【課題】特に表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面に存在する有機物汚染やパーティクル汚染を銅配線の腐蝕を引き起こすことなく効果的に除去しうる洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造工程において、表面に銅配線を有する半導体デバイスの化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、下記一般式（Ｉ）〜一般式（ＩＶ）から選ばれる少なくとも１種のアミノポリカルボン酸を含有することを特徴とする洗浄剤、及びこれを用いた洗浄方法。
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【課題】ウエハ上における異物の発生を簡便且つ確実に抑制することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷを収容する反応室１５内へ四フッ化炭素ガスを供給してプラズマを生じさせ、該プラズマがウエハＷ表面のポリシリコン層にプラズマエッチングを施した後、反応室１５内に塩素ガスを供給し、次いで反応室１５内にアンモニアガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】１チップ内に二つのレーザ構造を有する化合物二波長レーザ製品の製造過程における二回目のエピタキシャル成長前の基板洗浄における不具合を除去し、二回目のエピタキシャル成長時に発生する異常成長を防止する。
【解決手段】１チップ内に赤色と赤外の二つのレーザ構造を有する化合物二波長レーザの製造工程において、二回目のエピタキシャル成長前のＧａＡｓ基板１に対する洗浄の際、洗浄液を硫酸９７ｗｔ％、過酸化水素水３０ｗｔ％、水、１：１：５０〜２５０の割合で、温度２０〜２５℃にて２０〜５０秒処理する。この処理後、純水洗浄を５分以上実施し、乾燥処理した後、二回目のエピタキシャル成長膜４の形成を実施する。 （もっと読む）

【課題】アニールウェーハの熱処理後の洗浄による表面粗さの悪化を防止することで、該アニールウェーハに薄い酸化膜を形成した場合であっても、表面粗さに基づく酸化膜耐圧の劣化のないアニールウェーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶ウェーハを熱処理したアニールウェーハの洗浄方法において、少なくとも、前記シリコン単結晶ウェーハ表面の前記熱処理後に形成された自然酸化膜を除去した後、ＲＣＡ洗浄を行うことを特徴とするアニールウェーハの洗浄方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】主表面上に少なくとも１層の３種類以上の元素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させても高い特性を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体デバイスが得られるＧａＡｓ半導体基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ半導体基板１０は、主表面１０ｍが（１００）面１０ａに対して６〜１６°の傾斜角θを有し、主表面１０ｍにおける塩素原子濃度が１×１０¹³ｃｍ^-2以下である。また、ＧａＡｓ半導体基板１０の製造方法は、ＧａＡｓ半導体ウエハを研磨する研磨工程と、研磨されたＧａＡｓ半導体ウエハを洗浄する１次洗浄工程と、１次洗浄後のＧａＡｓ半導体ウエハの厚さおよび主表面１０ｍの粗さを検査する検査工程と、検査後のＧａＡｓ半導体ウエハを塩酸以外の酸およびアルカリのいずれかにより洗浄する２次洗浄工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板の汚れ状況に対応して、不必要な洗浄時間を費やすことのないノズル方式による基板洗浄装置を提供することにある。
【解決手段】基板８０を設置して回転させる回転駆動部６０と、基板８０の表面に洗浄液７５を供給するノズル１０と、ノズル１０に洗浄液７５を供給する洗浄液供給部７０と、ノズル１０の基板８０の表面上での位置を検出するノズル位置検出部２０と、ノズル１０を基板８０の表面上で移動させるノズル移動部３０と、ノズル位置検出部２０の位置検出信号と外部から入力される基板８０の汚れ検査情報信号とからノズル移動部３０を制御するノズル移動制御部４０とを有する。 （もっと読む）

【課題】洗浄処理液の洗浄処理槽内流れを上向きとし、下向きの流れを最小にすると共に、整流板及び拡散板の開口率と液流のバラツキの関係を明確にし、液流のバラツキをリアルタイムにモニターできる手段を具備した洗浄処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の洗浄処理装置は、上方向に流れる洗浄処理液を貯留する洗浄処理槽と、該洗浄処理槽内底部に洗浄処理液を流通させる小孔が面内に配列された整流板と、該洗浄処理液供給口の上方と該整流板の下方の位置に洗浄処理液を流通させる小孔が面内に配列された拡散板と、を備えている。さらに、本発明の洗浄処理装置は、洗浄処理槽内壁面に一本ないし複数本の細糸が固定されることにより、洗浄処理槽内壁面近傍の液流が可視化される整流モニター機構を有し、液流のバラツキをリアルタイムにモニターできる手段を設けている。 （もっと読む）

【課題】基板を収容する容器の運用効率を向上しつつ、基板へのパーティクルの付着を防止することができる容器清浄度計測装置を提供する。
【解決手段】フープ検査装置１０は、フープ９０の内壁やフープ９０の内部においてウエハＷの周縁部を担持する担持部９４に付着したパーティクルＰの剥離を促進するパーティクル剥離促進ノズル１８と、フープ９０の内壁等から剥離したパーティクルＰを採集するパーティクル採集ノズル１９と、採集されたパーティクルの量を計測するパーティクルカウンタ２３とを備え、パーティクル剥離促進ノズル１８及びパーティクル採集ノズル１９はプローブノズル１５を構成し、該プローブノズル１５はフープ９０の内部に進入する。 （もっと読む）

【課題】ダングリングボンド密度が１４．０ｎｍ^-2よりも大きくて平坦な面を有するIII族窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体基板を構成するダングリングボンド密度が１４．０ｎｍ^-2より大きい面を、アンモニウム塩を含む洗浄剤で洗浄する。 （もっと読む）

【課題】基板表面を好適に洗浄可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板上にレジスト膜を形成し、洗浄の際に洗浄液と前記基板との界面に作用するせん断応力が、液浸露光の際に液浸液と前記基板との界面に作用するせん断応力よりも大きくなるような制御の下、前記基板の表面を洗浄し、前記レジスト膜を前記液浸露光により露光して、前記レジスト膜に潜像を形成し、前記レジスト膜を現像して、前記基板上にレジスト膜パターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】基板にダメージを与えることなく、レジストを良好に除去することができる、基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ＳＰＭ液ノズルに対し、１７０℃以上に温度調節された硫酸と、常温の過酸化水素水とが、１：０．１〜０．３５の流量比で供給される。硫酸と過酸化水素水とが混合して生成されたＳＰＭ液が、ＳＰＭ液ノズル３からウエハＷの表面に供給される。
【効果】ウエハＷの表面上のほぼ全域において、レジストを良好にかつ均一に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】洗浄対象の膜の材料にかかわらず簡易に高い洗浄効果を得ることが可能な基板処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】被処理基板１の表面上に洗浄液を供給しながら回転させることで乾燥させる基板処理方法であって、回転中の被処理基板の表面上に洗浄液を供給する洗浄液供給位置を被処理基板上で移動させる際に、被処理基板の表面上の少なくとも一部の領域において、被処理基板の表面上における所定の箇所における水位を計測し、計測された水位に基づいて、洗浄液を供給する位置を移動させるときの洗浄液供給位置の移動速度又は被処理基板の回転速度、あるいは洗浄液供給位置の移動速度及び被処理基板の回転速度を制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマの放射状態を画像イメージとして取得した後、該画像イメージのピクセル情報を制御部で分析して、プラズマの放射状態をリアルタイムに観察することができるようにしたプラズマモニタリング装置を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマモニタリング装置は、プラズマモニタリング装置であって、電源を供給する電源供給部と、反応ガスを供給する供給ラインと、内部で発生するプラズマを処理対象物に向かって放射する放射ノズルとが形成されるプラズマ供給手段と、該プラズマ供給手段から放射されるプラズマの放射状態を画像イメージとして取得するカメラ部と、該カメラ部の画像イメージのピクセル情報を数値化させて得た測定値を正常的な放射状態の基準値と比較して、プラズマの放射状態を検査する制御部とを備えて達成される。
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【課題】本発明は、各種基板をリンス液により洗浄処理した後、乾燥させる基板処理方法及び基板処理装置に関するものである。
【解決手段】リンス液吐出ノズルヘッドよりリンス液を基板主面の全面に行き渡せ、基板を洗浄する基板洗浄工程と、
前記基板洗浄工程が終了した前記基板を低速で回転させると同時に、リンス液吐出ノズルヘッドより、リンス液を吐出しながら前記基板の中心近傍から徐々に前記基板の外周へと前記リンス液吐出ノズルヘッドを移動し、リンス液を大きな液塊として前記基板上から排出させ、基板を乾燥する基板乾燥工程と、
前記基板乾燥工程が終了した前記基板の外周に残ったリンス液を飛散させるため前記基板を前記基板乾燥工程のときより高速で回転させる飛散工程を有することを特徴とする基板処理方法及び基板処理装置にある。 （もっと読む）

【課題】残留パーティクル成分を微細化する熱交換装置を提供することにある。
【解決手段】純水が流通する螺旋状の発熱管２１と、発熱管の両端部同士を電気的に短絡させる短絡部材２２と、発熱管及び短絡部材を包囲するように配置し、高周波電力に応じて発熱管に対して電磁誘導電力を発生させる加熱コイル２３とを有し、短絡部材は、発熱管の電磁誘導電力に応じて短絡電流を発生し、短絡電流に応じて発熱管を温度調整すると共に、発熱管は、短絡電流の温度調整作用に応じて、同管内を流通する純水の温度を目標温度になるように、純水を温度調整する熱交換装置８Ａであって、純水が流通する発熱管の流入口２１Ａをアース部２５に接地することで、発熱管を流通する純水に関わる残留パーティクルの帯電電荷を放電し、残留パーティクルを微細化するようにした。 （もっと読む）

【課題】製造中に生じる半導体デバイスの欠陥、特にパターンのつぶれを、スループットを犠牲にすることなく低減するための方法とそのための処理溶液を提供すること。
【解決手段】１種以上の界面活性剤を含む処理溶液を使用して、半導体デバイス製造時の欠陥数を低減する。この処理溶液は、特定の好ましい態様において、パターニングしたホトレジスト層の現像の際又はその後でリンス液として使用すると、パターンのつぶれのような現像後の欠陥を低減することができる。 （もっと読む）

ＩＣ（集積回路）、液晶ディスプレイおよびフラットパネルディスプレイの製造において使用される半導体ウエハからのイオン性残留物、粒状残留物および水分を含むがこれらに限定されない一般的な混入物または残留物を除去する方法である。該方法は、所定のエステルまたは特定の共溶媒と組合された所定のエステルを使用することを含む。洗浄方法は、種々の洗浄プロセスまたはプロセスステップにおいて利用でき、そして経済的および性能的な利点を与える。 （もっと読む）

ポスト化学的機械的研磨（ＣＭＰ）残渣および汚染物質をその上に有するマイクロ電子デバイスから上記残渣および汚染物質を洗浄するための酸性組成物および方法。この酸性組成物は、界面活性剤、分散剤、スルホン酸含有炭化水素、および水を含む。この組成物は、低ｋ誘電材料および銅相互接続材料を損傷することなくマイクロ電子デバイス表面からポストＣＭＰ残渣または汚染物質材料を非常に効果的に洗浄する。
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洗浄後にプラズマエッチングチャンバで誘電体材料をエッチングするために使用することができる電極アセンブリの洗浄方法は、好ましくは黒色シリコン汚染をシリコン表面から除去するように、電極アセンブリのシリコン表面を研磨することを含む。 （もっと読む）

可動プラテンに搭載された基板（５）を清浄化する装置である。例示的な実施形態では、装置は、プラテンが基板を搬送するときに基板表面（５）を溶剤（７）で湿潤化する溶剤吐出ノズル（２５）を有する第１のチャンバ（２０）を備える。プラテンは、基板をプロセスチャンバの中へ搬送するときに、所定の方向へ所定の走査速度で移動する。プロセスチャンバは基板表面（５）から所定の高さ（ｈ）に高温ソース（３０）を有し、高温ソースは基板表面へ向けられた熱エネルギーを供給し、熱エネルギーが基板表面に吐出された溶剤（７）を蒸発させ、プラテンが基板を第１のチャンバ（２０）からプロセスチャンバの中へ搬送するときに、溶剤蒸発が基板表面から微粒子（３５）を除去する。清浄化された基板は、精密フォトマスク、又は、ウェハを含む。
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