【課題】基板表面の処理液をＩＰＡなどの低表面張力溶剤に置換させる基板処理方法および基板処理装置において、少ない低表面張力溶剤の使用量で処理液を効率よく置換する。
【解決手段】リンス処理の終了後に、基板Ｗの回転速度が６００ｒｐｍから１０ｒｐｍに減速されてＤＩＷ液膜がパドル状に形成される。そして、ＤＩＷ供給停止後、所定時間が経過してパドル状の液膜の膜厚Ｔ1がほぼ均一になるのを待ってから、基板Ｗの回転速度が４０ｒｐｍに加速される。これによって、基板上のＤＩＷ液膜の厚さが膜厚Ｔ2に減少する。こうして基板上のＤＩＷ量が減少した状態で、ＤＩＷを置換するためのＩＰＡの供給を開始することにより、置換に必要なＩＰＡの量を少なくすることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面及びベベル部並びに裏面の洗浄を行うことができる洗浄装置を提供すること。
【解決手段】洗浄装置１００は、裏面を下方に向けた状態の基板を裏面から支えて保持する２つの基板保持手段（吸着パッド２、スピンチャック３）を備え、支える領域が重ならないようにしながらこれらの基板保持手段の間で基板を持ち替える。洗浄部材（ブラシ５）は基板保持手段により支えられている領域以外の基板の裏面を洗浄し、２つの基板保持手段の間で基板が持ち替えられることを利用して基板の裏面全体を洗浄する。また基板がスピンチャック３により保持され、回転されるときに、基板の裏面の洗浄と合わせて、基板表面及びベベル部に夫々洗浄液を供給して、当該表面とベベル部の洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】混合槽で生成される処理液の混合比率を一定に保つ。
【解決手段】まず排出弁２３，２４，２５を開弁し、供給弁２６〜３１を閉弁して、原料液体Ａ，Ｂ，Ｃを排出弁２３，２４，２５から外部に排出する。その後、ＬＦＣ２０，２１，２２が検出する原料液体Ａ，Ｂ，Ｃの流量が全て所定の流量に達した後に、排出弁２３，２４，２５を閉弁し、供給弁１７，２９，３１を開弁して、供給弁１７，２９，３１を通して原料液体Ａ，Ｂ，Ｃを第２の混合槽３に供給する。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体が基板洗浄空間内に形成する渦の中心位置を変更することができる基板洗浄装置及び基板洗浄方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、洗浄空間Ｓを規定する内壁２５に対して所定の角度αで当該洗浄空間Ｓ内に超臨界流体を吐出させる３つ以上の流体吐出部２１と、流体吐出部２１にそれぞれ超臨界流体を供給するための供給流路と、供給流路から分流されて各流体吐出部２１から吐出される超臨界流体の流量を制御する吐出流量制御手段３０と、を備え、吐出流量制御手段３０は、一部の流体吐出部２１から第１の流量で超臨界流体が吐出されると共にそれ以外の流体吐出部２１から第１の流量よりも小流量の第２の流量で超臨界流体が吐出され、且つ、第１の流量が分流される流体吐出部２１が順次移行するように、供給流路１１における超臨界流体の分流の流量を調整することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理槽の上方に乾燥処理部を備えた処理装置において、乾燥処理部に薬液雰囲気が流入することを防止でき、さらに、乾燥処理部から処理ガスを確実に排気できる基板処理装置、基板処理方法、記録媒体およびソフトウエアを提供する。
【解決手段】基板処理装置１は基板Ｗを処理液によって処理する処理槽３と、処理槽３の上方に配置された乾燥処理部６と、処理槽３と乾燥処理部６との間で基板Ｗを移動させる移動機構８とを備えている。乾燥処理部６は、移動機構８によって基板Ｗが処理槽３内に移送されたとき、外気と連通する状態と、外気と遮断した状態とをとることができる。乾燥処理部６は制御部６５によって外気と連通する状態と、外気と遮断した状態とに切り換えられる。 （もっと読む）

【課題】液状被膜中へのガス成分の改善された拡散で半導体ウェーハを湿式化学的処理するのに特に効果的な方法を提供する。
【解決手段】ａ）半導体ウェーハを回転させ；ｂ）１００μｍまたはそれ以下の直径を有する気泡を有する清浄化液体を、回転する半導体ウェーハに適用し、こうして液状被膜を半導体ウェーハ上に形成させ；ｃ）回転する半導体ウェーハを、反応性ガスを有するガス雰囲気に晒し；ｄ）液状被膜を除去する。
【効果】改善された粒子の清浄化がマイクロバブルとシリコン表面を腐蝕する清浄化化学薬品との組合せによって達成され、清浄化液体中への反応性ガスの改善されたガス輸送（拡散）は、有機汚染物質および金属含有汚染物質の酸化および除去を簡易化し、ウェーハの中心での液状被膜の隆起は、マイクロバブルの使用によって減少される。 （もっと読む）

【課題】基板の上方の雰囲気が周囲に拡散することを防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。基板の周囲の側方の雰囲気が基板の上方の空間に流入するのを防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハＷをほぼ水平に保持するスピンチャック１と、スピンチャック１に保持されたウエハＷに処理液（たとえばＳＰＭ）を供給するための処理液ノズル２と、スピンチャック１を取り囲み、開口３３が形成された筒状の処理カップ３と、スピンチャック１の上方に配置された雰囲気遮断機構４とを備えている。雰囲気遮断機構４の雰囲気遮断部材３８からは、処理カップ３の上端１８ｄに沿うように空気が筒状に吐出される。ウエハＷにＳＰＭが供給されるとき、開口３３の上方の空間は、雰囲気遮断部材３８から吐出された筒状のエアーカーテンによって取り囲まれる。 （もっと読む）

リアクタ内の支持台座部上に保持されたウェハの背面から、弓状側方ガス注入ノズルを利用してポリマーを除去する。弓状側方ガス注入ノズルは、ウェハ縁部に適合した曲率でリアクタ側壁部を貫通して延び、また遠隔プラズマ源からプラズマ副生成物を供給される。
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【課題】ブラシの交換時期を適切に判断することができる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５に対する裏面洗浄処理時には、ブラシ１６は、裏面処理時位置に配置され、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周縁部に対して押し込まれる。そして、その状態が所定時間にわたって維持された後、ブラシ１６は、ウエハＷから離間される。一方、ブラシに加わる荷重が圧力センサにより検出され、その検出される荷重に基づいて、制御部により、ブラシ１６が裏面側処理時位置に配置されたか否かが判断される。そして、ブラシ１６が裏面側処理時位置に配置されたと判断された時点からブラシ１６がウエハＷからの離間のために移動し始めるまでの時間が計測され、その時間がメモリに累積して記憶される。 （もっと読む）

【課題】基板表面を乾燥させる前に該基板表面に未使用の有機溶剤を供給して基板表面を乾燥に適した表面状態に調整した後に基板表面を乾燥させる基板処理方法および装置において、有機溶剤の消費量を抑制する。
【解決手段】基板処理した際に発生する使用済みのＩＰＡを回収し、再利用ＩＰＡとして貯留タンク７１に貯留している。そして、基板Ｗに乾燥処理の実行前に２段階のＩＰＡ供給を行っている。つまり、リンス処理を受けた基板Ｗに対して再利用ＩＰＡを供給して基板表面Ｗfに付着しているリンス液（ＤＩＷ）を再利用ＩＰＡに置換した後に未使用のＩＰＡを基板表面Ｗfに供給して乾燥処理に適した表面状態を形成している。 （もっと読む）

【課題】容器内の複数の基板を取り出して所定の処理を行い、処理後の基板を容器内に戻す一連の処理を繰り返し行う際に、スループットを向上させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】洗浄処理装置は、一連の搬送動作を制御する制御部４０を有し、制御部４０は、一のウエハの基板を処理装置内に投入している状態において、フープ搬送装置１２およびウエハ出し入れステージ１５が空いているタイミングで、次のロットの未処理基板を収容したフープをウエハ出し入れステージ１５に搬送し、トータルの搬送時間が適切になるように、フープ搬送装置１２の動作タイミング、ウエハ出し入れステージ１５での操作のタイミング、およびウエハ移載装置１９の動作タイミングを個別に調整した搬送スケジュールを作成するスケジュール作成部５４を有する。 （もっと読む）

【課題】基板の主面の全域に対し、均一にエッチング処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ウエハＷの上面におけるフッ硝酸の着液点Ｐ１は、アーム支持軸を中心とする円弧形状（ほぼ直線状）のスキャン経路Ｓ１に沿って移動する。スキャン経路Ｓ１は、ウエハＷの回転中心Ｃを通る円弧形状の軌道のうち、ウエハＷの回転中心Ｃから微小間隔Ｌ１だけ隔てた近接位置Ｓ１１と、この近接位置Ｓ１１よりもウエハＷの回転半径方向に設けられ、ウエハＷの回転中心Ｃから間隔Ｌ２だけ隔てた離隔位置Ｓ１２との間を結ぶ線分とみなせる。フッ硝酸の着液点Ｐ１は、近接位置Ｓ１１と、離隔位置Ｓ１２との間で往復移動する。フッ硝酸は、ウエハＷの上面の回転中心Ｃおよび周縁領域には直接供給されない。 （もっと読む）

【課題】処理液を用いた処理を、安定的に基板に施すことができる基板処理装置を提供すること、および、このような基板処理装置に適用可能な処理液成分補充方法を提供すること。
【解決手段】薬液キャビネット制御部７２は、処理ユニット４〜７の薬液バルブ３３の開時間を取得し、その薬液バルブ３３に関する累積開時間を算出するとともに、４つの処理ユニット４〜７の４つの薬液バルブ３３の累積開時間の合計を算出する。薬液バルブ３３の累積開時間の合計が予め定める時間に到達すると、成分補充ユニット３は予め定める量の第１成分、第２成分および第３成分を、それぞれ、薬液タンク４０に補充する。
【効果】薬液タンクに溜められている薬液の濃度をほぼ一定に保つことができる。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を精度よく処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の基板を洗浄する基板処理装置は、固定アーム１９によって水平姿勢で保持された基板Ｗの下面を覆う下部板２１と、この下部板２１に対向配置されて基板Ｗの上面を覆う上部板３１とを備えて構成される処理部３３を、上下方向に複数積層し、さらに、固定アーム１９等を縦軸芯Ｐ周りに回転させる電動モータ１１と、下部板２１に対して上部板３１を上下方向に接離させて、下部板２１と上部板３１との間隔であるギャップＧを可変する昇降機構２３と、を備えている。この基板処理装置によれば、下部板２１に対して上部板３１を上昇または下降させることで、下部板２１と上部板３１との間隔であるギャップＧを可変する。これにより、固定アーム１９に基板Ｗを保持させる動作や、
基板の処理をそれぞれ適切に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 CMP処理に続いて半導体基材から処理残留物を除去するためのプロセス溶液、及び該プロセス溶液を使用する方法を提供すること。
【解決手段】 1つ又は複数の界面活性剤を含むプロセス溶液を用いて半導体デバイスの製造における欠陥の数を低減する。いくつかの好ましい実施態様においては、本発明のプロセス溶液は、CMP処理の間又はその後にすすぎ溶液として用いた場合、欠陥を低減することができる。さらに、本発明のプロセス溶液を用いて、複数のCMP処理後の基材上にある欠陥の数を低減する方法が開示される。 （もっと読む）

ウェハ(1010)又は基板の表面を洗浄する装置であって、ウェハ(1010)又は基板の表面に対して隙間を隔てて配設され且つ該ウェハ(1010)又は基板の表面に垂直な軸周りに回転するプレート(1008)を含む。ウェハ又は基板の表面に対向する回転プレートの表面には、洗浄効率を高めるために、規則的なパターン及び不規則なパターンを有する溝が形成されている。他の実施例では、上記洗浄装置は、洗浄処理中に回転プレートを振動させる超音波変換器又はメガソニック変換器を更に含む。
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【課題】少なくとも基板の熱洗浄によって表面の不純物および酸化物の除去が可能な程度に表面が清浄なＧａＡｓ半導体基板を提供する。
【解決手段】本ＧａＡｓ半導体基板１０は、Ｘ線光電子分光法により、光電子取り出し角θが１０°の条件で測定されるＧａ原子およびＡｓ原子の３ｄ電子スペクトルを用いて算出される、ＧａＡｓ半導体基板１０の表面層１０ａにおける全Ａｓ原子に対する全Ｇａ原子の構成原子比Ｇａ／Ａｓが０．５以上０．９以下であり、表面層１０ａにおける全Ｇａ原子および全Ａｓ原子に対するＯ原子と結合しているＡｓ原子の比（Ａｓ−Ｏ）／｛（Ｇａ）＋（Ａｓ）｝が０．１５以上０．３５以下であり、表面層１０ａにおける全Ｇａ原子および全Ａｓ原子に対するＯ原子と結合しているＧａ原子の比（Ｇａ−Ｏ）／｛（Ｇａ）＋（Ａｓ）｝が０．１５以上０．３５以下である。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つのシリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）表面層とこのＳｉＧｅ層に接する歪みシリコン（ｓＳｉ）層とを含むウエハを処理する方法に関し、このｓＳｉ層は、ＳｉＧｅ層をエッチングすることによって露出されており、この方法は、（ａ）ＳｉＧｅ層の第１選択エッチング、場合によりその後の酸化洗浄ステップと；（ｂ）脱イオン水を使用する濯ぎステップと；（ｃ）乾燥と；（ｄ）第２選択エッチングステップとのステップを含む。本発明は、少なくとも１つの歪みシリコン（ｓＳｉ）表面層を含むウエハに関し、前記ｓＳｉ表面層の厚さは、少なくとも５ｎｍ及び最大１００μｍであり、欠陥が最大２００個／ウエハである。 （もっと読む）

【課題】
ＩＰＡ等の有機溶剤を使用して乾燥する場合において、残留異物を低減し、ウオータマーク（水しみ）等の染みの発生を抑制することができる蒸気乾燥装置を提供することにある。
【解決手段】
この発明は、凝縮されたディスクを下側チャンファ部からのみ滴下するような速度で冷却エリアに引き上げることで、ウオータマークや異物の残留を下側チャンファ部に移動させて冷却乾燥に入る。さらに、下側チャンファ部を蒸気エリアに再浸漬することで下側チャンファ部に移動したウオータマークや異物の残留部部に対してドレーンにより下側チャンファ部の残留異物を流し落としかつ下側チャンファ部にできるであろうウオータマークの痕跡を除去して、再引き上げをしてディスクを乾燥する。 （もっと読む）

【課題】洗浄液などの液体が付着した基板を乾燥させる基板乾燥において、上記基板に微細化されたパターンが存在するような場合であっても、確実に上記基板に付着した液体を除去して基板を乾燥させる基板乾燥装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板に対して、互いに対向する側方及び上方から乾燥空気を吹き付ける吹き出し部を備えさせることで、基板表面に付着した液体を短時間で効果的に除去する。さらに、乾燥チャンバの内壁部に沿って乾燥空気の一部を循環させて、この循環された空気を加熱ヒータにて加熱して、再び基板に吹き付けるような構成を採用することで、乾燥効率をさらに向上させる。 （もっと読む）