【課題】電子製品用の基板に付着した異物を除去する異物除去装置において、エアー射出による異物への除去作用を維持しながらも異物の拡散による再汚染を防止し、充分な異物除去能力を得ることができる。
【解決手段】この発明の異物除去装置においては、異物除去処理を行う際に基板１上部に隙間を空けて対向して配置される異物飛散防止板３と、異物飛散防止板３の外周に設けられる囲い板４と、異物飛散防止板３に開口して設けられるエアー射出部５と、エアー射出部５と囲い板４の間に開口して設けられるメインエアー吸引部６およびサブエアー吸引部７とを備えるものである。 （もっと読む）

【課題】基板ケースをドライ洗浄で実施するにあたり、被洗浄物が複雑な形状を含む場合であっても洗浄可能な基板ケース洗浄装置を提供する。
【解決手段】シリコンウェハやフォトマスクなどの異物の付着を嫌う基板を保持するドア部２と、前記ドア部２を周囲の雰囲気と遮断することによって保持された基板に異物が付着するのを防止するためのカバー部と、前記ドア部２に設けられたパッキン５であって、前記ドア部２と前記カバー部を密封するためのパッキン５と、を備えている基板ケースの前記ドア部２の洗浄装置１であって、少なくとも前記ドア部を載置し回転させるためのターンユニット３と、前記ドア部２に向って洗浄用ガスを噴出するガス噴出ノズル４と、を備えていることを特徴とする基板ケース洗浄装置１。 （もっと読む）

【課題】チャックテーブルに侵入した数μｍの研削屑も良好に除去することができ、かつ、チャックテーブル上に保持された被加工物の表面を良好に洗浄することができる洗浄装置を提供する。
【解決手段】高圧エアー及び液体で構成される２流体洗浄水８２０ａを高圧噴射する構成とすることにより、数μｍほどの屑も洗浄できるようにして、ブラシ等を不要とする。また、飛散防止チャンバー８３と、飛散防止チャンバー８３においてチャックテーブル２の上面２ａ又は被加工物Ｗの表面Ｗａ上で飛散するミスト８２０ｂを外部へ排出する排出手段８４とを備え、洗浄時は、飛散防止チャンバー８３の側壁８３０の下端がチャックテーブル２の上面２ａ又は上面２ａに保持された被加工物Ｗの表面Ｗａと所定の隙間Ｃ１をもち、チャックテーブル２の上面２ａ上又は被加工物Ｗの表面Ｗａ上に形成された洗浄水層８７により隙間Ｃ１が封止されるようにすることにより、ミストが飛散しないようにする。 （もっと読む）

【課題】マイクロラフネス、ウォーターマーク、基板材料損失、デバイス構造の破壊といったウェット洗浄が有する技術的課題を回避しつつ、極低温エアロゾル照射手法に比べてより多様な汚染物を基板から除去することができる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】被洗浄物が付着したウェハＷを洗浄する基板洗浄装置に、洗浄剤分子が複数集合してなるクラスターをウェハＷに噴射するクラスター噴射手段と、前記洗浄剤分子のクラスターを噴射することによって除去された被洗浄物を吸引する吸引手段と、ウェハＷ及び前記クラスター噴射手段を、被洗浄物が付着したウェハＷの面に沿って相対移動させる手段を備える。 （もっと読む）

【課題】ペリクルを損傷させることなく、異物を除去することができる異物除去装置を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様に係る異物除去装置１０は、ペリクルフレーム２３を介してペリクル２２が装着されたマスク２０のペリクル２２上の異物を除去する異物除去装置であって、ペリクル２２側から超音波を照射して、ペリクル２２の近傍を腹とする定在波を発生させる超音波発生手段１１を備える。また、ペリクル２２と異物２５との間の静電気を除去するイオナイザ１２をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】従来は塗布の前処理として洗浄を行う製造ラインにおいて洗浄工程から塗布工程の間に設備間の移動が必要であった。そのため洗浄後の清浄部に空気中に浮遊しているゴミをかみこみ、濡れ性不足、接着強度不足、信頼性の低下を招く恐れがあった。
【解決手段】本発明は、被照射部にスポット照射を行い清浄化する洗浄ヘッド２１と、前記洗浄ヘッドと被照射体の相対位置関係において前記洗浄ヘッド２１の進行方向の後ろ側に配された前記塗布ヘッド２２を具備する洗浄塗布装置である。係る発明を用いることで、洗浄工程後、清浄部に汚染物質が再付着する前に塗布工程を行うことができる。また、洗浄工程と塗布工程の間に搬送工程を含まず、一つの装置で洗浄塗布工程が行えるため、工程及び設備の簡易化が可能である。 （もっと読む）

【課題】使用済みスチームを拡散させることなく効率よく回収することができる半導体製造装置の洗浄装置を提供する。
【解決手段】純水スチーム生成容器１２と、スチーム供給管１７及びスチーム回収管１８からなる洗浄ノズル１６を有する半導体製造装置の洗浄装置１０のスチーム供給管１７の先端部に、スチーム供給口１９から噴射され、洗浄対象物３０に衝突した使用済み純水スチームが、スチーム供給管１７の先端部の外形表面に沿った流れを形成するような凸状の湾曲面１７ａが形成される。 （もっと読む）

【課題】 トランジスタの動作性能劣化を引き起こす可能性を軽減しつつ、低温プロセス、かつ、高スループットで有機化合物ガスを用いた基板処理を可能とする基板処理方法を提供すること。
【解決手段】 銅又は銅合金を含む薄膜を有した被処理基板の基板処理方法であって、複数の被処理基板Ｗと、複数のダミー基板ＤＷとを、複数段の被処理基板保持部６ａを有する被処理基板ボート５に、交互に保持させていく工程と、被処理基板Ｗ及びダミー基板ＤＷを、交互に保持した被処理基板ボート５を、有機化合物ガスを用いたドライ処理を行う処理容器に搬入する工程と、処理容器内において、被処理基板ボート５に保持された被処理基板Ｗに対し、有機化合物ガスを用い、銅又は銅合金を含む薄膜に対してドライ処理を行う工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ表面の酸化銅の除去および層間絶縁膜に付着したＣｕ含有物残渣の除去を効率良く確実に行うことができる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板上のＣｕ配線構造におけるＣｕ表面の酸化銅膜および層間絶縁膜に付着したＣｕ含有物残渣を有機酸含有ガスを用いて除去するにあたり、基板温度が相対的に低温の第１の温度になるように基板を加熱しつつ基板に有機酸ガスを含む処理ガスを供給してＣｕ含有物残渣のエッチング除去を行う第１工程と、基板温度が前記第１の温度よりも高温の第２の温度になるように基板を加熱しつつ基板に有機酸ガスを含む処理ガスを供給して前記Ｃｕ表面の酸化銅膜を還元を主体とする反応により除去する第２工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】異物を除去するためのレーザ光照射装置及び受光装置を利用して基板の位置合わせを行い、基板に対して適正な後処理を施すことができる異物除去方法を提供する。
【解決手段】異物除去装置に設けられた異物を除去するためのレーザ光照射部３４からステージ３３に載置されて回転するウエハＷの端部にずれ測定用のレーザ光を照射し、照射したレーザ光のうちウエハＷの端部に遮られたレーザ光を除く残りのレーザ光をパワーメータ３５で受光してレーザ光の出力を検出し、回転するウエハＷの回転角を検出し、検出したレーザ光の出力データと回転角データとに基づいてウエハＷのずれ量を算出し、算出したずれ量に基づいてウエハＷのずれを補正し、その後、ウエハＷの端部にレーザ光照射部３４から洗浄用のレーザ光を照射すると共に異物と反応する処理ガスを噴射してウエハＷに付着した異物を分解、除去する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板への入熱量を適正化して無駄な加熱をなくすると共に、無駄な処理をなくして処理時間を短縮することができる異物除去方法を提供する。
【解決手段】被処理基板に外径寸法測定用のレーザ光を照射する測定用レーザ光照射ステップと、測定用のレーザ光のうち、基板の端部に遮られたレーザ光を除く残りのレーザ光を受光してレーザ光の出力を検出する出力検出ステップと、回転する基板の回転角を検出する回転角検出ステップと、出力検出ステップで検出したデータと回転角検出ステップで検出したデータとに基づいて基板の外径寸法を算出する算出ステップと、算出した外径寸法に基づいて、基板の外周端から所定範囲の基板表面に対し、照射断面が矩形の異物洗浄用のレーザ光を照射すると共に異物と反応する処理ガスを噴射して所定範囲の基板表面に付着した異物を分解、除去する分解ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】ガス流の圧力損失を制御することにより、被処理物に対する処理レートを調整可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部を真空とすることが可能な処理室１内に、被処理物Ｓに対向して、プラズマ処理用のガスの流路を構成する穴３０を有する第１のガスノズル３と、穴４０を有する第２のガスノズル４とが、互いの間に隙間を保持した状態で重なり合う位置に配置され、第２のガスノズル４は、穴３０及び穴４０を通過するガスの圧力損失が変化するように、駆動機構６によって回動可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】表面処理用の処理槽に設けた、被処理物の出し入れ用の開口でのガスの流れを安定させる。
【解決手段】被処理物９を搬送方向に沿って搬入開口１３から処理槽１０の内部に搬入し、処理空間１９に配置する。供給系３０から処理ガスを処理空間１９に供給し、被処理物９を表面処理する。その後、被処理物９を搬出開口１４から搬出する。排気系４０で処理槽１０の内部からガスを排出する。開口１３，１４を、互いに上記搬送方向と直交する対向方向に対向距離Ｄを隔てて対向する一対の整流面１７，１８によって画成する。開口１３，１４の上記搬送方向に沿う奥行きＬを、対向距離Ｄの２倍以上とし、好ましくは６倍以上とする。 （もっと読む）

【課題】被処理物を表面処理する処理槽から処理ガスが漏れるのを防止し、かつ処理空間での処理ガスの流れを安定化する。
【解決手段】被処理物９を搬送手段２０によって搬入開口１３から処理槽１０の内部に搬入し、処理空間１９に配置する。供給系３０から処理ガスを処理空間１９に供給し、被処理物９を表面処理する。その後、被処理物９を搬出開口１４から搬出する。排気系４０で処理槽１０の内部からガスを排出する。このガス排出によって外部のガスが開口１３，１４を通して処理槽１０の内部に流入する。この流入ガスの平均流速が、０．１ｍ／ｓｅｃ以上、かつ流入ガスが処理空間１９に達する大きさ未満になるよう設定する。 （もっと読む）

【課題】紫外線を安定的に照射することができ、且つ紫外線照射時の熱の発生を抑えることができるドライ洗浄装置を提供する。
【解決手段】本発明のドライ洗浄装置は、半導体ウエハ等の被洗浄物が収容される反応容器１１の内部に紫外線を照射する発光ダイオード１４と、前記反応容器１１内にオゾンを含む洗浄用ガスを導入するガス導入手段を備えている。発光ダイオード１４が発光する紫外線は強度が安定しているため、被洗浄物の表面を斑なく洗浄することができる。また、発光ダイオード１４は、発光する紫外線照度の立ち上がりが早いため、洗浄装置１０の処理能力を高めることができる。さらに、発光ダイオードは紫外線ランプに比べて輝度を容易に調整することができる。さらにまた、発光ダイオードは熱の照射が極めて少ないため、被処理物が熱で変形することがなく、材料選択の自由度が大きい。 （もっと読む）

【課題】不活性ガスの使用量を低減して被照射物の洗浄及び表面改質のコスト削減可能な紫外線照射装置を提供する。
【解決手段】紫外線を放射する光源２と光透過窓３とを有するランプハウス４と、光透過窓３と被照射物Ｐとの間の空間Ｓに少なくとも不活性ガスと酸素とが含まれる混合ガスを導入するためのガス導入手段５とを備え、ランプハウス４は、不活性ガスを導入するためのガス導入口７と、不活性ガスを排出するためのガス排出口８とを有しており、ガス排出口８から排出された不活性ガスをガス導入手段５に送る回送流路６が備えられていることを特徴とする紫外線照射装置１。 （もっと読む）

【課題】露光前のウェハの裏面全面を効率よく洗浄する。
【解決手段】処理容器１１０の一の側面には、搬送機構１０１の搬送アーム１２０に保持されたウェハＷを搬入出させる搬入出口１１１が形成されている。処理容器１１０内には、搬送アーム１２０に保持されたウェハＷの裏面の付着物を静電気によって捕集するために帯電可能な帯電部材１３０と、当該ウェハＷの裏面に気体を噴射できる気体噴射ノズル１４０が設けられている。処理容器１１０の底面であって、帯電部材１３０の周囲には、処理容器１１０内の雰囲気を排気する排気口１５０が形成されている。処理容器１１０内であって、搬入出口１１１側の内側面には、ウェハＷの裏面の付着物を検査する検査機構１６０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】処理ガスが系外へ漏洩、拡散するのを防止又は抑制できる表面処理装置を提供する。
【解決手段】ノズル部の被処理物Ｗと対面する面３３に、処理ガスを噴出する噴出口３１と、吸引口３４を開口形成する。吸引口３４における噴出口３１側とは反対側の縁を、噴出口３１側の縁より上側（対面方向の逆側）に引っ込ませ、吸引口３４より外側の第２面部分３３ｂを、吸引口３４と噴出口３１の間の第１面部分３３ａより上側（対面方向の逆側）に引っ込ませる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの表面に貼り付けられた保護テープをウエハ外形に沿って切り抜く半導体ウエハの保護テープ切断方法において、保護テープ切断処理によって発生した塵埃を適切に除去する。
【解決手段】半導体ウエハＷの外周に沿ってカッタ刃１２を相対移動させるとともに、カッタ刃１２によるテープ切断部位に発生して保護テープＴの上面に付着した塵埃を、半導体ウエハＷに対してカッタ刃１２とともに相対移動する集塵部材５６で掃き集め、テープ切断終了後に、所定箇所に掃き集めた塵埃を吸引ノズル６１で吸引除去する。 （もっと読む）