ポストプラズマエッチング残渣および／またはハードマスク材料を、上記残渣を上に有するマイクロ電子デバイスから洗浄するための、酸化性水性洗浄組成物および方法。本発明の酸化性水性洗浄組成物は、少なくとも１種類の酸化剤と、第１級アミン、第２級アミン、第３級アミン、およびアミン−Ｎ−オキシドからなる群より選択されるアミン種を含む少なくとも１種類の酸化剤安定剤と、必要に応じて少なくとも１種類の共溶媒と、必要に応じて少なくとも１種類の金属キレート剤と、必要に応じて少なくとも１種類の緩衝性化学種と、水とを含む。本発明の組成物は、マイクロ電子デバイスから残渣材料を非常に効果的に洗浄しながら、同時に、同じくデバイス上に存在する層間絶縁および金属相互接続材料は損傷しない。
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本発明は、半導体素子類を製造する工程中に感光性樹脂を除去するために使用される感光性樹脂除去剤組成物を開示する。より詳細には、ヒドラジン水和物またはアミン化合物３〜２０重量％と、 極性溶剤２０〜４０重量％と、イミダゾリン誘導体、サルファイド誘導体、スルホキシド誘導体、芳香族系化合物、またはヒドロキシル基を有する芳香族系化合物から選択される腐食防止剤０．０１〜３重量％と、Ｃ_２〜Ｃ_１０のモノアルコール化合物０．０１〜５重量％と、脱イオン水４０〜７０重量％とからなることを特徴とする。
本発明による半導体用感光性樹脂除去剤組成物は、ハードベイク、ドライエッチング、アッシング(ashing)、またはイオン注入工程により硬化された感光性樹脂膜及び前記工程中に下部の金属膜質からエッチングされて出てくる金属性副産物により変質された感光性樹脂膜を、低温で短時間内に容易に除去することができ、また感光性樹脂除去工程の中、下部の金属配線の腐食を最少化することができる。
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本発明は、一般に流体を混合するための方法および機器に関する。より詳細には、本発明は、流体流を形成する近臨界および超臨界の流体へ導入された流体を混合するための方法および機器に関する。流体流中では密度勾配が生成され、それが迅速な混合をもたらす対流速度を誘起する。本発明は、流体の迅速なサイクル時間または迅速な混合が必要でありかつ残渣に対して低い許容度しか許されない、半導体およびウェハー製造のような商業用途などにおいて適用される。

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化学機械研磨（ＣＭＰ）後残渣、エッチング後残渣及び／又は汚染物を、その上に前記残渣及び汚染物を有するマイクロエレクトロニクス素子から洗浄するためのアルカリ性水性洗浄組成物及びプロセス。アルカリ性水性洗浄組成物は、アミンと、不活性化剤と、水とを含む。組成物は、残渣及び汚染物物質のマイクロエレクトロニクス素子からの高度に効果的な洗浄を達成する一方で、同時に金属配線材料の不活性化を達成する。
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本発明は、マイクロエレクトロニクス基板を洗浄するための洗浄組成物を提供し、これは、本質的に完全にかかる基板を洗浄し、金属腐食を防止し、または本質的にそのような基板の金属元素の腐食をもたらさず、先行技術のアルカリ含有洗浄組成物で必要とされる洗浄時間と比較して、比較的短い洗浄時間および比較的低い温度でこれらを行うことができる。本発明は、マイクロエレクトロニクス基板を洗浄するための、マイクロエレクトロニクス基板の金属元素の有意な腐食をもたらさない、そのような洗浄組成物の使用方法も提供する。本発明の洗浄組成物は、（ａ）少なくとも１種の有機溶媒、（ｂ）少なくとも１種の中和されていない無機リン含有酸、および（ｃ）水を含む。本発明の洗浄組成物には、場合により、例えば界面活性剤、金属錯体化またはキレート化剤、腐食阻害剤などの他の成分が組成物中に存在してもよい。本発明の洗浄組成物は、無機リン含有酸成分を中和する有機アミン類、ヒドロキシルアミン類またはアンモニウム塩基などの他の強塩基が存在しないことを特徴とする。本発明の洗浄および残渣除去組成物は、アルミニウム、チタンおよびタングステンを含有するマイクロエレクトロニクスの基板の洗浄に特に適する。 （もっと読む）

本発明のフォトレジスト剥離剤および洗浄組成物は、電子デバイスの表面の異なるタイプの金属の重層構造に使用したときに電気化学的腐食に耐性である、非水性かつ非腐食性の洗浄組成物により提供される。そのような非水性フォトレジスト剥離剤および洗浄組成物は、（ａ）少なくとも１種の極性有機溶媒、（ｂ）少なくとも１個の第一級アミン基および１個またはそれ以上の第二級および／または第三級アミン基の両方を有し、下式［式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_４およびＲ_５は、Ｈ、ＯＨ、ヒドロキシアルキルおよびアミノアルキル基から独立して選択されてよく；Ｒ_６およびＲ_７は、各々独立してＨまたはアルキル基であり、ｍおよびｎは、各々独立して１またはそれ以上の整数であり、但し、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_４およびＲ_５は、少なくとも１個の第一級アミン基および少なくとも１個の第二級または第三級アミン基が化合物中に存在するように選択される］を有する少なくとも１種のジまたはポリアミン、および、（ｃ）８−ヒドロキシキノリンおよびその異性体、ベンゾトリアゾール、カテコール、単糖、並びに、マンニトール、ソルビトール、アラビトール、キシリトール、エリスリトール、アルカンジオールおよびシクロアルカンジオールから選択される多価アルコールから選択される少なくとも１種の腐食阻害剤を含む。
【化１】

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シリル化剤を含む超臨界二酸化炭素不動態化溶液を用いたシリコンオキサイドベースの低ｋ材料の不動態化の方法が開示されている。シリル化剤は、好ましくはヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、クロロトリメチルシラン（ＴＭＣＳ）、トリクロロメチルシラン（ＴＣＭＳ）およびそれらの組み合わせなど、５炭素原子を含む有機基を含む有機シリコン化合物である。本発明の更なる実施態様によれば、誘電体を含むポストアッシュ基材は超臨界二酸化炭素洗浄溶液を用いて同時に洗浄および不動態化される。
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特に、銅とlow-k誘電材料を含む基板からレジスト、エッチング残渣、平坦化残渣、及び酸化銅の1又は2以上を除去するのに適用できる種々の組成物を開示する。基板の表面を組成物と、典型的には30秒〜30分の時間、かつ25℃〜45℃の温度で接触させることによって、レジスト、残渣、及び酸化銅を除去する。組成物は、フッ化物供給成分；少なくとも1質量%の水混和性有機溶媒；有機酸；及び少なくとも81質量%の水を含む。典型的に、組成物は約0.4%までの1又は2以上のキレーターをさらに含む。 （もっと読む）

超小型電子装置前駆体構造物等のウェハ基材の表面調製及び／又は洗浄のための、超小型電子装置製造に有用な組成物。本組成物は、例えば、超小型電子装置ウェハの表面調製、プレ被覆洗浄、ポストエッチング洗浄及びポスト化学的機械的研磨洗浄等の操作において、銅メタライゼーションを含めるために更に処理されなければならないウェハ、又は更に処理することが意図されているウェハの処理のために、用いることが可能である。本組成物は（ｉ）アルカノールアミンと（ｉｉ）水酸化４級アンモニウムと（ｉｉｉ）錯化剤とを含有し、酸素曝露下において耐黒ずみ性及び耐劣化性を呈するだけでなく、貯蔵安定である。
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【課題】硬化フォトレジスト及び／又は底部反射防止膜（ＢＡＲＣ）材料をその上に有する超小型電子装置から、該材料を除去する。
【解決手段】水性組成物は、少なくとも１つのカオトロピック溶質、少なくとも１つのアルカリ性塩基、及び脱イオン水を含む。組成物は、集積回路製造において、銅などの基板上の金属種に対する悪影響なしに、そして超小型電子装置構造中で用いられる低誘電性材料への損害なしに、硬化フォトレジスト及び／又はＢＡＲＣ材料の高効率除去を達成する。 （もっと読む）

少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素および少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を含む除去化学薬品溶液について本明細書で説明する。除去化学薬品溶液は、フッ化水素ガスと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物も含む。少なくとも１つの気体状低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素を提供するステップと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、除去化学薬品溶液を生成するために少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素を少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物中に通気させるステップとを含む、除去化学薬品溶液を生成する方法を本明細書で説明する。少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素を提供するステップと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、除去化学薬品溶液を生成するために少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素を少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物中に混合するステップとを含む、除去化学薬品溶液を生成する方法も説明する。除去化学薬品溶液を生成する追加の方法は、少なくとも１つの気体状無水フッ素ベース構成要素を提供するステップと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、溶液を生成するために少なくとも１つの無水フッ素ベース構成要素を少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物中に通気させるステップとを含む。また本明細書で説明するように、除去化学薬品溶液を生成する方法は、フッ化水素ガスを提供するステップと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、溶液を生成するためにフッ化水素ガスを少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物中に通気させるステップとを含む。 （もっと読む）

フォトレジスト、ポリマー材料、又は残留物を基板から除去するために使用される組成物は、水-混和性有機溶剤、水、少なくとも１つの有機アミン、及び２又は３以上の水-混和性有機溶剤において溶解性である没食子酸の誘導体である防蝕剤を含む。組成物は、更に界面活性剤を含み得る。この組成物の使用により、レジスト再付着が低減され、腐蝕が低減され、及び剥離性が改良される。 （もっと読む）

配線、ウェーハレベルパッケージング、及びプリント回路基板からフォトレジスト、ポリマー、エッチング後残渣、及び酸素アッシング後残渣を除去するための改良された組成物と方法を開示する。一方法は、有効量の有機アンモニウム化合物と、約２〜約２０質量％のオキソアンモニウム化合物と、任意的な有機溶媒と、水とを含有する混合物と前記基板を接触させる工程を含む。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニクスの基板を洗浄するための剥離および洗浄組成物であって、少なくとも１種の有機剥離溶媒、少なくとも１種の求核性アミン、剥離組成物が約９.６ないし約１０.９の水中ｐＨを有するように、求核性アミンの重量の約３％ないし約７５％を中和するのに十分な量の少なくとも１種の窒素不含弱酸であって、水性溶液中のｐＫ値２.０またはそれ以上および１４０より小さい当量を有する弱酸、ジエチレングリコールおよびジエチレングリコールアミンからなる群から選択される少なくとも１種の金属除去化合物、および水を含む組成物、並びにこれらの組成物を用いてマイクロエレクトロニクスの基板を洗浄する方法。 （もっと読む）

膜除去システム（２００、２０１）中の基板（１７８、２６５）を処理するための方法及びシステムである。本方法は、膜除去システム（２００、２０１）の基板チャンバ（２５０）内にミクロフィーチャ（１７０）の側壁（１８３）上の誘電体膜（１８２）及び誘電体膜（１８２）の一部を覆うフォトレジスト膜（１８４）を有するミクロフィーチャを有する基板（１７８、２６５）を提供する段階と、フォトレジスト膜（１８４）によって覆われていない誘電体膜（１８２）の部分（１８６）を除去するため超臨界ＣＯ_２処理を用いた第一の膜除去プロセスを実施する段階と、を含む。第一の膜除去プロセスの後、フォトレジスト膜（１８４）を除去するため超臨界ＣＯ_２処理を用いた第二の膜除去プロセスが実行されてよい。他の実施形態では、第一の膜除去プロセスまたは第二の膜除去プロセスの一つを実行するため湿式処理が用いられてよい。
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本発明は、一般に材料を処理するための方法に関する。より詳細には、本発明は反応性流体、および被覆材料、金属、非金属、層状材料、有機物、ポリマーおよび半導体材料を非限定的に含む付着材料を除去するための反応性流体の使用に関する。本発明は、半導体チップ生産のような商用プロセスに適用することが可能である。

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