【課題】アンモニア過水処理以降に、硫酸過酸化水素水のミストが基板に付着することを防止できる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理部ＰＣは、４つの硫酸過水処理チャンバ１と、４つのアンモニア過水処理チャンバ２とを備えている。硫酸過水処理チャンバ１内において、ウエハＷに対して、ＳＰＭを用いた硫酸過水処理が行われる。硫酸過水処理後のウエハＷは、硫酸過水処理チャンバ１からアンモニア過水処理チャンバ２へ移送され、アンモニア過水処理チャンバ２内において、ＳＣ１を用いたアンモニア過水処理を受ける。アンモニア過水処理チャンバ２は、硫酸過水処理チャンバ１から隔離されているので、アンモニア過水処理チャンバ２内には、ＳＰＭのミストが存在しない。 （もっと読む）

【課題】収容部材内の薬液ミストを含む雰囲気が処理室内に拡散することを防止できる、基板処理装置を提供すること。
【解決手段】処理チャンバ２内において、ウエハＷを保持するウエハ回転機構３は、カップ８内に収容された状態で設けられている。カップ８の上端部には、カーテン形成ノズル３０が設けられている。また、処理チャンバ２内には、ウエハＷの表面にＳＰＭを供給するための移動ノズル１４が設けられている。少なくともウエハＷの表面へのＳＰＭの供給中は、カップ８の上方に水カーテンＷＣが形成され、水カーテンＷＣによって、カップ８の内側の空間を含む水カーテンＷＣの内側の空間と水カーテンＷＣの外側の空間とが遮断される。 （もっと読む）

【課題】基板にリンス液を供給する工程の終了後に、基板に薬液ミストが付着することを防止できる、基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板に対するレジスト剥離処理においては、処理室内において、基板にＳＰＭが供給される。このとき、基板でのＳＰＭの跳ね返りやＳＰＭ中の水分の蒸発などによるＳＰＭのミストが生じ、ＳＰＭのミストが処理室内の空間に浮遊して拡散する。基板へのＳＰＭの供給の終了後、基板にＳＰＭを洗い流すための純水が供給される。この純水の供給と並行して、処理室内の空間に微細な水滴が噴射される。これにより、処理室内の空間に拡散したＳＰＭのミストに微細な水滴がかかり、ＳＰＭのミストが微細な水滴に吸収され、ＳＰＭのミストが処理室内の雰囲気中から排除される。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて基板へのパーティクルの付着可能性を低減することができ、清浄に基板を洗浄することのできる基板洗浄方法及び基板洗浄装置並びに基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、半導体ウエハＷの周縁部を支持する基板支持機構２を具備している。半導体ウエハＷの表面側に設けられた噴射機構４は、常温常圧で気体の洗浄体、例えば、二酸化炭素の少なくとも一部を、固体又は液体の微粒子として噴射ノズル３から半導体ウエハＷの表面に噴射する。半導体ウエハＷの裏面側の加熱機構６は、加熱された気体を気体ノズル５から半導体ウエハＷの裏面に向けて供給し、噴射ノズル３の噴射位置に対応する部位を局所的に加熱する。 （もっと読む）

【課題】基板上の液膜を短時間で凍結させることができる基板処理方法および装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂに液膜１１ｆ、１１ｂを形成するために基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂに供給するＤＩＷを熱交換器６２３Ａにより常温より低い温度に冷却しているため、凍結膜１３ｆ、１３ｂを生成するのに要する時間を短縮することができる。また、液膜形成前において、スローリーク処理を実行することで液膜形成時の流量よりも小さな微小流量で冷却ＤＩＷを配管６２１Ａから流出させて配管６２１Ａ内に冷却ＤＩＷを流通させる。このため、配管６２１Ａ内の冷却ＤＩＷの温度上昇が防止され、液膜形成のためにノズル２７、９７からＤＩＷの吐出を開始すると、短時間で冷却ＤＩＷの液膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】乾燥ユニットにおける基板に対する乾燥性能を向上させることができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムならびに記録媒体を提供する。
【解決手段】まず乾燥ユニット２３においてチャンバー壁３９を加熱する。そして、チャンバー壁３９の外部にある大気の温度よりも低い温度のガスである冷却ガスを乾燥ユニット２３のチャンバー２３ａ内に供給することによりチャンバー２３ａ内にある加熱されたＮ２ガスを冷却ガスに置換する。その後、ウエハＷを洗浄槽２２内から乾燥ユニット２３のチャンバー２３ａ内まで移動させる。そして、ウエハＷを洗浄槽２２内から乾燥ユニット２３のチャンバー２３ａ内まで移動させる間に、またはウエハＷを洗浄槽２２内から乾燥ユニット２３のチャンバー２３ａ内まで移動させた後に、チャンバー２３ａ内に乾燥ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】基板の上面に対向し近接して押付部材を配置し基板の処理を行う場合に、高温の処理液を使用するときでも、基板の面内温度の均一性を高め、押付部材の下面と基板上面とで挟まれる空間における温度の上昇を抑えることができる装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗの上面に対向し近接して配置される雰囲気遮断板のプレート部６０の内部に、その中央領域から周辺領域の気体噴出口８０に向かって気体を流通させる気体通路８４を形成し、気体通路の途中を部分的に狭隘にし、その狭隘通路部分１２６とプレート部の下面側とを連通させる吸引細孔１２８を形成して、気体通路にエジェクタ部１１６を設け、吸引細孔の、プレート部の下面に開口する吸い込み口１３０を、気体噴出口よりプレート部下面の中心寄りに配置する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成された金属薄膜を腐食させることなく、基板表面を良好に洗浄することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板表面Ｗｆに銅配線８１が形成された基板Ｗに対してポリマー除去成分を含む処理液による洗浄処理に続けてＤＩＷによるリンス処理が行われる。このリンス処理中においては、ヴィアホール８３ａ内に入り込んだ処理液を短時間でリンス液に置換することは難しく、ヴィアホール８３ａ内に処理液とリンス液が並存し、このことが銅配線８１のうちヴィアホール８３ａの底部に位置する部分に腐食を発生させる主要因のひとつと考えられるが、処理液の酸化還元電位とリンス液の酸化還元電位の差を２０ｍＶ以下とすることで処理液とリンス液の相互作用を抑えて腐食発生を効果的に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】処理液案内部材の内方に処理液雰囲気を保持することができ、処理液案内部材外への処理液雰囲気の流出を抑制または防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】内構成部材１９は、スピンチャック１の周囲を取り囲むように設けられ、第１案内部２５、廃棄溝２６、内側回収溝２７および外側回収溝５２を一体的に有している。中構成部材２０は、内構成部材１９の外側においてスピンチャック１の周囲を取り囲むように設けられ、第２案内部４８を有している。外構成部材２１は、中構成部材２０の第２案内部４８の外側においてスピンチャック１の周囲を取り囲むように設けられている。外構成部材２１には、スカート部８０が備えられている。スカート部８０の垂下部８１の下端部は、液体貯留部７０に貯留された液体中に浸漬されていて、液封構造を形成している。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の酸化を抑制または防止しつつ、シリコン基板に対し処理液を用いた処理を施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】スピンチャック３は、ウエハＷをほぼ水平な姿勢でその裏面（下面）を吸着して保持する保持電極板５を備えている。保持電極板５には、直流回路２２の電源の負極が接続されている。保持電極板５の上方には、対向電極板１０が設けられている。対向電極板１０には、直流回路２２の電源の正極が接続されている。対向電極板１０と、ウエハＷの表面とを隙間ｄを隔てて対向させ、対向電極板１０と保持電極板５との間に電位差が与えられる。この状態で、処理液ノズルからＳＰＭが供給される。 （もっと読む）

【課題】 基板洗浄をさらに効率的に実行できる二流体ノズル、およびこの二流体ノズルによって洗浄処理を実行可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 流路形成部材３１および蓋部材３９は、主として圧縮空気供給源側から供給される気体の導入路を形成する部材である。流路形成部材４１および蓋部材４９は、主として圧縮空気供給源側から供給される気体の導入路を形成する部材である。また、各流路形成部材３１、４１の背面同士が合わせられると、洗浄液供給源７１から供給される液体の導入路が形成されるとともに、Ｙ軸方向を長手方向とし、Ｘ軸方向を幅方向とする略長方形状の液体吐出口が形成される。導出部材５１は、流路形成部材３１側から供給される気体の吐出口と、流路形成部材４１側から供給される気体の吐出口と、を形成する部材である。 （もっと読む）

【課題】基板に対する処理の開始が通常のタイミングよりも遅れた場合に、その処理の開始までに生じた不具合を解消することができる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置では、プロセスレシピに従ったプロセスレシピ制御が２５回繰り返し実行されることにより、２５枚のウエハに対する処理が行われる。２５回のプロセスレシピ制御中に、タイマにより、ウエハへの薬液の供給の停止から次回のプロセスレシピ制御の開始までの時間が計測される。そして、タイマによる計測時間が予め定める基準時間以上であれば、プロセスレシピ制御に割り込んで、プリレシピに従った制御が実行され、プリディスペンス動作が行われる。プリディスペンス動作により、ノズルなどに溜まった薬液が廃棄されるので、プロセスレシピ制御の再開後に、劣化した薬液がウエハに供給されることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板の汚染を抑制または防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、スピンベース６から離隔させた状態でウエハＷを水平に保持する複数個の挟持部材７を有するスピンチャック２を備えている。ウエハＷとスピンベース６との間には区画板３２が配置されている。ウエハＷとスピンベース６との間の空間は、区画板３２によって基板側の空間Ｓ１ａとベース部材側の空間Ｓ１ｂとに区画されている。下側処理液吐出口３７から処理液が吐出されることにより、基板側の空間Ｓ１ａに処理液が供給され、ウエハＷの下面が処理される。また、洗浄液吐出口３０から洗浄液が吐出されることにより、ベース部材側の空間Ｓ１ｂに洗浄液が供給され、スピンベース６の上面６ａおよび区画板３２の下面３２ｂが洗浄される。 （もっと読む）

【課題】基板表面の処理液をＩＰＡなどの低表面張力溶剤に置換させる基板処理方法および基板処理装置において、少ない低表面張力溶剤の使用量で処理液を効率よく確実に置換する。
【解決手段】リンス処理の終了後に、基板Ｗの回転速度が６００ｒｐｍから１０ｒｐｍに減速されてＤＩＷ液膜がパドル状に形成される（パドル形成処理）。続いて、溶剤吐出ノズル７６５を基板中心から周縁に向けて方向Ｄnに移動させながらＩＰＡを供給することで、基板上のＤＩＷ液膜にＩＰＡを添加し表面張力を低下させる（溶剤供給処理）。溶剤吐出ノズル７６５が基板周縁に達し溶剤供給処理が終了した後に、中央に溶剤供給路９７を有する遮断部材９を基板に近接配置し、溶剤供給口９７ａからＩＰＡを供給しながら基板の回転速度を増大させて、ＩＰＡによる置換領域ＳＲを基板全体に広げる（置換処理）。 （もっと読む）

【課題】気体の吹き付けより液切りを行う一方で、当該気体の吹き付けに伴い搬入口側に運ばれる処理液等が当該搬入口から外部に漏れるのを防止する。
【解決手段】基板処理装置は、搬入口２ａから処理室１に搬入される基板Ｓに対して剥離液を供給した後、基板Ｓを搬出口３ａから搬出するように構成される。搬出口３ａの近傍には、基板Ｓに対して基板搬送方向における下流側から上流側に向かってエアを吐出することにより剥離液を除去する第１エアナイフ１３，１３が配置され、搬入口２ａの近傍には、基板搬送方向における上流側から下流側に向かってエアを吐出する第２エアナイフ１４，１４が設けられる。コントローラ３０は、第１エアナイフ１３，１３によるエアの吐出動作中に第２エアナイフ１４，１４からエアが吐出されるようにエアの吐出動作を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板と基板の表面に対向配置される遮断部材と間にそれらの周囲の雰囲気が進入するのを防止する基板処理装置を提供する。
【解決手段】スピンチャック３の上方には、処理カップ５の開口１６を閉塞するための蓋部材１７が、遮断板２２を取り囲むように設けられている。蓋部材１７と遮断板２２の上面との間には、ダウンフロー導路３１が形成されている。ウエハＷの処理時には、処理室２内にクリーンエアのダウンフローが形成されるとともに、排気液溝３７内が強制的に排気されている環境下において、空隙４７を介してダウンフロー導路３１に取り込まれたクリーンエアのダウンフローは、スピンチャック３に保持されたウエハＷの側方に導かれる。そして、クリーンエアの気流がウエハＷの側方を包囲するように形成される。 （もっと読む）

【課題】基板表面の処理液をＩＰＡなどの低表面張力溶剤に置換させる基板処理方法および基板処理装置において、少ない低表面張力溶剤の使用量で処理液を効率よく確実に置換する。
【解決手段】リンス処理の終了後に、基板Ｗの回転速度が６００ｒｐｍから１０ｒｐｍに減速されてＤＩＷ液膜がパドル状に形成される（パドル形成処理）。その後、所定量のＩＰＡを基板Ｗ上の液膜に供給してから（溶剤供給処理）、ＩＰＡを供給せずに基板を回転させることで液膜を攪拌する（攪拌処理）。これにより、基板上に残留していたＤＩＷがＩＰＡ内に溶け込む。さらにその後、ＩＰＡ供給を再開して基板の回転速度を高めることにより、基板Ｗ上のＤＩＷを完全にＩＰＡに置換する（置換処理）。 （もっと読む）

【課題】基板の表面からリンス液を良好に除去することができる、基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷの表面に純水が供給され、ウエハＷの表面に対するリンス処理（ウエハＷの表面を純水で洗い流す処理）が行われた後、純水よりも表面張力の低いＩＰＡ液がウエハＷの表面に供給される。また、ＩＰＡ液の供給と並行して、ウエハＷの表面と反対側の裏面に温水が供給される。 （もっと読む）

【課題】基板表面の処理液をＩＰＡなどの低表面張力溶剤に置換させる基板処理方法および基板処理装置において、少ない低表面張力溶剤の使用量で処理液を効率よく置換する。
【解決手段】リンス処理の終了後に、基板Ｗの回転速度が６００ｒｐｍから１０ｒｐｍに減速されてＤＩＷ液膜がパドル状に形成される。そして、ＤＩＷ供給停止後、所定時間が経過してパドル状の液膜の膜厚Ｔ1がほぼ均一になるのを待ってから、基板Ｗの回転速度が４０ｒｐｍに加速される。これによって、基板上のＤＩＷ液膜の厚さが膜厚Ｔ2に減少する。こうして基板上のＤＩＷ量が減少した状態で、ＤＩＷを置換するためのＩＰＡの供給を開始することにより、置換に必要なＩＰＡの量を少なくすることができる。 （もっと読む）

【課題】処理室間においてミスト状処理液の侵入を防止する。
【解決手段】基板処理装置は、剥離液により剥離処理を施す第１剥離処理室１と、前記剥離液よりも低濃度の剥離液により剥離処理を施す第２剥離処理室３と、各処理室１，３の間に介設される中間室２と、第１剥離処理室１、中間室２及び第２剥離処理室３の隔壁１１，１３に形成される基板搬送用の開口部１１ａ，１３ａを各々開閉するシャッタ２５，３４等と、中間室２において少なくとも第２剥離処理室３側の開口部１３ａが開放されているときに、当該開口部１３ａに向かってエアを吐出するエアナイフ３６，３６と、エアナイフ３６，３６と前記開口部１３ａとの間に排気口４０を有し、この排気口４０を通じて中間室２内を排気する排気手段とを備えている。 （もっと読む）