【課題】減圧処理室内の部材表面から微粒子を飛散させて部材の清浄化を行う。
【解決手段】減圧処理内の部材に付着した微粒子を飛散させて部材を清浄化するために、（１）微粒子を帯電させてクーロン力を利用して飛散させる手段、（２）減圧処理室にガスを導入し、微粒子の付着した部材にガス衝撃波を到達させ、微粒子を飛散させる手段、（３）部材の温度を上昇させ、熱応力及び熱泳動力により微粒子を飛散させる手段、又は（４）部材に機械的振動を与えて微粒子を飛散させる手段を用いる。さらに、飛散させた微粒子を比較的高圧雰囲気でガス流に乗せて除去する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、研磨工程由来の有機残渣除去性能、銅配線の腐食抑制効果（銅腐食抑制効果）に優れ、かつ腐食防止剤が残留しない銅配線半導体用洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 有機アミン、４級アンモニウム化合物、ウレア基またはチオウレア基を含有する化合物、および水を必須成分とし、ｐＨが７〜１２であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤である。 （もっと読む）

【課題】 基板洗浄装置における有機汚染除去力の変動を的確に把握することが可能な技術を提供することである。
【解決手段】 ドライ洗浄装置の有機物除去力を基板の接触角で評価する洗浄力評価方法であって、予め被膜を形成した基板を用意し、前記被膜を所定の洗浄時間でドライ洗浄する洗浄工程と、前記洗浄時間とは異なる洗浄時間で、前記洗浄工程と異なる前記被膜領域をドライ洗浄する洗浄工程と、前記洗浄工程でそれぞれ洗浄された被膜部分の接触角をそれぞれ計測する工程と、前記各洗浄工程に要した時間と前記接触角の計測値とに基づいて、前記基板に対する洗浄力を評価する工程とを備える洗浄力評価方法である。 （もっと読む）

【課題】洗浄される表面と水系配合物とを接触させることを含む、半導体製造プロセスにおける残渣を除去する洗浄方法
【解決手段】洗浄される表面と水系配合物とを接触させることを含む、半導体製造プロセスにおける残渣を除去するための洗浄方法であって、その水系配合物が、アクリルアミド−メチル−プロパンスルホナートポリマー、アクリル酸−２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸コポリマー及びこれらの混合物からなる群から選択されるポリマー、及び４超の炭素原子を有する第四級アンモニウムヒドロキシド又は非アセチレン性界面活性剤と共に水酸化コリンを有する方法である。また、本発明は、上記方法中で説明した成分を有するＣＭＰ後洗浄配合物である。 （もっと読む）

【課題】基板の表面にパーティクルを付着させ、この基板に光を照射してパーティクルから放出される光を受光してパーティクルの付着状態を測定するにあたり、微少なパーティクルであっても簡便に確実に測定すること。
【解決手段】ウェハＷの表面に付着させる蛍光粒子１中にレーザー光により蛍光を発する蛍光物質を混入させると共に、受光部１１とウェハＷとの間にレーザー光やこのレーザー光の照射により生じる散乱光の透過を抑える光学フィルタ１２を介設し、受光部１１には散乱光の入射を抑えて蛍光粒子１から放出される蛍光を入射させる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハに対してレジスト膜を形成し、露光後のウエハに対して現像を行う、塗布、現像装置において、例えばレジスト膜形成前のウエハに対して疎水化流体により疎水化処理を行うことによりウエハの裏面の周縁部が疎水化状態になる。このウエハの裏面を洗浄液とブラシとを用いて洗浄するとブラシが削れてウエハの裏面が汚染され、露光に不具合が生じる。そこでウエハの裏面を良好に行える手法を提供する。
【解決手段】露光前のウエハＷを水平保持し、鉛直軸周りに回転させるスピンチャック１０と、回転するウエハＷの裏面５１を、自転しながら洗浄する洗浄ブラシ３０と、洗浄時にウエハＷの裏面５１に洗浄液Ｓを供給する洗浄液ノズル１５と、を用い、少なくともウエハＷの周縁部５２を洗浄するときに、ウエハＷの回転数８０ｒｐｍ以下となるように制御する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の表面に付着した研磨剤や不純物を除去する洗浄工程において、ガラス基板の表面にキズをつけてしまうのを防止可能な洗浄用ブラシを提供すること。
【解決手段】この洗浄用ブラシ１は、被洗浄体を洗浄するための洗浄用ブラシであり、回転軸４を中心に回転する円筒形状のブラシ本体２と、ブラシ本体２の外周面上に配列された複数のブラシ片３とを具備する。各ブラシ片３は、短辺３ａと長辺３ｂとからなる長方形の先端面３ｄを有し、短辺３ａは、回転軸４に対して垂直な辺であり、長辺３ｂは、回転軸４に対して平行な辺であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】枚葉式スピン洗浄により半導体基板を洗浄する際に、パーティクルの発生を抑えながら清浄度を向上させることができ、スループットの低下を抑えることができる半導体基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】半導体基板を回転させながら上記半導体基板の表面に純水を供給して全面に純水の被覆層を形成し、同時に上記半導体基板の表面に超音波を印加しながらフッ化水素酸水溶液を供給して、パーティクルの付着を防止しつつ半導体基板表面の洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】微小サイズの異物が排除された状況下でナノインプリント用のテンプレートを洗浄することが可能なテンプレート洗浄方法、洗浄システム、及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】ナノインプリント用のテンプレート（３０１）を洗浄するテンプレート洗浄装置（１０１）であって、前記テンプレート洗浄装置は、ウエハ（２０１）及び前記テンプレートを収容するためのチャンバ（１１１）と、前記チャンバ内に設けられ、前記ウエハ及び前記テンプレートを設置可能なステージ（１３１）と、前記ウエハ及び前記テンプレートを前記チャンバ内に搬送可能な搬送アーム（１２３）とを備える。 （もっと読む）

【課題】コロイダルシリカを研磨材として用いたとしても洗浄性に優れ、砥粒や研磨カスを十分に除去できる電子デバイス基板用洗浄剤組成物、および電子デバイス基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）成分：アルカリ金属の水酸化物を０．０１〜５．００質量％、（Ｂ）成分：ヒドロキシカルボン酸および／またはその塩を０．１０〜１０．００質量％含有し、界面活性剤の含有量が１．００質量％未満であることを特徴する電子デバイス基板用洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】簡単にしかも低コストでウォータマークの発生を少なくできる洗浄・乾燥条件の選択を可能とした半導体ウェハと半導体集積回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウォータマークの検出を容易にしたＴＥＧとしての半導体ウェハとして、同じパターンの繰り返しが第１方向に並ぶ第１ウォータマーク検出パターンを含む第１領域と、同じパターンの繰り返しが上記第１方向と直交する第２方向に並ぶ第２ウォータマーク検出パターンを含む第２領域とを設ける。上記半導体ウェハを用いてウォータマークが最も少なくなる洗浄・乾燥条件を探し出して、その洗浄・乾燥条件により実際の回路機能を持つ半導体集積回路を形成する半導体ウェハの洗浄・乾燥を行う。 （もっと読む）

【課題】薬液処理後の水洗処理において、リフターに付着する薬液の水洗槽への持込み量を低減させ、水洗槽でのエッチングを防止できる洗浄装置および洗浄方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の洗浄後にリフター２の洗浄を行い、薬液処理時に用いられた薬液および純水を含む溶液の比抵抗とリフター洗浄前の初期比抵抗の差分が予め設定された所定の値になるまで積分演算を行い、リフターに付着している残留薬液量を算出し、算出された残留薬液量からリフターが清浄な状態になるまでの洗浄時間を算出する。前記洗浄時間が経過するまで純水によるリフターの洗浄を行うことで、水洗処理槽でのエッチングを防止し、微細デバイスの品質、信頼性および歩留りを維持することができる。 （もっと読む）

【課題】洗浄液により表面にパターンが形成された基板を洗浄するにあたって、洗浄液を除去あるいは乾燥させるときに、洗浄液の表面張力によりパターンの凸部の倒れを抑えながら当該基板を洗浄すること。
【解決手段】洗浄を行う基板と、洗浄液の液滴と、の間において当該液滴の蒸気が介在することによってライデンフロスト現象が起こるように基板を加熱して、この基板に洗浄液を供給して洗浄する。基板上に供給された洗浄液の液滴の下面から蒸気が下方に向かって噴き出すことにより、基板と液滴との間の表面張力がなくなるかあるいは極めて小さくなり、またこの蒸気により基板上の残渣などが上方に巻き上げられて液滴に取り込まれる。 （もっと読む）

【課題】基板処理効率を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１において、被処理面を有する基板Ｗを保持して回転させる回転機構５と、回転機構５により回転する基板Ｗの被処理面に対して処理液を供給する供給ノズル６と、供給ノズル６を基板Ｗの周縁に向かって並ぶ複数の供給位置に順次移動させる移動機構７と、供給ノズル６により処理液が供給されている箇所の被処理面の表面状態変化を検出する検出部８と、検出部８により検出された表面状態変化が許容値以下になった場合、供給ノズル６が次の供給位置に移動するように移動機構７を制御する手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】異種の基板同士を貼り合わせることにより表裏面の性質が異なるハイブリッド基板を洗浄する際に、除去された汚染物の再付着を防止することができ、さらには洗浄後の基板の清浄度を間接的に確認できる洗浄方法を提供する。
【解決手段】活性層となる半導体基板と、活性層用半導体基板とは異種の支持基板とを貼り合せたハイブリッド基板の洗浄方法であって、少なくとも、洗浄液中でハイブリッド基板の支持基板表面のゼータ電位と反対符号の電位を有するダミー基板と、ハイブリッド基板を交互に配置した状態で、洗浄液中に浸漬させて洗浄するハイブリッド基板の洗浄方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハや熱処理炉内のシリコン系部材における汚染金属の濃度を十分に低減できる洗浄方法及びそれを用いたシリコンウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウエハ６１やシリコンダミーウエハ６５、熱処理炉６の内部に配置されるシリコンウエハボート６２等のシリコン系部材の洗浄方法であって、シリコンウエハ６１及びシリコン系部材を、１０００℃以上の酸化性雰囲気下で熱処理する酸化熱処理工程中に、シリコンウエハ及びシリコン系部材に対して塩化水素ガスを接触させる洗浄工程を行う。これにより、鉄等の汚染金属濃度を充分に低減できる。 （もっと読む）

【課題】薬液の使用量を抑えつつ基板表面を良好に処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】初期薬液処理では、基板表面Ｗｆにシリコン酸化膜が形成されており、基板表面Ｗｆは親水面となっている。そこで、初期薬液処理（時刻０から時間Ｔ1が経過するまでの間）においてはフッ酸溶液の流量を５１０（ｍＬ／ｍｉｎ）に抑えてフッ酸の使用量を抑制している。一方、初期薬液処理により基板Ｗのシリコン層の少なくとも一部が露出してくるタイミングでフッ酸溶液の流量を１５３０（ｍＬ／ｍｉｎ）に増大させて連続薬液処理中を実行しているため、基板表面Ｗｆの一部にシリコン層が露出して疎水面が形成されたとしてもフッ酸溶液が基板表面Ｗｆ全体をカバレッジしてシリコン酸化膜のエッチング除去を継続させることができる。 （もっと読む）

【課題】より多くの汚染物質を除去可能な石英部材の洗浄方法及び洗浄システムを提供する。
【解決手段】まず、石英部材を希フッ酸（ＤＨＦ）で洗浄する。次に、ＤＨＦにより洗浄された石英部材を純水で洗浄する。続いて、純水による洗浄を終了するか否かを判別する。終了しないと判別すると、再び、石英部材を純水で洗浄する。終了すると判別すると、純水で洗浄された石英部材を塩酸（ＨＣｌ）で洗浄する。次に、ＨＣｌで洗浄された石英部材を純水で洗浄する。続いて、純水による洗浄を終了するか否かを判別する。終了しないと判別すると、再び、石英部材を純水で洗浄する。終了すると判別すると、石英部材の洗浄を終了する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板等の基板の洗浄には、少なくとも５工程からなる洗浄を行う必要があった。
【解決手段】オゾンを含有する超純水によって洗浄する第１工程、界面活性剤を含む超純水によって洗浄する第２工程、及び、超純水と２−プロパノールを含む洗浄液によって界面活性剤由来の有機物を除去する第３工程とを含む洗浄方法が得られる。第３工程後、クリプトン等の希ガスのプラズマを照射して、界面活性剤由来の有機物を更に除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、半導体デバイス表面、特に、表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面に存在する有機物汚染、パーティクル汚染を、銅配線の腐蝕を引き起こすことなく、短時間で除去することができ、基板表面を高清浄化しうる洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造工程において、表面に銅配線を有する半導体デバイスの化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、式（1）：ＨＯＯＣ−Ｒ_１−Ｃ（Ｒ_２）＝Ｃ（Ｒ_３）ＣＯＯＨ（式中Ｒ_１は単結合またはアルキレン基を表し、Ｒ_２、Ｒ_３はそれぞれ独立に、水素原子または有機基を表し、−Ｒ_１ＣＯＯＨ基と−ＣＯＯＨ基は二重結合に対してシスの配置を有する）であることを特徴とするポリカルボン酸化合物と、キレート剤と、アニオン系界面活性剤とを含むこと洗浄剤である。 （もっと読む）