
【解決手段】ある態様における、残渣を除去するための組成物は、（ａ）水、（ｂ）ヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミン塩化合物及びこれらの混合物から選択される少なくとも１種のもの、並びに（ｃ）水溶性有機酸を含まないという条件付の腐食防止剤を含み、添加された有機溶剤を実質的に含まない。 （もっと読む）

【課題】研磨剤由来の研磨粒子残渣の除去性や絶縁膜上の金属残渣の除去性に優れかつ、タングステン配線のタングステン腐食抑制性能に優れたタングステンおよびタングステン合金配線半導体用洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】有機アミン（Ａ）、第4級アンモニウムヒドロキシド（Ｂ）、キレート剤（Ｃ）および水（Ｗ）を必須成分とし、ｐHが７．０〜１４．０であることを特徴とするタングステンおよびタングステン合金配線半導体用洗浄剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウム、チタン、コバルト及び銅からなる群より選ばれる金属材料にダメージを与えることなく、エッチング残渣やレジスト残渣等の洗浄性能に優れた電子デバイスの洗浄用組成物及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）
【化１】


（式中、Ｒ_１、Ｒ_２は各々独立して水素原子、メチル基又はエチル基を示し、Ｒ_１及びＲ_２が共に水素原子になることはない。）
で表されるアミン類、フッ化物、及び水を含む洗浄用組成物を用い、アルミニウム、チタン、コバルト及び銅からなる群より選ばれる金属材料を含有する電子デバイスの製造プロセスにおいて発生する有機物及び／又は無機物を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】配線構造や層間絶縁構造を損傷することなく、半導体基板上のプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去しうる洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物を用いた洗浄方法及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】（成分ａ）水、（成分ｂ）ヒドロキシルアミン及び／又はその塩、（成分ｃ）塩基性有機化合物、並びに、（成分ｄ）有機酸、を含み、ｐＨが７〜９であることを特徴とする、半導体用基板上に形成されたプラズマエッチング残渣及び／又はアッシング残渣除去用の洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物を用いた洗浄方法及び半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明はバルクフォトレジスト、ポストエッチ及びポストアッシュ残渣、Ａｌバックエンド工程相互接続構造からの残渣、並びに混入物を除去するための水系配合物及びそれを使用する方法に関する。
【解決手段】この配合物は、ヒドロキシルアミン；アルキルジヒドロキシベンゼンとヒドロキシキノリンとの混合物を含む腐食防止剤；アルカノールアミン、水溶性溶媒又はこれら２つの組み合わせ；及び少なくとも５０重量％の水を含む。 （もっと読む）