本発明は、実質的に水分を含まないフォトレジスト剥離用組成物に関する。特に、イオン注入工程の後にフォトレジストを剥離するのに有用な実質的に水分を含まないフォトレジスト剥離用組成物であって、
（ａ）アミン
（ｂ）有機溶媒Ａ，及び
（ｃ）共溶媒、
を含み、組成物は実質的に水分を含まない（＜３質量％Ｈ₂Ｏ）。本発明は、同様に、本発明の組成物を用いてポストイオン注入フォトレジスト剥離のプロセスを提供する。 （もっと読む）

【課題】これまで好んで用いられてきた塩基性洗浄を意図的に用いず、素子特性を劣化させることなく、ウォータマークも発生させない窒化物半導体基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長用に用いられる窒化物半導体自立基板を、エピタキシャル成長前に洗浄する窒化物半導体基板の洗浄方法において、塩基性洗浄液を用いず、非塩基性洗浄液のみを用いて洗浄する方法である。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ等の被処理体の端部に付着した物質を迅速且つ確実に除去することができ、しかもチャンバ内の各部品のプラズマによる損傷を防止することができるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】 本発明のプラズマ処理方法は、上部電極５に第１の高周波電力を印加してプラズマを発生させると共に第１の高周波電力より周波数の低い第２の高周波電力をウエハＷの下部電極４に印加するプラズマ処理装置１を用いて、下部電極４上に載置されたウエハＷの端部に付着した堆積物Ｄを酸素ガスのプラズマによって除去する際に、酸素ガスの圧力を４００〜８００ｍＴｏｒｒに設定し、下部電極４からウエハＷを離した状態で上部電極５によって酸素ガスをプラズマ化することを特徴とする （もっと読む）

【課題】噴射ノズルおよび噴射ノズルを揺動する支持アームの汚染を防止することができるウエーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面に水溶性の保護膜が被覆されたウエーハをスピンナーテーブルに表面を上側にして保持し、スピンナーテーブルを回転するとともに洗浄水噴射ノズルから洗浄水をウエーハの表面に向けて噴射しつつ洗浄水噴射ノズルをウエーハの回転中心を通る領域から外周まで移動することにより、ウエーハの表面に被覆された保護膜を洗浄し除去するウエーハの洗浄方法であって、洗浄水噴射ノズルを支持し洗浄水噴射ノズルをウエーハの回転中心を通る領域から外周まで揺動する支持アームが、揺動範囲において洗浄水噴射ノズルよりスピンナーテーブルの回転方向上流側に位置するように設定されている。 （もっと読む）

【課題】金属を電気科学的腐食から保護しながら、良好な洗浄結果を生じる、多金属マイクロエレクトロニックデバイスのための良好な洗浄組成物を提供すること。
【解決手段】本発明は、多金属マイクロエレクトロニックデバイスを洗浄するために適切なマイクロエレクトロニックフォトレジスト洗浄組成物、および引き続いて水を使用するすすぎ工程が存在する場合に、実質的または有意なあらゆる電気化学的腐食を起こさずに、多金属マイクロエレクトロニックデバイスを洗浄することに関する。本発明はまた、このような多金属マイクロエレクトロニックデバイスを、本発明の組成物を用いて洗浄するための方法に関する。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理中におけるエッチングレートの低下を抑制することにより、エッチング処理に要する時間を短縮することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ふっ硝酸処理開始後、処理時間の経過に従って、ベース昇降用モータ２０が制御されて、吸着ベース１０が上昇される。この吸着ベース１０の上昇は、ウエハＷの上面とリング上面２８との間の間隔が一定範囲内に保たれるように行われる。ふっ硝酸処理の結果ウエハＷは薄くなるが、吸着ベース１０が上昇されるために、ウエハＷの上面に形成されるふっ硝酸の液膜の厚みをほぼ一定に保つことができる。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤を含んだ二酸化炭素を超臨界状態の洗浄剤として、この洗浄剤を洗浄チャンバー内に配された被洗浄物に接触させることにより、前記被洗浄物の洗浄を行う洗浄方法及び洗浄装置において、洗浄時間の短縮化を図ること。
【解決手段】界面活性剤と有機溶剤と超臨界状態の二酸化炭素を混合し、混合流体を被洗浄物に接触させて洗浄する洗浄方法において、前記混合を管内混合手段で行い、該管内混合手段の直後に被洗浄物を配置するとともに、前記混合流体においての重量割合は、二酸化炭素に占める有機溶剤の重量割合を２０％以下とし、かつ界面活性剤の重量比率を有機溶剤と略同重量としたことを特徴とする洗浄方法及び洗浄装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】キャピラリ内でのパーティクルの発生を防止できるドライアイススノー洗浄装置を提供する。
【解決手段】供給源から供給された液化炭酸ガスを膨張させ冷却させるオリフィス３と、上記オリフィス３から噴射ノズル１に至るキャピラリ２と、上記キャピラリ２が接続されてドライアイススノーを噴射する噴射ノズル１と、上記噴射ノズル１に対してドライアイススノーの噴射ガスを供給する噴射ガス供給管４とを備え、上記キャピラリ２における噴射ガス供給管４の合流部よりも上流側の部分に、キャピラリ２を外側から加温する加温手段を設けたことにより、キャピラリ２内面をドライアイスの温度よりも高い温度に保ってキャピラリ２内面に薄いガス層を形成し、固体のドライアイスがキャピラリ２内面に衝突することを防止してパーティクルの発生を防止する。 （もっと読む）

【課題】基板の回転数を高くしかつ処理カップ内の排気を低排気量で行っても排気流の逆流を抑え、基板へのミストの再付着を低減できる液処理装置及び液処理方法を提供する。
【解決手段】下降気流が形成されている処理カップ３３にて回転しているウエハＷに対してレジスト液を塗布するレジスト塗布装置において、処理カップ３３のスピンチャック３１に保持されたウエハＷの外周近傍に隙間を介して当該ウエハＷを取り囲むように環状に設けられ、その内周面の縦断面形状が外側に膨らむように湾曲して下方に伸びる上側ガイド部７０と、前記ウエハＷの周縁部下方より外側下方へ傾斜した傾斜壁４１及びこの傾斜壁４１に連続し、下方へ垂直に伸びる垂直壁４２から構成された下側ガイド部４５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】近年、半導体集積回路装置の製造プロセスにおいて、窒化シリコン膜等が有する応力に起因する歪を利用したキャリア移動度向上技術が活用されている。これに伴って、ウエハの表側における複雑なデバイス構造上の窒化シリコン膜を高選択で除去するため、熱燐酸によるバッチ方式ウエット処理が必須となっている。これによって、ウエハの裏面の窒化シリコン膜も除去され、一群の歪付与工程の後のプロセスにおいては、ウエハの裏側の表面はポリ・シリコン部材ということとなる。しかし、一般的なウエハの裏面等の洗浄に使用する方法は、裏面が窒化シリコン膜等であることを前提とするものであり、その特性の異なるポリ・シリコン主体の裏面を有するウエハでは洗浄の効果が十分といえない恐れがある。
【解決手段】リソグラフィ工程の前に、ＦＰＭ処理の後ＳＰＭ処理を実行する２工程を含むウエハ裏面に対するウエット洗浄処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】 太陽電池用シリコン基板の表面に微細な凹凸を形成するための反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置で、エッチング処理する際に生じるエッチングのムラを低減すること。
【解決手段】 アースに接続された筐体２と筐体２内に配置された高周波電圧を印加する平板電極１３と平板電極１３上に配置される複数の基板４を覆蓋するプレート部材５とを具備する反応性イオンエッチング装置において、プレート部材５がアースに接続されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温の薬液による処理により基板の裏面をエッチングする際に、エッチングの均一性を高くすることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板であるウエハＷに形成された膜を高温薬液によるエッチングにより除去する薬液処理装置１は、ウエハＷを裏面を下側にして水平にした状態で回転可能に保持するスピンチャック３と、スピンチャック３を鉛直に延びる中空の回転軸１２を介して回転させる回転機構４と、回転軸１２の中に設けられ下方から上方に向けて高温薬液を吐出してウエハＷ裏面に高温薬液を供給する薬液吐出ノズル５と、薬液吐出ノズル５に薬液を供給する薬液供給機構６とを具備し、薬液吐出ノズル５は、薬液を吐出し、ウエハＷ裏面の中心以外の、互いにウエハＷ裏面の中心からの距離が異なる位置に高温薬液を当てる複数の吐出口１８ａ，１８ｂ，１８ｃを有する。 （もっと読む）

【課題】樹脂容器の表面およびその内部に含まれる不純物を洗浄する樹脂容器の洗浄方法およびその方法により洗浄された樹脂容器を提供する。
【解決手段】本発明は、樹脂の表面張力の値よりも１０ｍＮ／ｍ以上低い表面張力の値を有する溶剤を用いて、樹脂または樹脂からなる樹脂容器を浸漬洗浄することを特徴とする樹脂容器の洗浄方法である。 （もっと読む）

【課題】純水よりも揮発性の高い揮発性処理液の液膜を基板上から除去して基板を乾燥させるときに、乾燥不良が発生することを抑制または防止することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】水平に保持された基板Ｗの上面に純水よりも揮発性の高い揮発性処理液の一例であるＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を供給して、基板Ｗの上面全域を覆うＩＰＡの液膜を形成する。そして、基板Ｗ上にＩＰＡの液膜を保持させた状態で基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに基板Ｗを回転させて基板Ｗ上からＩＰＡの液膜を除去する。このとき、基板Ｗの上面中央部に不活性ガスの一例である窒素ガスを吹き付けながら、基板Ｗの上面における中央部以外の前記回転軸線から一定距離離れた所定位置Ｐ１にＩＰＡを着液させる。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング加工を行ったウェハにおけるデガスの影響による異物の発生を低減する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、各ウェハ１５０を略水平にして複数のウェハ１５０を上下に並べて収容するとともに、側方に設けられたドア１０４を含む収納容器１００に、ドライエッチング加工が行われた複数のウェハを順次収容する工程と、ドア１０４が開いた状態で、収納容器１００に収容すべきすべてのウェハ１５０が当該収容容器に収容されてから３０秒以上、収納容器１００内のウェハ１５０に対して水平方向からパージガスを吹き付ける工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】仕上げ研磨の後行うシリコンウェハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハ１８の粗研磨を経て行われる仕上げ研磨の後、前記シリコンウェハの表面に酸化膜２２を形成し、前記酸化膜２２の除去により前記表面上の不純物を除去するシリコンウェハ１８の洗浄方法であって、前記酸化膜２２の除去は、前記仕上げ研磨時に前記シリコンウェハ１８の研磨面に形成される加工変質層２２が酸化膜除去工程により除去されるまで行う。 （もっと読む）

【課題】基板の全面にわたって均一な品質の処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を回転可能に保持する回転保持機構と、基板に処理液を吐出する吐出口を有する洗浄液ノズルと、前記洗浄液ノズルを平面視で基板Ｗの略中心と周縁との間で移動する洗浄液ノズル用移動機構と、回転保持機構と洗浄液ノズル用移動機構を制御して、基板を回転させ、かつ、処理液供給部を移動させて、処理液供給部から吐出された処理液を基板Ｗの全面に対して直接着液させる制御部と、を備えている。そして、処理液を基板Ｗの全面に対して直接着液させることで、基板Ｗの全面にわたって均一な処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】加工形状を安定して保持できるエッチングの量産処理方法を提供する。
【解決手段】真空処理室と、ガス供給装置と、プラズマを生成するプラズマ生成手段と、プラズマの発光をモニタする発光分光器と、その発光スペクトルを蓄積する装置を備え、前記真空処理容器内に搬入したウエハにプラズマ処理を施し、ウエハの量産処理を一時中断する装置未稼働時間（アイドリングＳＳ）が発生するエッチングの量産処理方法において、アイドリングＳＳ前後のクリーニングＳ２、Ｓ２’において、リアクタ最表面の反応生成堆積状態と温度の情報を含む前記プラズマ中の発光強度ＳｉＦ（１）、ＳｉＦ（２）をモニタし、これらの発光スペクトルを基にデーターベースＳ４を参照して、アイドリングＳＳ後のプラズマヒーティング工程Ｓ３の時間を調整してリアクタを加熱し、プラズマ加熱Ｓ３後に次の試料をエッチングＳ２する。 （もっと読む）

【課題】急速排水弁における液溜まりを洗浄除去することにより、急速排水弁の構造に起因する処理槽への液漏れを防止して、基板処理のスループットを向上させる。
【解決手段】制御部６１は、処理液に基板Ｗを浸漬させて基板Ｗを処理した後、噴出管７から純水を内槽３に供給して基板Ｗをリンス処理させる。その際に、内槽３から薬液を含む処理液を排出しているので、シール部材１７を含む周辺部には薬液が付着した状態である。制御部６１は、リンス処理を行っている間、エアシリンダ３３を操作して、弁体２３を排出口１３から微小距離だけ離間させて純水を少量だけ排出させるので、その際に、シール部材１７を含む周辺部に付着している薬液が洗い流される。リンス処理において純水の比抵抗が短時間で回復するので、基板Ｗの洗浄処理を短時間で行うことができ、スループットを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 処理対象物を所望の面内処理分布でプラズマ処理する。
【解決手段】 処理対象物の面内温度分布が処理結果に影響を与えるため、処理中の処理対象物に、予め定められた特定の面内温度分布を与える事ができる機構を提案する。処理対象物を載置する載置台に電磁波吸収発熱素材を組み込む。プラズマ生成用のマイクロ波発振器を使用し、第一の工程ではプラズマを発生させず、電磁波吸収発熱素材が組み込まれた載置台を加熱して予め定められた特定の面内温度分布を付与する。載置台に第二の工程では処理容器に処理対象物を入れ、処理対象物を予め定められた特定の面内温度分布まで加熱した後、通常のプラズマ処理を行う。 （もっと読む）