【課題】半導体基板表面の清浄度を正確に確認することのできる半導体基板洗浄装置および洗浄方法を提供する。
【解決手段】半導体基板洗浄装置１００は、半導体基板１０を洗浄する洗浄部１と、洗浄部１で洗浄された半導体基板１０の表面の反射強度を測定する反射式センサ２と、反射式センサ２による反射強度の測定結果に基づき、半導体基板１０の洗浄の適否を判定する判定部３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】低圧放電灯点灯装置において、ランプ点灯開始後の立ち上がり期間中の無用な保護動作を回避する。
【解決手段】交流電力を低圧放電灯に投入する電力供給回路、低圧放電灯のランプ電圧を検出する電圧検出回路、及び電圧検出回路の検出ランプ電圧に基づいて電力供給回路を制御する制御回路を備えた低圧放電灯点灯装置において、制御回路が、検出ランプ電圧が所定の閾値以下となった場合に電力供給回路の保護動作を行うように構成され、所定の閾値として、放電灯点灯開始後から所定期間内は第１の閾値を適用し、所定期間経過後は第２の閾値を適用するように構成され、第１の閾値が該第２の閾値よりも低くなるようにした。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたパターンの破損を回避しつつ、基板に対する洗浄能力を低下させずに洗浄を行うことができる。
【解決手段】基板上を複数の領域に区切り、領域毎にその位置情報とパターン情報を取得する情報取得部１１と、位置情報とパターン情報に基づいて、領域毎に基板に薬液を吐出するときの処理条件を決定する条件決定部１２と、基板に薬液を吐出する吐出部１５と、吐出部１５を基板の一端から他端への第１方向に向かって基板に対して相対的に移動する位置制御部１３と、位置制御部１３により移動される吐出部１５が基板上の領域の上方を通過するとき、前記処理条件に従って吐出部１５から吐出される薬液の圧力を調整する吐出調整部１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】 基板に付着したパーティクルなどの異物汚染を効率的に除去することができ、半導体装置などの製品歩留りを向上させることができる基板のウェット洗浄方法を提供する。
【解決手段】 例えば洗浄薬液に超音波を与えてウエハを洗浄する場合、洗浄前のウエハ上に付着したパーティクル数の基板内分布と超音波洗浄槽内の音圧分布に基づいて、洗浄効率が最大となるような洗浄液中のウエハ配置方向を求め、求めたウエハ配置方向を洗浄すべきウエハに設定し、その配置方向を洗浄液中で維持しながら洗浄処理を行う。 （もっと読む）

【課題】基板に供給される処理液の温度を精度良く測定することができる基板処理装置および処理液温度測定方法を提供すること。
【解決手段】ノズル５から吐出された処理液は、ウエハＷの上面に供給される。放射温度計６によって、ウエハＷの上面を流れる処理液の温度が検出される。ノズル５から実際に処理液を吐出させ、その処理液の温度を放射温度計６により検出したときの放射検出値が、当該処理液の温度を熱電対温度計により測定したときの熱電対検出値に対応付けて、メモリに記憶されている。この放射検出値と、熱電対検出値とに基づいて、当該処理液に対応する放射検出値−熱電対検出値対応式が作成される。放射温度計６の検出値を、当該処理液に対応する放射検出値−熱電対検出値対応式で補正することにより、当該処理液の温度が算出される。 （もっと読む）

【課題】供給ノズルに処理液を供給するための供給流路に設けられた差圧式流量計の流量の計測値が真の値からずれたことを容易に検知することができる基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理液を供給する供給流路に設けられた差圧式流量計を介して接続された供給ノズルにより基板に処理液を供給し、供給された処理液により基板を処理する基板処理方法において、基板に処理液を供給していないときに、供給流路内の圧力を差圧式流量計内の圧力計測部により計測する計測工程Ｓ１５と、計測工程Ｓ１５を行って計測した圧力値と、所定の圧力値とを比較することによって、圧力計側部が正常に動作しているかを判定する判定工程Ｓ１６と、判定工程Ｓ１６において圧力計側部が正常に動作していると判定したときに、基板に処理液を供給する供給工程Ｓ１１とを有する。 （もっと読む）

【課題】制御動作および／または装置動作の妥当性（レシピに適合するか否か）に関する検査を確実にかつ短時間に実施できるようにする。
【解決手段】この基板処理装置は、基板の処理手順を記述したレシピを記憶するレシピ記憶手段(193)と、レシピに対応した検査基準を記述した検査基準ファイルを生成する検査基準生成手段(16,191,192)と、検査基準ファイルを記憶する検査基準記憶手段(196)と、レシピに従う制御動作を実行する制御手段(16,190)と、制御動作を記録する制御動作記録手段(16,191)と、記録された制御動作と検査基準とを照合することにより制御動作の適否を判定する制御動作判定手段(16,191)とを含む。基板処理装置は、さらに、基板処理装置が実行した装置動作を記録する装置動作記録手段(16,192)と、記録された装置動作と検査基準とを照合することにより装置動作の適否を判定する装置動作判定手段(16,192)とをさらに含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】超音波洗浄時における基板のパターンへのダメージを抑制することができる。
【解決手段】（１／２）ｆの出力が、処理液を脱気水としたときの出力値以下になる最適洗浄条件を決定した上で、制御部５７が最適洗浄条件となるように各部を操作して、製品の基板Ｗに対する洗浄処理を行わせる。したがって、（１／２）ｆのサブハーモニクスによる悪影響を抑制することができ、超音波洗浄時における基板Ｗのパターンへのダメージを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】複数のバッチ式洗浄処理槽を有する洗浄処理装置の洗浄処理効率を向上させることができる半導体基板洗浄生産管理システムを提供する。
【解決手段】洗浄管理装置２は、洗浄処理装置１で処理予定の複数の仕掛かりロットについて仕掛かりロット情報を取得するとともに、その時点での洗浄処理装置１の装置稼動情報を取得する検知部２１を備える。シミュレーション部２２は、検知部２１が取得した情報に基づいて洗浄処理装置１において各仕掛かりロットのいずれかに対する洗浄処理を開始する場合の、当該仕掛かりロットの各洗浄処理槽４への割り当てをシミュレーションし、当該シミュレーション結果に基づいて仕掛かりロットの処理完了時間または不処理時間を仕掛かりロットごとに算出する。処理順決定部２３は、各仕掛かりロットの処理完了時間または不処理時間が最短の仕掛かりロットを次処理ロットに決定する。 （もっと読む）

【課題】薬液が所要の洗浄能力を維持していない状態になった場合に、これを即時に認識して不具合発生を防止することができるとともに、薬液交換のタイミングの最適化を図ることができる洗浄処理装置および洗浄処理方法を提供する。
【解決手段】薬液洗浄槽６内の薬液の劣化度合いを示すパラメータを計測する計測器２１〜２３を備える。判定部２４３は、薬液の劣化度合いを示すパラメータの計測結果が予め設定された許容範囲内であるか否かに基づいて薬液交換の要否を判定する。判定の結果が薬液交換要である場合、判定部２４３は薬液交換を実施する。また、薬液の劣化度合いを示すパラメータの計測結果が予め設定された許容範囲外であり、かつ先の薬液交換の実行時点からの経過時間が予め設定された規定時間未満である場合には、判定部２４３は、薬液交換をすることなく報知部２８に異常発生の報知を指示する。 （もっと読む）

【課題】空きリソースの不足の発生を防止することができる、基板処理装置ならびに基板処理装置におけるグラフ描画周期決定方法およびグラフ描画方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１では、データ収集部２２により、薬液流量などのデータが一定のデータ収集周期ＤＴで取得される。この取得されたデータは、データバッファ２１に一時的に記憶される。データバッファ２１からデータを読み出す周期に一致するグラフ描画周期ＧＴは、コンピュータ２のリソースの使用状況の一例であるＣＰＵ使用率に基づいて決定される。そして、その決定されたグラフ描画周期ＧＴでデータバッファ２１からデータが読み出され、データの時間変化を示すグラフが操作パネル３のディスプレイ３１に描画される。 （もっと読む）

【課題】供給しようとする液体に対する不都合を生じさせずに、流量制御器における気泡の発生を確実に防止することができる液供給機構を提供すること。
【解決手段】処理液供給機構３は、処理液タンク２１と、処理液供給配管２２と、処理液の通流断面積を変化させる可変オリフィス部を有する流量制御器２７と、可変オリフィス部より前段の一次側の液圧および後段の二次側の液圧を求める圧力検出器２６，２８と、予め記憶された、処理液の液圧と対応する液圧における溶存可能な気体成分の量との関係から、処理液から気泡が発生し始める一次側の液圧と二次側の液圧との差圧ΔＰｓを求め、このΔＰｓの値以下の閾値ΔＰｔを設定し、実際に求められた一次側の液圧と二次側の液圧との差圧ΔＰｅの値がΔＰｔに達したか否かを判断し、ΔＰｅの値がΔＰｔに達したと判断した場合に、処理液の気泡の発生を抑制するように処理液の状態を制御する制御機構３０とを有する。 （もっと読む）

【課題】薬液処理後の水洗処理において、リフターに付着する薬液の水洗槽への持込み量を低減させ、水洗槽でのエッチングを防止できる洗浄装置および洗浄方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の洗浄後にリフター２の洗浄を行い、薬液処理時に用いられた薬液および純水を含む溶液の比抵抗とリフター洗浄前の初期比抵抗の差分が予め設定された所定の値になるまで積分演算を行い、リフターに付着している残留薬液量を算出し、算出された残留薬液量からリフターが清浄な状態になるまでの洗浄時間を算出する。前記洗浄時間が経過するまで純水によるリフターの洗浄を行うことで、水洗処理槽でのエッチングを防止し、微細デバイスの品質、信頼性および歩留りを維持することができる。 （もっと読む）

【課題】リソースの使用が延長されたことを判別できるようにすることにより、スケジュールに起因して処理が停止するのを防止して、装置の稼働率が低下するのを防止できる。
【解決手段】制御部２５は、単バッチのスケジュールにて、温水ユニットＨＤＩＷを使用する処理工程からロットが払い出されるタイミングに合わせて、温水ユニットＨＤＩＷの仮想リソースの使用終了時を表す仮想終了マークを付加しておく。全体スケジュールを作成する際に、払出が時間的に後ろにずれる場合には仮想リソースの仮想終了マークも時間的に後ろにずらし、仮想リソースの使用を仮想終了マークまで延長しておく。その結果、その後に配置される単バッチのスケジュールは、温水ユニットＨＤＩＷの仮想リソースによって排他される。リソースの競合によりアラームが発生して処理が停止するのを防止でき、装置稼働率の低下を防止できる。 （もっと読む）

【課題】液交換予定を柔軟に配置することにより、ライフタイムの無駄を抑制して処理液の利用効率を向上することができる。
【解決手段】制御部は、まずライフタイムＴ１がアップする時点ｔ１，ｔ３で薬液処理部ＣＨＢ１のリソースを使用する液交換予定ｅｘを配置する。次に、配置した液交換予定ｅｘに対して、各ロットの各リソースの使用タイミングを配置してゆく。そして、液交換予定ｅｘと薬液処理部ＣＨＢ１のリソースの使用タイミングｔ２ａとの間に待機時間ｗｔが生じている場合には、その液交換予定ｅｘを薬液処理部ＣＨＢ１のリソースの使用タイミングｔ２ａに合わせて後ろにずらすように位置を調整する。よって、液交換が終わった直後に薬液処理部ＣＨＢ１でロットの処理が行われるので、ライフタイムに無駄が生じることがなく、処理液の利用効率を向上できる。 （もっと読む）

【課題】超音波振動が付与された処理液により所期の処理を基板に施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】メモリ２１には、超音波振動子１８の駆動電流値と、超音波ノズル４とウエハＷとの間の距離と、超音波ノズル４から供給される処理液流量と、ウエハＷ上における処理液中の超音波音圧値との対応関係を表す駆動電流値−距離−流量−音圧値対応テーブルが記憶されている。ＣＰＵ２０は、駆動電流値−距離−流量−音圧値対応テーブルを参照することにより、音圧値入力キー２４により設定された超音波音圧値に対応する駆動電流値を求める。ＣＰＵ２０は、その算出された駆動電流値で超音波振動子１８を駆動するように超音波発振器１７を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板の汚れ状況に対応して、不必要な洗浄時間を費やすことのないノズル方式による基板洗浄装置を提供することにある。
【解決手段】基板８０を設置して回転させる回転駆動部６０と、基板８０の表面に洗浄液７５を供給するノズル１０と、ノズル１０に洗浄液７５を供給する洗浄液供給部７０と、ノズル１０の基板８０の表面上での位置を検出するノズル位置検出部２０と、ノズル１０を基板８０の表面上で移動させるノズル移動部３０と、ノズル位置検出部２０の位置検出信号と外部から入力される基板８０の汚れ検査情報信号とからノズル移動部３０を制御するノズル移動制御部４０とを有する。 （もっと読む）

【課題】処理液感知器を有するバルブ、これを利用する基板処理装置及び基板処理方法が提供される。
【解決手段】前記バルブは、本体、入口、出口、シャッタ及び感知器を含む。前記本体の内部には、基板の処理液が移動する通路が備えられる。前記入口は前記通路の一端部に連結され、前記本体の内部に前記処理液が流入する。前記出口は前記通路の他の端部に連結され、前記本体の外部に前記処理液が流出する。前記シャッタは、前記入口と前記通路を連結する領域で、前記通路を開放または遮断する。前記感知器は、前記通路を移動する前記処理液に接触するように前記本体に結合され、前記処理液の成分を感知する。 （もっと読む）

【課題】処理ツールの位置教示を効率的に行いつつ、位置教示の精度を向上させることを目的とする。
【解決手段】制御部８は、回転モータ２２と、回動モータ５３と、昇降駆動機構５４と、エンコーダ５５と、光学式センサ６とに電気的に接続しており、各部の動作を制御する。演算部８０は、検出位置情報取得部８０１と、オフセット取得部８０２と、基準位置算定部８０３とを備える。検出位置情報取得部８０１は、光学式センサ６が検出する処理ツールの位置情報を取得する。また、オフセット取得部８０２は、教示用処理ツールの基準位置と、光学式センサ６により検出される位置との差分をオフセットとして取得する。基準位置算定部８０３は、オフセットと光学式センサ６により検出される位置とから、実処理用処理ツールの基準位置を算定する。 （もっと読む）

【課題】処理の状況に応じて、処理液による処理の均一性を向上させることも、処理槽の内部に貯留された処理液を他の処理液に効率よく置換させることもできる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板処理装置１は、内槽１１の内側へ向けて処理液を吐出して内槽１１の内部に比較的高速の液流を形成する吐出ノズル１３１，１３２，１４１，１４２と、内槽１１の側壁１１２ａ，１１２ｂに向けて処理液を吐出して内槽１１の内部に比較的低速の液流を形成する吐出ノズル１５１，１５２とを備える。基板処理装置１は、処理の状況に応じてこれらの吐出ノズルを使い分けることにより、処理液による処理の均一性を向上させたい要求と、内槽１１の内部に貯留された処理液を他の処理液に効率よく置換させたい要求とを、共に満足させることができる。 （もっと読む）